JPS6113201A - 光線透過率の大きい薄膜の製造法 - Google Patents
光線透過率の大きい薄膜の製造法Info
- Publication number
- JPS6113201A JPS6113201A JP59132019A JP13201984A JPS6113201A JP S6113201 A JPS6113201 A JP S6113201A JP 59132019 A JP59132019 A JP 59132019A JP 13201984 A JP13201984 A JP 13201984A JP S6113201 A JPS6113201 A JP S6113201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- thickness
- light
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 title description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 claims description 8
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical group O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 claims description 8
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 claims description 8
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 30
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 5
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002345 surface coating layer Substances 0.000 description 2
- DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N Cellulose propionate Chemical compound CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000287462 Phalacrocorax carbo Species 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトマスクの装・塵カバーに適した光線透過
率の大きい透明樹脂薄膜の製法に関する。
率の大きい透明樹脂薄膜の製法に関する。
集積回路の製造には、投影プリント法が使用されている
が、と庇はフォトマスク上のパターンを、光線を用いて
、レヂストを塗布したシリコンウェハー上に投影し、パ
ターンに対応する部分のレヂストの光劣化又は光硬化を
行わすものである。このとき、フォトマスク上のパター
ンに望ましくない付着物(即ちゴミ)が存在すると、そ
れがウェハー上に投影されてしまう。この影響を回避す
るため忙、樹脂薄膜で製した防塵カバーを使用する方法
が考案されている(特公昭54−28716)。
が、と庇はフォトマスク上のパターンを、光線を用いて
、レヂストを塗布したシリコンウェハー上に投影し、パ
ターンに対応する部分のレヂストの光劣化又は光硬化を
行わすものである。このとき、フォトマスク上のパター
ンに望ましくない付着物(即ちゴミ)が存在すると、そ
れがウェハー上に投影されてしまう。この影響を回避す
るため忙、樹脂薄膜で製した防塵カバーを使用する方法
が考案されている(特公昭54−28716)。
このような防塵カバーを使用することによシ、集積回路
チップの製造歩留シが向上し、フォトマスクのクリーニ
ング回数が減少してその寿命を伸ばすなどの効果がある
。
チップの製造歩留シが向上し、フォトマスクのクリーニ
ング回数が減少してその寿命を伸ばすなどの効果がある
。
投影プ”リント方式には現在2つの方式があり、それぞ
れに適した防塵カバー用薄膜の厚みが決っている。即ち
、投影方式がプロヂエクション方式(等信置光)の場合
は2.86±0.2μmであり、ステッパ一方式(縮小
露光)の場合は0.87±0.02μm厚みの薄膜が用
いられる。この厚みの条件は、いずれも露光に用いられ
る光源がV線(436μm)の場合、薄膜の光線透過率
が96チ以上であるために必要とされる条件である。そ
の理由を以下拠説明する。
れに適した防塵カバー用薄膜の厚みが決っている。即ち
、投影方式がプロヂエクション方式(等信置光)の場合
は2.86±0.2μmであり、ステッパ一方式(縮小
露光)の場合は0.87±0.02μm厚みの薄膜が用
いられる。この厚みの条件は、いずれも露光に用いられ
る光源がV線(436μm)の場合、薄膜の光線透過率
が96チ以上であるために必要とされる条件である。そ
の理由を以下拠説明する。
第1図は、膜厚2.85μmの硝酸セルロース薄膜の波
長に対する光線透過率を測定し、プロットしたものであ
る。透過率は図の′ように、細いピッチの波形を示し、
