JPS61114156A - 窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定化方法 - Google Patents
窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定化方法Info
- Publication number
- JPS61114156A JPS61114156A JP59235912A JP23591284A JPS61114156A JP S61114156 A JPS61114156 A JP S61114156A JP 59235912 A JP59235912 A JP 59235912A JP 23591284 A JP23591284 A JP 23591284A JP S61114156 A JPS61114156 A JP S61114156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vinyl chloride
- chloride resin
- resin film
- silicon nitride
- nitride surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 42
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 36
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-difluorophenyl)phosphane Chemical compound FC1=CC(F)=CC(PC=2C=C(F)C=C(F)C=2)=C1 ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 230000037427 ion transport Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTKXSYWWRGMQHR-UHFFFAOYSA-N [amino(diethoxy)silyl]oxyethane Chemical compound CCO[Si](N)(OCC)OCC BTKXSYWWRGMQHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定
化方法に関する。更に詳しくは、イオン感応性電界効果
型トランジスター（工５ＰＩＴ ）などの表面を形成す
る窒化けい素面々どへの塩化ビニル樹脂膜の固定化方法
に関する。
化方法に関する。更に詳しくは、イオン感応性電界効果
型トランジスター（工５ＰＩＴ ）などの表面を形成す
る窒化けい素面々どへの塩化ビニル樹脂膜の固定化方法
に関する。
現在、カリウムイオンセンサーとして、窒化けい素（５
ＩＢＸ４）表面上に塩化ビニル樹脂膜を形成させた工５
ＦＥＴが提案されている。この工５ＦＥＴをカリウムイ
オンセンサーとして用いる場合には、環化ビニル樹脂膜
中にジオクチルアジペートなどの可塑剤および抗生物質
の一種であるパリノマイシンなどのカリウムイオン輸送
担体を含有せｌ−めて用いら九ている。
ＩＢＸ４）表面上に塩化ビニル樹脂膜を形成させた工５
ＦＥＴが提案されている。この工５ＦＥＴをカリウムイ
オンセンサーとして用いる場合には、環化ビニル樹脂膜
中にジオクチルアジペートなどの可塑剤および抗生物質
の一種であるパリノマイシンなどのカリウムイオン輸送
担体を含有せｌ−めて用いら九ている。
かかるセンサーを作成する上で、窒化けい素表面を有す
る工ＳＦＩ［ｉＴ上への塩化ビニル樹脂膜の形成は、上
記のようなセンサー有効成分の固定化からいって非常に
重要な事柄である。
る工ＳＦＩ［ｉＴ上への塩化ビニル樹脂膜の形成は、上
記のようなセンサー有効成分の固定化からいって非常に
重要な事柄である。
従来性われている窒化けい素面への塩化ビニル樹脂膜の
固定化け、単なる物理的吸着力に頼るのみであった。即
ち、従来は塩化ビニル樹脂のテトラヒドロフランなどの
溶液中に窒化けい索表面を有する工５ＩＰＥＴを浸漬し
、それを乾燥させて樹脂膜を形成させており、この場合
の樹脂膜の結合は単なる物理的吸着力に頼るばかりであ
り、従ってその結合力は弱いものであった。
固定化け、単なる物理的吸着力に頼るのみであった。即
ち、従来は塩化ビニル樹脂のテトラヒドロフランなどの
溶液中に窒化けい索表面を有する工５ＩＰＥＴを浸漬し
、それを乾燥させて樹脂膜を形成させており、この場合
の樹脂膜の結合は単なる物理的吸着力に頼るばかりであ
り、従ってその結合力は弱いものであった。
このため、このようなセンサーを用いて水ｈ１液中のカ
リウムイオンなどを測定すると、樹脂膜中に浸入する水
により、窒化けい素面からの塩化ビニル樹脂膜の剥離現
象７５：みられ、センサーとしての耐久性に問題がみら
ノまた。
リウムイオンなどを測定すると、樹脂膜中に浸入する水
により、窒化けい素面からの塩化ビニル樹脂膜の剥離現
象７５：みられ、センサーとしての耐久性に問題がみら
ノまた。
かかる実情に鑑み、本発明者（１耐久性のよいセンサー
形成の基本となる、窒化けい素面上へ結合される塩化ビ
ニル樹脂膜の耐久性を高め得る固定化方法について種々
検討の結果、一方の末端に水酸基と反応するエトキシ基
を、寸だ他方の末端に塩素と反応するアミン基をそれぞ
れ有するｒ−アミノプロピルトリエトキシシランによる
処理が有効であることを見出しまた。
形成の基本となる、窒化けい素面上へ結合される塩化ビ
ニル樹脂膜の耐久性を高め得る固定化方法について種々
検討の結果、一方の末端に水酸基と反応するエトキシ基
