JPH044399Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH044399Y2 JPH044399Y2 JP1986034827U JP3482786U JPH044399Y2 JP H044399 Y2 JPH044399 Y2 JP H044399Y2 JP 1986034827 U JP1986034827 U JP 1986034827U JP 3482786 U JP3482786 U JP 3482786U JP H044399 Y2 JPH044399 Y2 JP H044399Y2
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- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- polyimide
- electrode
- insulating
- striped
- Prior art date
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Description
産業上の利用分野
本考案は薄膜EL素子に関するものであり、更
に詳しくはストライプ電極のエツジ状部分に於け
る絶縁破壊の防止手段として、ストライプ電極の
表面に段差の殆どない有機樹脂の絶縁被膜を形成
した薄膜EL素子に関するものである。 従来の技術 マトリクス型デイスプレイパネルを形成する薄
膜EL素子７は、第２図に示すように、ガラス板
等の透光性基板１の上に、透明電極として機能す
るストライプ電極２、第１の絶縁層３、発光層
４、第２の絶縁層５、および背面電極６を順次、
積層することによつて形成されている。斯くして
得られた薄膜EL素子７を、凹板状のカバーガラ
ス８で覆い、該カバーガラス８を、前記透光性基
板１上にエポキシ樹脂や光硬化性樹脂等の接着剤
を介して固着することによつて、マトリクス型デ
イスプレイパネルが形成されている。尚、透光性
基板１とカバーガラス８とからなる外囲器１０内
には、薄膜EL素子７の耐湿性を向上させるため、
シリコンオイル等の絶縁性保護流体１１が封入さ
れている。ここに於いて、ストライプ電極２は、
インジウムテインオキサイド〔以下、ITOとい
う〕、In，Sn等の酸化物等からなる透明電極層と
して、また背面電極６は、Al等からなる電極層
として形成されており、発光層４は、Mn等をド
ープしたZnS等から、また、第１および第２の絶
縁層３，５はY2O3やTa2O5等から形成されてい
る〔特公昭57−47559号公報、特開昭60−11876号
公報〕。 考案が解決しようとする問題点 上記の如きマトリクス型デイスプレイパネルに
於いては、実装コストを下げるために、ストライ
プ電極、例えばITOストライプ電極の一方の端子
のみから信号電圧を印加し、他方の端子は開放状
態にしている。ITO薄膜の電気抵抗値は略2.5×
10-4Ω・cmと大きいので、ストライプ電極の長さ
が増すほど該ストライプ電極の一方の端子から印
加された信号電圧の減衰の程度が大きくなる。
ITO薄膜の電気抵抗値を下げることには限度があ
るので、ストライプ電極の電気抵抗値を小さくす
るためには、ストライプ電極の構成部材たるITO
薄膜の膜厚を厚くせざるを得ない。このような理
由によつてITO薄膜の厚みを大きくすると、第２
図に見られるように、ストライプ電極のエツジ状
部分が急勾配となり、ストライプ電極の形成後積
層された第１および第２の絶縁層３，５、ならび
に発光層４の膜厚がエツジ状部分１２で薄くな
り、この結果、該部にクラツクが発生し易くな
り、ストライプ電極のエツジ状部分で絶縁破壊さ
れる危険性が増大する。 本考案の主要な目的は、在来の薄膜EL素子に
認められた上記の如き問題点を解消し得る、スト
ライプ電極のエツジ状部分の絶縁性能の向上手段
を提供することにある。 問題点を解決するための手段 斯かる目的に鑑みて本考案は、透光性基板上に
ストライプ電極を形成してなる薄膜EL素子に於
いて、有機樹脂の絶縁被膜をスピン塗布法により
前記ストライプ電極の間隙および表面と直接接す
るように形成したことを特徴とする薄膜EL素子
を要旨とするものである。 作 用 スピン塗布法によつてストライプ電極の表面
に、エツジ状部分の補強層として機能する平坦な
表面を持つた有機樹脂、例えば梯子形ポリイミド
樹脂のコーテイング層を形成する。 実施例 第１図は本考案に係る薄膜EL素子の部分縦断
面図である。尚、前記第２図と同一の薄膜EL素
子の形成部材は同一の参照番号で表示するものと
して、細部に亘る説明を省略する。 ストライプ電極２の表面に平坦な絶縁被膜を形
成する手段として、エツチバツク法、バイアスス
パツタ法が知られているが、本考案に於いては絶
