JPS61131401A - 感温抵抗体 - Google Patents
感温抵抗体Info
- Publication number
- JPS61131401A JPS61131401A JP25183484A JP25183484A JPS61131401A JP S61131401 A JPS61131401 A JP S61131401A JP 25183484 A JP25183484 A JP 25183484A JP 25183484 A JP25183484 A JP 25183484A JP S61131401 A JPS61131401 A JP S61131401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- powder
- cro
- sensitive resistor
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は温度に対して抵抗値が大きく変わる、感温抵抗
体に係わり、特に抵抗急変領域でのζステリシスが小さ
く、膜状素子形成に適した感温抵抗体く関する。。
体に係わり、特に抵抗急変領域でのζステリシスが小さ
く、膜状素子形成に適した感温抵抗体く関する。。
〔発明の背景〕 １
約６８℃で抵抗値が大ぎく変わるＶｏｗ ｌｉｔ末を抵
抗材料とした感温抵抗ペーストを、厚膜印刷技術により
アルミナ基板上に塗布し、これを焼成して得た厚膜感温
率子が知られている（特開昭５４−１５８６９６ ）。
抗材料とした感温抵抗ペーストを、厚膜印刷技術により
アルミナ基板上に塗布し、これを焼成して得た厚膜感温
率子が知られている（特開昭５４−１５８６９６ ）。
この場合感温抵抗体である■０．は６００ ’Ｃ以上で
極めて酸化され易いので、炭酸ガス中で熱処理している
。熱処理、即ち焼成を空気中でなく一１炭酸ガス等のよ
うな特殊な雰囲気で行なうと、雰囲気制御という設備的
な問題とともに感温素子特性のばらつきを押えるという
点に８いても極めて厳しい管理が必要であった。この観
点から、ｖＯ１Ｏ１粉末ラスに金属ボロン粉末を加え、
これを空気中焼成することが行なわれている（特公昭５
７−２５９６１ ）。
極めて酸化され易いので、炭酸ガス中で熱処理している
。熱処理、即ち焼成を空気中でなく一１炭酸ガス等のよ
うな特殊な雰囲気で行なうと、雰囲気制御という設備的
な問題とともに感温素子特性のばらつきを押えるという
点に８いても極めて厳しい管理が必要であった。この観
点から、ｖＯ１Ｏ１粉末ラスに金属ボロン粉末を加え、
これを空気中焼成することが行なわれている（特公昭５
７−２５９６１ ）。
しかし、ｖＯｌは第１図に示すように温度−抵抗特性に
ヒステリシスをもち、例えば急変領域の所定抵抗値に対
する温度差は２℃にも及び、感温抵抗材料としてＶＯｔ
よりなるセラミック焼結体あるいは膜状焼成体は、感温
素子として精度の低い制御器として利用するに留まりて
いた。・このヒステリシスをなくすため、粒径５０μ風
以下のＶＯ８にＢａ ＃ Ｓｊ−＋ ＡＪ ｙ Ｎｂ
＊ Ｆ６ 及びＰ（７）酸化物粉体を混合し、焼結して
成る抵抗急変屋感温材料が開発された（特公昭４６−８
５４７ ）。
ヒステリシスをもち、例えば急変領域の所定抵抗値に対
する温度差は２℃にも及び、感温抵抗材料としてＶＯｔ
よりなるセラミック焼結体あるいは膜状焼成体は、感温
素子として精度の低い制御器として利用するに留まりて
いた。・このヒステリシスをなくすため、粒径５０μ風
以下のＶＯ８にＢａ ＃ Ｓｊ−＋ ＡＪ ｙ Ｎｂ
＊ Ｆ６ 及びＰ（７）酸化物粉体を混合し、焼結して
成る抵抗急変屋感温材料が開発された（特公昭４６−８
５４７ ）。
しかし上記の感温抵抗材料は、高抵抗値と低抵抗値の急
変領域での極めて高い温度依存性を利用した高精度温度
検知器、あるいはこの領域での微小温度変化を利用した
高周波発振器へ適用するには、ヒステリシスを一層低減
し、所定温度に対する二つの抵抗値の差を５％以内にす
る。
変領域での極めて高い温度依存性を利用した高精度温度
検知器、あるいはこの領域での微小温度変化を利用した
高周波発振器へ適用するには、ヒステリシスを一層低減
し、所定温度に対する二つの抵抗値の差を５％以内にす
る。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を改善し温度−抵
抗特性のヒステリシスが極めて小さく、空気中で焼成し
て得ら庇る感温抵抗体を提供するにある。
抗特性のヒステリシスが極めて小さく、空気中で焼成し
