JPS61129978A - 撮像管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子ビームがターゲット面における有効走査
部の外側周辺部を水平又は垂直ブランキング期間内に走
査するようになされた撮像管に関する。

〔従来の技術〕

第４図は電磁集束・静電偏向型の撮像管の構成例を示す
ものである。

同図において、（１）はガラスパルプ、（２）はフェー
スプレート、（３）はターゲット面（光電変換面）、（
４１は冷封止用のインジウム、（５）は金１１１Ｊング
である。また、（６）はフェースプレート（２）を貫通
してターゲット面（３）に接触するようになされている
信号取出用の金属電極である。

また、Ｋ、Ｇｌ及びＧ２は夫々電子銃を構成するカソー
ド、第１グリツド電極及び第２グリツド電極であり、Ｌ
Ａはターゲット面（３）に供給される電。

子ビームｈの発散角を制限するビーム制限開孔である。

また、Ｇ３は第３グリツド電極であり、偏向電極を構成
している。この電極Ｇ３は、ガラスパルプ（１）の内面
に、例えばクロム等の金属が蒸着あるいはメッキされた
後、例えばレーザービームにより所定パターンにカッテ
ィングされて形成されている。この場合、電極Ｇ３は、
一様な偏向電界を得るため、例えば第５図にその展開図
を示すように、いわゆるアローパターンとされる。同図
において、■＋、Ｖ−は垂直偏向用の電極であり、夫々
には所定電圧を中心に対称的に変化する垂直周期ののこ
ぎり波電圧ＥＶ＋、ＥＶ−が印加され、また、Ｈ＋、Ｈ
−は水平偏向用の電極であり、夫々ＶＣは所定電圧を中
心に対称的に変化する水平周期ののこぎり波電圧Ｅｌ（
＋、ＨＨ−が印加され、垂直及び水平偏向走査がなされ
る。

また、第４図において、Ｇ４はメツシュ状電極であり、
メツシュホルダー（７）に支持されている。

また、（８）は集束コイル、（９）はステムビンである
。

このような撮像管において、電子銃から出た電子ビーム
Ｂｍのほとんどはターゲット面（３）、メツシュ状電極
０４等で吸収される。しかし、一部は電子銃まで戻り反
射し再び加速されターゲット面（３）に到着することか
あり、これが未走査部にランディングするとき、いわゆ
る電極反射像が発生する。また、このような撮像管にお
いては、第６図に図示するターゲット面（３）の有効走
査部（３Ａ）と未走査部（３Ｂ）とでは電位が異なるこ
とに起因し、フレーミングが発生する。即ち、有効走査
部（３Ａ）の周辺でｔ立が乱れ、縁どられたような影か
生じるのである。

そこで、従来電極反射像の発生を防止するため、■ター
ゲット面（３）における透明電極を必要な部分のみとす
る、■メツシュ状電極Ｇ４の面積を小さくシ、即ちメツ
シュ角を小さくしターゲット面（３）の必要部分以外に
ビームが到着しないようにする、■二次的なビーム反射
が起らないよう電子銃の構造を工夫するなどの方法があ
る。しかし、■の方法はセンタリングの精度等の問題か
らあまり小さくできず、また■の方法は、面積を小とす
ると電界の乱れを生じミスランディングの原因となるか
らあまり小さくできす、さらに■の方法についても十分
な構造の工夫がなく、従来これらの方法では電極反射像
の発生を完全に防止することはできなかった。

また、従来フレーミングの発生を防止するために、ター
ゲット面（３）の有効走査部（３Ａ）の周辺の未走査部
（３Ｂ）まで電子ビームＢｍで走査すること、即ちオー
バースキャンを行なうようにすることが提案されている
。このオーバースキャンによって周辺の未走査部（３Ｂ
）の電荷を放電させ、この周辺の未走査部（３Ｂ）と有
効走査部（３Ａ）との電位差をなくすことができ、これ
により、上述した電位が異なることに起因するフレーミ
ンクの発生を防止することができる。また、このオーバ
ースキャン区域における電子ビーム速度を太き（して、
電子ビームＢｍが短時間で充分に長い距離をオーバース
キャンするようになされたものも提案されている。即ち
、垂直偏向用ののこぎり波電圧ＥＶ＋、Ｅｖ−は夫々第
７図Ａ、Ｂに示すような波形とされ、オーバースキャン
区域ＱＯ５における傾斜が急とされる。同図において、
ＴＢＬＫは垂直ブランキング期間である。尚、水平偏向
用ののこぎり波電圧ＥＨ＋、ＥＨ−は、図示せずものこ
ぎり波電圧Ｅｖ＋、Ｅｖ−と同様のオーバースキャン用
の波形とされる。