を、寸だ他方の末端に塩素と反応するアミン基をそれぞ
れ有するｒ−アミノプロピルトリエトキシシランによる
処理が有効であることを見出しまた。
〔問題点を解決するための手段〕および〔作用〕従って
、本発明は窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定
化方法に係り、塩化ビニル樹脂膜の固定化は、窒化けい
素面をｒ−アミノトリエトキシシランで処理した後、そ
こに塩化ビニル樹脂膜を形成させることにより行われる
。あるいはまた、このようにして形成された塩化ビニル
＜８１脂膜ヲ更にｌ−アミ／プロピルトリエトキシシラ
ンで処理することにより行われる。
、本発明は窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定
化方法に係り、塩化ビニル樹脂膜の固定化は、窒化けい
素面をｒ−アミノトリエトキシシランで処理した後、そ
こに塩化ビニル樹脂膜を形成させることにより行われる
。あるいはまた、このようにして形成された塩化ビニル
＜８１脂膜ヲ更にｌ−アミ／プロピルトリエトキシシラ
ンで処理することにより行われる。
ｒ−アミノプロピルトリエトキシシランＣＩ〕は、１ず
そのエトキシ基を１ＳＦＥＴの窒化けい素０）表面に結
合〔■〕させ、更にその上に塩化ビニル樹脂（［１膜を
浸漬法などによって形成させることによす、塩化ビニル
樹脂のクロル基を７−アミ／プロピルトリエトキシシラ
ンのアミ７基と結合〔ｖ〕させ、それによってＩ８１？
ＢＴの窒化けい索表面に塩化ビニル樹脂膜を強固に結合
、固定化せしめる。
そのエトキシ基を１ＳＦＥＴの窒化けい素０）表面に結
合〔■〕させ、更にその上に塩化ビニル樹脂（［１膜を
浸漬法などによって形成させることによす、塩化ビニル
樹脂のクロル基を７−アミ／プロピルトリエトキシシラ
ンのアミ７基と結合〔ｖ〕させ、それによってＩ８１？
ＢＴの窒化けい索表面に塩化ビニル樹脂膜を強固に結合
、固定化せしめる。
また、このゲル化しているだけの塩化ビニル樹脂＋［］
膜を更に強固に結合、固定化せしめるために、ａｔｆｌ
１Ｍヲ再びｒ−アミノプロピルトリエトキシシラン〔■
〕の水溶液中に浸漬する処理を行なうと、塩化ビニル鑓
同士の架橋〔■〕および〔■〕を生じ、耐溶剤性なども
改善されるように力る。
膜を更に強固に結合、固定化せしめるために、ａｔｆｌ
１Ｍヲ再びｒ−アミノプロピルトリエトキシシラン〔■
〕の水溶液中に浸漬する処理を行なうと、塩化ビニル鑓
同士の架橋〔■〕および〔■〕を生じ、耐溶剤性なども
改善されるように力る。
ＣＩ〕［：ｎ：］
（Ｎ） ［Ｖ］
［［’］ ｃｗ〕↓
ｌ−アミノプロピルエトキシシランによる処理は、一般
に濃度約５〜７０％のその水溶液を用い、約２０〜８０
℃の温度で、浸漬、その他の任意の塗布方法によって行
わハる。捷だ、塩化ビニル樹脂膜の形成＆よ、ｊ−■化
ビニル樹脂をテトラヒドロフランなどの溶ｔＪＪＬに溶
解させ、カリウムイオンセンサーとしての工５Ｆ１１ｉ
Ｔを形成させる場合には、この溶液中にジオクチルアジ
ペートなどの可塑剤およびパリノマイシンなどのカリウ
ムイオン輸送担体を混合し、この混合液中に窒化けい索
表面を浸漬などの手段で塗布し、乾燥させることにより
行わｆ］る０ 〔発明の効果〕 本発明方法によって、窒化けい素面への塩化ビニル樹脂
膜の強固な固定化が達成され、この方法をカリウムイオ
ンセンサーなどとして有効に使用し得る工５ＦＩＣＴの
窒化けい索表面に適用した場合には、測定環境たる水溶
液中などに工５ＦＥＴをｆ！滴しても、それの耐水耐久
性が損われることがないという効果を奏する。
に濃度約５〜７０％のその水溶液を用い、約２０〜８０
℃の温度で、浸漬、その他の任意の塗布方法によって行
わハる。捷だ、塩化ビニル樹脂膜の形成＆よ、ｊ−■化
ビニル樹脂をテトラヒドロフランなどの溶ｔＪＪＬに溶
解させ、カリウムイオンセンサーとしての工５Ｆ１１ｉ
Ｔを形成させる場合には、この溶液中にジオクチルアジ
ペートなどの可塑剤およびパリノマイシンなどのカリウ
ムイオン輸送担体を混合し、この混合液中に窒化けい索
表面を浸漬などの手段で塗布し、乾燥させることにより
行わｆ］る０ 〔発明の効果〕 本発明方法によって、窒化けい素面への塩化ビニル樹脂
膜の強固な固定化が達成され、この方法をカリウムイオ
ンセンサーなどとして有効に使用し得る工５ＦＩＣＴの
窒化けい索表面に適用した場合には、測定環境たる水溶
液中などに工５ＦＥＴをｆ！滴しても、それの耐水耐久
性が損われることがないという効果を奏する。
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例１
窒化けい索表面を有するｌ５ＰＥＴを、５０℃の５０％
ｒ〜アミノプロピルトリエトキシシラン水溶液中に１時
間浸漬した。その後、ｌ５ＰＥＴを取り出し、塩化ビニ
ル樹脂１９をテトラヒドロフラン２５９中に溶解させた
ドープ液中に１分間浸漬し、その後室温で乾燥させた。
ｒ〜アミノプロピルトリエトキシシラン水溶液中に１時
間浸漬した。その後、ｌ５ＰＥＴを取り出し、塩化ビニ
ル樹脂１９をテトラヒドロフラン２５９中に溶解させた
ドープ液中に１分間浸漬し、その後室温で乾燥させた。
得られた塩化ビニル樹脂膜被覆工５ＩＦＦｊＴを、４０
℃の水中に２４時間放置したが、工５ＰＦｉＴ表面から
の塩化ビニル樹脂膜の剥離現象は紹められなかった。
℃の水中に２４時間放置したが、工５ＰＦｉＴ表面から
の塩化ビニル樹脂膜の剥離現象は紹められなかった。
実施例２
実施例１で搏られた塩化ビニル樹脂膜被覆工鵠酊を、更
に５０％ｒ−アミノプロピルトリエトキシシラン水溶液