波の頂部は、略100%の透過率を示すが、波の谷部は
80チ程度の透過率しかえられない。これは、光線の一
部が膜/大気の界面で反射しで逆行し、そのま°た一部
が反対側の膜/大気の界面で反射して順行する。この2
回反射後の順行光は、直接透過光に対し、膜厚の2倍だ
け遅れた光、即ち同一波長で位相差のある光となって互
に干渉し合うためである。膜厚が2.86±0.02μ
mの場合、2線の透過率が波形の頂部近くにあるが、膜
厚が変動すると、透過率曲線が左右にシフトするので、
この条件を満さなくなる。第2図に同様に、膜厚0.9
0μmの硝酸セルロース薄膜の光線透過率を示す。
長に対する光線透過率を測定し、プロットしたものであ
る。透過率は図の′ように、細いピッチの波形を示し、
波の頂部は、略100%の透過率を示すが、波の谷部は
80チ程度の透過率しかえられない。これは、光線の一
部が膜/大気の界面で反射しで逆行し、そのま°た一部
が反対側の膜/大気の界面で反射して順行する。この2
回反射後の順行光は、直接透過光に対し、膜厚の2倍だ
け遅れた光、即ち同一波長で位相差のある光となって互
に干渉し合うためである。膜厚が2.86±0.02μ
mの場合、2線の透過率が波形の頂部近くにあるが、膜
厚が変動すると、透過率曲線が左右にシフトするので、
この条件を満さなくなる。第2図に同様に、膜厚0.9
0μmの硝酸セルロース薄膜の光線透過率を示す。
防塵カバーを設けることによって、ゴミの影響は除かれ
るとしても、防塵カバーによして、投影光線量が低下し
てはならない。特公昭54−28716には、防塵カバ
ーを一つの露光装置に複数設ける例も示されており、一
枚の防塵カバーの光線透過率は96チ以上であることが
望ましい。そのような防塵カバーには、薄膜の材質に透
明度が高く、無配向のものを用い、所定、且つ一定の膜
厚に高い精度で作製したものを用いる必要がある。まだ
薄膜は厚さ10μm以下の極めて薄いものであるので、
−均一な緊張状態を保って支持枠に保持させる必要があ
る。硝酸セルロースを用いて、そのような薄膜を作る方
法及び保持させる方法は特開昭58−219023に開
示されている。
るとしても、防塵カバーによして、投影光線量が低下し
てはならない。特公昭54−28716には、防塵カバ
ーを一つの露光装置に複数設ける例も示されており、一
枚の防塵カバーの光線透過率は96チ以上であることが
望ましい。そのような防塵カバーには、薄膜の材質に透
明度が高く、無配向のものを用い、所定、且つ一定の膜
厚に高い精度で作製したものを用いる必要がある。まだ
薄膜は厚さ10μm以下の極めて薄いものであるので、
−均一な緊張状態を保って支持枠に保持させる必要があ
る。硝酸セルロースを用いて、そのような薄膜を作る方
法及び保持させる方法は特開昭58−219023に開
示されている。
半導体工業における最近の進歩に伴い、集積回路の高密
度、高集積化の傾向があり、ウエノ・−上への投影パタ
ーンの線幅、線間隔共に小さくなって来ている。そのた
め、露光光源として、i線よりも波長が短く、エネルギ
ーの大きいh線(406μm)。
度、高集積化の傾向があり、ウエノ・−上への投影パタ
ーンの線幅、線間隔共に小さくなって来ている。そのた
め、露光光源として、i線よりも波長が短く、エネルギ
ーの大きいh線(406μm)。
i線(365μm)が使用されだシ、それぞれの光線に
別々に感光するレヂストを使いわけるなどの技術も用い
られるようにな2て来ている。従来のタイプの防塵カバ
ー用薄膜を用いるとすれば、各光源に応じだ膜厚のもの
を用意しておき、使いわける必要がある。
別々に感光するレヂストを使いわけるなどの技術も用い
られるようにな2て来ている。従来のタイプの防塵カバ
ー用薄膜を用いるとすれば、各光源に応じだ膜厚のもの
を用意しておき、使いわける必要がある。
発明者等は鋭意研究の結果、膜内2回反射光の干渉によ
る影響′を除去すれ゛ば、1線、h線、i線のすべての
露光用光線に対し高い透過率を与え、且つ微小膜厚変動
の影響も除かれた薄膜かえられることを見出した。即ち
、薄膜の一方又は両方の表面に、薄膜材質よシも屈折率
の低い透明物質を約1100nの厚みにコーティングす
ることによって、300〜700nmの波長の光を96
チ以上透過するコーテッド薄膜を得ることができた。
る影響′を除去すれ゛ば、1線、h線、i線のすべての
露光用光線に対し高い透過率を与え、且つ微小膜厚変動
の影響も除かれた薄膜かえられることを見出した。即ち
、薄膜の一方又は両方の表面に、薄膜材質よシも屈折率
の低い透明物質を約1100nの厚みにコーティングす
ることによって、300〜700nmの波長の光を96
チ以上透過するコーテッド薄膜を得ることができた。
本発明に使用する樹脂薄膜には、セルロース誘導体が適
当である。セルロース誘導体−は、光線透過率特に近紫
外領域での透過率が高く、成型時に配向する傾向も少い
。セルロース誘導体としては、硝酸セルロース、酢酸セ
ルロース、酪酸酢酸セルロース、プロピオン酸セルロー
スなどがあるが、特に硝酸セルロースが? <:れてい
る。セルロース誘導体以外の物質としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン。
当である。セルロース誘導体−は、光線透過率特に近紫
外領域での透過率が高く、成型時に配向する傾向も少い
