JPS61128501A - 感温抵抗体 - Google Patents
感温抵抗体Info
- Publication number
- JPS61128501A JPS61128501A JP24953384A JP24953384A JPS61128501A JP S61128501 A JPS61128501 A JP S61128501A JP 24953384 A JP24953384 A JP 24953384A JP 24953384 A JP24953384 A JP 24953384A JP S61128501 A JPS61128501 A JP S61128501A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- resistance
- sensitive resistor
- cro
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は温ｉＫ対して抵抗値が太き（変わる感温抵抗体
に係わり、特に抵仇急変槌域でのヒステリシスが小さく
、膜状素子形ｇＫ過した感温抵抗体に関する。
に係わり、特に抵仇急変槌域でのヒステリシスが小さく
、膜状素子形ｇＫ過した感温抵抗体に関する。
サーミスタは、温度Ｇ’Ｃ対して抵抗値が変化する感温
素子である。そして、サーミスタ定数は通常４０００ｆ
以下であり、例えば６８１℃における抵抗値の温度係数
は高々−５％程度であった。
素子である。そして、サーミスタ定数は通常４０００ｆ
以下であり、例えば６８１℃における抵抗値の温度係数
は高々−５％程度であった。
また、ＰＩｒ足の温度で抵抗値が急激く変化する特殊な
感温素子がある。この感温素子にはバナジウムの酸化物
が用いられる。”ｔ （’！’４ ）は。
感温素子がある。この感温素子にはバナジウムの酸化物
が用いられる。”ｔ （’！’４ ）は。
約６８℃で３〜４桁の大きな抵抗値変化を示す。
第１図は、 ＶＵ、単結晶の温度−抵抗特性である。
この抵抗値の急激な変化は、ＶＯ，の結晶償造が低温相
の単科晶系から高温相の正方晶系に変化し、この相転位
によって１気伝導慎得が高抵抗の半導体性から低抵仇の
差域性に変わるためと言われている。
の単科晶系から高温相の正方晶系に変化し、この相転位
によって１気伝導慎得が高抵抗の半導体性から低抵仇の
差域性に変わるためと言われている。
このような結晶傳逍の変化、 ｆｆＯち原子の移動を伴
な５変化には、′＠度の虐改状悪において必然的に遅れ
を生じ易（、第１図に示すよ５に低温から高温への温度
変化と、高温から低温への温度変化に対してその抵抗急
ｆ饋城では太き（異なる二つの抵抗値を臂する。即ち、
ヒステリ。
な５変化には、′＠度の虐改状悪において必然的に遅れ
を生じ易（、第１図に示すよ５に低温から高温への温度
変化と、高温から低温への温度変化に対してその抵抗急
ｆ饋城では太き（異なる二つの抵抗値を臂する。即ち、
ヒステリ。
シスとして、ＰＪｒ足の抵抗値に対して通常最大２℃の
温度屋があり、この鎖酸での二つの抵抗値の比は１０〜
１０２に及ぶ場合がある。
温度屋があり、この鎖酸での二つの抵抗値の比は１０〜
１０２に及ぶ場合がある。
この大きなヒステリシスがあるが故、上記感温抵抗材料
を用いた素子は一般的Ｋｆｆ度の低いオン・オフ制御愼
罷素子としての利用に留まっていた。
を用いた素子は一般的Ｋｆｆ度の低いオン・オフ制御愼
罷素子としての利用に留まっていた。
ヒステリシスをＷｌ哨するため１粒径５０１ｇＩＬ以下
のＶＯ，粒子と、Ｂａ 、 Ｓｒ 、 Ａｔ、 Ｎ４
、 Ｆ−及びＰのば化物粉末と馨混合し、焼結して成る
抵抗急変型感温材料が開発されている（特公昭４６−８
５４７ ）。
のＶＯ，粒子と、Ｂａ 、 Ｓｒ 、 Ａｔ、 Ｎ４