ところで、反射電子があってもターゲット面（３）にラ
ンディングしなければ電極反射像は生じないことに着目
すると、このオーバースキャンの方法は、電極反射像の
発生防止にも効果あるものである。

尚、このオーバースキャンの方法は、例えば特開昭５７
−１４３９８３号公報に記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述シたオーバースキャンの方法によれば、第６図にそ
の走査軌跡を示すように、例えば垂直方向の未走査部（
３Ｂ）の走査が非常に粗（、走査しきれない面積が圧倒
的に広く、電位はそれ程低下せず、上述したオーバース
キャンによる効果が充分発揮されない問題があった。

本発明は斯る点に鑑み、オーバースキャンによる効果が
充分発揮されフレーミング及び電極反射像の発生の軽減
効果を向上させるようにしたものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上述問題点を解決するため、電子ビーム速度を
犬としてオーバースキャンする水平又は垂直ブランキン
グ期間は偏向信号の平均レベルを変化させて、電子ビー
ムをターゲット面上でデフォーカス状態とさせるもので
ある。例えば、第４図例のような撮像管の場合、垂直ブ
ランキング期間において、のこぎり波電圧Ｅｖ＋、ＥＶ
−１ＥＨ＋、ＥＨ−の平均電位を変化させて、電子ビー
ムＢ７ＦＬヲターゲット面（３）上でデフォーカス状態
とさせるものである。

〔作用〕

以上の構成においては、オーバースキャン区域で粗い走
査がなされたとしても、走査されない部分をほとんどな
くすることができ、従って、有効走査部（３Ａ）とその
周辺の未走査部（３Ｂ）の電位は略一様とされる。

〔実施例〕

以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明しよう。本例は、第４図に示すような電磁集束・静電
偏向型の撮像管に適用した例である。

本例においては、上述したようにブランキング期間電子
ビームの走査速度を大としてオーバースキャンするもの
において、垂直ブランキング期間ＴＢＬＫは電子ビーム
Ｂｍをターゲット面（３）上でデフォーカス状態とさせ
るものである。

第２図Ａ、Ｂは、本例における垂直偏向用ののこぎり波
電圧ＥＶ＋、Ｅｖ−を示している。同図において、Ｑｏ
ｓはオーバースキャン区域を示している。

本例においては、従来例におけるのこぎり波電圧Ｅｖ＋
、Ｅｖ−（第７図Ａ、Ｂに図示）に比べて、垂直ブラン
キング期間ＴＢＬＫでその平均値ＶＣＷが所定値」Ｖだ
け低下するようになされる（第２図Ｃに図示）。このよ
うなのこぎり波電圧Ｅｖ＋、Ｅｖ−の形成は、例えば第
３図に示すような回路で行なわれている。

同図において、Ｑｉ、Ｑ２は差動構成とされているｎｐ
ｎ形トランジスタであり、夫々のコレクタには定電流回
路工ｏ１、ＩＯ２が接続されると共に、夫々のエミッタ
には抵抗値がＲｂの抵抗器Ｒ１、Ｒ２を介して定電流回
路Ｉ０３が接続される。また、端子（１（ｈ）　、　（
１０２）には、従来例におけるようなオーバースキャン
用ののこぎり波電圧Ｅｖ＋　、Ｅｖ−（第７図Ａ、Ｂに
図示）が供給され、これらののこぎり波電圧Ｅｖ＋、Ｅ
Ｖ−は、夫々抵抗値がＲａの抵抗器Ｒ３、Ｒ４及びバッ
ファアンプＡＩ、Ａ２を介して出力される。抵抗器Ｒ３
とアンプＡＩとの接続点はトランジスタＱ１のコレクタ
に接続され、一方、抵抗器Ｒ４とアンプＡ２との接続点
はトランジスタＱ２のコレクタに接続される。また、世
抗器Ｒ，、Ｒ２及び定電流回路ＩＱ３の接続点はダイオ
ードＤ１及び抵抗値Ｒｃの抵抗器Ｒ５の直列回路を介し
て端子αＤに接続され、ダイオードＤ１及び抵抗器Ｒ５
の接続点はコンデンサＣ１を介して接地される。端子α
Ｄには垂直ブランキング期間ＴＢ　ＬＫで低レベルとな
るパルスｐｕｔ、ｘが供給される。この場合、期間Ｔ’
ｎｔ、ｘのみダイオードＤ１がオンとなり、パルスンプ
Ａ１　、　Ａ２の出力には、期間ＴＢＬＫでその平均値
ＶＧＷが＆ｙ　、即ちＥｏだけ低下したのこぎり波電圧
Ｅｖ＋、ＥＶ−が得られる。

