JPS63137174A - 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 - Google Patents
光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法Info
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- JPS63137174A JPS63137174A JP61280671A JP28067186A JPS63137174A JP S63137174 A JPS63137174 A JP S63137174A JP 61280671 A JP61280671 A JP 61280671A JP 28067186 A JP28067186 A JP 28067186A JP S63137174 A JPS63137174 A JP S63137174A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野）
本発明は、光化学反応を利用し、低温プロセスにて原料
ガスを励起・分解または重合し、アモルファスシリコン
（以下、ａ−５Ｌと略記する。）等の機能性堆積膜を形
成するための装置であって、高エネルギー光と同時に、
赤外線を使用して堆積膜速度を向上せしめると共に光透
過窓はの堆積膜を阻止するように装置構成した光化学気
相成長法（以下、「光ＣＶＯ法」という。）による機能
性堆積膜形成装置に関する。
ガスを励起・分解または重合し、アモルファスシリコン
（以下、ａ−５Ｌと略記する。）等の機能性堆積膜を形
成するための装置であって、高エネルギー光と同時に、
赤外線を使用して堆積膜速度を向上せしめると共に光透
過窓はの堆積膜を阻止するように装置構成した光化学気
相成長法（以下、「光ＣＶＯ法」という。）による機能
性堆積膜形成装置に関する。
従来、例えば５ｊＨ４や５ｊＪａ等の水素化ケイ素化合
物を原料として堆積膜を形成する方法とじては、グロー
放電堆積法や熱エネルギー堆積法が知られている、これ
ら堆積法は、水素化ケイ素化合物等を電気エネルギーや
熱エネルギーを用いて励起・分解し、支持体上にａ−５
Ｉの堆積膜を形成する方法である。このようにして得ら
れた堆積膜は種々の目的に利用されている。
物を原料として堆積膜を形成する方法とじては、グロー
放電堆積法や熱エネルギー堆積法が知られている、これ
ら堆積法は、水素化ケイ素化合物等を電気エネルギーや
熱エネルギーを用いて励起・分解し、支持体上にａ−５
Ｉの堆積膜を形成する方法である。このようにして得ら
れた堆積膜は種々の目的に利用されている。
しかし、グロー放電堆積法においては、高出力下では堆
積中のａ−５ｉ膜への放電エネルギーの影響が大きく、
再現性のある安定した条件制御が困難となる。特に、広
面積、厚膜の堆積膜を形成する場合に、これが顕著であ
る。
積中のａ−５ｉ膜への放電エネルギーの影響が大きく、
再現性のある安定した条件制御が困難となる。特に、広
面積、厚膜の堆積膜を形成する場合に、これが顕著であ
る。
また、熱エネルギー堆積法においては、高温が必要とな
ることから、使用できる基体が限定されると共に、高温
によりａ−５ｔ膜中の有用な結合水素原子が脱離する確
率が増加し、所望の特性の堆積膜が得にくい。
ることから、使用できる基体が限定されると共に、高温
によりａ−５ｔ膜中の有用な結合水素原子が脱離する確
率が増加し、所望の特性の堆積膜が得にくい。
このように、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法に
より堆積膜を形成する場合には、均一な電気的、光学的
特性および品質の安定性の確保が難しく、更には堆積中
の膜表面の乱れあるいは堆積膜内の欠陥が生じやすい等
の問題点が残されているのが現状である。
より堆積膜を形成する場合には、均一な電気的、光学的
特性および品質の安定性の確保が難しく、更には堆積中
の膜表面の乱れあるいは堆積膜内の欠陥が生じやすい等
の問題点が残されているのが現状である。
そうしたところにあフて、近年、これらの問題点を解決
すべく、光エネルギーを利用したａ−５ｔ堆積膜の堆積
法（光ＣＶＤ法）が提案され、注目を集めている。
すべく、光エネルギーを利用したａ−５ｔ堆積膜の堆積
法（光ＣＶＤ法）が提案され、注目を集めている。
この光ＣＶＤ法によると、ａ−５ｔ堆積膜を低温で、か
つイオンフリーの反応で作製できる利点などにより、上
記問題点を大幅に改善することができる。
つイオンフリーの反応で作製できる利点などにより、上
記問題点を大幅に改善することができる。
そして提案されている装置は、反応容器と、該反応容器
内に原料ガスを導入する手段と、該原料ガスに高エネル
ギー光を照射する手段とを備えていて、光化学反応を利
用して該反応容器内に設置した基体上に薄膜を形成する
、という類のものであり、その原理構成は、第４図に示
されるところのものである。第４図において、１は高エ
