JPS61124094A - 薄膜elパネルの保護構造 - Google Patents

薄膜elパネルの保護構造

Info

Publication number
JPS61124094A
JPS61124094A JP59246670A JP24667084A JPS61124094A JP S61124094 A JPS61124094 A JP S61124094A JP 59246670 A JP59246670 A JP 59246670A JP 24667084 A JP24667084 A JP 24667084A JP S61124094 A JPS61124094 A JP S61124094A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
glass plate
panel
construction
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59246670A
Other languages
English (en)
Inventor
澤江 清
猪原 章夫
岸下 博
上出 久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59246670A priority Critical patent/JPS61124094A/ja
Publication of JPS61124094A publication Critical patent/JPS61124094A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、交流電界又は直流電界の印加に依ってE L
 (Electro Lum1nesecence)発
光を呈する薄膜EL素子を使用した薄膜ELバネノペ特
に透過型の薄膜ELパネルに有効な技術となる保護構造
に関するものである。
〈従来技術〉 薄膜EL素子の一例として交流動作の三層構造薄膜EL
素子の一例を第2図に示す。
以下、第2図に従って説明する。
ガラス基板l上KIn203,5n02等の透明電極2
を形成し、その上に順次5102層とSi3N4層の2
層構造から成る第1誘電体層3、ZnS:Mn発光層4
、S i3 N4層とAl2O3層の2層構造から成る
第2誘電体層5を、それぞれスパッタ法あるいは蒸着法
によって層設する。更にA1の背面電極6を形成するこ
とにより薄膜EL素子が構成される。そして、透明電極
2と背面電極6とが平面図的に見て交叉した位置がパネ
ルの1絵素に相当する0 ここで薄膜EL素子の第2誘電体層5及び背面電極6は
製造工程中で発生する多数のピンホールやクラック等の
欠陥を含むので、 ■ これらの欠陥で起こる微小絶縁破壊■ これらの欠
陥から浸透する湿気が原因となる発光層4と第2誘電体
層5との間で起こる層間剥離 による素子特性の劣化を招来する。
これら薄膜EL素子特有の劣化を防ぐ目的で、先行技術
として、シリコンオイル、シリコングリース等の流体を
封入した保護構造が提案されており、 ■ 微小絶縁破壊領域の拡大を防止する■ 微小絶縁破
壊に伴なうアウトガスを拡散し、層間剥離を防止する ■ 水分保持能力が大きいことによる湿気保護効果を有
する ■ 放熱効果が大きい ■ 温度変化及び振動、たわみによる薄膜EI。
素子構成膜への損傷が少ない といった特長を有している。
前記保護構造の一例を示す要部断面図を第3図及び第4
図に示す。第3図及び第4図において同一箇所は同一符
号で示す。
第3図に基づいて説明すると、ガラス基板I上に平行配
列された透明電標2の上に第1誘電体層3、ZnS発光
層4、第2誘電体層5が順次積層され、更に上記透明電
極2と直交する方向に平行配列された背面電極6が設け
られ、薄膜EL素子が構成されて“ハる。
この薄膜EL素子を封入するため、概略中央部に凹陥部
を有する背面ガラス板7の所定の箇所にあらかじめスク
リーン印刷等の手法でエポキシ樹脂等の接着剤8を塗布
しておき、この接着剤8によってガラス基板1と背面ガ
ラス板7とが接着される。次に、あらかじめ背面ガラス
板7に設けられている注入口9を利用してシリコンオイ
ル、シリコングリース等の流体10が注入された後、I
nボールや樹脂等の封止剤11で注入口9を封止するこ
とによって薄膜EL素子に対する保護構造が完成してい
る。
第4図の例は、背面ガラス板7を平板とした為にテフロ
ンやガラス等から成る額縁状のスペーサ12をガラス基
板1と背面ガラス板7の間に挿入したものである。
これらの保護構造では、接着剤8が、透明電極2と背面
電極6とが平面図的に見て交叉する領域、つまり絵素部
まで広がらないことが必要であり、この為1.第3図の
例では背面ガラス板7の概略中央部の凹陥部を、又第4
図の例ではスペーサ12を利用している。
これは、薄膜EL素子の製造工程上高温処理が必要なこ
と及びNa+の汚染によって特性劣化を生じることの為
、通常ガラス基板lには硬質ガラスが使用されており、
使用環境の温度変化に耐える必要から通常背面ガラス板
7にも熱膨張率の近い硬質ガラスが使用される為である
。つまり、硬質ガラスは研摩すると高価になり、研摩し
ないで使用すると板厚のバラツキ、ノリ、うねりがある
のでエポキシ樹脂等の接着剤8の塗布量を正確にコント
ロールすることが困難な為である。
〈従来技術の問題点〉 第3図の例では、背面ガラス板7の加工費が高価であり
、薄膜ELパネルの大型化に伴ない概略中央部の凹陥部
の面積も広くなり、又凹陥部が加工された面となる為、
表面に微小なキズが残るので強度的に弱くなる問題があ
る。
更に透過型の薄膜ELパネルでは、背面ガラス板7の凹
陥部表面の加工上の微小なキズによる乱反射の為、光の
透過率が減じ、為に背影の表示がぼやける問題がある。
第4図の例では、接着工程が2回になるという工程上の
わずられしさがあり、又、湿気の侵入経路がガラス基板
1とスペーサ12との間、及び背面ガラス板7とスペー
サ12との間の2経路となり耐湿性の点で劣る。更に、
第3図の例と較べると温度変化に対して弱いといった問
題もある。
〈発明の目的〉 本発明はかかる従来の保護構造の問題点に鑑みて為され
たものであり、背面板に額縁状の凹陥部を設けることに
よって ■ エポキシ樹脂等接着剤が絵素部まで広がらない ■ 湿気の侵入経路が1経路であり、長期の高信頼性を
有する ■ 接着工程が1回で済む (■ 背面μの強度が犬である ■ 背面板の透過率が良い 等の特長を有する薄膜ELパネルの保護構造を提供する
ことを目的とする。
〈実施例〉 本発明による薄膜ELパネルの保護構造の一実施例とし
て第1図に要部構成断面図を示す。
以下、第1図に従って本発明を具体的に説明する0 ガラス基板l上に第2図で説明したと同様の方法で薄膜
EL素子13が構成されている。本発明による背面ガラ
ス板7aば、あらかじめサンドブラスト法によって所定
の箇所に額縁状の凹陥部I4とドリル加工によって注入
口9を設けである。スクリーン印刷の手法を用いて背面
ガラス板7aの額縁状の凹陥部14の外側にエポキシ樹
脂等接着剤8を塗布し、ガラス基板lと重ね、適轟な荷
重を加えた状態のまま80℃〜200℃の高温中にさら
すと、エポキシ樹脂等接着剤8が硬化してガラス基板l
と背面ガラス板7aとの接着がなされる。
仁の時、余分な接着剤は額縁状の凹陥部14の所にたま
って絵素部まで広がらない。次に、注入口9を利用して
従来からLCDで行なわれている方法でシリコーンオイ
ル10を注入し、Inボールや樹脂等の封止剤11で注
入口9を封止する。
接着剤8はUV硬化や室温硬化のものでも良いし、熱可
塑性の樹脂でも良い。
〈発明の効果〉 本発明による薄膜ELパネルの保護構造の効果を確かめ
る為、サンプルを作成し、第3図及び第4図に示す従来
例と比較した。結果を第1表に示すO 〈第1表〉 第1表の耐温度サイクル性の評価において、第3図の例
では一部サンプルに背面ガラス板の割れがあり、第4図
の例では接着剤8が剥離したサンプルが多数あった。透
過率の評価には背面電極がIn20Bで形成された透過
型の薄膜EL素子を使用した。
第1表から判るとうり本発明による保護構造を採用する
ことにより、安価で耐湿性、耐温度サイクル性に優れた
薄膜ELパネルを実現することができ、透過型の薄膜E
Lパネル疋ついても高信頼性及び低価格でかつ透過率の
良いものが得られることが判った。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による薄膜ELパネルの保護構造の一例
を示す要部断面構成図である。第2図は薄膜EL素子の
一例を具体的に説明するだめの要部断面構成図である。 第3図及び第4図は従来の薄膜ELパネルの保護構造の
一例を示す要部断面構成図である。 符号の説明 !ニガラス基板、7.背面ガラス板、7a・本発明によ
る背面ガラス板、8:接着剤、14:本発明による額縁
状の凹陥部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  1.透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内に薄
    膜EL素子を収納した薄膜ELパネルに於いて、  前記背面板が前記透光性前面基板と対向する面上に額
    縁状の凹陥部を有しており、この凹陥部の外側で前記透
    光性前面基板と前記背面板とが樹脂で固着された構造で
    あることを特徴とする、薄膜ELパネルの保護構造。
JP59246670A 1984-11-20 1984-11-20 薄膜elパネルの保護構造 Pending JPS61124094A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59246670A JPS61124094A (ja) 1984-11-20 1984-11-20 薄膜elパネルの保護構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59246670A JPS61124094A (ja) 1984-11-20 1984-11-20 薄膜elパネルの保護構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61124094A true JPS61124094A (ja) 1986-06-11