、 Ｆ−及びＰのば化物粉末と馨混合し、焼結して成る
抵抗急変型感温材料が開発されている（特公昭４６−８
５４７ ）。
しかし、この材料を尚抵抗値と抵抗値の急変領域での憔
めて高い温度依存性を利用した夷梢度温度検知器、ある
いはこの領域での微少温度変化を活用する高周改元熾器
へ適用するには、ヒステリシスを尚一層低減し、Ｉ′ｙ
ｒ定温度忙対する二つの抵抗値の差ｙａ−５％以内とす
ることが盪まれていた。
めて高い温度依存性を利用した夷梢度温度検知器、ある
いはこの領域での微少温度変化を活用する高周改元熾器
へ適用するには、ヒステリシスを尚一層低減し、Ｉ′ｙ
ｒ定温度忙対する二つの抵抗値の差ｙａ−５％以内とす
ることが盪まれていた。
また、厚膜の抵抗急変型感温素子は、一般の厚膜導体、
厚膜抵抗体等と同様に基本的にはアルミナ憂椴上に抵抗
急変型Ｉ−温材料の粉末と。
厚膜抵抗体等と同様に基本的にはアルミナ憂椴上に抵抗
急変型Ｉ−温材料の粉末と。
ガラス粉末を必／Ａ成分とするペーストを印刷等によっ
て塗布し、熱処理によってガラスを浴融して抵抗急変型
感温材料の粉末と基板を結合させて裏道していた（特開
昭５４−１５８６９６ ）。
て塗布し、熱処理によってガラスを浴融して抵抗急変型
感温材料の粉末と基板を結合させて裏道していた（特開
昭５４−１５８６９６ ）。
この４換の抵抗急変型感温素子は、セラミックＩ！Ｊｉ
！ｉＭ体型素子に比べて、７ａセスが長く繁雑であり、
工程変動要因の４加することＫよる特性変動性が向いよ
うに木られるが、リード用端子の形成及びリード接続を
も含めて考慮すれば。
！ｉＭ体型素子に比べて、７ａセスが長く繁雑であり、
工程変動要因の４加することＫよる特性変動性が向いよ
うに木られるが、リード用端子の形成及びリード接続を
も含めて考慮すれば。
厚涙盟は極めて菫誰性が尚（、機能的にはほとんど量の
ないものが優られる。
ないものが優られる。
しかし、厚膜の抵抗急変感温素子は・抵抗急変！＆！感
温感温材米粉末目体度−抵抗特性にヒステリシスかある
ため、必然的にヒステリシスを待つことは避けられなか
った。
温感温材米粉末目体度−抵抗特性にヒステリシスかある
ため、必然的にヒステリシスを待つことは避けられなか
った。
本発明の目的は前とした従米孜術の欠点を改暑し、温度
−抵抗を性のヒステリシスが億めて小さく、生産性に優
れた感温抵抗体を提供することにある。
−抵抗を性のヒステリシスが億めて小さく、生産性に優
れた感温抵抗体を提供することにある。
上記目的は、ＶＯ，と二酸化型金属酸化物のＣｒＯ！と
の反応ｇ８頑体粉末６０〜９０ム量チ、ガラス粉末４０
〜１０厘ｆチよりなり、かつ前記ＶＯ！とｃｒｏ、との
反応焼結体はＶｏ、 ７０〜９０１ｉｔ％。
の反応ｇ８頑体粉末６０〜９０ム量チ、ガラス粉末４０
〜１０厘ｆチよりなり、かつ前記ＶＯ！とｃｒｏ、との
反応焼結体はＶｏ、 ７０〜９０１ｉｔ％。
ｃｒｏ、ｓｏ〜１０憲ｌ１ｌｓを反応焼結させたもので
ある感温抵抗体組成物を、非教化雰囲気中で熱処理（焼
ｇ）して慢だ感温抵抗体で連成される。
ある感温抵抗体組成物を、非教化雰囲気中で熱処理（焼
ｇ）して慢だ感温抵抗体で連成される。
また、上記各粉末の粒径は通常の厚膜材料と同体に５μ
ｍ以下である。
ｍ以下である。
また、 ＶＯ，にｃｒｏ、を上記の割合で配合すると。
急変感温特性を示すＶＯ，ｉｃ歪が予め与えられた活晶
講造となるため、温度に対して歪んだＫＯ８結晶部分を
起点とする原子の移動が徐々に始まり、これに伴なって
抵抗１＠も徐々に追従して変化するものとみられる。
講造となるため、温度に対して歪んだＫＯ８結晶部分を
起点とする原子の移動が徐々に始まり、これに伴なって
抵抗１＠も徐々に追従して変化するものとみられる。
この時ＶＯ，単体に比べて、急変領域に相当するＹＡ度
軛曲の広がり、抵抗値の変化の菫の低下があるが、ヒス
