JPS62140209A - 合金磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
合金磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS62140209A JPS62140209A JP60281350A JP28135085A JPS62140209A JP S62140209 A JPS62140209 A JP S62140209A JP 60281350 A JP60281350 A JP 60281350A JP 28135085 A JP28135085 A JP 28135085A JP S62140209 A JPS62140209 A JP S62140209A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- magnetic
- thin
- thin film
- gap forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は合金磁気ヘッドの製造方法、特に高密度磁気記
録達成のための高坑磁カテープ対応のアモルファス磁気
ヘッドの狭ギヤツプ形成方法に関するものである。
録達成のための高坑磁カテープ対応のアモルファス磁気
ヘッドの狭ギヤツプ形成方法に関するものである。
従来の技術
近年、磁気記録密度向上のためメタルテープや蒸着テー
プ等が用いられ初めているが、これに対応する磁気ヘッ
ドとしては磁心ギャップ近傍の磁気飽和の生じにくい高
飽和磁束密度磁心材料が必要である。現在このような高
性能磁気ヘッドのコア材として、アモルファス合金（た
とえばＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系合金）やセンダスト合金（Ｆ
ｅ−ＡＩ−３ｉ系合金）が用いられている。特に、アモ
ルファス合金は、結晶を組んでいないことによるさまざ
まな特徴（結晶磁気異方性を持たない、硬度が高い、固
有抵抗ρが大きい及び薄板材が得られやすい等）を持っ
ていることから、材料を中心に積極的に開発が行なわれ
、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系スパッタ膜や、Ｆｅ−Ｃｏ−３ｔ
−Ｂ系すボンアモルファス等の材料が発表されている
。しかしながら、これらのアモルファス合金は、５５０
℃付近の比較的低い温度域にアモルファス状態から結晶
化がはじまる非可逆の転移点があるので、この温度以上
で磁気ヘッドの製造のための加工を行なうと磁気特性の
面で急激な劣化がおこるという欠点ももっていた。特に
ギャップ形成時の熱処理（同時にコア間の接合処理）工
程で、コア材が高温に晒されるため、上記の欠点が発生
しやすかった。
プ等が用いられ初めているが、これに対応する磁気ヘッ
ドとしては磁心ギャップ近傍の磁気飽和の生じにくい高
飽和磁束密度磁心材料が必要である。現在このような高
性能磁気ヘッドのコア材として、アモルファス合金（た
とえばＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系合金）やセンダスト合金（Ｆ
ｅ−ＡＩ−３ｉ系合金）が用いられている。特に、アモ
ルファス合金は、結晶を組んでいないことによるさまざ
まな特徴（結晶磁気異方性を持たない、硬度が高い、固
有抵抗ρが大きい及び薄板材が得られやすい等）を持っ
ていることから、材料を中心に積極的に開発が行なわれ
、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系スパッタ膜や、Ｆｅ−Ｃｏ−３ｔ
−Ｂ系すボンアモルファス等の材料が発表されている
。しかしながら、これらのアモルファス合金は、５５０
℃付近の比較的低い温度域にアモルファス状態から結晶
化がはじまる非可逆の転移点があるので、この温度以上
で磁気ヘッドの製造のための加工を行なうと磁気特性の
面で急激な劣化がおこるという欠点ももっていた。特に
ギャップ形成時の熱処理（同時にコア間の接合処理）工
程で、コア材が高温に晒されるため、上記の欠点が発生
しやすかった。
この対策として、接合部分に有機接着剤を用いて接合を
低温度領域で行なう方法が考えられているが、接合すべ
き突き合せ部分の面積が小さ過ぎることから、ヘッドと
して十分な接合強度が維持できないことから、従来のア
モルファス合金磁気ヘッドは、アモルファス合金コアを
例えばＳｉｎ。
低温度領域で行なう方法が考えられているが、接合すべ
き突き合せ部分の面積が小さ過ぎることから、ヘッドと
して十分な接合強度が維持できないことから、従来のア
モルファス合金磁気ヘッドは、アモルファス合金コアを
例えばＳｉｎ。
薄膜のような非磁性層を介して突き合せた状態で更にそ