ネルギー光源からの高エネルギー光の光束を示し、２は
光透過窓、３は堆積膜、４は基体、５は反応容器、６は
排気管、７は原料ガス導入管をそれぞれ示す。 ところ
が、第４図に図示の原理構成の従来の光ＣＶＤ法による
機能性堆積膜の形成装置については、堆積膜形成装置内
に搬入された基体面上だけでなく、この堆積膜形成装置
の光透過窓に配設された透光板内面上にもａ−５ｉ等の
堆積膜が形成され、これが反応室内への入射光の光強度
を大きく下げて、基体面上への堆積膜の形成速度を低下
させるという新たな問題がある。
内に原料ガスを導入する手段と、該原料ガスに高エネル
ギー光を照射する手段とを備えていて、光化学反応を利
用して該反応容器内に設置した基体上に薄膜を形成する
、という類のものであり、その原理構成は、第４図に示
されるところのものである。第４図において、１は高エ
ネルギー光源からの高エネルギー光の光束を示し、２は
光透過窓、３は堆積膜、４は基体、５は反応容器、６は
排気管、７は原料ガス導入管をそれぞれ示す。 ところ
が、第４図に図示の原理構成の従来の光ＣＶＤ法による
機能性堆積膜の形成装置については、堆積膜形成装置内
に搬入された基体面上だけでなく、この堆積膜形成装置
の光透過窓に配設された透光板内面上にもａ−５ｉ等の
堆積膜が形成され、これが反応室内への入射光の光強度
を大きく下げて、基体面上への堆積膜の形成速度を低下
させるという新たな問題がある。
この問題を回避するための一つの方法として、光透過窓
の内面に真空ポンプ用の油を塗布する方式が提案されて
いる。しかしこの方法については、反応容器の内部に油
を主とする有機物が持ち込まれてしまうことになり、そ
れが原因で形成される堆積膜内部に前記有機物の分子が
混入してしまうところとなり、得られる堆積膜は結局は
所望の特性、高品質性を有さないものになってしまうと
いう問題がある。
の内面に真空ポンプ用の油を塗布する方式が提案されて
いる。しかしこの方法については、反応容器の内部に油
を主とする有機物が持ち込まれてしまうことになり、そ
れが原因で形成される堆積膜内部に前記有機物の分子が
混入してしまうところとなり、得られる堆積膜は結局は
所望の特性、高品質性を有さないものになってしまうと
いう問題がある。
また別の方法として、透光板の内面を定期的にエツチン
グ（食刻）し、それに堆積した膜を除去する方式が提案
されている。しかしこの方法については、膜形成用原料
ガスとは別にエツチング用ガスが必要であり、更にエツ
チング反応を起こさせるためのガス励起装置（例えばＲ
Ｆ放電装置）も同時に必要となり、したがって装置全体
は、光ＣＶＤ法用装置とエツチング装置とを合体した複
雑な装置構成のものになるという問題がある。
グ（食刻）し、それに堆積した膜を除去する方式が提案
されている。しかしこの方法については、膜形成用原料
ガスとは別にエツチング用ガスが必要であり、更にエツ
チング反応を起こさせるためのガス励起装置（例えばＲ
Ｆ放電装置）も同時に必要となり、したがって装置全体
は、光ＣＶＤ法用装置とエツチング装置とを合体した複
雑な装置構成のものになるという問題がある。
本発明は、光ＣＶＤ法による機能性堆積膜の形成につい
ての従来の装置における上述の問題点を解決することを
目的とするものである。
ての従来の装置における上述の問題点を解決することを
目的とするものである。
すなわち本発明の主たる目的は、均一にして均質、そし
て高品質のものであって、優れた所望の特性を具有する
堆積膜を常時安定して効率的に且つ連続して形成する光
ＣＶＤ法による装置を提供することにある。
て高品質のものであって、優れた所望の特性を具有する
堆積膜を常時安定して効率的に且つ連続して形成する光
ＣＶＤ法による装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、透光板を常時充分な光透過機能を
発揮できるものに維持し、そして均一にして均質、かつ
高品質のものであって、優れた所望の特性を具有する機
能性堆積膜を光ＣＶＤ法により常時安定して高効率に連
続して形成するための装置を提供することにある。
発揮できるものに維持し、そして均一にして均質、かつ
高品質のものであって、優れた所望の特性を具有する機
能性堆積膜を光ＣＶＤ法により常時安定して高効率に連
続して形成するための装置を提供することにある。
（発明の構成）
本発明者は、第４図に示す原理構成の、従来の光ＣＶｔ
ｔ法による機能性堆積膜ｔ膜の形成装置の前述の問題点
を解決すべく、鋭意研究を重ね、該装置に赤外線導入手
段を取り付けて赤外線を反応容器内に照射できるように
しておいて、原料ガスを反応室内に導入し、そこに高エ
ネルギー光と赤外線を同時併行的に照射して基体表面上
への堆積膜形成を試行錯誤的に試みたところ、下達する
事実が確認された。
ｔ法による機能性堆積膜ｔ膜の形成装置の前述の問題点
を解決すべく、鋭意研究を重ね、該装置に赤外線導入手
段を取り付けて赤外線を反応容器内に照射できるように
しておいて、原料ガスを反応室内に導入し、そこに高エ
ネルギー光と赤外線を同時併行的に照射して基体表面上
