JPS6110812A - 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造法 - Google Patents
架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造法Info
- Publication number
- JPS6110812A JPS6110812A JP18123584A JP18123584A JPS6110812A JP S6110812 A JPS6110812 A JP S6110812A JP 18123584 A JP18123584 A JP 18123584A JP 18123584 A JP18123584 A JP 18123584A JP S6110812 A JPS6110812 A JP S6110812A
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- Japan
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- layer
- power cable
- insulated power
- crosslinked polyolefin
- dielectric constant
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- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、内部半導電層上に一定のｍ度勾配を右する高
誘電率層を形成させた電気的に安定なポリオレフィン絶
縁電力ケーブルの製造法に関するものである。
誘電率層を形成させた電気的に安定なポリオレフィン絶
縁電力ケーブルの製造法に関するものである。
従来、例えば架橋ポリ■ヂレン絶縁電ノＪケーブルは、
導体周上に、内部半導電層、架橋ポリエチレン絶縁体層
、外部半導電層を順次押出被覆して構成されている。周
知のように電カケープルにおいては、電界を緩和する目
的から、絶縁体層の内、外部に半導電層が形成されてい
るが、この半導電層、特に電界の高い内部半導電層は、
その表面が平滑でしかもなんらの突起物も皆無であるこ
とが理想的である。しかし、実際の架橋ポリエヂレン絶
縁電カケープルの内部半導電層表面には半導電性７Ｊ−
ボンブラックの粒や押出作業などに起因する突起が時々
観察される。これらの突起物の先端の電界強度は他の平
滑な内部半導電層表面に比べ非常に大きくなり、この先
端より絶縁破壊、電気１へり−や水トリーが発生しやす
いことは周知の事実である。
導体周上に、内部半導電層、架橋ポリエチレン絶縁体層
、外部半導電層を順次押出被覆して構成されている。周
知のように電カケープルにおいては、電界を緩和する目
的から、絶縁体層の内、外部に半導電層が形成されてい
るが、この半導電層、特に電界の高い内部半導電層は、
その表面が平滑でしかもなんらの突起物も皆無であるこ
とが理想的である。しかし、実際の架橋ポリエヂレン絶
縁電カケープルの内部半導電層表面には半導電性７Ｊ−
ボンブラックの粒や押出作業などに起因する突起が時々
観察される。これらの突起物の先端の電界強度は他の平
滑な内部半導電層表面に比べ非常に大きくなり、この先
端より絶縁破壊、電気１へり−や水トリーが発生しやす
いことは周知の事実である。
本発明の目的は、内部半導電層表面に電極不整となるよ
うな突起物があっても、その突起物から従来の架橋ポリ
オレフィン絶縁電力グーブルに売られたような絶縁破壊
、電気トリー及び水トリ−が発生ずる事態を著しく低減
できた電気的に安定な架橋ポリオレフィン絶縁電力ケー
ブルを製造するに有用な方法提供することである。
うな突起物があっても、その突起物から従来の架橋ポリ
オレフィン絶縁電力グーブルに売られたような絶縁破壊
、電気トリー及び水トリ−が発生ずる事態を著しく低減
できた電気的に安定な架橋ポリオレフィン絶縁電力ケー
ブルを製造するに有用な方法提供することである。
本発明においては、内部半導電性混和物中に予め分子中
に炭素−炭素二重結合基を少なくとも１個有する誘電率
が１０以上程度の有機化合物を混合しておき、次に有機
過酸化物を夫々配合した内部半導電層、ポリオレフィン
絶縁体層、および外部半導電層を順次または同時に導体
周上に押出被覆した後、熱架橋過程中に内部半導電層か
ら高誘電率の有機化合物を絶縁体層中へ濃度拡散させて
一定の濃度勾配を有した状態で、絶縁体層中の有機過酸
化物によりポリオレフィン絶縁体、例えばポリエチレン
にグラフト反応させて一定の濃度勾配を有する高誘電率
層を形成することを特徴としている。
に炭素−炭素二重結合基を少なくとも１個有する誘電率