の両側を２枚のガラスコアではさみ、有機接着剤で合金
コアとガラスコアを接着しガラスコア同士も接着する方
法でヘッドとしての強度を向上させた構造になっていた
。
の両側を２枚のガラスコアではさみ、有機接着剤で合金
コアとガラスコアを接着しガラスコア同士も接着する方
法でヘッドとしての強度を向上させた構造になっていた
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、この方法では、アモルファス合金コア間
の接合が行なわれておらず、フロントギャップの合金コ
ア間に非磁性材料であるＳｉ０ｇ薄膜が配置された状態
で、機械的に突き合わされただけで接合していないこと
から、テープ走行によって、磁気テープから脱落した磁
性粉や埃等が、上記の突き合わされて形成されたフロン
トギャップのコア間に入り込み、ギャップを拡大させて
ギャップの精度の低下、すなわちヘッド特性の低下をひ
き起こすという問題があった。
の接合が行なわれておらず、フロントギャップの合金コ
ア間に非磁性材料であるＳｉ０ｇ薄膜が配置された状態
で、機械的に突き合わされただけで接合していないこと
から、テープ走行によって、磁気テープから脱落した磁
性粉や埃等が、上記の突き合わされて形成されたフロン
トギャップのコア間に入り込み、ギャップを拡大させて
ギャップの精度の低下、すなわちヘッド特性の低下をひ
き起こすという問題があった。
問題点を解決するための手段
本発明は前記問題点を解決するために、アモルファス合
金磁心のフロントギャップ形成面に非磁性層としてセラ
ミックスと鉛含有ガラスの二層薄膜を形成し、次に左右
の合金磁心のバックギャップ形成面にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ
系合金薄膜を形成後、合金磁心のギャップ形成面同志を
合わせた状態で、鉛含有ガラスの軟化温度及びＡｇ−Ｃ
ｕ−Ｉｎ系合金の液相が出現する温度以上の非酸化性雰
囲気で低温熱処理することによって、高精度で機械的強
度の高い磁気ヘッドを提供するものである。
金磁心のフロントギャップ形成面に非磁性層としてセラ
ミックスと鉛含有ガラスの二層薄膜を形成し、次に左右
の合金磁心のバックギャップ形成面にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ
系合金薄膜を形成後、合金磁心のギャップ形成面同志を
合わせた状態で、鉛含有ガラスの軟化温度及びＡｇ−Ｃ
ｕ−Ｉｎ系合金の液相が出現する温度以上の非酸化性雰
囲気で低温熱処理することによって、高精度で機械的強
度の高い磁気ヘッドを提供するものである。
作用
本発明は、アモルファス合金磁心のフロントギャップ形
成面にセラミックスと低融点鉛含有ガラスを、またバッ
クギャップ形成面に低融点Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金を形
成した後、２枚のコア板を接合することによって得られ
た。
成面にセラミックスと低融点鉛含有ガラスを、またバッ
クギャップ形成面に低融点Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金を形
成した後、２枚のコア板を接合することによって得られ
た。
アモルファス合金磁心のフロントギャップ形成面に、セ
ラミックスと鉛含有ガラス薄膜を形成した場合はセラミ
ックスと鉛含有ガラスの界面は、化学反応によりごく薄
い化合物が形成され機械的にかなり強い強度を有するギ
ャップを得ることができる。またこのギャップ幅は、反
応層がご（表面だけで起こるためｓｔｏｚｍ膜と鉛含有
ガラス薄膜の厚さで規定できることになる。
ラミックスと鉛含有ガラス薄膜を形成した場合はセラミ
ックスと鉛含有ガラスの界面は、化学反応によりごく薄
い化合物が形成され機械的にかなり強い強度を有するギ
ャップを得ることができる。またこのギャップ幅は、反
応層がご（表面だけで起こるためｓｔｏｚｍ膜と鉛含有
ガラス薄膜の厚さで規定できることになる。
またバックギャップ形成面に形成するＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ
系合金の組成がＩｎを３０〜６０重量％含み、残りのＡ
ｇとＣｕがそれぞれ１０ａｔ％以上であることにより、
その合金の融点は５００℃以下になり、アモルファス合
金とＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金の相互拡散が起こり、アモル
ファス合金が結晶化しない温度領域での強い接合が可能
となった。
系合金の組成がＩｎを３０〜６０重量％含み、残りのＡ
ｇとＣｕがそれぞれ１０ａｔ％以上であることにより、
その合金の融点は５００℃以下になり、アモルファス合
金とＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金の相互拡散が起こり、アモル