への堆積膜形成を試行錯誤的に試みたところ、下達する
事実が確認された。
即ち、照射する赤外線を原料ガス分子の撮動吸収のある
波長を含むものにし、その強度を該赤外線のみでは原料
ガスがあまり分解されない程度のものにする場合、原料
ガスはその赤外線を円滑に吸収し、赤外線を吸収してい
るその原料ガス、即ち、赤外線の行路中にある原料ガス
は、導入されるエネルギー光に対して、それが仮に低エ
ネルギーのものであっ０ても、円滑に吸収され、それに
より効率的光分解がもたらされ、基体上への膜堆積の形
成が円滑に進行する。他方、光透過窓（透光板）の反応
容器側表面への膜堆積は著しく鈍化する。
波長を含むものにし、その強度を該赤外線のみでは原料
ガスがあまり分解されない程度のものにする場合、原料
ガスはその赤外線を円滑に吸収し、赤外線を吸収してい
るその原料ガス、即ち、赤外線の行路中にある原料ガス
は、導入されるエネルギー光に対して、それが仮に低エ
ネルギーのものであっ０ても、円滑に吸収され、それに
より効率的光分解がもたらされ、基体上への膜堆積の形
成が円滑に進行する。他方、光透過窓（透光板）の反応
容器側表面への膜堆積は著しく鈍化する。
本発明者は、上述したところの相互関係を明らかにすべ
く更なる研究を重ね以下のところを究明するに至った。
く更なる研究を重ね以下のところを究明するに至った。
即ち、原料ガス分子の核間距ｍ＜χ）と、エネルギー（
ｅ）との関係は、概念的には第３図に示すようになって
いて、通常の原料ガスを直接光分解するについてはａに
相当する電子励起が必要である。ところが、原料ガス分
子の核間距離（χ）を振動させる、即ち、振動励起させ
てやるとｂのような電子励起が可能になる。即ち、原料
ガス分子を前もって振動励起させておくことにより、よ
り低いエネルギーの光であってもそれへの原料ガスの吸
収が大になり満足のゆく光分解が可能になる。したがっ
て、赤外線の行路になっている部分にある原料ガスは、
エネルギー光により分解されやすくなっていてエネルギ
ー光が高エネルギーのものであれば勢い円滑に分解され
、基体表面への円滑な膜堆積をもたらす。そして、光透
過窓（透光板）の反応容器側表面への膜堆積は、原料ガ
スが基体表面への膜堆積にほとんど費やされてしまうこ
とから著しく鈍化し、従来装置にみられるような問題は
ほとんど生じなくなる。
ｅ）との関係は、概念的には第３図に示すようになって
いて、通常の原料ガスを直接光分解するについてはａに
相当する電子励起が必要である。ところが、原料ガス分
子の核間距離（χ）を振動させる、即ち、振動励起させ
てやるとｂのような電子励起が可能になる。即ち、原料
ガス分子を前もって振動励起させておくことにより、よ
り低いエネルギーの光であってもそれへの原料ガスの吸
収が大になり満足のゆく光分解が可能になる。したがっ
て、赤外線の行路になっている部分にある原料ガスは、
エネルギー光により分解されやすくなっていてエネルギ
ー光が高エネルギーのものであれば勢い円滑に分解され
、基体表面への円滑な膜堆積をもたらす。そして、光透
過窓（透光板）の反応容器側表面への膜堆積は、原料ガ
スが基体表面への膜堆積にほとんど費やされてしまうこ
とから著しく鈍化し、従来装置にみられるような問題は
ほとんど生じなくなる。
本発明は、上述の本発明者が確認した事実及び究明した
事実関係に基づいて完成するに至フたものであり、本発
明の装置は、要するに、反応容器と、該反応容器の反応
室内に原料ガスを導入するための手段と、前記反応容器
に配設された透光板を有する光透過手段を介して前記原
料ガスに高エネルギー光を照射するための手段とを備え
、光化学反応を利用して前記原料ガスを励起・分解また
は重合せしめて、前記反応容器内に搬入された基体上に
機能性堆積膜を形成するための装置にして、前記高エネ
ルギー光と同時に、前記原料ガス分子の撮動吸収のある
波長を含む赤外線を照射する手段を備えたことを特徴と
する光ＣＶＤ法による機能性堆積膜形成装置、というも
のである。
事実関係に基づいて完成するに至フたものであり、本発
明の装置は、要するに、反応容器と、該反応容器の反応
室内に原料ガスを導入するための手段と、前記反応容器
に配設された透光板を有する光透過手段を介して前記原
料ガスに高エネルギー光を照射するための手段とを備え
、光化学反応を利用して前記原料ガスを励起・分解また
は重合せしめて、前記反応容器内に搬入された基体上に
機能性堆積膜を形成するための装置にして、前記高エネ
ルギー光と同時に、前記原料ガス分子の撮動吸収のある
波長を含む赤外線を照射する手段を備えたことを特徴と
する光ＣＶＤ法による機能性堆積膜形成装置、というも
のである。
本発明の装置において使用する原料ガスは、形成する堆
積膜の種類により選択して導入されるものであるが、供
給源から単一にか或いは混合して導入される。例えば、
ａ−５Ｌ堆積膜を形成する場合には、原料ガスとしてケ
イ素に水素、ハロゲン、あるいは炭化水素基などが結合
したシラン類及びハロゲン化シラン類を用いることがで