が１０以上程度の有機化合物を混合しておき、次に有機
過酸化物を夫々配合した内部半導電層、ポリオレフィン
絶縁体層、および外部半導電層を順次または同時に導体
周上に押出被覆した後、熱架橋過程中に内部半導電層か
ら高誘電率の有機化合物を絶縁体層中へ濃度拡散させて
一定の濃度勾配を有した状態で、絶縁体層中の有機過酸
化物によりポリオレフィン絶縁体、例えばポリエチレン
にグラフト反応させて一定の濃度勾配を有する高誘電率
層を形成することを特徴としている。
前記の分子中に炭素−炭素二重結合基を少なくとも１個
有する誘電率が１０以上の程度の有機化合物としては、
例えばグリシジルメタクリレート、ポリオキシエチレン
グリコールモノメタクリレート、アシッドホスホオキシ
エチルメタクリレート、３ククロ、２アシツドホスホオ
キシプロピルメタクリレート、２ビトロキシプロピルメ
タクリレート、末端にビニル基を有するブタジェンアク
リロニトリル共重合体等が使用される。またポリオレフ
ィン絶縁体としては、例えばポリエチレン、エチレン−
プロピレン共重合体、エチレン−゛プロピレンージエン
共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エヂレンー
エチレンーエチルアクリレート共重合体等が使用される
。
有する誘電率が１０以上の程度の有機化合物としては、
例えばグリシジルメタクリレート、ポリオキシエチレン
グリコールモノメタクリレート、アシッドホスホオキシ
エチルメタクリレート、３ククロ、２アシツドホスホオ
キシプロピルメタクリレート、２ビトロキシプロピルメ
タクリレート、末端にビニル基を有するブタジェンアク
リロニトリル共重合体等が使用される。またポリオレフ
ィン絶縁体としては、例えばポリエチレン、エチレン−
プロピレン共重合体、エチレン−゛プロピレンージエン
共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エヂレンー
エチレンーエチルアクリレート共重合体等が使用される
。
添付図面は、本発明の方法によって製造されたケーブル
の一実施例を示し、１は導体、２は内部半導電層、３は
高誘電率層、４は架橋ポリエチレン絶縁体層、５は外部
半導電層である。
の一実施例を示し、１は導体、２は内部半導電層、３は
高誘電率層、４は架橋ポリエチレン絶縁体層、５は外部
半導電層である。
以下、本発明の製造法の一実施例について説明リ−ると
、まず内・外部半導電層を形成するための材料として、
次のような実施例組成物を用意した。
、まず内・外部半導電層を形成するための材料として、
次のような実施例組成物を用意した。
（単位は重量部。）
［実施例組成］
・エチレン−酢酸ビニル共重合体 １００（酢酸ビ
ニル結合量３０％） ・２．６−ジー［−ブチルフェノール ０．３・ステア
リン酸 １・導電性ファーネ
スカーボンブラック ６５・１．３−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシイソプロビル）ベンゼン
トゲリシジルメタクリレート ３０
そしてこれを導体１周上に押出被覆して所定の内部半導
電層２を形成した後、その表面に２００〜３００ミクロ
ンの大きさの銅粉を付着させて、次にポリエチレン絶縁
体４、外部半導電層５を順次押出被覆した後、熱架橋さ
せた。しかして、上記熱架橋過程中に内部半導電層２か
らグリシジメタクリレートを絶縁体Ｈ４中へ拡散させて
、これを絶縁体層４中の有機過酸化物によりポリエチレ
ンにグラフト反応させて一定の濃度勾配を有する高誘電
率層３を形成した。
ニル結合量３０％） ・２．６−ジー［−ブチルフェノール ０．３・ステア
リン酸 １・導電性ファーネ
スカーボンブラック ６５・１．３−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシイソプロビル）ベンゼン
トゲリシジルメタクリレート ３０
そしてこれを導体１周上に押出被覆して所定の内部半導
電層２を形成した後、その表面に２００〜３００ミクロ
ンの大きさの銅粉を付着させて、次にポリエチレン絶縁
体４、外部半導電層５を順次押出被覆した後、熱架橋さ
せた。しかして、上記熱架橋過程中に内部半導電層２か
らグリシジメタクリレートを絶縁体Ｈ４中へ拡散させて
、これを絶縁体層４中の有機過酸化物によりポリエチレ
ンにグラフト反応させて一定の濃度勾配を有する高誘電
率層３を形成した。
次に本発明者らは、前記本実施例によって製造されたケ
ーブル効果の程を見るべく、内・外部半導電層を形成す
るための材料として、 ・エチレン−酢酸ビニル教重合体 １００（酢酸ビ
ニル結合量３０％） ・２．６−ジーｔ−ブチルフェノール ０．３・ステア
