JPS6111463B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6111463B2 JPS6111463B2 JP53154022A JP15402278A JPS6111463B2 JP S6111463 B2 JPS6111463 B2 JP S6111463B2 JP 53154022 A JP53154022 A JP 53154022A JP 15402278 A JP15402278 A JP 15402278A JP S6111463 B2 JPS6111463 B2 JP S6111463B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capillary
- bonding
- bonded
- lead wire
- wire
- Prior art date
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- Expired
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超音波法と熱圧着法を併用したワイヤ
ボンデイング方法の改良に関する。
ボンデイング方法の改良に関する。
半導体装置、特に電卓用や時計用のLSI（大規
模集積回路）においては価格低減のために樹脂を
主体としたパツケージ又は基板が最近多く用いら
れている。一般にこの種の樹脂パツケージは耐熱
性に欠けるため、半導体素子の電極とパツケージ
の端子電極とをリードワイヤ接続するワイヤボン
デイングにおいては熱圧着法よりも加熱温度を低
くすることのできる超音波熱圧着併用ワイヤボン
デイング法が採用されている。この併用ワイヤボ
ンデイング法においては熱圧着ボンデイング法と
異なり、圧着工具を構成するキヤピラリー内部か
ら被ボンデイング体上に供給されたリードワイヤ
はキヤピラリーの先端部又はウエツジ
（Wedge）部に接触する部分のみが被ボンデイン
グ体に接合し、そして上記先端部によつてリード
ワイヤが完全に押しつぶされる状態にならないと
満足すべき接合が得られないことが知られてい
る。例えば第１図に示すようにキヤピラリー１が
被ボンデイング体２に対して垂直に接触している
場合には、キヤピラリー１内部から被ボンデイン
グ体２上に供給されて、これらの間に挟持された
金ワイヤ３はキヤピラリーの先端部（ウエツジ
部）からボンデイングに必要な圧力を無駄なく加
えられ、その結果金ワイヤ３は被ボンデイング体
２に完全に接合する。この状態において、第１図
に向つて垂直線Ｐの右側に位置するキヤピラリー
１の先端部の下側には金ワイヤ３が存在しないた
め、上記先端部は被ボンデイング体２にわずかに
接触するか又は少し浮き上つている。しかし第２
図に示すようにキヤピラリー１がプラス側、即ち
垂直線Ｐの右側方向に傾斜した状態でボンデイン
グを実施した場合にはキヤピラリー１の右側部分
の先端部が被ボンデイング体２に接触してこれに
圧力を加えるため、金ワイヤ３に接触するキヤピ
ラリー１の左側部分の先端部は金ワイヤ３を充分
に押しつぶすことができず、したがつてボンデイ
ング不良が発生しやすくなり、半導体装置の歩ど
まりおよび信頼性の向上に極めて不利である。こ
のように、第１図に示すように、キヤピラリー１
が被ボンデイング体２に正確に垂直となつていれ
ば問題はないのであるが、実際には、半導体基板
の表面が正確に水平でなかつたり、被ボンデイン
グ体例えば電極面のはんだ層の表面が凹凸状とな
つていたり、或いはキヤピラリーの取付け方に不
都合があつたりして、第２図に示すような状態と
なることがしばしばある。このような状態は、実
際にはかなり高い頻度で、例えば約５〜６％の割
合で生ずる。
模集積回路）においては価格低減のために樹脂を
主体としたパツケージ又は基板が最近多く用いら
れている。一般にこの種の樹脂パツケージは耐熱
性に欠けるため、半導体素子の電極とパツケージ
の端子電極とをリードワイヤ接続するワイヤボン
デイングにおいては熱圧着法よりも加熱温度を低
くすることのできる超音波熱圧着併用ワイヤボン
デイング法が採用されている。この併用ワイヤボ
ンデイング法においては熱圧着ボンデイング法と
異なり、圧着工具を構成するキヤピラリー内部か
ら被ボンデイング体上に供給されたリードワイヤ
はキヤピラリーの先端部又はウエツジ
（Wedge）部に接触する部分のみが被ボンデイン
グ体に接合し、そして上記先端部によつてリード