き、これ等の原料ガスは、１種を使用しても、あるいは
２ ｆｌを併用してもよい。また、これ等の原料ガスは
、Ｈ２、Ｆ２あるいは、 Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガスに
より希釈して用いることもある。さらに、ａ−５ｉ堆積
膜はｐ型不純物又は口型不純物元素をドーピングするこ
とが可能であり、これらの不純物導入用物質は、ガス状
態で、または原料ガスと混合して反応容器内へ導入せし
める。
積膜の種類により選択して導入されるものであるが、供
給源から単一にか或いは混合して導入される。例えば、
ａ−５Ｌ堆積膜を形成する場合には、原料ガスとしてケ
イ素に水素、ハロゲン、あるいは炭化水素基などが結合
したシラン類及びハロゲン化シラン類を用いることがで
き、これ等の原料ガスは、１種を使用しても、あるいは
２ ｆｌを併用してもよい。また、これ等の原料ガスは
、Ｈ２、Ｆ２あるいは、 Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガスに
より希釈して用いることもある。さらに、ａ−５ｉ堆積
膜はｐ型不純物又は口型不純物元素をドーピングするこ
とが可能であり、これらの不純物導入用物質は、ガス状
態で、または原料ガスと混合して反応容器内へ導入せし
める。
本発明の装置において用いる高エネルギー光としては、
例えば水銀ランプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザー
、アルゴンイオンレーザ−５窒素レーザー、エキシマレ
ーザ−等を発生源にして発生せしめたものが使用される
が、特に、本発明で用いられる高エネルギー光として、
そねのみでは原料ガスを全く分解しない波長のものを選
べば、高エネルギー光透過窓への膜形成を完全に防止す
ることができる。例えば原料ガスとしてジシランガスを
用いた場合には、ジシランガスは２００ｎ！６より長い
波長の光によっては分解しないので、このような波長の
光と高エネルギー光として用いれば良い。
例えば水銀ランプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザー
、アルゴンイオンレーザ−５窒素レーザー、エキシマレ
ーザ−等を発生源にして発生せしめたものが使用される
が、特に、本発明で用いられる高エネルギー光として、
そねのみでは原料ガスを全く分解しない波長のものを選
べば、高エネルギー光透過窓への膜形成を完全に防止す
ることができる。例えば原料ガスとしてジシランガスを
用いた場合には、ジシランガスは２００ｎ！６より長い
波長の光によっては分解しないので、このような波長の
光と高エネルギー光として用いれば良い。
本発明の装置において用いる基体は、板状、ベルト状部
任意の形状であることができ、その材質は、導電性のも
のであっても或いは電気絶縁性のものであってもよい。
任意の形状であることができ、その材質は、導電性のも
のであっても或いは電気絶縁性のものであってもよい。
そして、基体の温度は、成膜前に必ずしも加熱してお（
ことを要しないが、使用する原料ガスの種類、成膜条件
等によっては加熱しておくことが必要な場合もあり、そ
の場合基体は適宜の加熱手段により加熱されるが、一般
的にはその温度範囲は、３０乃至４５０℃である。
ことを要しないが、使用する原料ガスの種類、成膜条件
等によっては加熱しておくことが必要な場合もあり、そ
の場合基体は適宜の加熱手段により加熱されるが、一般
的にはその温度範囲は、３０乃至４５０℃である。
そして、反応域に導入された原料ガスに高エネルギー光
を照射してそれ等原料ガスに光化学反応を生起させて励
起・分解または重合せしめ前記基体上に堆積膜を形成せ
しめるについては、系内を積極的に加熱することは必ず
しも必要としないが、原料ガスの種類によっては加熱す
ることもできる。またその際反応系内を減圧条件下にお
くのが好ましいが、常圧条件でも勿論よく、場合により
加圧条件化におくこともできる。
を照射してそれ等原料ガスに光化学反応を生起させて励
起・分解または重合せしめ前記基体上に堆積膜を形成せ
しめるについては、系内を積極的に加熱することは必ず
しも必要としないが、原料ガスの種類によっては加熱す
ることもできる。またその際反応系内を減圧条件下にお
くのが好ましいが、常圧条件でも勿論よく、場合により
加圧条件化におくこともできる。
減圧下で光ＣＶＤ法により堆積膜を形成する場合には、
原料ガスを導入する前に、反応容器内を排気し、反応容
器内の圧力は、好ましくは５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以
下、より好ましくは１ ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下とす
る。また原料ガス等を導入したときの反応容器内の圧力
は、好ましくはＩ Ｘ １０−２〜１００ Ｔｏｒｒ、
より好ましくはＩ Ｘ １０−’〜Ｉ Ｔｏｒｒとす
る。
原料ガスを導入する前に、反応容器内を排気し、反応容