テリシスが小さくなり、温度に対して抵抗１１Ｉ！がほ
ぼ一義的に決ってしまう。
軛曲の広がり、抵抗値の変化の菫の低下があるが、ヒス
テリシスが小さくなり、温度に対して抵抗１１Ｉ！がほ
ぼ一義的に決ってしまう。
また上記の感温抵抗体組成物を話板へ印刷塗布する場合
は、これに；４Ｔ慎ビヒクルを加えて混練しペースト状
物和して使用する。
は、これに；４Ｔ慎ビヒクルを加えて混練しペースト状
物和して使用する。
また、非ば化注芥−気での熱処理は１例えばペースト状
物の場合は２０〜３０ｐｐｍの酸累を加えて有ａ物の分
解、揮散を促進させる。
物の場合は２０〜３０ｐｐｍの酸累を加えて有ａ物の分
解、揮散を促進させる。
〔発明の実４例〕
以下、本発明を夾２１ＩＩＩｉＰＩＩＫより更に件癲に
統明す−６０ 夷處例 平均粒径２μｍのＶＯ，＠末とｃｒｏ、粉末とを第１表
のＡ１〜鷹２６に示す所定の配合比で混合し。
統明す−６０ 夷處例 平均粒径２μｍのＶＯ，＠末とｃｒｏ、粉末とを第１表
のＡ１〜鷹２６に示す所定の配合比で混合し。
プレス成型によ’）１１：径１Ｑｍｍ ×５ｍｒｎの圧
粉体を作成した。
粉体を作成した。
〆０１の熱処理は、ｒυ、の酸化防止のため基本的に非
教化雰囲気で行な５必喪があるが反応を伴な５本夫施例
では５０ｐｐｍのＯ２を含有するＮｄＦ囲気中で１００
０℃で２０分間熱処理した。次いで濁結体な粉砕減で砕
き、平均粒径ｔ５μｍの粉末を請髭した。
教化雰囲気で行な５必喪があるが反応を伴な５本夫施例
では５０ｐｐｍのＯ２を含有するＮｄＦ囲気中で１００
０℃で２０分間熱処理した。次いで濁結体な粉砕減で砕
き、平均粒径ｔ５μｍの粉末を請髭した。
一方ガラス粉末は、一般常法により作成した平均粒径ｔ
Ｏμｍの第２表に示す組成Ａ、Ｈのものを用いた。
Ｏμｍの第２表に示す組成Ａ、Ｈのものを用いた。
〆０２系焼鮎体粉末と第２表のガラス粉末Ａ。
Ｂとを第１表属１〜肩２６に示す所定の配合割合で混合
し、これら混合粉末り盪１００ ｆ Ｋ対して４Ｑの有
愼ビヒクル（エチルセルローズ５％のα−テルピネオー
ル浴液）を加えて混練してペースト状とした。
し、これら混合粉末り盪１００ ｆ Ｋ対して４Ｑの有
愼ビヒクル（エチルセルローズ５％のα−テルピネオー
ル浴液）を加えて混練してペースト状とした。
これらのペーストを、第２図に示すように予め９００℃
の非数化雰囲気の４課ベルト炉で２．５７）ＬＦ７！Ｑ
、厚さ０，２ｒｎｊｌＬのアルミナ基板１上に形成した
０１１２間に印刷、１５０℃とで乾燥してα−テルピネ
オールを揮散させ、７００℃とＫて１０分間２５ｐｐ７
７ＬのＯ！を含むＮ！雰囲気ベルト炉で廃酸して厚良感
温抵仇体３を設げ、ｊｒｎｔｎＱ、厚さ４０μｍの厚膜
の抵抗急変型感温菓子を形成した。
の非数化雰囲気の４課ベルト炉で２．５７）ＬＦ７！Ｑ
、厚さ０，２ｒｎｊｌＬのアルミナ基板１上に形成した
０１１２間に印刷、１５０℃とで乾燥してα−テルピネ
オールを揮散させ、７００℃とＫて１０分間２５ｐｐ７
７ＬのＯ！を含むＮ！雰囲気ベルト炉で廃酸して厚良感
温抵仇体３を設げ、ｊｒｎｔｎＱ、厚さ４０μｍの厚膜
の抵抗急変型感温菓子を形成した。
この菓子の５０℃の抵抗１１１ 、 １００℃の抵抗値
Ｒ１，５０℃と１００℃の抵抗値比Ｒ１／Ｒ１、（ヒス
テリシスにお伊るｂ「定温度での二つの抵抗値の比の敢
大譲を示す）を測定した。
Ｒ１，５０℃と１００℃の抵抗値比Ｒ１／Ｒ１、（ヒス
テリシスにお伊るｂ「定温度での二つの抵抗値の比の敢
大譲を示す）を測定した。
従来の厚膜サーミスタ素子以上の抵抗値の温良変化を得
るには、ＲＬ／ＲＩは１０以上カー必要であり、実用回
路として用いるには５０℃の抵抗１−１５０ＯＫΩ以下
が必要である。そして、ヒステリシスにおける攻大抵抗
瀧比は、二つの抵抗値の差を５チ以下とするため、ｔ０