中に２時間浸漬し、ｒ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン−水系にょるｖ＜ｓｍを形成する塩化ビニル樹脂の
架橋反応を行なった。
に５０％ｒ−アミノプロピルトリエトキシシラン水溶液
中に２時間浸漬し、ｒ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン−水系にょるｖ＜ｓｍを形成する塩化ビニル樹脂の
架橋反応を行なった。
得られた架橋塩化ビニル樹脂膜ｖ１覆工５ＦＦｉＴを、
超音波をかけたテトラヒドロフラン中に３０分［浸漬し
たが、樹脂膜の溶解現象はみられなかった。
超音波をかけたテトラヒドロフラン中に３０分［浸漬し
たが、樹脂膜の溶解現象はみられなかった。
比較例
実施例１において、ｒ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン処理を行わすに１塩化ビニル樹脂溶解ド〜ダ液浸漬
を行なった。
ラン処理を行わすに１塩化ビニル樹脂溶解ド〜ダ液浸漬
を行なった。
実施例１と同様の水中放置では、工５Ｆ１ｎＴ表面から
のビニル樹脂膜の剥離がみられ、また実施例２と同様の
テトラヒドロフラン浸漬でハ、３０分後に塩化ビニル樹
脂膜が溶解した。
のビニル樹脂膜の剥離がみられ、また実施例２と同様の
テトラヒドロフラン浸漬でハ、３０分後に塩化ビニル樹
脂膜が溶解した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、窒化けい素面をｒ−アミノプロピルトリエトキシシ
ランで処理した後、そこに塩化ビニル樹脂膜を形成させ
ることを特徴とする窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂
膜の固定化方法。 ２、窒化けい素面がイオン感応性電界効果型トランジス
ターの表面である特許請求の範囲第１項記載の固定化方
法。 ３、窒化けい素面をｒ−アミノプロピルトリエトキシシ
ランで処理した後そこに塩化ビニル樹脂膜を形成させ、
形成された該塩化ビニル樹脂膜を更にｒ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランで処理することを特徴とする窒化
けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定化方法。 ４、窒化けい素面がイオン感応性電界効果型トランジス
ターの表面である特許請求の範囲第３項記載の固定化方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235912A JPS61114156A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235912A JPS61114156A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61114156A true JPS61114156A (ja) | 1986-05-31 |
| JPH0558136B2 JPH0558136B2 (ja) | 1993-08-25 |
Family
ID=16993076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235912A Granted JPS61114156A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61114156A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2792226A1 (fr) * | 1999-04-16 | 2000-10-20 | Univ Neuchatel | Procede de depot d'une couche adherente de pvc et electrode obtenue selon ce procede |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673342A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Enzyme electrode and its manufacture |
| JPS57122797A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-30 | Toyobo Co Ltd | Production of immobilized enzyme membrane |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235912A patent/JPS61114156A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673342A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Enzyme electrode and its manufacture |
| JPS57122797A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-30 | Toyobo Co Ltd | Production of immobilized enzyme membrane |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2792226A1 (fr) * | 1999-04-16 | 2000-10-20 | Univ Neuchatel | Procede de depot d'une couche adherente de pvc et electrode obtenue selon ce procede |
| WO2000062944A1 (fr) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Universite De Neuchatel | Procede de depot d'une couche adherente de pvc sur une electrode et electrode obtenue selon ce procede |
| JP2002542462A (ja) * | 1999-04-16 | 2002-12-10 | ユニヴェルスィテ ドゥ ヌシャテル | Ｐｖｃ接着性層を電極に付着させる方法およびかかる方法にしたがって製造する電極 |
| US6884331B1 (en) | 1999-04-16 | 2005-04-26 | Universite De Neuchatel | Method for depositing an adhesive PVC layer on an electrode and electrode obtained according to said method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558136B2 (ja) | 1993-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Senillou et al. | A miniaturized urea sensor based on the integration of both ammonium based urea enzyme field effect transistor and a reference field effect transistor in a single chip | |
| JP2564319B2 (ja) | イオン感応電界効果トランジスターおよびその製法 | |
| EP0821987A4 (en) | METHOD FOR REGULATING CRYSTALLIZATION OF ORGANIC COMPOUNDS AND SEMICONDUCTOR COMPONENT FOR MODULATING CRYSTALLIZATION IN SAID PROCESS | |
| ATE153389T1 (de) | Zusammensetzung und verfahren zur behandlung von phosphatierten metalloberflächen | |
| DE3586478T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines isfet und nach diesem verfahren hergestellte isfet. | |
| CN113106750A (zh) | 一种抗菌聚乳酸材料及其制备方法 | |
| JPS61114156A (ja) | 窒化けい素面上への塩化ビニル樹脂膜の固定化方法 | |
| KR960007827A (ko) | 침출가능한 납을 감소시키기 위한 놋쇠 부품 처리 방법 | |
| JPS61107989A (ja) | 廃水からの有機金属の回収法 | |
| JPS63202382A (ja) | 固定化微生物群 | |
| JPS61274682A (ja) | 酵素固定化膜の製造法 | |
| GB2129809A (en) | Method for production of an immobilized enzyme preparation by means of a crosslinking agent | |
| JPH0349388B2 (ja) | ||
| JPS63217265A (ja) | 半導体イオンセンサの製造方法 | |
| Kubo et al. | Micro ammonia sensor | |
| DE2439923A1 (de) | Verfahren zum fixieren von enzymen auf traegermaterialien | |
| JPH051423B2 (ja) | ||
| TWI814139B (zh) | 自含硼溶液中將硼移除的方法 | |
| ATE41176T1 (de) | Verfahren zur behandlung von gusseisenschmelzen mit siliciumcarbid. | |
| JPS60174942A (ja) | シリコンポリマ−膜の製造及び再生の方法 | |
| JPS62261952A (ja) | 酵素電極の製法 | |
| JPH0266440A (ja) | 酵素電極及びアルコール濃度測定方法 | |
| JPH0773714B2 (ja) | 廃水の硝化方法 | |
| JP2682867B2 (ja) | タンパク質の固定化方法 | |
| Hanazato et al. | Response characteristics of the glucose-sensitive field-effect transistor. Computer simulation of the effect of gluconolactonase coimmobilization in a glucose oxidase membrane |