JPS61119068A - 半導体スイツチのスナバ回路 - Google Patents
半導体スイツチのスナバ回路Info
- Publication number
- JPS61119068A JPS61119068A JP59239433A JP23943384A JPS61119068A JP S61119068 A JPS61119068 A JP S61119068A JP 59239433 A JP59239433 A JP 59239433A JP 23943384 A JP23943384 A JP 23943384A JP S61119068 A JPS61119068 A JP S61119068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- capacitor
- snubber circuit
- container
- semiconductor switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/601—Capacitive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体スイッチのスナバ回路、特に、半導
体スイッテと並列に整流ダイオードとコンデンサの直列
接続体を接続し、上記整流ダイオードと並列に抵抗を接
続したスナバ回路に関する本のである。
体スイッテと並列に整流ダイオードとコンデンサの直列
接続体を接続し、上記整流ダイオードと並列に抵抗を接
続したスナバ回路に関する本のである。
第４図はスナバ回路の構成部品である従来のコンデンサ
の構造を示す外箱を横断した正面図で、１は正・負の両
端子、２は電極、３はコンデンサ本体の素子、４は外箱
を表わしている。
の構造を示す外箱を横断した正面図で、１は正・負の両
端子、２は電極、３はコンデンサ本体の素子、４は外箱
を表わしている。
第５図は、上記従来のコンデンサを用いたスタック組立
ての例を示しており、５は半導体スイッチとしてのゲー
トターンオフサイリスタ（以下Ｇ。
ての例を示しており、５は半導体スイッチとしてのゲー
トターンオフサイリスタ（以下Ｇ。
Ｔ、 Ｏサイリスタと称す）、６は整流ダイオード、７
はコンデンサ、８は冷却フィン、９はコンデンサ７と冷
却フィン８を絶縁するベーク板、１０はその他の部品を
表わす。
はコンデンサ、８は冷却フィン、９はコンデンサ７と冷
却フィン８を絶縁するベーク板、１０はその他の部品を
表わす。
第６図はスナバ回路の一例全示す。第６図において、５
はＧ、 Ｔ、 Ｏサイリスタで、図示されていない電源
から同じく図示されていない負荷に供給する電力を制御
する。整流ダイオード６とコンデンサ７の直列接続体は
、Ｇ、Ｔ、Ｏサイリスタ５の陽極、陰極間に陽極側から
陰極側に電流を流す方向に接続される。抵抗１１は整流
ダイオード６と並列に接続嘔れている。インダクタンス
１２は整流ダイオード６とコンデンサ７とＧ、Ｔ、 Ｏ
サイリスタ５を結ぶ配線に伴う漂遊インダクタンスであ
る。
はＧ、 Ｔ、 Ｏサイリスタで、図示されていない電源
から同じく図示されていない負荷に供給する電力を制御
する。整流ダイオード６とコンデンサ７の直列接続体は
、Ｇ、Ｔ、Ｏサイリスタ５の陽極、陰極間に陽極側から
陰極側に電流を流す方向に接続される。抵抗１１は整流
ダイオード６と並列に接続嘔れている。インダクタンス
１２は整流ダイオード６とコンデンサ７とＧ、Ｔ、 Ｏ
サイリスタ５を結ぶ配線に伴う漂遊インダクタンスであ
る。
第６図のスナバ回路図において、Ｇ、Ｔ、０サイリスタ
５に流れる電流ｉを該Ｇ、 Ｔ、 ０サイリスタのゲー
トターンオフ動作で透析した場合を考えると、Ｇ、 Ｔ
、 Ｏサイリスタ５の電流が遮断されると、今まで流れ
ていた電流ｉは、スナバ回路の整流ダイオード６とコン
デンサ外箱通してバイパスしようとする。この時の電流
波形１３．電圧波形１４を第７図に示している。
５に流れる電流ｉを該Ｇ、 Ｔ、 ０サイリスタのゲー
トターンオフ動作で透析した場合を考えると、Ｇ、 Ｔ
、 Ｏサイリスタ５の電流が遮断されると、今まで流れ
ていた電流ｉは、スナバ回路の整流ダイオード６とコン
デンサ外箱通してバイパスしようとする。この時の電流
波形１３．電圧波形１４を第７図に示している。
今、Ｇ、 Ｔ、 Ｏサイリスタ５の透析速度ｔ−ｄｉ／
ｄｔとすると、スナバ回路の整流ダイオード６とコンデ