ファス合金が結晶化しない温度領域での強い接合が可能
となった。
実施例
以下実施例を示す。
（実施例１）
以下に示すような方法で、第１図（８１に示したような
構造のへソドピースを作製し、検討した。
構造のへソドピースを作製し、検討した。
アモルファス合金として液体超急冷法によるＦｅ−Ｃｏ
−３１−１３の薄帯を作成した。この時の合金の組成は
、Ｆｅ：５、Ｃｏ ニア０． Ｓ ｉ ：１０およびＢ
： １５ａｔ％であった。次にこの薄帯の表面を鏡面
研摩（最大表面粗さ： Ｒｍａｘ Ｏ，０１μｍ） し
、また厚みも３０μｍにした。これを第２図（ａｌに示
すように、突合せ型磁気ヘッドの形状の左右のコア部に
なるようにすべく切断した。次に左右のアモルファス合
金磁心と同形状のガラス板を用意し、第２図（ｂ）に示
すように合金磁心をはさむように配し、合金磁心とガラ
ス板を有機接着剤で接合し、一対の合金磁心を得た。次
に突合せ型磁気ヘッドの形状の左右のコアのギャップ形
成面を鏡面研摩（最大表面粗さ： Ｒｍａｘ Ｏ，０１
μｍ）した。
−３１−１３の薄帯を作成した。この時の合金の組成は
、Ｆｅ：５、Ｃｏ ニア０． Ｓ ｉ ：１０およびＢ
： １５ａｔ％であった。次にこの薄帯の表面を鏡面
研摩（最大表面粗さ： Ｒｍａｘ Ｏ，０１μｍ） し
、また厚みも３０μｍにした。これを第２図（ａｌに示
すように、突合せ型磁気ヘッドの形状の左右のコア部に
なるようにすべく切断した。次に左右のアモルファス合
金磁心と同形状のガラス板を用意し、第２図（ｂ）に示
すように合金磁心をはさむように配し、合金磁心とガラ
ス板を有機接着剤で接合し、一対の合金磁心を得た。次
に突合せ型磁気ヘッドの形状の左右のコアのギャップ形
成面を鏡面研摩（最大表面粗さ： Ｒｍａｘ Ｏ，０１
μｍ）した。
次に第４図（ａｌのようにフロントギャップ形成部分の
両方にスパッタ法を用いて石英（５１０，）の薄膜を形
成し、さらにその上に同じくスパッタ法で鉛含有ガラス
薄膜を形成した。ここで上述の石英薄膜は、厚さが均一
に０．１０μｍであった。一方上述の鉛含有ガラス薄膜
は厚さが均一に０．０５μｍで、その組成がＰｂｏが７
３ａ ｔ％、Ｓｉｎｇが２７％からなるガラス薄膜であ
る。次に同じくスパッタ法にて、バックギャップ部のは
り合わせ部分の両方にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金薄膜を均一
に、０．１５μｍ形成した。この時の組成はＡｇが４０
ａｔ％、Ｃｕが３０ａｔ％およびＩｎが３０ａ ｔ％で
あった。これらのスパッタ法により得られたフロントギ
ャップ及びバックギャップ側をそれぞれ互いにつき合わ
せ一対のチップとした状態で真空雰囲気（１０−’Ｔｏ
ｒｎ以下）中で５００℃の温度で１時間処理を行って、
ギャップ部の接合処理を行ない、アモルファス合金のヘ
ッドピースを得た。形成されたギャップ部の機械的強度
を調べるため、ヘッドの走行面に対して、メタルテープ
（保持力ＨＣ： １４００エールステツド、飽和磁束密
度Ｂ ｒ ： ３０００ガウス）を相対速度３．４５ｍ
／ｓｅｃで５００ Ｈ走行させた。この時のギャップ部
の観察からギャップの広がりとかギャップ部分のカケの
発生は認められなかった。またこのヘッドの巻線みぞに
コイルを２５タ一ン巻いた時の６ＭＨｚでのヘッドの再
生出力電圧は２００μ■（ピークツーピーク）であった
。この結果を表１の試料番号１に示す。以下同様の方法
でフロントギャップ部分の５ｉｎ２を他のセラミックス
（Ｚｒ Ｏ！＋ Ｍ ｇ ＯｌＡ Ｉ ｔ Ｏｓ＋ Ｔ
ｉ Ｏｘ及びＭｇＯ。
両方にスパッタ法を用いて石英（５１０，）の薄膜を形
成し、さらにその上に同じくスパッタ法で鉛含有ガラス
薄膜を形成した。ここで上述の石英薄膜は、厚さが均一
に０．１０μｍであった。一方上述の鉛含有ガラス薄膜
は厚さが均一に０．０５μｍで、その組成がＰｂｏが７
３ａ ｔ％、Ｓｉｎｇが２７％からなるガラス薄膜であ
る。次に同じくスパッタ法にて、バックギャップ部のは
り合わせ部分の両方にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金薄膜を均一
に、０．１５μｍ形成した。この時の組成はＡｇが４０
ａｔ％、Ｃｕが３０ａｔ％およびＩｎが３０ａ ｔ％で
あった。これらのスパッタ法により得られたフロントギ
ャップ及びバックギャップ側をそれぞれ互いにつき合わ
せ一対のチップとした状態で真空雰囲気（１０−’Ｔｏ
ｒｎ以下）中で５００℃の温度で１時間処理を行って、
ギャップ部の接合処理を行ない、アモルファス合金のヘ
ッドピースを得た。形成されたギャップ部の機械的強度
を調べるため、ヘッドの走行面に対して、メタルテープ
（保持力ＨＣ： １４００エールステツド、飽和磁束密
度Ｂ ｒ ： ３０００ガウス）を相対速度３．４５ｍ