器内の圧力は、好ましくは５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以
下、より好ましくは１ ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下とす
る。また原料ガス等を導入したときの反応容器内の圧力
は、好ましくはＩ Ｘ １０−２〜１００ Ｔｏｒｒ、
より好ましくはＩ Ｘ １０−’〜Ｉ Ｔｏｒｒとす
る。
本発明の前記構成の装置を図面の実施例により詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
即ち、第１図は本発明の装置の典型的な例を模式図的に
示すものであり、第２図は本発明の装置の他の典型的な
例を模式図的に示すものである。
示すものであり、第２図は本発明の装置の他の典型的な
例を模式図的に示すものである。
なお二者のいずれの実施例においても、第４図に図示の
従来装置と同じ構成のところについては同一の数字符合
にて表わしている。
従来装置と同じ構成のところについては同一の数字符合
にて表わしている。
第１図に図示の本発明の装置は、第４図に図示の従来装
置に、赤外線透過板で構成してなる赤外線透過窓９を反
応容器５の周囲壁に設け、赤外線発生源（図示せず。）
からの赤外線８が導路（図示せず。）を介して導かれ赤
外線透過窓９を反応容器５内に入力し、基体４表面に対
して並行に入射し、他側の周囲壁に設けられた対向位置
にある赤外線透過窓９を介して出力されるようにされて
いる。赤外線透過窓９の位置は、反応容器内に入力され
る赤外１ｊＡ ８が基体４の上部であって、それに近接
した位置に基体表面と並行に入射するように設計される
ことが望ましい。
置に、赤外線透過板で構成してなる赤外線透過窓９を反
応容器５の周囲壁に設け、赤外線発生源（図示せず。）
からの赤外線８が導路（図示せず。）を介して導かれ赤
外線透過窓９を反応容器５内に入力し、基体４表面に対
して並行に入射し、他側の周囲壁に設けられた対向位置
にある赤外線透過窓９を介して出力されるようにされて
いる。赤外線透過窓９の位置は、反応容器内に入力され
る赤外１ｊＡ ８が基体４の上部であって、それに近接
した位置に基体表面と並行に入射するように設計される
ことが望ましい。
該構成の本実施例装置においては、赤外線８の入射光路
となっている部分ｌＯでの高エネルギー光１による光分
解が促進され、基体４表面への膜堆積速度が向上する。
となっている部分ｌＯでの高エネルギー光１による光分
解が促進され、基体４表面への膜堆積速度が向上する。
一方、光透過窓２の反応容器内面における膜堆積は、原
料ガスが基体４表面への膜堆積にほとんど費やされてし
まうことから、著しく減少するところとなる。
料ガスが基体４表面への膜堆積にほとんど費やされてし
まうことから、著しく減少するところとなる。
第２図に示す実施例装置は、赤外線発生源１１を反応容
器内部に取り付けた例を示すものである。
器内部に取り付けた例を示すものである。
本実施例装置においては、赤外線発生源１１に反射ミラ
ー１２を取り付け、赤外線発生源１１からの赤外線が基
体表面に向けて放射されるようにされている。第２図に
示す例では、赤外線の放射が基体表面に対して並行とは
なっていないが、赤外線発生源１１及び反射ミラー１２
の位置を変更することにより、赤外線が基体４表面に対
して並行に入射するようにすることもできる。なお、い
ずれの場合も、赤外線発生源１１及び反射ミラー１２が
高エネルギー光の入射光路をさまたげないように設置す
ることはいうまでもない。
ー１２を取り付け、赤外線発生源１１からの赤外線が基
体表面に向けて放射されるようにされている。第２図に
示す例では、赤外線の放射が基体表面に対して並行とは
なっていないが、赤外線発生源１１及び反射ミラー１２
の位置を変更することにより、赤外線が基体４表面に対
して並行に入射するようにすることもできる。なお、い
ずれの場合も、赤外線発生源１１及び反射ミラー１２が
高エネルギー光の入射光路をさまたげないように設置す
ることはいうまでもない。
本発明の光化学気相成長装置は、高エネルギー光と同時
に、原料ガス分子の振動励起をするための赤外線を用い
ることにより、膜堆積速度が向上し、さらに高エネルギ
ー光透過窓への膜形成を抑えることができ、高品質な堆
積膜を製作することができる。
に、原料ガス分子の振動励起をするための赤外線を用い
ることにより、膜堆積速度が向上し、さらに高エネルギ
ー光透過窓への膜形成を抑えることができ、高品質な堆
積膜を製作することができる。
第１図は、本発明の装置の典型的な実施例装置を模式的
に示す断面略図であり、第２図は、本発明の装置の他の
典型的な実施例装置を模式的に示す断面略図である。第
３図は、本発明の詳細な説明するための図であって、原
料ガス分子の核間距離とエネルギーとの関係を概念的に
示すものである。第４図は、典型的な従来装置を模式的
に示す断面略図である。 図において、 １・・・・・高エネルギー光、２・・・・高エネルギー