ンサ７に流れる電流の立ち上りもこれと同じｄｉ／ｄｔ
の速度となる。この時、スナバ回路に含まれる漂遊イン
ダクタンス１２の値ｔＬｓとすると、スナバ回路の両端
子間つまりＧ、 Ｔ、 Ｏサイリスタ５の両端には、Ｖ
ｎｓｐ −Ｌｓ −ｄｉ ／ｄｔのステップ状のスパイ
ク電圧が発生する。このスパイク電圧ＶＤｓｐはＧ、
Ｔ、 Ｏサイリスタ５のゲートター／オフ条件の重要な
パラメータの１つであり、この値が６００〜１０００ｖ
に達すると、Ｇ、Ｔ。０サイリスタ５の透析耐量は著し
く低下する。
ｄｔとすると、スナバ回路の整流ダイオード６とコンデ
ンサ７に流れる電流の立ち上りもこれと同じｄｉ／ｄｔ
の速度となる。この時、スナバ回路に含まれる漂遊イン
ダクタンス１２の値ｔＬｓとすると、スナバ回路の両端
子間つまりＧ、 Ｔ、 Ｏサイリスタ５の両端には、Ｖ
ｎｓｐ −Ｌｓ −ｄｉ ／ｄｔのステップ状のスパイ
ク電圧が発生する。このスパイク電圧ＶＤｓｐはＧ、
Ｔ、 Ｏサイリスタ５のゲートター／オフ条件の重要な
パラメータの１つであり、この値が６００〜１０００ｖ
に達すると、Ｇ、Ｔ。０サイリスタ５の透析耐量は著し
く低下する。
実動作上では上記スパイク電圧Ｖｏｓｐ ｔ−できる限
り低い値に抑制することが望ましいが、透析速度ｄｉ／
ｄｔの値はＧ、 Ｔ、 Ｏサイリスタ自体の駆動条件及
び個有の特性により決まるため、こｆｌ−全抑制するこ
とは大変困難である。従って、スノくイク電圧ＶＤ６Ｆ
の値を下げるためには、スナバ回路に含まれる漂遊イン
ダクタンス１２の値を低減する必要がある。
り低い値に抑制することが望ましいが、透析速度ｄｉ／
ｄｔの値はＧ、 Ｔ、 Ｏサイリスタ自体の駆動条件及
び個有の特性により決まるため、こｆｌ−全抑制するこ
とは大変困難である。従って、スノくイク電圧ＶＤ６Ｆ
の値を下げるためには、スナバ回路に含まれる漂遊イン
ダクタンス１２の値を低減する必要がある。
上記のような従来のスナバ回路では、整流ダイオードと
コンデンサとＧ、 Ｔ、 ０サイリスタを結ぶ配線に含
まれる漂遊インダクタンスの値を小さくするためには、
回路構成の配線ｉ太くし、配線の長さを極力短かくする
ことが重要となる。
コンデンサとＧ、 Ｔ、 ０サイリスタを結ぶ配線に含
まれる漂遊インダクタンスの値を小さくするためには、
回路構成の配線ｉ太くし、配線の長さを極力短かくする
ことが重要となる。
例えば、漂遊インダクタンス１２の値Ｌｓ１０．３μＨ
以下とするためには、電線の太嘔は３．５−以上管用い
、Ｇ、 Ｔ、 Ｏサイリスタの端子間から１５α以内に
、整流ダイオードとコンデンサを含む回路を構成しなけ
ればならず、スナバ回路等の部品組立構成上、極めて困
難な問題点があった。
以下とするためには、電線の太嘔は３．５−以上管用い
、Ｇ、 Ｔ、 Ｏサイリスタの端子間から１５α以内に
、整流ダイオードとコンデンサを含む回路を構成しなけ
ればならず、スナバ回路等の部品組立構成上、極めて困
難な問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決する九めになされｔもの
であり、スナバ回路の配線による漂遊インダクタンスを
低減して、半導体スイッチ（Ｇ。
であり、スナバ回路の配線による漂遊インダクタンスを
低減して、半導体スイッチ（Ｇ。
Ｔ、０サイリスタ）の透析能力を向上させるとともにそ
の回路構成部品の組立が容易なスナバ回路を提供するこ
とを目的とし友ものである。
の回路構成部品の組立が容易なスナバ回路を提供するこ
とを目的とし友ものである。
この発明にがかるスナバ回路は、構成部品であるコンデ
ンサの外箱を電極としたものである。
ンサの外箱を電極としたものである。
この発明においては、上記コンデンサを冷却フィンと直
接接続することにより、スナバ回路に含まれる漂遊イン
ダクタンスの値を１０〜５０チ程度低減することが可能
で、極小配線に伴う回路構成の困難さを解決するととも
により低いインダクタンスのスナバ回路構成が可能とな
り、Ｇ、Ｔ、０サイリスタのターンオフ時の透析特性の
向上を促進する。
接接続することにより、スナバ回路に含まれる漂遊イン
ダクタンスの値を１０〜５０チ程度低減することが可能
で、極小配線に伴う回路構成の困難さを解決するととも
により低いインダクタンスのスナバ回路構成が可能とな
り、Ｇ、Ｔ、０サイリスタのターンオフ時の透析特性の
向上を促進する。
第１図はくの発明のスナバ回路の構成部品であるコンデ
ンサの構成を示す外箱を横断し友正面図にして、１〜４
は上記従来のコンデンサと全く同一の魯ものである。
ンサの構成を示す外箱を横断し友正面図にして、１〜４
は上記従来のコンデンサと全く同一の魯ものである。
コンデンサ本体素子３の両端に設けられｔ電極２．２に
は端子棒１．１の端部が接続され、その−万の端子棒１
は絶縁体１５を介して外箱（導電体）４と絶縁されて外
部に突出し、他方の端子棒１は外箱内面に取付けられて
該外箱を電極としている。そして、外箱外面には端子１
６が一体的に設けられている。
は端子棒１．１の端部が接続され、その−万の端子棒１
は絶縁体１５を介して外箱（導電体）４と絶縁されて外
部に突出し、他方の端子棒１は外箱内面に取付けられて
該外箱を電極としている。そして、外箱外面には端子１
６が一体的に設けられている。
第２図は上記コンデンサを用いて、スタック構成した例
を示し友もので、電極としてのコンデンサ外箱に設けた
端子１６を直接Ｇ、 Ｔ、 Ｏサイリスタ５の端子１７
に接続することができるから、電線による配線は不要と
なる。ま友、整流ダイオード６からコンデンサ７への配
線も短かいリード線１８で十分である。
を示し友もので、電極としてのコンデンサ外箱に設けた
端子１６を直接Ｇ、 Ｔ、 Ｏサイリスタ５の端子１７
に接続することができるから、電線による配線は不要と
なる。ま友、整流ダイオード６からコンデンサ７への配
線も短かいリード線１８で十分である。
第３因は一対の冷却フィン８，８間にＧ、 Ｔ、 ０サ
イリスタ５と整流ダイオード６とをその電極１９．２０
同志が直接接触するように配置し、両者５．６から側方
へ突出寧れた端子１７，２．１にコンデンサ７の端子１
６と端子１ｔ−直接接続したもので、電線による配線が
なく、漂遊インダクタンスの低減が前記第２図の場合に
比べてより十分となるうえ、スタック構成が極めてシン
プルになる。
イリスタ５と整流ダイオード６とをその電極１９．２０
同志が直接接触するように配置し、両者５．６から側方
へ突出寧れた端子１７，２．１にコンデンサ７の端子１
６と端子１ｔ−直接接続したもので、電線による配線が
なく、漂遊インダクタンスの低減が前記第２図の場合に
比べてより十分となるうえ、スタック構成が極めてシン
プルになる。
尚、上記の説明では、半導体スイッチとしてＧ。
Ｔ。０サイリスタに限定して説明したが、その他のスイ
ッチングデバイス（例えばトランジスタ、サイリスタ）
にも適用できることはもちろんである。
ッチングデバイス（例えばトランジスタ、サイリスタ）
にも適用できることはもちろんである。
以上のように、この発明によれば、コンデンサの外箱を
電極としたので、このコンデンサを半導体スイッチおよ
び整流ダイオードと最も近接距離にて接続することがで
きるため、シンプルなスタ□ ツク構成とすることが
できるとともにスナバ回路の主回路配線の漂遊インダク
タンスを低減して、半導体スイッチの透析能力を最大限
に発揮できる。
電極としたので、このコンデンサを半導体スイッチおよ
び整流ダイオードと最も近接距離にて接続することがで
きるため、シンプルなスタ□ ツク構成とすることが
できるとともにスナバ回路の主回路配線の漂遊インダク
タンスを低減して、半導体スイッチの透析能力を最大限
に発揮できる。
また、スナバ回路等の構成部品の機構設計の困難路も容
易に解決することが可能であるという効果がある。
易に解決することが可能であるという効果がある。
第１図はこの発明のスナバ回路の構成部品であるコンデ
ンサの外箱を横断し交圧面図、第２図はそのコンデンサ
を用いたスタック構成を示す要部の正面図、第３図はそ
のスタック構成の他の例を示す正面図、第４図は従来の
コンデンサの外箱を横断した正面図、第５図はそのコン
デンサを用いたスタック構成を示す正面図、第６図はス
ナバ回路図、第７図はＧ、 Ｔ、 Ｏサイリスタのター
ンオフ時の電流、電圧透析波形図である。 ４・・・外箱、 ５・・・半導体スイン？（ゲートタ
ーンオフサイリスタ）、 ６・・・整流ダイオード、
７・・・コンデンサ、 １１・・・抵抗、 １６・
・・端子。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第 １１！Ｉ 第２５ｉｉ１ 第３図 第 ４＠ 第５ｍ ９− 糸ピ緩）Ｆ＆（仲’Ｉ、ｊｌＪ”’（−り不（）
１０： スナバｎ品
ンサの外箱を横断し交圧面図、第２図はそのコンデンサ
を用いたスタック構成を示す要部の正面図、第３図はそ
のスタック構成の他の例を示す正面図、第４図は従来の
コンデンサの外箱を横断した正面図、第５図はそのコン
デンサを用いたスタック構成を示す正面図、第６図はス
ナバ回路図、第７図はＧ、 Ｔ、 Ｏサイリスタのター
ンオフ時の電流、電圧透析波形図である。 ４・・・外箱、 ５・・・半導体スイン？（ゲートタ
ーンオフサイリスタ）、 ６・・・整流ダイオード、
７・・・コンデンサ、 １１・・・抵抗、 １６・
・・端子。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第 １１！Ｉ 第２５ｉｉ１ 第３図 第 ４＠ 第５ｍ ９− 糸ピ緩）Ｆ＆（仲’Ｉ、ｊｌＪ”’（−り不（）
１０： スナバｎ品
Claims (1)
- 負荷に対する供給電力を制御する半導体スイッチと、
この半導体スイッチと並列に接続される整流ダイオード
とコンデンサの直列接続体と、上記整流ダイオードに並
列接続される抵抗とを備えたスナバ回路において、上記
コンデンサの外箱を電極としたことを特徴とする半導体
スイッチのスナバ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239433A JPS61119068A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体スイツチのスナバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239433A JPS61119068A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体スイツチのスナバ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119068A true JPS61119068A (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=17044699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59239433A Pending JPS61119068A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体スイツチのスナバ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119068A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377478U (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-23 | ||
| JPH11220869A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Toshiba Transport Eng Inc | 電力変換装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58112358A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-04 | Toshiba Corp | 半導体スタツク装置 |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP59239433A patent/JPS61119068A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58112358A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-04 | Toshiba Corp | 半導体スタツク装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377478U (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-23 | ||
| JPH11220869A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Toshiba Transport Eng Inc | 電力変換装置 |
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