縁膜の形成素材が有機樹脂であることに着目し、
スピン塗布法を採用している。更に詳細に説明す
ると、ストライプ電極２を形成した透光性基板１
の表面に、液状の有機樹脂を滴下し、遠心力によ
る展延作用を利用して該ストライプ電極２の凹部
に厚く、また凸部に薄く有機樹脂を付着させるこ
とによつて、ストライプ電極２の表面に実質上段
差のない平坦な絶縁被膜１３を形成している。 本考案に使用し得る有機樹脂としては、絶縁
性、耐熱性、機械的強度〔耐圧性〕、ならびにス
トライプ電極２の表面に対する接着性等を考慮し
て、ポリイミド系樹脂を中心にして、自己接着性
を有するポリイミドシリコン系樹脂、感光性ポリ
イミド樹脂等が好適である。前記ポリイミド系樹
脂の中では、直鎖状ポリイミド〔例えばDuPont
社のPYRALIN PI−2545、PI−2555〕、または
通常のポリイミドの変形として、梯子形構造を導
入したポリイミドイソインドロキナゾリンジオン
〔以下、PIQという〕が特に推奨される。
PYRALIN、PIQとも、その前駆体であるポリア
ミド酸の重合度を調整することによつて、目的に
応じた粘度、樹脂分濃度を有するものを得ること
ができる。下記第１表にPIQおよびPYRALINの
耐熱性と絶縁破壊強さを示す。PIQは、スピン塗
布によりストライプ電極２の表面に0.6乃至4μm
の薄膜を形成し得るように組成を調整されている
が、粘度、樹脂分濃度を調整することによつて、
500Å乃至20μmの極薄絶縁被膜を形成することも
可能である。
に詳しくはストライプ電極のエツジ状部分に於け
る絶縁破壊の防止手段として、ストライプ電極の
表面に段差の殆どない有機樹脂の絶縁被膜を形成
した薄膜EL素子に関するものである。 従来の技術 マトリクス型デイスプレイパネルを形成する薄
膜EL素子７は、第２図に示すように、ガラス板
等の透光性基板１の上に、透明電極として機能す
るストライプ電極２、第１の絶縁層３、発光層
４、第２の絶縁層５、および背面電極６を順次、
積層することによつて形成されている。斯くして
得られた薄膜EL素子７を、凹板状のカバーガラ
ス８で覆い、該カバーガラス８を、前記透光性基
板１上にエポキシ樹脂や光硬化性樹脂等の接着剤
を介して固着することによつて、マトリクス型デ
イスプレイパネルが形成されている。尚、透光性
基板１とカバーガラス８とからなる外囲器１０内
には、薄膜EL素子７の耐湿性を向上させるため、
シリコンオイル等の絶縁性保護流体１１が封入さ
れている。ここに於いて、ストライプ電極２は、
インジウムテインオキサイド〔以下、ITOとい
う〕、In，Sn等の酸化物等からなる透明電極層と
して、また背面電極６は、Al等からなる電極層
として形成されており、発光層４は、Mn等をド
ープしたZnS等から、また、第１および第２の絶
縁層３，５はY2O3やTa2O5等から形成されてい
る〔特公昭57−47559号公報、特開昭60−11876号
公報〕。 考案が解決しようとする問題点 上記の如きマトリクス型デイスプレイパネルに
於いては、実装コストを下げるために、ストライ
プ電極、例えばITOストライプ電極の一方の端子
のみから信号電圧を印加し、他方の端子は開放状
態にしている。ITO薄膜の電気抵抗値は略2.5×
10-4Ω・cmと大きいので、ストライプ電極の長さ
が増すほど該ストライプ電極の一方の端子から印
加された信号電圧の減衰の程度が大きくなる。
ITO薄膜の電気抵抗値を下げることには限度があ
るので、ストライプ電極の電気抵抗値を小さくす
るためには、ストライプ電極の構成部材たるITO
薄膜の膜厚を厚くせざるを得ない。このような理
由によつてITO薄膜の厚みを大きくすると、第２
図に見られるように、ストライプ電極のエツジ状
部分が急勾配となり、ストライプ電極の形成後積
層された第１および第２の絶縁層３，５、ならび
に発光層４の膜厚がエツジ状部分１２で薄くな
り、この結果、該部にクラツクが発生し易くな
り、ストライプ電極のエツジ状部分で絶縁破壊さ
れる危険性が増大する。 本考案の主要な目的は、在来の薄膜EL素子に
認められた上記の如き問題点を解消し得る、スト
ライプ電極のエツジ状部分の絶縁性能の向上手段
を提供することにある。 問題点を解決するための手段 斯かる目的に鑑みて本考案は、透光性基板上に
ストライプ電極を形成してなる薄膜EL素子に於
いて、有機樹脂の絶縁被膜をスピン塗布法により
前記ストライプ電極の間隙および表面と直接接す
るように形成したことを特徴とする薄膜EL素子
を要旨とするものである。 作 用 スピン塗布法によつてストライプ電極の表面
に、エツジ状部分の補強層として機能する平坦な
表面を持つた有機樹脂、例えば梯子形ポリイミド
樹脂のコーテイング層を形成する。 実施例 第１図は本考案に係る薄膜EL素子の部分縦断