光透過窓、３・・・・・堆積膜、４・・・・・基体、５
・・・・・反応容器、６・・・・・排気口、７・・・・
・ガス導入管、８・・・・・赤外線、９・・・・・赤外
線透過窓、ｌＯ・・・・・高吸収ガス、１１・・・・・
赤外線発生源、１２・・・・・反射ミラー特許出願人
キャノン株式会社 第 ↓因 第３因
に示す断面略図であり、第２図は、本発明の装置の他の
典型的な実施例装置を模式的に示す断面略図である。第
３図は、本発明の詳細な説明するための図であって、原
料ガス分子の核間距離とエネルギーとの関係を概念的に
示すものである。第４図は、典型的な従来装置を模式的
に示す断面略図である。 図において、 １・・・・・高エネルギー光、２・・・・高エネルギー
光透過窓、３・・・・・堆積膜、４・・・・・基体、５
・・・・・反応容器、６・・・・・排気口、７・・・・
・ガス導入管、８・・・・・赤外線、９・・・・・赤外
線透過窓、ｌＯ・・・・・高吸収ガス、１１・・・・・
赤外線発生源、１２・・・・・反射ミラー特許出願人
キャノン株式会社 第 ↓因 第３因
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）反応容器と、該反応容器の反応室内に原料ガスを
導入するための手段と、該反応容器に配置された透光板
を有する光透過手段を介して前記原料ガスに高エネルギ
ー光を照射するための手段とを備え、光化学反応を利用
して前記原料ガスを励起・分解または重合せしめて、前
記反応容器内に搬入された基体上に機能性堆積膜を形成
するための装置にして、前記高エネルギー光と同時に、
前記原料ガス分子の振動吸収のある波長を含む赤外線を
照射する手段を備えたことを特徴とする光化学気相成長
法による機能性堆積膜形成装置。（２）前記赤外線を照
射する手段が前記反応容器外に設けられた、特許請求の
範囲第（１）項に記載の装置。 （３）前記赤外線を照射する手段が前記反応容器内に設
けられた、特許請求の範囲第（１）項に記載の装置。 （４）前記赤外線を照射する手段が赤外線反射手段を有
して、前記反応容器内に設けられた、特許請求の範囲第
（１）項に記載の装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280671A JPH0774452B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 |
| US07/481,690 US5112647A (en) | 1986-11-27 | 1990-02-20 | Apparatus for the preparation of a functional deposited film by means of photochemical vapor deposition process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280671A JPH0774452B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137174A true JPS63137174A (ja) | 1988-06-09 |
| JPH0774452B2 JPH0774452B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=17628306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61280671A Expired - Fee Related JPH0774452B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5112647A (ja) |
| JP (1) | JPH0774452B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492760U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
| CN1077607C (zh) * | 1998-11-03 | 2002-01-09 | 南京大学 | 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308651A (en) * | 1986-12-25 | 1994-05-03 | Kawasaki Steel Corp. | Photochemical vapor deposition process |
| EP0908782A1 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method |
| EP0659911A1 (en) * | 1993-12-23 | 1995-06-28 | International Business Machines Corporation | Method to form a polycrystalline film on a substrate |