／ｓｅｃで５００ Ｈ走行させた。この時のギャップ部
の観察からギャップの広がりとかギャップ部分のカケの
発生は認められなかった。またこのヘッドの巻線みぞに
コイルを２５タ一ン巻いた時の６ＭＨｚでのヘッドの再
生出力電圧は２００μ■（ピークツーピーク）であった
。この結果を表１の試料番号１に示す。以下同様の方法
でフロントギャップ部分の５ｉｎ２を他のセラミックス
（Ｚｒ Ｏ！＋ Ｍ ｇ ＯｌＡ Ｉ ｔ Ｏｓ＋ Ｔ
ｉ Ｏｘ及びＭｇＯ。
ＡＩ！Ｏｓのうちの一種に変えた試料の各種試験結果を
表１の試料番号２〜６に示す。また比較例として、フロ
ントギャップに鉛含有ガラスを用いない試料（すなわち
フロントギャップがＳｉＯ□だけで突き合わされている
場合）も同様の方法で作成し、各種試験を行った。その
結果を第１表試料Ｎａ７に示した。
表１の試料番号２〜６に示す。また比較例として、フロ
ントギャップに鉛含有ガラスを用いない試料（すなわち
フロントギャップがＳｉＯ□だけで突き合わされている
場合）も同様の方法で作成し、各種試験を行った。その
結果を第１表試料Ｎａ７に示した。
この結果から、フロントギャップにセラミック材料（Ｓ
ｔａｇ 、Ｚｒ０ｚ 、ＭｇＯ，’Ａｌｚ ０３゜Ｔｉ
１ｔ及びＭｇＯ，Ａ１．０３のいずれか一種）薄膜とガ
ラス薄膜の２層膜を用いてギャップを形成したもののテ
ープ走行後のギャップの状態に変化は無く、また良好な
再生出力電圧も得られることがわかる。比較例としてフ
ロントギャップにガラスを用いないものを示したが、こ
れはテープ走行によってギャップに欠けが発生しており
、再生出力電圧は８０μｖｐ−ｐと低い値を示した。
ｔａｇ 、Ｚｒ０ｚ 、ＭｇＯ，’Ａｌｚ ０３゜Ｔｉ
１ｔ及びＭｇＯ，Ａ１．０３のいずれか一種）薄膜とガ
ラス薄膜の２層膜を用いてギャップを形成したもののテ
ープ走行後のギャップの状態に変化は無く、また良好な
再生出力電圧も得られることがわかる。比較例としてフ
ロントギャップにガラスを用いないものを示したが、こ
れはテープ走行によってギャップに欠けが発生しており
、再生出力電圧は８０μｖｐ−ｐと低い値を示した。
（実施例２）
以下に示すような方法で、第１図山）に示したような構
造のヘッドピースを作成し、検討した。
造のヘッドピースを作成し、検討した。
まずガラス基板の表面を鏡面研摩（最大表面粗さＲｍａ
ｘ Ｏ，０１μｍ）した。次にこの面にスパッタ法を用
いてＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂのアモルファス合金の磁性体膜を
６μｍ形成後、その上に非磁性層のＳｔＯ，膜を同様に
スパッタ法で０．０１μｍ形成した。この操作をくり返
し行い、第３図（ａ）に示すように、最終的に磁性体膜
が３１ｉの多層膜を作成した。この時の磁性体膜の組成
は、Ｃｏ：８５ａｔ％。
ｘ Ｏ，０１μｍ）した。次にこの面にスパッタ法を用
いてＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂのアモルファス合金の磁性体膜を
６μｍ形成後、その上に非磁性層のＳｔＯ，膜を同様に
スパッタ法で０．０１μｍ形成した。この操作をくり返
し行い、第３図（ａ）に示すように、最終的に磁性体膜
が３１ｉの多層膜を作成した。この時の磁性体膜の組成
は、Ｃｏ：８５ａｔ％。
Ｎ ｂ ： １０ａｔ％及びＺｒ’：５ａｔ％であった
。
。
次に第３図（ｂｌに示すように、突合せ型磁気ヘッドの
形状の左右のコア部になるようにすべく切断し、ギャッ
プ形成面を鏡面研摩（最大表面粗さＲｍａｘ ０．０１
＃ｍ） シた。
形状の左右のコア部になるようにすべく切断し、ギャッ
プ形成面を鏡面研摩（最大表面粗さＲｍａｘ ０．０１
＃ｍ） シた。
次に第４図（ｂｌのようにフロントギャップ形成部分の
両方にスパッタ法を用いて石英（Ｓ ｉ Ｏｔ ）の薄
膜を形成し、さらにその上に同じくスパッタ法で鉛含有
ガラス薄膜を形成した。ここで上述の石英薄膜は、厚さ
が均一に０．１０μｍであった。一方上述の鉛含有ガラ
ス薄膜は厚さ均一に０．０５μｍで、その組成が、Ｐｂ
ｏが７３ａ ｔ％、５ｉＯｚが２７ａｔ％から成るガラ
ス薄膜である。次に同じくスパッタ法にて、バックギャ
ップ部のはり合わせ部分の両方にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金
薄膜を均一に０．１５μｍ形成した。この時の組成は、
Ａｇが６０ａ ｔ％、Ｃｕが１０ａｔ％及びＩｎが３０
ａｔ％であった。これらのスパッタ法により得られたフ
ロントギャップ及びバックギャップ側をそれぞれ互いに
つき合わせ一対のチップとした状態で窒素雰囲気中で５
００℃の温度で１時間処理を行って、ギャップ部の接合
処理を行い、アモルファス合金のヘッドピースを得た。
両方にスパッタ法を用いて石英（Ｓ ｉ Ｏｔ ）の薄