て得ら庇る感温抵抗体を提供するにある。
上記目的は、ｖＯ！と二酸化型の金属酸化物であるＣｒ
ｏｗとの反応焼結体粉末、金属ボロン粉末、ガラス粉末
よりなる混合物の組成が、第２図の三角組成図において
点Ａ〜Ｅを結んだ線で囲まれた範囲にあり、かつＶＯ１
とＣｒｏｗとの配合割合が７０−９０重量％、３０〜１
０重量シである感温抵抗体組成物を酸化性雰囲気で熱処
理して得た感温抵抗体で達成される。
ｏｗとの反応焼結体粉末、金属ボロン粉末、ガラス粉末
よりなる混合物の組成が、第２図の三角組成図において
点Ａ〜Ｅを結んだ線で囲まれた範囲にあり、かつＶＯ１
とＣｒｏｗとの配合割合が７０−９０重量％、３０〜１
０重量シである感温抵抗体組成物を酸化性雰囲気で熱処
理して得た感温抵抗体で達成される。
Ａ ６０ ３０ １０Ｂ ８
５ ５ １０Ｃ５５５４０ Ｄ ５０ １０ ４０Ｅ ５
０ ５０ ２０なお、酸化性雰囲気中で熱
処理（焼成）して得た感温抵抗体中に占めるＶＯｔとＣ
ｒＱとの反応焼結体において、ＣｒＯ，は１０〜５０重
景％である。
５ ５ １０Ｃ５５５４０ Ｄ ５０ １０ ４０Ｅ ５
０ ５０ ２０なお、酸化性雰囲気中で熱
処理（焼成）して得た感温抵抗体中に占めるＶＯｔとＣ
ｒＱとの反応焼結体において、ＣｒＯ，は１０〜５０重
景％である。
また、上記各粉末の粒径は、通常の厚膜材料と同じく５
μｍ以下である。
μｍ以下である。
また、ＶＯ８にＣｒｏｗを上記の割合で配合すると、急
変感温特性を示すｖＯｌが予め歪が与えられた結晶構造
となるため、温度に対して歪んだＶＯｔ結晶部分を起点
とする原子の移動が徐々に始まり、これに伴りて抵抗値
も徐々に追従して変化するものとみられる。
変感温特性を示すｖＯｌが予め歪が与えられた結晶構造
となるため、温度に対して歪んだＶＯｔ結晶部分を起点
とする原子の移動が徐々に始まり、これに伴りて抵抗値
も徐々に追従して変化するものとみられる。
この時、■０．を単独に用いる場合に比べて、急変領域
に相当する温度範囲が広がり、抵抗値の変化量の低下が
あるが、ヒステリシスが小さくなり、温度に対して抵抗
値がほぼ一義的に決まる。
に相当する温度範囲が広がり、抵抗値の変化量の低下が
あるが、ヒステリシスが小さくなり、温度に対して抵抗
値がほぼ一義的に決まる。
これにより、アルミナ等の基板上に印刷形成した感温材
料膜を、通常の空気焼成型厚膜ベルト炉による熱処理を
可能とした。
料膜を、通常の空気焼成型厚膜ベルト炉による熱処理を
可能とした。
金属ボロンの含有量が所定の範囲を外れると、この効果
がなく ＶＯ，の酸化によると思われる抵抗値の温度変
化率の低下、焼結膜の強度低下を生じる。
がなく ＶＯ，の酸化によると思われる抵抗値の温度変
化率の低下、焼結膜の強度低下を生じる。
ガラスは、主にｖＯ３系粉体自体の結合や基板との結合
のみ作用させるものであり、所定の範囲を外れると膜強
度の低下や抵抗値の増大あるいは感温性の低下を生じる
。
のみ作用させるものであり、所定の範囲を外れると膜強
度の低下や抵抗値の増大あるいは感温性の低下を生じる
。
また、上記の感温抵抗体組成物を基板上へ印刷塗布する
場合は、これに有機ビヒクルを加えて混練し、ペースト
状物にして使用する。
場合は、これに有機ビヒクルを加えて混練し、ペースト
状物にして使用する。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
実施例
平均粒径２μｍのｖＯ２粉末とＣｒ０ｔ粉末を第１表の
／１６１−４２８に示す配合割合で混合し、プレス金型
により直径１０ ｔｘｍ ｘ厚さ５■の圧粉体を作成し
、Ｏｌを３０ＦＰＩＬ含むＮ、雰囲気中で１０００°Ｃ
にて１０分間熱処理した。■ｏ、の熱処理はその酸化防
止のため基本的に非酸化雰囲気で行なう必要があるが、
反応を伴う本実施例では０．を少量含有さ、せた。
／１６１−４２８に示す配合割合で混合し、プレス金型
により直径１０ ｔｘｍ ｘ厚さ５■の圧粉体を作成し
、Ｏｌを３０ＦＰＩＬ含むＮ、雰囲気中で１０００°Ｃ
にて１０分間熱処理した。■ｏ、の熱処理はその酸化防
止のため基本的に非酸化雰囲気で行なう必要があるが、
反応を伴う本実施例では０．を少量含有さ、せた。
次いでこの焼結体を粉砕機で砕き、平均粒径ｔ５μｍの
粉末を作成した。
粉末を作成した。
ガラスフリットは、一般常法により作成した平均粒径ｔ
Ｏμ屏の第２表に示す組成Ａ、Ｂのものを用いた。
Ｏμ屏の第２表に示す組成Ａ、Ｂのものを用いた。
ｖＯ７系焼結体の粉末と、ガラスフリットと平均粒径ｔ
Ｏμｍの金属ボロン粉とを第１表の／１６１〜４２８に
