JPS61124123A - 表面光処理方法 - Google Patents
表面光処理方法Info
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- JPS61124123A JPS61124123A JP59244444A JP24444484A JPS61124123A JP S61124123 A JPS61124123 A JP S61124123A JP 59244444 A JP59244444 A JP 59244444A JP 24444484 A JP24444484 A JP 24444484A JP S61124123 A JPS61124123 A JP S61124123A
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光を用いた表面光処理方法に係り、−ないし数
原子（分子）層づつ薄膜を形成する方法、あるいは、−
ないし数原子（分子）層づつエツチングする方法に関し
、特に、所定のパターンで薄膜を形成する場合、あるい
は、所定のパターンのエツチングを行う場合に好適な表
面光処理方法に関する。
原子（分子）層づつ薄膜を形成する方法、あるいは、−
ないし数原子（分子）層づつエツチングする方法に関し
、特に、所定のパターンで薄膜を形成する場合、あるい
は、所定のパターンのエツチングを行う場合に好適な表
面光処理方法に関する。
−ないし数原子（分子）層づつ膜形成を行う、いわゆる
原子層エビタクシ−法は極めて結晶性のよい薄膜を形成
できる、極めて優れた技術である。
原子層エビタクシ−法は極めて結晶性のよい薄膜を形成
できる、極めて優れた技術である。
従来の原子層エビタクシ−法は、応用物理、閃。
５１６ （１９８４）に記載されているように、所定の
温度に保たれた基板を設置したチャンバーに第１の原料
ガスを導入し、その後、排気すると、基板」二に吸着さ
れたガスが一分子層だけ残る。次に、第２の原料ガス（
あるいは、第１の原料ガス）を導入し、その後、再び排
気すると、第１の一分子層の上に第２の分子層が、ある
いは、両者が反応した結果生じる新たな分子層が形成さ
れる。この方法を順次繰返すことにより、原子単位の精
度で膜形成ができる長所がある。しかし、一方では、原
料ガスの導入、排気を交互に繰返す必要があり、高速で
膜成長を行うことができない欠点があった。
温度に保たれた基板を設置したチャンバーに第１の原料
ガスを導入し、その後、排気すると、基板」二に吸着さ
れたガスが一分子層だけ残る。次に、第２の原料ガス（
あるいは、第１の原料ガス）を導入し、その後、再び排
気すると、第１の一分子層の上に第２の分子層が、ある
いは、両者が反応した結果生じる新たな分子層が形成さ
れる。この方法を順次繰返すことにより、原子単位の精
度で膜形成ができる長所がある。しかし、一方では、原
料ガスの導入、排気を交互に繰返す必要があり、高速で
膜成長を行うことができない欠点があった。
したがって本発明の目的は、−ないし数原子（分子）層
づつ膜形成を行い結晶性のよい薄膜を高速で形成し得る
方法、および、−ないし数原子（分子）層づつ高速でエ
ツチングし得る表面光処理方法を提供することにある。
づつ膜形成を行い結晶性のよい薄膜を高速で形成し得る
方法、および、−ないし数原子（分子）層づつ高速でエ
ツチングし得る表面光処理方法を提供することにある。
上記目的を達成するため本発明においては、基板に反応
ガスを吸着させる工程と、自由空間にある反応ガスによ
る吸収が無視でき、かつ、吸着した反応ガスがエネルギ
ーを吸収できる波長の光を照射する工程とを備えた表面
光処理方法としたことを特徴としている。
ガスを吸着させる工程と、自由空間にある反応ガスによ
る吸収が無視でき、かつ、吸着した反応ガスがエネルギ
ーを吸収できる波長の光を照射する工程とを備えた表面
光処理方法としたことを特徴としている。
かかる特徴的な構成によって、高速で膜形成したり高速
でエツチングすることができるようになるので、スルー
プットを大幅に増大できるようになった。
でエツチングすることができるようになるので、スルー
プットを大幅に増大できるようになった。
〔発明の実施例〕
遣。
以下、本発明を図を用いて詳縮する。
はじめに、本発明の原理について述べる。
本発明は、基板に分子が吸着されている状態での光吸収
スペクトルが、その分子の自由空間での光吸収スペクト
ルと異なることを利用したものである。この現象は、０
ｐｔｊｊｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 Ｖｏｌ、５゜Ｎｏ、９
．５ｅｐｔ、ｅｍｂｅｒ １９８０． ｐ、３６８〜３
７０．などに記載されている。基材の材料、表面処理用
の反応ガス、照射する励起光の波長の組合せを適当に選
べば、つどのようなことが可能となる。第１図（、）に
示すように、基板１に吸着した分子２は、基板１との相
互作用により、自由空間に存在する同種の分子３とは異
なる光吸収特性を持つ。たとえば、第１図（ｂ）に示す
ように、自由空間にある同種の分子の吸収係数の分光分
布３ｂと吸着分子の吸収係数の分光分布２ｂとは、その
スペクトルの形状は大きく異なる。そこで、第１図（ｂ
）の破線で示す波長λ□の光１２を照射すると、この光
１２は、自由空間にある分子３には、はとんど吸収され
ることはなく、吸着分子２によってのみ強η く吸収される。ｔの結果、基板１に吸着されている分子
２のみが励起される。
スペクトルが、その分子の自由空間での光吸収スペクト
ルと異なることを利用したものである。この現象は、０
ｐｔｊｊｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 Ｖｏｌ、５゜Ｎｏ、９
．５ｅｐｔ、ｅｍｂｅｒ １９８０． ｐ、３６８〜３
７０．などに記載されている。基材の材料、表面処理用
の反応ガス、照射する励起光の波長の組合せを適当に選
べば、つどのようなことが可能となる。第１図（、）に
示すように、基板１に吸着した分子２は、基板１との相
互作用により、自由空間に存在する同種の分子３とは異
なる光吸収特性を持つ。たとえば、第１図（ｂ）に示す
ように、自由空間にある同種の分子の吸収係数の分光分
布３ｂと吸着分子の吸収係数の分光分布２ｂとは、その
スペクトルの形状は大きく異なる。そこで、第１図（ｂ
）の破線で示す波長λ□の光１２を照射すると、この光
１２は、自由空間にある分子３には、はとんど吸収され
ることはなく、吸着分子２によってのみ強η く吸収される。ｔの結果、基板１に吸着されている分子
２のみが励起される。
この場合、光１２を吸収する物質が基板ｌであるか、吸
着分子２であるかは判別できないが、要は、吸収された
光１２のエネルギーが最終的に吸着分子２の励起、ある
いは、解離に使われることが本質的である。
着分子２であるかは判別できないが、要は、吸収された
光１２のエネルギーが最終的に吸着分子２の励起、ある
いは、解離に使われることが本質的である。
本発明で薄膜形成を行う場合は、基板１に吸着した原料
ガス分子２は解離し、所望の原子（分子）層が基板１の
上に形成できる。あるいは解離した吸着分子２が原料ガ
スと反応して所望の原子（分子）層が形成できる。基板
１は適当な温度に加熱しておく方がよい。基板１の加熱
温度、原子（分子）層の形成速度を適当に選ぶと、原子
（分子）層を一原子（分子）層づつ、結晶構造に成長さ
せることができる。
ガス分子２は解離し、所望の原子（分子）層が基板１の
上に形成できる。あるいは解離した吸着分子２が原料ガ
スと反応して所望の原子（分子）層が形成できる。基板
１は適当な温度に加熱しておく方がよい。基板１の加熱
温度、原子（分子）層の形成速度を適当に選ぶと、原子
（分子）層を一原子（分子）層づつ、結晶構造に成長さ
せることができる。
また、本発明でエツチングを行う場合は、基板１に吸着
したエツチング用ガスのみが活性化され、あるいは、解
離してラジカルとなり、１原子（分子）層、あるいは、
数原子（分子）層づつエツチングを行うことができる。
したエツチング用ガスのみが活性化され、あるいは、解
離してラジカルとなり、１原子（分子）層、あるいは、
数原子（分子）層づつエツチングを行うことができる。
以」二述べたことから明らかなように、吸着分子と入射
光の相互作用が強いことが重要であるから、吸着分子が
存在する場所で光の電場強度が強くなるよう条件を設定
する方が好ましい。物質の表面では、入射光と反射光が
干渉し合って、その干渉の結果電場の強さが決まる。反
射の様子は、その物質の屈折率（損失も考慮した複素屈
折率を意味する）、入射光の偏光状態、入射角に依存す
るので、これらを適当に選択することも重要である。
光の相互作用が強いことが重要であるから、吸着分子が
存在する場所で光の電場強度が強くなるよう条件を設定
する方が好ましい。物質の表面では、入射光と反射光が
干渉し合って、その干渉の結果電場の強さが決まる。反
射の様子は、その物質の屈折率（損失も考慮した複素屈
折率を意味する）、入射光の偏光状態、入射角に依存す