膜を形成し、さらにその上に同じくスパッタ法で鉛含有
ガラス薄膜を形成した。ここで上述の石英薄膜は、厚さ
が均一に０．１０μｍであった。一方上述の鉛含有ガラ
ス薄膜は厚さ均一に０．０５μｍで、その組成が、Ｐｂ
ｏが７３ａ ｔ％、５ｉＯｚが２７ａｔ％から成るガラ
ス薄膜である。次に同じくスパッタ法にて、バックギャ
ップ部のはり合わせ部分の両方にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金
薄膜を均一に０．１５μｍ形成した。この時の組成は、
Ａｇが６０ａ ｔ％、Ｃｕが１０ａｔ％及びＩｎが３０
ａｔ％であった。これらのスパッタ法により得られたフ
ロントギャップ及びバックギャップ側をそれぞれ互いに
つき合わせ一対のチップとした状態で窒素雰囲気中で５
００℃の温度で１時間処理を行って、ギャップ部の接合
処理を行い、アモルファス合金のヘッドピースを得た。
形成されたギャップ部の機械的強度と、ヘッドの再生出
力電圧を調べるため、実施例１と同様の方法で試験を行
った。この結果を表２の試料番号９に示した。以下同様
の方法でバックギャップ部のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄
膜の組成を変えた試料の各種試験結果を表２の試料番号
８と１０〜２２に示した。ここで試料＆８．１２および
２２は熱処理によって左右のコア間の接合は出来なかっ
た。
力電圧を調べるため、実施例１と同様の方法で試験を行
った。この結果を表２の試料番号９に示した。以下同様
の方法でバックギャップ部のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄
膜の組成を変えた試料の各種試験結果を表２の試料番号
８と１０〜２２に示した。ここで試料＆８．１２および
２２は熱処理によって左右のコア間の接合は出来なかっ
た。
考
１例
を例
以上の結果からバックギャップ形成面に形成するＡｇ−
Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜の組成がＩｎを３０〜６０ａ ｔ
％、残りのＡｇとＣｕがそれぞれ１０ａｔ％以上含まれ
ているものはテープ走行後のギャップの状態に変化は無
く、また良好な再生出力電圧も得られた。このことより
、左右のコア間が強く接合されていることがわかる。
Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜の組成がＩｎを３０〜６０ａ ｔ
％、残りのＡｇとＣｕがそれぞれ１０ａｔ％以上含まれ
ているものはテープ走行後のギャップの状態に変化は無
く、また良好な再生出力電圧も得られた。このことより
、左右のコア間が強く接合されていることがわかる。
ここでアモルファス合金とＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金の拡
散状態を調べるため接合面を強制的に剥離させ、その面
の深さ方向の元素分析をオーシュ電子分光分析によって
行った。その結果、アモルファス合金中へＡｇとＣｕが
、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金中にＦｅが相互拡散しているこ
とがわかった。
散状態を調べるため接合面を強制的に剥離させ、その面
の深さ方向の元素分析をオーシュ電子分光分析によって
行った。その結果、アモルファス合金中へＡｇとＣｕが
、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金中にＦｅが相互拡散しているこ
とがわかった。
また、これは、ＡｇとＣｕの両元素が１０ａｔ％以上含
まれる時が顕著であることから、試料＆８．１２が接合
しなかったのはアモルファス合金とＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合
金間での相互拡散が無いためと考えられる。また試料Ｎ
ａ２２の剥離面はＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金であったことか
ら、Ｉｎ量が多すぎるとＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金自身の強
度が弱くなるためと考えられる。
まれる時が顕著であることから、試料＆８．１２が接合
しなかったのはアモルファス合金とＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合
金間での相互拡散が無いためと考えられる。また試料Ｎ
ａ２２の剥離面はＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金であったことか