ワイヤが完全に押しつぶされる状態にならないと
満足すべき接合が得られないことが知られてい
る。例えば第１図に示すようにキヤピラリー１が
被ボンデイング体２に対して垂直に接触している
場合には、キヤピラリー１内部から被ボンデイン
グ体２上に供給されて、これらの間に挟持された
金ワイヤ３はキヤピラリーの先端部（ウエツジ
部）からボンデイングに必要な圧力を無駄なく加
えられ、その結果金ワイヤ３は被ボンデイング体
２に完全に接合する。この状態において、第１図
に向つて垂直線Ｐの右側に位置するキヤピラリー
１の先端部の下側には金ワイヤ３が存在しないた
め、上記先端部は被ボンデイング体２にわずかに
接触するか又は少し浮き上つている。しかし第２
図に示すようにキヤピラリー１がプラス側、即ち
垂直線Ｐの右側方向に傾斜した状態でボンデイン
グを実施した場合にはキヤピラリー１の右側部分
の先端部が被ボンデイング体２に接触してこれに
圧力を加えるため、金ワイヤ３に接触するキヤピ
ラリー１の左側部分の先端部は金ワイヤ３を充分
に押しつぶすことができず、したがつてボンデイ
ング不良が発生しやすくなり、半導体装置の歩ど
まりおよび信頼性の向上に極めて不利である。こ
のように、第１図に示すように、キヤピラリー１
が被ボンデイング体２に正確に垂直となつていれ
ば問題はないのであるが、実際には、半導体基板
の表面が正確に水平でなかつたり、被ボンデイン
グ体例えば電極面のはんだ層の表面が凹凸状とな
つていたり、或いはキヤピラリーの取付け方に不
都合があつたりして、第２図に示すような状態と
なることがしばしばある。このような状態は、実
際にはかなり高い頻度で、例えば約５〜６％の割
合で生ずる。
本発明はリードワイヤをキヤピラリーの先端部
で充分に押しつぶすことのできるワイヤボンデイ
ング方法を提供することを目的とするものであつ
て、キヤピラリー内部から導出したリードワイヤ
を被ボンデイング体とキヤピラリーの先端部との
間に挟持し、熱と圧力と超音波とを同時に加える
ことにより被ボンデイング体にリードワイヤを接
続することから成る超音波熱圧着併用ワイヤボン
デイング方法において、リードワイヤが十分に押
しつぶされるまでキヤピラリーのリードワイヤと
反対側の先端部分が被ボンデイング体に接触しな
いように、キヤピラリー又は被ボンデイング体を
上記挾持されたリードワイヤの方向に約２〜６度
傾けてボンデイングすることを特徴とする。
で充分に押しつぶすことのできるワイヤボンデイ
ング方法を提供することを目的とするものであつ
て、キヤピラリー内部から導出したリードワイヤ
を被ボンデイング体とキヤピラリーの先端部との
間に挟持し、熱と圧力と超音波とを同時に加える
ことにより被ボンデイング体にリードワイヤを接
続することから成る超音波熱圧着併用ワイヤボン
デイング方法において、リードワイヤが十分に押
しつぶされるまでキヤピラリーのリードワイヤと
反対側の先端部分が被ボンデイング体に接触しな
いように、キヤピラリー又は被ボンデイング体を
上記挾持されたリードワイヤの方向に約２〜６度
傾けてボンデイングすることを特徴とする。
第３図は本発明の一態様を示す部分断面図であ
つて、キヤピラリー１はワイヤボンデイング時に
おいてキヤピラリー１の先端部と被ボンデイング
体２との間に挾持された金ワイヤ３の方向、即ち
垂直線Ｐの左側方向、に約２〜６度傾斜してい
る。
つて、キヤピラリー１はワイヤボンデイング時に
おいてキヤピラリー１の先端部と被ボンデイング
体２との間に挾持された金ワイヤ３の方向、即ち
垂直線Ｐの左側方向、に約２〜６度傾斜してい
る。
キヤピラリー１を傾斜させる代りに被ボンデイ
ング体２を上記挾持された金ワイヤ３の方向に約
２〜６度傾斜させてボンデイングを実施すること
もできる。なお第３図において第１図および第２
図と同一個所は同一符号にて示す。
ング体２を上記挾持された金ワイヤ３の方向に約
２〜６度傾斜させてボンデイングを実施すること
もできる。なお第３図において第１図および第２
図と同一個所は同一符号にて示す。
上述した本発明方法によればリードワイヤはボ
ンデイング時において常にキヤピラリーの先端部
から充分な押圧力を与えられて完全に押しつぶさ
れる。したがつてボンデイング不良は防止され、
半導体装置の歩どまりおよび信頼性の向上が達成
される。
ンデイング時において常にキヤピラリーの先端部
から充分な押圧力を与えられて完全に押しつぶさ
れる。したがつてボンデイング不良は防止され、
半導体装置の歩どまりおよび信頼性の向上が達成