。セルロース誘導体としては、硝酸セルロース、酢酸セ
ルロース、酪酸酢酸セルロース、プロピオン酸セルロー
スなどがあるが、特に硝酸セルロースが? <:れてい
る。セルロース誘導体以外の物質としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン。
ポリスチレン、ポリアクリル酸メチル、ポリカーボネー
トなどを用いて樹脂薄膜を製造することができる。
トなどを用いて樹脂薄膜を製造することができる。
樹脂薄膜の表面コーティング層を形成させる物質として
は、透明な無機材料例えば、金属弗化物。
は、透明な無機材料例えば、金属弗化物。
金属酸化物から選択することができるが、反射光による
干渉の影響を除去する目的においては、樹脂薄膜材質よ
シも屈折率の低い物質を用いる必要がある。即ち、セル
ロース誘導体の場合、露光に、使用する300°〜70
0nmの波長の範囲に対する屈折率は1.50〜1.5
5程度であるので、コーティングに適する物質としては
、弗化カルシラ・ム(436nmにおける屈折率1,2
3、以下同様)。
干渉の影響を除去する目的においては、樹脂薄膜材質よ
シも屈折率の低い物質を用いる必要がある。即ち、セル
ロース誘導体の場合、露光に、使用する300°〜70
0nmの波長の範囲に対する屈折率は1.50〜1.5
5程度であるので、コーティングに適する物質としては
、弗化カルシラ・ム(436nmにおける屈折率1,2
3、以下同様)。
弗化バリウム(1,3) 、弗化ナトリウム(1,34
)。
)。
弗化マグネシウム(1,38)などがある。本発明の目
的には屈折率1.3以下の物質が特に適している。樹脂
薄膜は、極めて薄いため、均一な緊張下に保持していて
も、外力により振動することがあるが、この振動に追随
できるだけの可撓性あるいは柔軟性がないと、コーティ
ング層がひび割れを起す危険性があるが、弗化カルシウ
ムは、適度の柔軟性があるので、屈折率の値とともに、
本発明の実施に特に有用である。また、弗化カルシウム
は比較的吸湿性が低いことも利点の一つである゛。
的には屈折率1.3以下の物質が特に適している。樹脂
薄膜は、極めて薄いため、均一な緊張下に保持していて
も、外力により振動することがあるが、この振動に追随
できるだけの可撓性あるいは柔軟性がないと、コーティ
ング層がひび割れを起す危険性があるが、弗化カルシウ
ムは、適度の柔軟性があるので、屈折率の値とともに、
本発明の実施に特に有用である。また、弗化カルシウム
は比較的吸湿性が低いことも利点の一つである゛。
表面コーティング層の反射防止のメカニズムは次のよう
に考えられる。まず片面コーティングの場合は、薄膜の
光線出口側に設ける。この場合、■膜/大気の屈折率差
に比べて、膜/コーティング層の屈折率差は小さいので
、膜/コーチインク界面での反射率は、膜/大気界面で
の反射率、即ち、コーティング層のない場合に比して小
さい。しかし、コーティング層/大気界面でも反射が起
る。
に考えられる。まず片面コーティングの場合は、薄膜の
光線出口側に設ける。この場合、■膜/大気の屈折率差
に比べて、膜/コーティング層の屈折率差は小さいので
、膜/コーチインク界面での反射率は、膜/大気界面で
の反射率、即ち、コーティング層のない場合に比して小
さい。しかし、コーティング層/大気界面でも反射が起
る。
■このとき、コーティング層の厚みを、光の波長の1/
4としておけば、膜/コーチ4フフ層界面での反射光と
、コーティング層/太気界面での反射光が丁度1/2波
長の差を以て干渉し、反射光自体を減殺させる。同様に
両面コーティングを行えば第2反射光は無視できる程度
になり、直進透過光に対する干渉効果はさらに減少する
。その結果、透過率〜波長曲線の波形が殆んど消失し、
全領域にわたって高透過率を得ることができる。
4としておけば、膜/コーチ4フフ層界面での反射光と
、コーティング層/太気界面での反射光が丁度1/2波
長の差を以て干渉し、反射光自体を減殺させる。同様に
両面コーティングを行えば第2反射光は無視できる程度
になり、直進透過光に対する干渉効果はさらに減少する
。その結果、透過率〜波長曲線の波形が殆んど消失し、
全領域にわたって高透過率を得ることができる。
薄膜に対するコーティングは、真空蒸着によって行う。
即ち、コーティング材料を10−3〜1O−5Tor:
rのの高真空中で加熱し、発生した蒸気を薄膜上に蒸着
させる。このとき、コーティどグ層形成面の反対側から
、特定の波長の光線で反射率を測定しながら蒸着させて
ゆくモニタリングシステムが開発されており、光の波長
の1/4の厚さにコーティングしたとき、反射光が最小
になるので、その時点でコーティングを終了させればよ
い。片面コーティングを終了したあと、薄膜を反転し、
もう一方の面に同様にコーティングすれば両面コーティ
ングが完了する。
rのの高真空中で加熱し、発生した蒸気を薄膜上に蒸着
させる。このとき、コーティどグ層形成面の反対側から
、特定の波長の光線で反射率を測定しながら蒸着させて
ゆくモニタリングシステムが開発されており、光の波長
の1/4の厚さにコーティングしたとき、反射光が最小
になるので、その時点でコーティングを終了させればよ
い。片面コーティングを終了したあと、薄膜を反転し、
もう一方の面に同様にコーティングすれば両面コーティ