示す配合割合で混合し、これら混合粉末総量１００ｔに
対してそれぞれ４０ｔの有機ビヒクル（エチルセルロー
ズ５％のα−テルピネオール溶液）を加えて混練してペ
ースト状とした。
Ｏμｍの金属ボロン粉とを第１表の／１６１〜４２８に
示す配合割合で混合し、これら混合粉末総量１００ｔに
対してそれぞれ４０ｔの有機ビヒクル（エチルセルロー
ズ５％のα−テルピネオール溶液）を加えて混練してペ
ースト状とした。
これらのペーストを、予め８５０℃の厚膜ベルト炉で長
さ２．５１ｗＩ口、厚さ０．２■のアルミナ基板１上に
形成したＭ−Ｐｄ系電極２間に印刷し、１５０℃で乾燥
してα−テルピネオールを揮散させ、％ ７００
℃にて１０分間焼成し、第Ｓ図に示す１ｇＩｍ０、ぐ
厚さ４０辱の厚膜感温抵抗体３を設けた厚膜屋素子
を得た。
さ２．５１ｗＩ口、厚さ０．２■のアルミナ基板１上に
形成したＭ−Ｐｄ系電極２間に印刷し、１５０℃で乾燥
してα−テルピネオールを揮散させ、％ ７００
℃にて１０分間焼成し、第Ｓ図に示す１ｇＩｍ０、ぐ
厚さ４０辱の厚膜感温抵抗体３を設けた厚膜屋素子
を得た。
これらの５０℃の抵抗値ＲＬ、 １００℃の抵抗値＆、
５０℃と１００℃の抵抗値の比、Ｒｔ／＆ （ヒステリ
シスにおける所定温度での二つの抵抗値の比の最大値を
示す）を測定した。
５０℃と１００℃の抵抗値の比、Ｒｔ／＆ （ヒステリ
シスにおける所定温度での二つの抵抗値の比の最大値を
示す）を測定した。
従来の一般の厚膜サーミス°り素子以上の抵抗値の温度
変化を得るには、Ｒｔ／〜は１０以上が必要であり、実
用回路として用いるには５０℃の抵抗値が５００Ω以下
であることが必要である。そして、ヒステリシスにおけ
る最大抵抗値比は、二つの抵抗値の差を５％以下とする
ため、ｔＯＳ以下が必要である。
変化を得るには、Ｒｔ／〜は１０以上が必要であり、実
用回路として用いるには５０℃の抵抗値が５００Ω以下
であることが必要である。そして、ヒステリシスにおけ
る最大抵抗値比は、二つの抵抗値の差を５％以下とする
ため、ｔＯＳ以下が必要である。
第１ 表／１６１−４２８ ｔ）’うｅＡラカナヨ５
Ｋ、ｖｏｗ トＣｒｏｗとの反応焼結体粉末、金属ボロ
ン粉末、ガラス粉末が第２図に示す三角組成図に範囲に
あり、上記感温抵抗体中に占めるＣｒ０ｔが１０〜３０
重量％である組成物は、すべて所望の特性を得た。
Ｋ、ｖｏｗ トＣｒｏｗとの反応焼結体粉末、金属ボロ
ン粉末、ガラス粉末が第２図に示す三角組成図に範囲に
あり、上記感温抵抗体中に占めるＣｒ０ｔが１０〜３０
重量％である組成物は、すべて所望の特性を得た。
以下余白
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、温度−抵抗特性にお
いてヒステリシスを極めて小さくおさえた厚膜状抵抗急
変徴用の感温材料ができ、高精度の温度計測、制御あ木
いは微小温度変動を利用した高周波発振器が可能となっ
た。
いてヒステリシスを極めて小さくおさえた厚膜状抵抗急
変徴用の感温材料ができ、高精度の温度計測、制御あ木
いは微小温度変動を利用した高周波発振器が可能となっ
た。
第１図はｖＯ１単結晶の温度−抵抗特性図、第２図は本
発明で用いる感温抵抗体の組成範囲を示す三角組成図、
第３図は厚膜感温素子の断面図である。 １・・・セラミック基板、 ２・” ＡＪ−ＰｒＬ系電極電 極・・・厚膜感温抵抗体。 第 １面 １五Ｘ （’Ｃ） 第 ２肥 ガラスフリ・ントー−− （ｗｔχ）
発明で用いる感温抵抗体の組成範囲を示す三角組成図、
第３図は厚膜感温素子の断面図である。 １・・・セラミック基板、 ２・” ＡＪ−ＰｒＬ系電極電 極・・・厚膜感温抵抗体。 第 １面 １五Ｘ （’Ｃ） 第 ２肥 ガラスフリ・ントー−− （ｗｔχ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＶＯ＿２とＣｒＯ＿２との反応焼結体粉末、金属ボ
ロン粉末、ガラス粉末の混合物を、酸化性雰囲気中で熱
処理して得た感温抵抗体。 ２、ＶＯ＿２とＣｒＯ＿２との反応焼結体の粉末、金属
ボロン、ガラス粉末よりなる混合物の組成が、三角組成
図において点Ａ〜Ｅを結んだ線で囲まれた範囲の組成で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の感温
抵抗体。 ＶＯ＿２とＣｒＯ＿２との反応焼結体粉末 金属ボロ
ン粉末 ガラス粉末 （重量％） （
重量％） （重量％） Ａ ６０
３０ １０ Ｂ ８５
５ １０ Ｃ ５５
５ ４０ Ｄ ５０