ら、Ｉｎ量が多すぎるとＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ合金自身の強
度が弱くなるためと考えられる。
発明の効果
以上の説明および表１．２から明らかなように、本発明
は、一対のアモルファス合金磁心のフロントギャップ形
成面に非磁性層としてセラミックスと鉛含有ガラスの二
層薄膜を形成し、次にバンクギャップ形成面に低融点組
成のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜を形成後、ガラスの軟
化点及びＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金の液相が出現する温度
以上の非酸化性雰囲気で低温熱処理して機械的強度の高
い高精度なギャップを持つ磁気ヘッドを得るものである
。ここでフロントギャップ形成面のセラミックスとガラ
スの界面においては、熱処理によって化学反応が起こり
、強固な狭ギャップを得ることが出来る。また、コア間
の接合を目的としたＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜はその
組成がＩｎを３０〜６０ａｔ％含み残りのＡｇとＣｕが
それぞれ１０ａｔ％以上であることにより融点が約５０
０℃以下と非常に低く、コア間の接合時の熱処理（同時
にギャップ形成も行なう）によってもアモルファス状態
が結晶化する恐れがなくなり、アモルファス合金磁気ヘ
ッドの製造上の制約を著しく減少させるものである。こ
の方法で得られた磁気ヘッドは、従来のアモルファスヘ
ッドと比較しても、テープ走行による狭ギャプの精度及
び、高周波における再生比力特性等で著しく優れており
、３ ｗ Ｖ Ｔ ＲやＤＡＴ等の高密度磁気記録用磁
気ヘッドとしての対応が期待できる。
は、一対のアモルファス合金磁心のフロントギャップ形
成面に非磁性層としてセラミックスと鉛含有ガラスの二
層薄膜を形成し、次にバンクギャップ形成面に低融点組
成のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜を形成後、ガラスの軟
化点及びＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金の液相が出現する温度
以上の非酸化性雰囲気で低温熱処理して機械的強度の高
い高精度なギャップを持つ磁気ヘッドを得るものである
。ここでフロントギャップ形成面のセラミックスとガラ
スの界面においては、熱処理によって化学反応が起こり
、強固な狭ギャップを得ることが出来る。また、コア間
の接合を目的としたＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜はその
組成がＩｎを３０〜６０ａｔ％含み残りのＡｇとＣｕが
それぞれ１０ａｔ％以上であることにより融点が約５０
０℃以下と非常に低く、コア間の接合時の熱処理（同時
にギャップ形成も行なう）によってもアモルファス状態
が結晶化する恐れがなくなり、アモルファス合金磁気ヘ
ッドの製造上の制約を著しく減少させるものである。こ
の方法で得られた磁気ヘッドは、従来のアモルファスヘ
ッドと比較しても、テープ走行による狭ギャプの精度及
び、高周波における再生比力特性等で著しく優れており
、３ ｗ Ｖ Ｔ ＲやＤＡＴ等の高密度磁気記録用磁
気ヘッドとしての対応が期待できる。
第１図（ａｌは本発明の一実施例に基けるＦｅ−Ｃｏ−
３ｉ−Ｂアモルファス合金磁気ヘッドの斜視図、第１図
（ｂｌは、本発明の一実施例におけるＣ。 −Ｚｒ−Ｎｂアモルファス合金磁気ヘッドの斜視図、第
２図（ａ）はＦｅ−Ｃｏ−３ｔ −Ｂアモルファス合金
リボンを突合せ型磁気ヘッドの形状に切断した一対の合
金磁心の斜視図、第２図（ｂ）はこの合金磁心を同形状
のガラス板ではさんだ状態の斜視図、第３図（ａｌはガ
ラス基板上にＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス合金薄膜と
Ｓｉｎ、薄膜の積層膜を形成した時の断面図、第３図（
ｂｌはこれを突合せ型磁気ヘッドの形状に切断した一対
のコアブロックの斜視図、第４図＋ａ）は一対のＦｅ−
Ｃｏ−３ｌ−Ｂアモルファス合金磁心のギャップ形成部
分にギャップ材料を形成した時の断面図、第４図（ｂｌ
は一対のＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス合金磁心のギャ
ップ形成部分にギャップ材料を形成した時の断面図であ
る。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・Ｆｅ−Ｃｏ
−３ｉ−Ｂ系アモルファス合金リボン、３・・・・・・
ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系アモルファス合金薄膜、４・・・・