ングが完了する。
適切なコーティングを、適切な薄膜上に形成させること
によって、300nm〜700nmの全領域にわたる光
線透過率の高い防塵カバーかえられる。
によって、300nm〜700nmの全領域にわたる光
線透過率の高い防塵カバーかえられる。
本発明の方法によって得られるコーテッド薄膜は、コー
ティング層のない薄膜に比べて、膜厚の選択性に対する
要求がきびしくないので、防塵カバー生産時の歩留シが
向上する。また、一つの防塵カバーで以て、を線、h線
、i線のように異る波長の光線の使用に対応できる。さ
らに、コーティング層の表面硬度は、樹脂よシも高いの
で、防塵カバーの耐久性もまたすぐれたものになるが、
この点では両面コーチイツトのものが特にすぐれている
。
ティング層のない薄膜に比べて、膜厚の選択性に対する
要求がきびしくないので、防塵カバー生産時の歩留シが
向上する。また、一つの防塵カバーで以て、を線、h線
、i線のように異る波長の光線の使用に対応できる。さ
らに、コーティング層の表面硬度は、樹脂よシも高いの
で、防塵カバーの耐久性もまたすぐれたものになるが、
この点では両面コーチイツトのものが特にすぐれている
。
以上、本発明は、全域にわたって厚みが均一であり、厚
み05〜10μmの透明樹脂薄膜を、均一な緊張状態に
保持し、その片面又は両面に、無色の金属弗化物又は金
属酸化物を、それぞれ約100圃の厚さにコーティング
することを特徴とする、300〜500nmの範囲内の
特定波長の光線を96%以上透過するコーテッド薄膜の
製造法に関するものである。
み05〜10μmの透明樹脂薄膜を、均一な緊張状態に
保持し、その片面又は両面に、無色の金属弗化物又は金
属酸化物を、それぞれ約100圃の厚さにコーティング
することを特徴とする、300〜500nmの範囲内の
特定波長の光線を96%以上透過するコーテッド薄膜の
製造法に関するものである。
以下に実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこ
れによシ限定されるものではない。
れによシ限定されるものではない。
特開昭58−219023号明細書に示された方法で膜
厚2.90μmの硝酸セルロース薄膜を作成し、内径6
1mm、外径65mm、高さ3閤の円形フレー上記薄膜
に弗化カルシウムコーティングを行った。ジンクロン真
空蒸着装置(真空器械工業)′を用い、438nmの光
でモニターしながら反射率が最小となるまでコーティン
グを行った。コーティング層の厚さは、約1’l’、O
nmである。片面コーテッド薄膜の光線透過率を第3図
の鎖線(−・−・−・→で示す。
厚2.90μmの硝酸セルロース薄膜を作成し、内径6
1mm、外径65mm、高さ3閤の円形フレー上記薄膜
に弗化カルシウムコーティングを行った。ジンクロン真
空蒸着装置(真空器械工業)′を用い、438nmの光
でモニターしながら反射率が最小となるまでコーティン
グを行った。コーティング層の厚さは、約1’l’、O
nmである。片面コーテッド薄膜の光線透過率を第3図
の鎖線(−・−・−・→で示す。
片面コーテッド薄膜を反転し同様にして両面コーテッド
薄膜とした。両面コーテッド薄膜の光線透過率を第3図
の実線(□)で示す。
薄膜とした。両面コーテッド薄膜の光線透過率を第3図
の実線(□)で示す。
3種類の露光光源を線(436nm)、h線(406n
m)、i線(365nm)に対し、片面コーテッド膜は
96%以上、両面コーテッド膜は98チ以上の光線透過
率を示すものであった。
m)、i線(365nm)に対し、片面コーテッド膜は
96%以上、両面コーテッド膜は98チ以上の光線透過
率を示すものであった。
また、コーテッド薄膜に対し、1mの距離から3 KI
i/cdの風圧を与えるツアーガンで1分間ブローした
が、コーティング層のひびわれ、脱落はみられなかった
。
i/cdの風圧を与えるツアーガンで1分間ブローした
が、コーティング層のひびわれ、脱落はみられなかった
。
第1図鵜膜厚g、85μm、第2図は膜厚0.90μm
の硝酸セルロース薄膜の光線透過率をプロットしたグラ
フである。第3図は膜i2.9oμmの薄膜(−−−−
−−−、)及び片面コーテッド薄膜(−−一・−)なら
びニ両面コーテッド薄膜(□)のそれぞれの光線透過率
をプロットしたグラフである。
の硝酸セルロース薄膜の光線透過率をプロットしたグラ
フである。第3図は膜i2.9oμmの薄膜(−−−−
−−−、)及び片面コーテッド薄膜(−−一・−)なら
びニ両面コーテッド薄膜(□)のそれぞれの光線透過率
をプロットしたグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)全域にわたって厚みが均一であり、厚み0.5〜1
0μmの透明樹脂薄膜を、均一な緊張状態に保持し、そ
の片面又は両面に、無色の金属弗化物又は金属酸化物を
、それぞれ約100nmの厚さにコーティングすること
を特徴とする300〜600nmの範囲内の特定波長の
光線を96%以上透過するコーテッド薄膜の製造法。 2)樹脂薄膜が硝酸セルローズであり、コーティング物
質が弗化カルシウムである特許請求範囲第1項記載のコ