１０ ４０ Ｅ ５０
５０ ２０ ３、ＶＯ＿２とＣｒＯ＿２との反応焼結体粉末が、ＶＯ
＿２７０〜９０重量％、ＣｒＯ＿２３０〜１０重量％の
組成を有するものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の感温抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25183484A JPS61131401A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 感温抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25183484A JPS61131401A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 感温抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131401A true JPS61131401A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17228617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25183484A Pending JPS61131401A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 感温抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131401A (ja) |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25183484A patent/JPS61131401A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4891158A (en) | Oxide semiconductor for thermistor and manufacturing method thereof | |
| CN110024053B (zh) | 热敏电阻烧结体及热敏电阻元件 | |
| JPS60262303A (ja) | Ｐｔｃセラミツク組成物 | |
| JPS61131401A (ja) | 感温抵抗体 | |
| JP2913518B2 (ja) | 金属酸化物系サーミスタ材料 | |
| JPS61119002A (ja) | 感温抵抗体 | |
| JPH10233303A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ | |
| US4603008A (en) | Critical temperature sensitive resistor material | |
| JPS5999243A (ja) | 感ガス素子 | |
| JPS61119003A (ja) | 感温抵抗体 | |
| JPS61131403A (ja) | 感温抵抗体 | |
| JPS61128502A (ja) | 感温抵抗体 | |
| JPS61119001A (ja) | 感音抵抗体 | |
| JP3559911B2 (ja) | サーミスタ | |
| SU1061712A3 (ru) | Материал дл изготовлени нелинейных резисторов | |
| KR100225499B1 (ko) | 금속 산화물계 고온용 써미스터 조성물 | |
| JPS61128501A (ja) | 感温抵抗体 | |
| JPS581523B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| JP2549633B2 (ja) | 高温サ−ミスタ | |
| JPH0521209A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS62290105A (ja) | 電圧非直線抵抗体用電極材料 | |
| JPS6059705A (ja) | サ−ミスタ材料 | |
| JPS6197902A (ja) | 感温抵抗材料 | |
| JPS61113211A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPS58201309A (ja) | 湿度測定素子 |