・・ＳｉＯ。 薄膜、５・・・・・・巻線窓、６・・・・・・フロント
ギャップ形成面、７・・・・・・バンクギャップ形成面
、８・・・・・・セラミック薄膜、９・・・・・・ガラ
ス薄膜、１０・旧・・Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第２図
ｔ に／１− ３３図
３ｉ−Ｂアモルファス合金磁気ヘッドの斜視図、第１図
（ｂｌは、本発明の一実施例におけるＣ。 −Ｚｒ−Ｎｂアモルファス合金磁気ヘッドの斜視図、第
２図（ａ）はＦｅ−Ｃｏ−３ｔ −Ｂアモルファス合金
リボンを突合せ型磁気ヘッドの形状に切断した一対の合
金磁心の斜視図、第２図（ｂ）はこの合金磁心を同形状
のガラス板ではさんだ状態の斜視図、第３図（ａｌはガ
ラス基板上にＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス合金薄膜と
Ｓｉｎ、薄膜の積層膜を形成した時の断面図、第３図（
ｂｌはこれを突合せ型磁気ヘッドの形状に切断した一対
のコアブロックの斜視図、第４図＋ａ）は一対のＦｅ−
Ｃｏ−３ｌ−Ｂアモルファス合金磁心のギャップ形成部
分にギャップ材料を形成した時の断面図、第４図（ｂｌ
は一対のＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス合金磁心のギャ
ップ形成部分にギャップ材料を形成した時の断面図であ
る。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・Ｆｅ−Ｃｏ
−３ｉ−Ｂ系アモルファス合金リボン、３・・・・・・
ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ系アモルファス合金薄膜、４・・・・
・・ＳｉＯ。 薄膜、５・・・・・・巻線窓、６・・・・・・フロント
ギャップ形成面、７・・・・・・バンクギャップ形成面
、８・・・・・・セラミック薄膜、９・・・・・・ガラ
ス薄膜、１０・旧・・Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第２図
ｔ に／１− ３３図
Claims (3)
- （１）アモルファス合金磁心材料よりなる左右突合せ型
磁気ヘッドであって、左右の合金磁心のフロントギャッ
プ形成面に非磁性層としてセラミックスと鉛含有ガラス
の二層薄膜を形成し、次に前記左右の合金磁心のバック
ギャップ形成面に銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）−インジウム
（Ｉｎ）系合金薄膜を形成後、前記合金磁心のギャップ
形成面同志を合わせた状態で、鉛含有ガラスの軟化温度
及びＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金の液相が出現する温度以上
の非酸化性雰囲気で熱処理し、前記左右の合金磁心を拡
散接合することによって、磁気的なギャップを形成する
ことを特徴とする合金磁気ヘッドの製造方法。 - （２）非磁性層のセラミック薄膜が石英（ＳｉＯ＿２）
、ジルコニア（ＺｒＯ＿２）、マグネシア（ＭｇＯ）、
アルミナ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、酸化チタン（ＴｉＯ＿２
）及びスピネル（ＭｇＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３）のいずれか
一種で形成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の合金磁気ヘッドの製造方法。 - （３）バックギャップ形成面に形成するＡｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系合金薄膜の組成が、Ｉｎを３０〜６０重量％含み残
りのＡｇとＣｕがそれぞれ１０重量％以上であることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の合金磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60281350A JPS62140209A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60281350A JPS62140209A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62140209A true JPS62140209A (ja) | 1987-06-23 |