Family

ID=17151865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59246670A Pending JPS61124094A (ja) 1984-11-20 1984-11-20 薄膜elパネルの保護構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61124094A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329576A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2006295246A (ja) * 2005-04-05 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329576A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2006295246A (ja) * 2005-04-05 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06267654A (ja) エレクトロルミネセンスパネルの製造方法
CN105739189A (zh) 显示面板、显示装置及其制作方法
US5059148A (en) Thin film flat panel displays and method of manufacture
JPS61124094A (ja) 薄膜elパネルの保護構造
JPH04278983A (ja) 表示パネルの封止方法
JPS5944633B2 (ja) 薄膜elパネル
JPS58172621A (ja) 液晶表示素子
JPH0471190A (ja) 薄膜elパネル
JP2880859B2 (ja) 薄膜el表示装置
JPS6113594A (ja) 薄膜el素子の封止方法
JP2001142057A (ja) 液晶素子
JPH07105271B2 (ja) 薄膜elパネルの保護液封止方法
JPS61158689A (ja) 薄膜elパネルの保護構造
JPS6095884A (ja) 薄膜elパネル
JPS63131494A (ja) 薄膜el素子およびその製造方法
JPS6155892A (ja) 薄膜el素子の封止方法
JPS5855634B2 (ja) 薄膜elパネル
JPH044399Y2 (ja)
TWI274423B (en) Ultra thin package structure and its manufacturing method
JPS6041436B2 (ja) 薄膜elパネル
TWI232563B (en) Method and structure for packaging an optical chip by chip-on-film technique
JPS6358394A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JPS60107238A (ja) 螢光表示管
JPS6215585A (ja) 表示パネル
JP2001125080A (ja) 液晶素子