尚、第３図例において、コンデンサＣＩは原理的に不要
であるか、これを接続することでパルスＰＢＬＫをなま
らせている。この理由は、のこぎり波電圧ＥＶ＋、Ｅｖ
−の位相がずれていると、そのずれのタイミングで偏向
電極ｖ＋、■−間にかかる電圧が所定とはならず、偏向
位置が動くことがあり、このようにパルスＰＢｔ、ｘを
なまらせることによりそれを緩和することができるため
である。

また、本例においては、従来例における水平偏向用（オ
ーバースキャン用）ののこぎり波電圧ＥＨ＋、ＥＨ−に
比べて、垂直ブランキング期間ＴＢＬＫで、その平均値
）（ＣＷが所定値１ｉＨだけ低下するようになされる（
第２図り、Ｅに図示）。このよ５　・なのこぎり波電圧
ＥＨ＋、Ｅトも、上述第３図に示すような回路で行なわ
れる。

また、本例においては、垂直及び水平の電子ビームＢｍ
の偏向がメツシュ角までなされるように、のこぎり波電
圧Ｅｖ＋、ＥＶ−１ＥＨ＋、Ｅ、−のオーバースキャン
区域ＱＯ５のレベルが設定される。

ところで、第４図に示すような撮像管において、フォー
カス状態は集束コイル（８）による磁界と偏向電極Ｇ３
の中心電位で決定されるが、有効走査部（３Ａ）では、
この双方がジャストフォーカスとなるように設定されて
いる。

本例は以上のように構成され、粗い走査でオーバースキ
ャンがなされる垂直ブランキング期間ＴＢＬＫで、電圧
Ｅｖ＋〜ＥＨ−の平均電位、つまり電極Ｇ３の中心電位
が低下させられるので、この期間ＴＢＬＫにおいて、タ
ーゲット面（３）上における電子ビームＢｍはデフォー
カス状態となる。よって、第１図にその走査軌跡を示す
ように、オーバースキャン部ではその軌跡が斜線で示す
ように太くなり、走査されない面積はほとんどなくなる
。

従って、本例によれば、有効走査部（３Ａ）とその周辺
の未走査部（３Ｂ）の電位は略一様となり、フレーミン
グ及び電極反射像の発生を大幅に軽減させることができ
る。

また、本例によれば、垂直及び水平の電子ビームＢｍの
偏向がメツシュ角までなされるので、電極反射像の低減
がより確実となる。

尚、上述実施例は、垂直ブランキング期間ＴＢＬＫのみ
、のこぎり波電圧Ｅｖ＋〜Ｅトの平均電位を低下させろ
ものであるが、水平ブランキング期間においても同様に
行なうことが考えられる。また、上述実施例は垂直及び
水平の両方ともオーバースキャンを行なう例であるが、
勿論−万のみオーバースキャンを行なうものにも同様に
適用することができる。また、上述実施例は、電＠果宋
・静電偏向型の撮像管に本発明を適用した例であるが、
本発明は静電集束・静電偏向型、電磁集束・電磁偏向型
・静電集束・電磁偏向梨等のその他の撮像管にも同様に
適用することができる。

〔発明の効果〕

以上述べた本発明によれば、オーバースキギン区域で粗
い走査がなされたとしても、走査されない部分はほとん
どなく、有効走査部とその周辺の未走査部の電位は略一
様とされる。従って、本発明によればオーバースキャン
による効果か充分発揮され、フレーミング及び電極反射
像の発生の軽減効果を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における電子ビームの走査軌
跡を示す図、第２図は偏向電圧等の波形図、第３図は偏
向′電圧の形成回路図、′ｍ４図は電磁集束・静電偏向
型の撮像管の一例を示す栴成図、第５図はその電極Ｇ３
のパターンを示す図、第６図は従来例における電子ビー
ムの走査軌跡を示す図、第７図は従来例における偏向電
圧の波形図である。 （３１はターゲット面、（３Ａ）は有効走査部、（３Ｂ
）は未走査部、（８１は集束コイル、Ｇ３は偏向電極を
構成する第３グリッド電極、　Ｂｍは電子ビームである
。 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ターゲット面における有効走査部の外側周辺部を、電子
   ビームの走査速度を大きくして水平又は垂直ブランキン
   グ期間内に走査するようになされたものにおいて、上記
   ブランキング期間は偏向信号の平均レベルを変化させて
   上記電子ビームを上記ターゲット面上でデフオーカス状
   態とさせることを特徴とする撮像管。