| JPH0582645B2 JPH0582645B2 (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=17637886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60281350A Granted JPS62140209A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62140209A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2685805A1 (fr) * | 1991-12-31 | 1993-07-02 | Europ Composants Electron | Procede de fabrication de tete magnetique pour couches a hauts champs coercitifs. |
-
1985
- 1985-12-13 JP JP60281350A patent/JPS62140209A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2685805A1 (fr) * | 1991-12-31 | 1993-07-02 | Europ Composants Electron | Procede de fabrication de tete magnetique pour couches a hauts champs coercitifs. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582645B2 (ja) | 1993-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH036564B2 (ja) | ||
| JP2554041B2 (ja) | 磁気ヘッドコアの製造方法 | |
| JPS62140209A (ja) | 合金磁気ヘツドの製造方法 | |
| US4811148A (en) | Alloy magnetic recording head | |
| JPS60201509A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| EP0138580A2 (en) | Alloy magnetic recording head | |
| JPS63112809A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH03168909A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS63102007A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JP3211295B2 (ja) | 積層型磁気ヘッド | |
| JPS63217514A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS63217515A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS6148114A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS6394422A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0782615B2 (ja) | 磁気ヘッド用基板材料及び磁気ヘッド | |
| JPS60234210A (ja) | 非晶質磁性合金を用いた磁気ヘツド | |
| JPH0254405A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS63311611A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPH02203406A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0237510A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS6150201A (ja) | 合金磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0536016A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS61107512A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS63269310A (ja) | 磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH07122924B2 (ja) | 軟磁性金属膜磁気ヘツド |