５以下カζ必要である。
るには、ＲＬ／ＲＩは１０以上カー必要であり、実用回
路として用いるには５０℃の抵抗１−１５０ＯＫΩ以下
が必要である。そして、ヒステリシスにおける攻大抵抗
瀧比は、二つの抵抗値の差を５チ以下とするため、ｔ０
５以下カζ必要である。
第１表から明らかなように、ＶＯ，とｃｒｏ、との配合
割合が、 ｃｒｏ、が１０〜５０ムｔＳにあり、かつＶ
Ｏｌとｃｒｏｔとのｈａ体粉末が９０〜６ｏｚｉｉ％で
カラス７リツトが１０〜４ＯＸ＊％であると、すべてＢ
Ｔ望の時性が帰られた。
割合が、 ｃｒｏ、が１０〜５０ムｔＳにあり、かつＶ
Ｏｌとｃｒｏｔとのｈａ体粉末が９０〜６ｏｚｉｉ％で
カラス７リツトが１０〜４ＯＸ＊％であると、すべてＢ
Ｔ望の時性が帰られた。
（以下余白〕
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば温度−抵抗特性におい
て、ヒステリシスを極めて小さくおさえた涙状の抵抗急
変型感温材料ができ、高精反の温度計測、制御あるいは
倣小温度変動を利第１図はＫＯ！単結晶の温夏−抵抗特
性図、第 ４１２図は厚膜の抵ｖｒ、急変型感温素
子の断面図であ （ｎる。
て、ヒステリシスを極めて小さくおさえた涙状の抵抗急
変型感温材料ができ、高精反の温度計測、制御あるいは
倣小温度変動を利第１図はＫＯ！単結晶の温夏−抵抗特
性図、第 ４１２図は厚膜の抵ｖｒ、急変型感温素
子の断面図であ （ｎる。
１・・・アルミナ基板 ２・・・（’ｔＬＩＥ他３・
・・厚膜感温抵抗体 代理胡埋士高橘明夫 第１ 図 〉 過度 じＣ）
・・厚膜感温抵抗体 代理胡埋士高橘明夫 第１ 図 〉 過度 じＣ）
Claims (1)
- ＶＯ＿２とＣｒＯ＿２との反応焼結体粉末６０〜９０重
量％、ガラス粉末４０〜１０重量％よりなり、かつ前記
ＶＯ＿２とＣｒＯ＿２との反応焼結体は、ＶＯ＿２７０
〜９０重量％、ＣｒＯ＿２３０〜１０重量％を反応焼結
させたものである感温抵抗体結成物を、非酸化性雰囲気
で熱処理して得たものであることを特徴とする感温抵抗
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24953384A JPS61128501A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 感温抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24953384A JPS61128501A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 感温抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128501A true JPS61128501A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17194395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24953384A Pending JPS61128501A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 感温抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128501A (ja) |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP24953384A patent/JPS61128501A/ja active Pending
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