される。
なお超音波熱圧着併用ワイヤボンデイングにお
いては一般にボンデイング体が半導体素子の電極
である第１のボンデイングをボール法によつて実
施し、被ボンデイング体がパツケージの端子電極
である第２のボンデイングをステイツチ法によつ
て実施している。本発明の方法はステイツチ法に
適用されることが望ましい。また本発明方法にお
いて、キヤピラリーの傾斜はこれを支持するキヤ
ピラリーアームを傾斜させることによつて実施さ
れ、被ボンデイング体の傾斜はこれを支持するス
テージ（台）を傾斜させることによつて実施され
る。
いては一般にボンデイング体が半導体素子の電極
である第１のボンデイングをボール法によつて実
施し、被ボンデイング体がパツケージの端子電極
である第２のボンデイングをステイツチ法によつ
て実施している。本発明の方法はステイツチ法に
適用されることが望ましい。また本発明方法にお
いて、キヤピラリーの傾斜はこれを支持するキヤ
ピラリーアームを傾斜させることによつて実施さ
れ、被ボンデイング体の傾斜はこれを支持するス
テージ（台）を傾斜させることによつて実施され
る。
第１図および第２図は従来のそして第３図は本
発明のワイヤボンデイング法におけるキヤピラリ
ーと被ボンデイング体とリードワイヤとの接触状
態をそれぞれ示す断面図である。 １…キヤピラリー、２…被ボンデイング体、３
…リードワイヤ、Ｐ…垂直線。
発明のワイヤボンデイング法におけるキヤピラリ
ーと被ボンデイング体とリードワイヤとの接触状
態をそれぞれ示す断面図である。 １…キヤピラリー、２…被ボンデイング体、３
…リードワイヤ、Ｐ…垂直線。
Claims (1)
- １ キヤピラリー内部から導出したリードワイヤ
を被ボンデイング体とキヤピラリーの先端部との
間に挟持し、熱と圧力と超音波とを同時に加える
ことにより、リードワイヤを被ボンデイング体に
接続することから成る超音波熱圧着併用ワイヤボ
ンデイング方法において、リードワイヤが十分に
押しつぶされるまでキヤピラリーのリードワイヤ
と反対側の先端部分が被ボンデイング体に接触し
ないように、キヤピラリー又は被ボンデイング体
を上記挟持されたリードワイヤの方向に約２〜６
度傾けてボンデイングすることを特徴とする上記
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15402278A JPS5580327A (en) | 1978-12-13 | 1978-12-13 | Wirebonding |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15402278A JPS5580327A (en) | 1978-12-13 | 1978-12-13 | Wirebonding |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5580327A JPS5580327A (en) | 1980-06-17 |
| JPS6111463B2 true JPS6111463B2 (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=15575186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15402278A Granted JPS5580327A (en) | 1978-12-13 | 1978-12-13 | Wirebonding |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5580327A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6164523A (en) * | 1998-07-01 | 2000-12-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic component and method of manufacture |
-
1978
- 1978-12-13 JP JP15402278A patent/JPS5580327A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5580327A (en) | 1980-06-17 |
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