リン酸 １・導電性ファーネ
スカーボンブラック ６５・１．３−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシイソプロビル）ベンゼン
１（単位は重量部） から成る組成物を用意し、他は前記本実施例と同じ条件
でケーブルを製造し、両者の違いを比較してみた。
ーブル効果の程を見るべく、内・外部半導電層を形成す
るための材料として、 ・エチレン−酢酸ビニル教重合体 １００（酢酸ビ
ニル結合量３０％） ・２．６−ジーｔ−ブチルフェノール ０．３・ステア
リン酸 １・導電性ファーネ
スカーボンブラック ６５・１．３−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシイソプロビル）ベンゼン
１（単位は重量部） から成る組成物を用意し、他は前記本実施例と同じ条件
でケーブルを製造し、両者の違いを比較してみた。
これらの試験ケーブルの交流破壊電圧の測定結果を第１
表に承り。なお交流破壊電圧ま試験方法は常温で試験し
、始め１９！５ｋｖで１時間課電した後、これにさらに
３０分毎に１５ｋｖ昇圧して破壊させてその時の破壊電
圧を求めた。
表に承り。なお交流破壊電圧ま試験方法は常温で試験し
、始め１９！５ｋｖで１時間課電した後、これにさらに
３０分毎に１５ｋｖ昇圧して破壊させてその時の破壊電
圧を求めた。
以上の実施例から明らかな如く、高誘電率有機化合物を
予め内部半導電性混和物に混合した内部半導電層を使用
して熱架橋し、もって内部半導電層表面に一定の濃度勾
配を有する高誘電体層を形成するようにしてケーブルを
製造する時には、電気的に安定し得た架橋ポリオレフィ
ン絶縁電力クーブルを提供できるものであり、その工業
的価値は極めて人さい。
予め内部半導電性混和物に混合した内部半導電層を使用
して熱架橋し、もって内部半導電層表面に一定の濃度勾
配を有する高誘電体層を形成するようにしてケーブルを
製造する時には、電気的に安定し得た架橋ポリオレフィ
ン絶縁電力クーブルを提供できるものであり、その工業
的価値は極めて人さい。
図は本発明製造法によって製造されたケーブルの一実施
例を示寸断面説明図である。 １：導体、２：内部半導電層、３：高誘電率層、４：ボ
リエヂレン絶縁体層、５：外部半導電層。
例を示寸断面説明図である。 １：導体、２：内部半導電層、３：高誘電率層、４：ボ
リエヂレン絶縁体層、５：外部半導電層。
Claims (1)
- （１）導体の周上に、内部半導電層、高誘電率層、架橋
ポリオレフィン絶縁体層、外部半導電層を順次押出被覆
する架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの製造法にお
いて、前記高誘電率層を、あらかじめ内部半導電層中に
配合されていた炭素−炭素二重結合基を少なくとも１個
有する有機化合物を、加熱架橋過程中に内部半導電層か
ら架橋ポリオレフィン絶縁体層中へ拡散させ、しかして
これを架橋ポリオレフィン絶縁体中のポリオレフィンと
グラフト反応させて形成することを特徴とする架橋ポリ
オレフィン絶縁電力ケーブルの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18123584A JPS6110812A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18123584A JPS6110812A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110812A true JPS6110812A (ja) | 1986-01-18 |
| JPH0252366B2 JPH0252366B2 (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=16097156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18123584A Granted JPS6110812A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110812A (ja) |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP18123584A patent/JPS6110812A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0252366B2 (ja) | 1990-11-13 |
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