るので、これらを適当に選択することも重要である。
次に、本発明を薄膜形成に応用した一実施例を第２図に
より説明する。反応室４の中に基板１を置き、排気ロア
により反応室４内を排気した後。
より説明する。反応室４の中に基板１を置き、排気ロア
により反応室４内を排気した後。
原料ガス導入口６より原料ガスを所定の圧力で導入する
。そこで、原料ガスの光吸収の波長範囲より長波長λ、
の励起光を放出する光源８がらの光を窓５を通して基板
ｌに照射する。基板１に吸着された原料ガス分子のみが
解離反応を起こす。基板１を、たとえば、赤外などの波
長λ２の光を放射する第２の光源９によって加熱すると
、薄膜が形成され、励起条件、加熱条件を適当に選べば
、一原子（分子）層づつ薄膜を形成することができる。
。そこで、原料ガスの光吸収の波長範囲より長波長λ、
の励起光を放出する光源８がらの光を窓５を通して基板
ｌに照射する。基板１に吸着された原料ガス分子のみが
解離反応を起こす。基板１を、たとえば、赤外などの波
長λ２の光を放射する第２の光源９によって加熱すると
、薄膜が形成され、励起条件、加熱条件を適当に選べば
、一原子（分子）層づつ薄膜を形成することができる。
この場合、原料ガスは励起光を吸収しないので、窓５が
汚れることはない。場合によっては、原料ガスとして、
第１．第２の２種類の原料ガスを導入し、第１の原料ガ
スの吸着分子を光で励起し、これと第２の原料ガスとの
反応により膜形成を行うこともできる。また、基板１を
低温に冷却して反応ガスが吸着し易くするのも効果的で
ある。
汚れることはない。場合によっては、原料ガスとして、
第１．第２の２種類の原料ガスを導入し、第１の原料ガ
スの吸着分子を光で励起し、これと第２の原料ガスとの
反応により膜形成を行うこともできる。また、基板１を
低温に冷却して反応ガスが吸着し易くするのも効果的で
ある。
励起光の照射は連続的に行うこともできるが、一原子（
分子）層づつ薄膜を形成する場合は、第３図に示すよう
に周期Ｔ、パルス幅τのパルス状にする方がよい。吸着
分子の光吸収断面積をσ。
分子）層づつ薄膜を形成する場合は、第３図に示すよう
に周期Ｔ、パルス幅τのパルス状にする方がよい。吸着
分子の光吸収断面積をσ。
光源８から基板１の表面に単位面積当り、単位時間に照
射される波長λ１の光量子の数をｎとする励起光は波長
λ１の単色光である必要はなく、実質的に自由空間の分
子に吸収される波長の光を含まず、吸着分子に吸収され
るｊ波長の光を含んでいればよい。たとえば、自由空間
にある分子による吸収係数をに、窓５から基板１までの
距離をΩとすると、ｋＱ≦ＩＯＮσを満足すればよい。
射される波長λ１の光量子の数をｎとする励起光は波長
λ１の単色光である必要はなく、実質的に自由空間の分
子に吸収される波長の光を含まず、吸着分子に吸収され
るｊ波長の光を含んでいればよい。たとえば、自由空間
にある分子による吸収係数をに、窓５から基板１までの
距離をΩとすると、ｋＱ≦ＩＯＮσを満足すればよい。
ここで、Ｎは基板表面の単位面積当り吸着される原料ガ
ス分子の数である。
ス分子の数である。
また、加熱用の波長λ２の光を放射する光源９もパルス
光源にすることができる。基板】の熱伝導度をに、比熱
をＣ２密度ρ、波長λ２の光に対する鎖吸収率をａとす
ると、厚みδの範囲を温度Ｔだけ温度上昇させるには、
単位表面積当り。
光源にすることができる。基板】の熱伝導度をに、比熱
をＣ２密度ρ、波長λ２の光に対する鎖吸収率をａとす
ると、厚みδの範囲を温度Ｔだけ温度上昇させるには、
単位表面積当り。
の時間照射すればよい。この場合、加熱用光源９も、波
長λ２の単色である必要はなく、連続光でよい。その場
合は、吸収率ａとして光源９の分光分布についての平均
値を取ればよい。
長λ２の単色である必要はなく、連続光でよい。その場
合は、吸収率ａとして光源９の分光分布についての平均
値を取ればよい。
基板１の温度を低温に保つためには、基板１の薄膜を形
成する面の裏側からの熱伝導による冷却と加熱のバラン
スを考えればよい。すなわち、基板１の厚みをｄとする
と、加熱用光源９のパルスの周期を・ρＱ ｄ ２程度
以上にすればよい。
成する面の裏側からの熱伝導による冷却と加熱のバラン
スを考えればよい。すなわち、基板１の厚みをｄとする
と、加熱用光源９のパルスの周期を・ρＱ ｄ ２程度
以上にすればよい。
に
第４図（ａ）、 （ｂ）に励起光源８からの光パルスと
加熱用の光源９からの光パルスとの関係の一例を示す。
加熱用の光源９からの光パルスとの関係の一例を示す。