ーテッド薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132019A JPS6113201A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 光線透過率の大きい薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132019A JPS6113201A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 光線透過率の大きい薄膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113201A true JPS6113201A (ja) | 1986-01-21 |
| JPH0570121B2 JPH0570121B2 (ja) | 1993-10-04 |
Family
ID=15071618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59132019A Granted JPS6113201A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 光線透過率の大きい薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113201A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057216A (ja) * | 1973-09-19 | 1975-05-19 | ||
| JPS5666802A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-05 | Seiko Epson Corp | Antireflection film of optical parts made of synthetic resin |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP59132019A patent/JPS6113201A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057216A (ja) * | 1973-09-19 | 1975-05-19 | ||
| JPS5666802A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-05 | Seiko Epson Corp | Antireflection film of optical parts made of synthetic resin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0570121B2 (ja) | 1993-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6235359A (ja) | コ−テツド薄膜の製造法 | |
| JPH0690505B2 (ja) | ホトマスク | |
| JPH0455323B2 (ja) | ||
| US6686101B2 (en) | Non absorbing reticle and method of making same | |
| WO2022050156A1 (ja) | 反射型マスク、反射型マスクブランク、および反射型マスクの製造方法 | |
| EP1176466B1 (en) | Halftone phase shift photomask and photomask blank | |
| KR900001665B1 (ko) | 레지스트 도포방법 | |
| JPS6113201A (ja) | 光線透過率の大きい薄膜の製造法 | |
| JPS63113501A (ja) | 反射防止膜 | |
| JPH02124572A (ja) | 透明樹脂薄膜 | |
| JPH049061A (ja) | 高光線透過性防塵体 | |
| JPH0219850A (ja) | パタン形成法 | |
| JPS5825379Y2 (ja) | フオトマスク | |
| JPS62246889A (ja) | 鏡面部品の製造方法 | |
| JPS6053871B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH04309952A (ja) | フォトマスク | |
| JPH07111235A (ja) | 露光方法および装置 | |
| JPH09211842A (ja) | 光学的手段を用いた電子回路形成における光反射防止方法及びその装置とその製品 | |
| JP2025086095A (ja) | 光学系の加工方法、投影光学系、露光装置、及び物品の製造方法 | |
| JPS6231855A (ja) | ペリクル付マスクブランク | |
| JPH0419697B2 (ja) | ||
| JPS635344A (ja) | 反射防止コ−テツドペリクルの製法 | |
| JPS63131143A (ja) | フオトマスク | |
| JPH0470749A (ja) | 高光線透過性防塵体の製造方法 | |
| JPH0451240A (ja) | ホトエッチング用マスク及びその製造方法 |