面図である。尚、前記第２図と同一の薄膜EL素
子の形成部材は同一の参照番号で表示するものと
して、細部に亘る説明を省略する。 ストライプ電極２の表面に平坦な絶縁被膜を形
成する手段として、エツチバツク法、バイアスス
パツタ法が知られているが、本考案に於いては絶
縁膜の形成素材が有機樹脂であることに着目し、
スピン塗布法を採用している。更に詳細に説明す
ると、ストライプ電極２を形成した透光性基板１
の表面に、液状の有機樹脂を滴下し、遠心力によ
る展延作用を利用して該ストライプ電極２の凹部
に厚く、また凸部に薄く有機樹脂を付着させるこ
とによつて、ストライプ電極２の表面に実質上段
差のない平坦な絶縁被膜１３を形成している。 本考案に使用し得る有機樹脂としては、絶縁
性、耐熱性、機械的強度〔耐圧性〕、ならびにス
トライプ電極２の表面に対する接着性等を考慮し
て、ポリイミド系樹脂を中心にして、自己接着性
を有するポリイミドシリコン系樹脂、感光性ポリ
イミド樹脂等が好適である。前記ポリイミド系樹
脂の中では、直鎖状ポリイミド〔例えばDuPont
社のPYRALIN PI−2545、PI−2555〕、または
通常のポリイミドの変形として、梯子形構造を導
入したポリイミドイソインドロキナゾリンジオン
〔以下、PIQという〕が特に推奨される。
PYRALIN、PIQとも、その前駆体であるポリア
ミド酸の重合度を調整することによつて、目的に
応じた粘度、樹脂分濃度を有するものを得ること
ができる。下記第１表にPIQおよびPYRALINの
耐熱性と絶縁破壊強さを示す。PIQは、スピン塗
布によりストライプ電極２の表面に0.6乃至4μm
の薄膜を形成し得るように組成を調整されている
が、粘度、樹脂分濃度を調整することによつて、
500Å乃至20μmの極薄絶縁被膜を形成することも
可能である。
【表】
【表】
以下、本考案の実施態様を具体例の記述に基づ
いて説明する。ガラス製の透光性基板１の上にス
トライプ電極２として厚さ約1800ÅのITO膜を積
層した後、スピン塗布法によつて該ストライプ電
極上に梯子状ポリイミド樹脂〔PIQ〕を塗布し、
更に、約300℃でベーキングしてPIQの薄膜より
なる絶縁被膜１３を形成した。この状態で、透光
性基板１の上面を基準にして絶縁被膜１３の膜厚
を計測した結果、平均厚み2100Åが記録され、ま
た該PIQが、ストライプ電極２，２間の凹部上面
からストライプ電極２の上面に亘つて、実質上段
差の認められない平坦面を形成している事実が確
認された。以後、常法に従つて透光性基板１の周
縁部に固着している余分の梯子状ポリイミド樹脂
を剥離し、第１の絶縁層３、発光層４、第２の絶
縁層５、および背面電極６を順次、積層すること
によつて薄膜EL素子７を作成した。 以上、本考案の実施態様をストライプ電極２の
形成素材としてITOを、また絶縁被膜１３の形成
素材として梯子状ポリイミド樹脂を使用した例示
に基いて説明したが、本考案の権利範囲は斯かる
実施例の記載によつて限定的に解釈されるべきも
のではなく、数多くの応用例を包含することがで
きる。例えば、前記絶縁被膜１３の膜厚を調整す
ることによつて、第１の絶縁層３の配設を省略す
ることも可能である。 考案の効果 以上の説明から理解されるように、スピン塗布
法によつてストライプ電極の表面に、エツジ状部
分の補強層として機能する有機樹脂製の絶縁被膜
を形成することができる。該絶縁被膜は、実質上
段差の認められない平坦な表面特性を具備してい
るから、在来の薄膜EL素子に於いて問題となつ
ていたエツジ状部分の段差に起因する絶縁層や発
光層の膜厚減少を未然に回避し、ストライプ電極
の段差に起因する絶縁破壊の防止に顕著な効果を
発揮する。
いて説明する。ガラス製の透光性基板１の上にス
トライプ電極２として厚さ約1800ÅのITO膜を積
層した後、スピン塗布法によつて該ストライプ電
極上に梯子状ポリイミド樹脂〔PIQ〕を塗布し、
更に、約300℃でベーキングしてPIQの薄膜より
なる絶縁被膜１３を形成した。この状態で、透光
性基板１の上面を基準にして絶縁被膜１３の膜厚
を計測した結果、平均厚み2100Åが記録され、ま
た該PIQが、ストライプ電極２，２間の凹部上面
からストライプ電極２の上面に亘つて、実質上段
差の認められない平坦面を形成している事実が確
認された。以後、常法に従つて透光性基板１の周
縁部に固着している余分の梯子状ポリイミド樹脂
を剥離し、第１の絶縁層３、発光層４、第２の絶
縁層５、および背面電極６を順次、積層すること
によつて薄膜EL素子７を作成した。 以上、本考案の実施態様をストライプ電極２の
形成素材としてITOを、また絶縁被膜１３の形成
素材として梯子状ポリイミド樹脂を使用した例示
に基いて説明したが、本考案の権利範囲は斯かる
実施例の記載によつて限定的に解釈されるべきも
のではなく、数多くの応用例を包含することがで
きる。例えば、前記絶縁被膜１３の膜厚を調整す
ることによつて、第１の絶縁層３の配設を省略す
ることも可能である。 考案の効果 以上の説明から理解されるように、スピン塗布
法によつてストライプ電極の表面に、エツジ状部
分の補強層として機能する有機樹脂製の絶縁被膜
を形成することができる。該絶縁被膜は、実質上
段差の認められない平坦な表面特性を具備してい
るから、在来の薄膜EL素子に於いて問題となつ
ていたエツジ状部分の段差に起因する絶縁層や発
光層の膜厚減少を未然に回避し、ストライプ電極
の段差に起因する絶縁破壊の防止に顕著な効果を
発揮する。
第１図は本考案に係る薄膜EL素子の部分縦断
面図であり、第２図は在来の薄膜EL素子の部分
縦断面図である。 １……透光性基板、２……ストライプ電極〔透
明電極〕、３……第１の絶縁層、４……発光層、
５……第２の絶縁層、６……背面電極、７……薄
膜EL素子、１３……有機樹脂製の絶縁被膜。
面図であり、第２図は在来の薄膜EL素子の部分
縦断面図である。 １……透光性基板、２……ストライプ電極〔透
明電極〕、３……第１の絶縁層、４……発光層、
５……第２の絶縁層、６……背面電極、７……薄
膜EL素子、１３……有機樹脂製の絶縁被膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 透光性基板上にストライプ電極を形成してな
る薄膜EL素子に於いて、有機樹脂の絶縁被膜
をスピン塗布法により前記ストライプ電極の間
隙および表面と直接接するように形成したこと
を特徴とする薄膜EL素子。 (2) 前記有機樹脂が、ポリイミド系樹脂、ポリイ
ミドシリコン系樹脂および感光性ポリイミド樹
脂の群から選ばれた絶縁性樹脂である、実用新
案登録請求の範囲第１項に記載の薄膜EL素子。 (3) 前記ポリイミド系樹脂が直鎖状ポリイミドま
たは梯子状ポリイミドである実用新案登録請求
の範囲第２項に記載の薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986034827U JPH044399Y2 (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986034827U JPH044399Y2 (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62147296U JPS62147296U (ja) | 1987-09-17 |
| JPH044399Y2 true JPH044399Y2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=30843743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986034827U Expired JPH044399Y2 (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH044399Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750632B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1995-05-31 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57144583A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Double-layer electrode type x-y matrix display unit |
| JPS58166670U (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-07 | 伊勢電子工業株式会社 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
| JPS62115693A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-27 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP1986034827U patent/JPH044399Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62147296U (ja) | 1987-09-17 |
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