| US7763327B2 (en) * | 1996-04-22 | 2010-07-27 | Micron Technology, Inc. | Methods using ozone for CVD deposited films |
| US7547633B2 (en) * | 2006-05-01 | 2009-06-16 | Applied Materials, Inc. | UV assisted thermal processing |
| US7922863B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-04-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for integrated gas and radiation delivery |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208065A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Nec Corp | レ−ザ金属堆積方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153324A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置 |
| JPS58158914A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Semiconductor Res Found | 半導体製造装置 |
| JPS593931A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 薄膜の形成方法 |
| JPS5982732A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59140368A (ja) * | 1983-12-27 | 1984-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法とその装置 |
| JPS60167334A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07107190B2 (ja) * | 1984-03-30 | 1995-11-15 | キヤノン株式会社 | 光化学気相成長方法 |
| JPS60225434A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Nec Corp | 高誘電率多元複合酸化膜の形成法 |
| JPS6130028A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相成長法 |
| JPS61104614A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61132959A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Fujitsu Ltd | フラツシユ定着方法 |
| JPS62262433A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Hitachi Ltd | 表面処理方法 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61280671A patent/JPH0774452B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-02-20 US US07/481,690 patent/US5112647A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208065A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Nec Corp | レ−ザ金属堆積方法 |
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| JPH0492760U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
| CN1077607C (zh) * | 1998-11-03 | 2002-01-09 | 南京大学 | 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0774452B2 (ja) | 1995-08-09 |
| US5112647A (en) | 1992-05-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |