JPS6112049A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS6112049A
JPS6112049A JP59132365A JP13236584A JPS6112049A JP S6112049 A JPS6112049 A JP S6112049A JP 59132365 A JP59132365 A JP 59132365A JP 13236584 A JP13236584 A JP 13236584A JP S6112049 A JPS6112049 A JP S6112049A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
pellet
high frequency
conductive glass
external leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59132365A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichiro Aku
安久　脩一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59132365A priority Critical patent/JPS6112049A/ja
Publication of JPS6112049A publication Critical patent/JPS6112049A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は高周波半導体装置、特にフラット型ノ（ッケー
ジを用いた半導体装置に関する。
（従来の技術） フラット型パッケージを使用した高周波半導体装置の代
表的な構造はアルミナ磁器を容器枠体としてこれに外部
リードを取シつけ、枠体内部にはボンディング用メタラ
イズ層と、半導体ペレットを取シ付けるためのメタライ
ズ層とを形成し、ロー材によりペレットを固着した後、
外部リードとのポンディング接続を行ない、最後に容器
上面に当たる部分にロー材を用いてアルミナあるいは、
金属からなるふた（キャップ）を取シつけていた。
したがってキャップシール後は容器内部を観察すること
ができない様な構造であった。一方、最近の報告による
と、キャップシールをおこなう時点において、容器内に
ロー材の一部（ソルダーボール）がとび込んだシ、また
ゴミが入シ込むことが確認された。この様な異物が入シ
込むと動作中に短絡を起すことになり、信頼度上極めて
好ましくない結果となる。このため、容器内部を目視に
よって観察することを可能にするためにサファイアで作
られたキャップを使用している。しかし、高周波帯にな
ると容器が空胴共振器となるためにサファイアで作られ
たキャップを用いると高周波の電力が漏れ、従って高周
波特性を劣化させる。たとえば、１２ＧＨｚ帯のＧａＡ
ｓＦＥＴ増幅器においては、？ファイアキャップでは、
金属キャップを用いたものに比べ利得が約１ｄＢ劣化す
る。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は高周波特性を劣化させることなく、容器
内部を目視によって観察することを可能とした半導体装
置を提供することにある。
（問題点を解決するだめの手段） 即ち、本発明の半導体装置は、フラット型容器とこの容
器内に取シ付けられた半導体ベレットと、この半導体ペ
レッートと外部リードとを接続するだめのボンディング
線と、導電性ガラスで作られたキャップとを有する構造
をしている。
（実施例） 次に、本発明の半導体装置を図面を用いて説明する。
第１図に本発明の一実施例を示すように、アルミナ磁器
１．　２．　３で組み立てられた容器枠体には外部リー
ド４，５が接続され、枠体内部には外部リード４．５と
電気的な接続がなされ、かつ高周波用半導体ペレット９
とボンディング線１１゜１２で接続されるメタライズ層
６，７とベレット９かロー材ＩＯで接続されるマウント
部８とを含み、ベレットマウント及びボンディング接続
が完了した後、導電性ガラス板１３がロー材１４゜１５
によってふた部として固着され、内部が気密に封入され
たものである。
（発明の効果） 以上、詳細に説明した如く、本発明によれば、導電性ガ
ラスキャ、ツブを用いたことによって、シール中に異物
が容器内に入シ込んでもシール後の内部目視検査によっ
て容易に異物を発見することが可能となる。したがって
異物を含む半導体装置を確実に除去することができるの
で信頼性１生じる問題を未然に防ぐことができる。又導
電性ガラスキャップを用いているために高周波電力が漏
れることもなく、従って高周波特性を劣化さ昼ることも
ない。
なお、フラット型容器以外の他の容器構造や他の納入半
導体素子であっても十分適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を７ラツトパツケージを使用
した半導体装置に応用した時の断面図である。 １、　２．　３・・・・・・アルミナ磁器、４，５・・
・・・・パッケージリード、６，７・・・・・・ボンデ
ィング用メタライズ層、８・・・・・・ペレットメタラ
イズ層、９・・・・・・ペレット、１０・・・・・・ロ
ーＬｌｌ、１２・・・・・・ボンディングワイヤー、１
３・・・・・・ふた（キャップ）、１４．１５・・・・
・・ロー材。 牛　１　別

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体ペレットと、該半導体ペレットを内部に気密封
    止する容器とを有し、この容器のふたの部分を導電性ガ
    ラスで作ったことを特徴とする半導体装置。
JP59132365A 1984-06-27 1984-06-27 半導体装置 Pending JPS6112049A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59132365A JPS6112049A (ja) 1984-06-27 1984-06-27 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59132365A JPS6112049A (ja) 1984-06-27 1984-06-27 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6112049A true JPS6112049A (ja) 1986-01-20

Family

ID=15079662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59132365A Pending JPS6112049A (ja) 1984-06-27 1984-06-27 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6112049A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0332628U (ja) * 1989-08-08 1991-03-29

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0332628U (ja) * 1989-08-08 1991-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4303934A (en) Molded lead frame dual in line package including a hybrid circuit
US20190274212A1 (en) High frequency module
US5602421A (en) Microwave monolithic integrated circuit package with improved RF ports
JPH02342A (ja) 集積回路チツプ取付けおよびパツケ−ジ組立体
US4722137A (en) High frequency hermetically sealed package for solid-state components
US6281436B1 (en) Encapsulated surface mounting electronic part
US3303265A (en) Miniature semiconductor enclosure
JP3495246B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
US5134246A (en) Ceramic-glass integrated circuit package with integral ground and power planes
JP3445761B2 (ja) 電子デバイス用セラミックパッケージ
JPH06112348A (ja) ハイブリッド回路
JPS61198656A (ja) 半導体装置
JP3495245B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
JPH05218221A (ja) 半導体装置
JPH067575Y2 (ja) 気密端子
KR100483042B1 (ko) 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법 및 장치
JP3495244B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
JPS582060Y2 (ja) 超高周波トランジスタ装置
JPS6092644A (ja) 半導体装置
JPH06112337A (ja) 半導体装置用パッケージ
JPH09232899A (ja) 電子素子のパッケージ実装方法
JPH01215049A (ja) 半導体装置
JPS6131618B2 (ja)
JPH0316986A (ja) 半導体装置
JPH02177351A (ja) 半導体装置の容器