励起光パルスと加熱用の光パルスとは重なっている必要
はなく、両者の間に時間間隔があっても良い。第４図（
ａ）、 （ｂ）のようにすると、一番短かい時間で膜形
成が可能である。
はなく、両者の間に時間間隔があっても良い。第４図（
ａ）、 （ｂ）のようにすると、一番短かい時間で膜形
成が可能である。
特殊な場合には、２種類以上の原料ガスＡ、Ｂを同時に
反応室４に封入し、励起光の波長を選択することにより
、波長λえの光は吸着分子Ａのみに吸収され、波長λ８
の光は吸着分子Ｂのみに吸収されるようにする。そして
、励起光λえと励起光λ８とを交互に照射することによ
り、異なる原子（分子）層を一原子（分子）層づつ交互
に形成することも可能である。
反応室４に封入し、励起光の波長を選択することにより
、波長λえの光は吸着分子Ａのみに吸収され、波長λ８
の光は吸着分子Ｂのみに吸収されるようにする。そして
、励起光λえと励起光λ８とを交互に照射することによ
り、異なる原子（分子）層を一原子（分子）層づつ交互
に形成することも可能である。
また、本発明によれば、特定の物質の上のみに薄膜を形
成させることができる。すなわち、吸着分子との相互作
用は基板上の物質により異なるので、第１図（ｂ）に示
した分光吸収特性が所望の基板上の物質のみで生じるよ
うに原料ガスの種類と励起光の波長λ１を選べばよい。
成させることができる。すなわち、吸着分子との相互作
用は基板上の物質により異なるので、第１図（ｂ）に示
した分光吸収特性が所望の基板上の物質のみで生じるよ
うに原料ガスの種類と励起光の波長λ１を選べばよい。
この方法は、基板表面の物質と同種の物質の膜を堆積さ
せる場合に、とくに有効である。この方法は、基板表面
の平坦化やスルーホールを導体でうめる等に適用できる
。この方法によると、マスク等により露光する場合に問
題な位置合わせが不要となり、分解能も光の限界を越え
て高くできる。
せる場合に、とくに有効である。この方法は、基板表面
の平坦化やスルーホールを導体でうめる等に適用できる
。この方法によると、マスク等により露光する場合に問
題な位置合わせが不要となり、分解能も光の限界を越え
て高くできる。
第５図は他の実施例を示す。励起用光源８からの波長λ
１の光でマスク１０を照射し、レンズ１１でマスク１０
の像を基板１上に作る。このようにすると、基板１上に
マスク１０のパターンに応じて、所望のパターンで薄膜
を形成できる。なお、レンズ１１は凹面鏡を使用しても
よいことは言うまでもなく、基板１は第２図に示した如
くヒーターや光源９などで加熱する手段を設ける方がよ
い。これらは、第５図では省略しである。
１の光でマスク１０を照射し、レンズ１１でマスク１０
の像を基板１上に作る。このようにすると、基板１上に
マスク１０のパターンに応じて、所望のパターンで薄膜
を形成できる。なお、レンズ１１は凹面鏡を使用しても
よいことは言うまでもなく、基板１は第２図に示した如
くヒーターや光源９などで加熱する手段を設ける方がよ
い。これらは、第５図では省略しである。
なお、上記の実施例はすべてデポジションについてのも
のであるが、エツチングについても、すべての実施例に
ついてまったく同様に行うことができる。すなわち、吸
着したエツチング用ガスのみが励起光を吸収して活性化
され、あるいは、解離してラジカルとなりエツチングが
起ように、エツチング用ガスの種類、励起光の波長λ１
．エノチングする部分の材質の間の関係を選択すればよ
し）。
のであるが、エツチングについても、すべての実施例に
ついてまったく同様に行うことができる。すなわち、吸
着したエツチング用ガスのみが励起光を吸収して活性化
され、あるいは、解離してラジカルとなりエツチングが
起ように、エツチング用ガスの種類、励起光の波長λ１
．エノチングする部分の材質の間の関係を選択すればよ
し）。
以上述べたように本発明によれば、原料ガス、あるいは
、エツチングガスを反応室に満した状態で、基板の表面
に吸着した分子のみを励起、あるいは、解離できるので
、−ないし数原子（分子）層づつ膜形成を行う場合も、
−ないし数原子（分子）層づつエツチングを行う場合も
、大幅にスループットを増大できる。
、エツチングガスを反応室に満した状態で、基板の表面
に吸着した分子のみを励起、あるいは、解離できるので
、−ないし数原子（分子）層づつ膜形成を行う場合も、
−ないし数原子（分子）層づつエツチングを行う場合も
、大幅にスループットを増大できる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の原理説明図、第２図
。 第３図、第４図（ａ） 、 （ｂ） ＝第５図は本発明
の実施例を示す図である。 １は基板、２は吸着分子、３は自由空間の分子。 ４は反応室、８は励起用光源、９は加熱用光源である。 第 ７ 図 第 ３ 図 第 ２図 第４」 （ス） ／ｙ 眉ｌ 竹開 第 夕図 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第２４４．４４４号発明の名称
表面光処理方法 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人名 称 （５
１０）株式会社 日 立 製 作 所代 理 人 居 所 〒１００東京都千代田区丸の内−丁目５番１
号株式会社 日 立 製 作 所 内 補正命令の日付 昭和６０年３月２６日補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄補正の内容 １、本願明細書第４頁第４行目から同第５行目のｒ、
０ｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 Ｖｏｌ、 ５ 、
Ｎｎ ９ 、 Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ１９８０、ｐ、３６
８〜３７０．Ｊを「、オブティックスレターズ、第５巻
、第９号、１９８０年９月、ページ３６８〜３７０ （
０ｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ。 ＶＯｌ、５． Ｎ（１９，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １．９
８０＋ ｐ、 ３６８〜３７０ ）、Ｊに補正する。 以上
。 第３図、第４図（ａ） 、 （ｂ） ＝第５図は本発明
の実施例を示す図である。 １は基板、２は吸着分子、３は自由空間の分子。 ４は反応室、８は励起用光源、９は加熱用光源である。 第 ７ 図 第 ３ 図 第 ２図 第４」 （ス） ／ｙ 眉ｌ 竹開 第 夕図 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第２４４．４４４号発明の名称
表面光処理方法 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人名 称 （５
１０）株式会社 日 立 製 作 所代 理 人 居 所 〒１００東京都千代田区丸の内−丁目５番１
号株式会社 日 立 製 作 所 内 補正命令の日付 昭和６０年３月２６日補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄補正の内容 １、本願明細書第４頁第４行目から同第５行目のｒ、
０ｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 Ｖｏｌ、 ５ 、
Ｎｎ ９ 、 Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ１９８０、ｐ、３６
８〜３７０．Ｊを「、オブティックスレターズ、第５巻
、第９号、１９８０年９月、ページ３６８〜３７０ （
０ｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ。 ＶＯｌ、５． Ｎ（１９，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １．９
８０＋ ｐ、 ３６８〜３７０ ）、Ｊに補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板に反応ガスを吸着させる工程と、自由空間にあ
る上記反応ガスによる吸収が無視でき、かつ、上記吸着
した反応ガスがエネルギーを吸収できる波長の光を照射
する工程とを有することを特徴とする表面光処理方法。 ２、上記基板上に形成されているパターンの特定物質の
上にのみ膜形成を行うことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の表面光処理方法。 ３、上記基板上の特定物質のみをエッチングすることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面光処理方法
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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