JPS6113201A - 光線透過率の大きい薄膜の製造法 - Google Patents

光線透過率の大きい薄膜の製造法

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JPS6113201A
JPS6113201A JP59132019A JP13201984A JPS6113201A JP S6113201 A JPS6113201 A JP S6113201A JP 59132019 A JP59132019 A JP 59132019A JP 13201984 A JP13201984 A JP 13201984A JP S6113201 A JPS6113201 A JP S6113201A
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light
coating layer
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Shigeyuki Takahashi
重之 高橋
Kaoru Yamaki
山木 薫
Takayuki Kuroda
隆之 黒田
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    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • G02B1/111Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフォトマスクの装・塵カバーに適した光線透過
率の大きい透明樹脂薄膜の製法に関する。
集積回路の製造には、投影プリント法が使用されている
が、と庇はフォトマスク上のパターンを、光線を用いて
、レヂストを塗布したシリコンウェハー上に投影し、パ
ターンに対応する部分のレヂストの光劣化又は光硬化を
行わすものである。このとき、フォトマスク上のパター
ンに望ましくない付着物(即ちゴミ)が存在すると、そ
れがウェハー上に投影されてしまう。この影響を回避す
るため忙、樹脂薄膜で製した防塵カバーを使用する方法
が考案されている(特公昭54−28716)。
このような防塵カバーを使用することによシ、集積回路
チップの製造歩留シが向上し、フォトマスクのクリーニ
ング回数が減少してその寿命を伸ばすなどの効果がある
投影プ”リント方式には現在2つの方式があり、それぞ
れに適した防塵カバー用薄膜の厚みが決っている。即ち
、投影方式がプロヂエクション方式(等信置光)の場合
は2.86±0.2μmであり、ステッパ一方式(縮小
露光)の場合は0.87±0.02μm厚みの薄膜が用
いられる。この厚みの条件は、いずれも露光に用いられ
る光源がV線(436μm)の場合、薄膜の光線透過率
が96チ以上であるために必要とされる条件である。そ
の理由を以下拠説明する。
第1図は、膜厚2.85μmの硝酸セルロース薄膜の波
長に対する光線透過率を測定し、プロットしたものであ
る。透過率は図の′ように、細いピッチの波形を示し、
波の頂部は、略100%の透過率を示すが、波の谷部は
80チ程度の透過率しかえられない。これは、光線の一
部が膜/大気の界面で反射しで逆行し、そのま°た一部
が反対側の膜/大気の界面で反射して順行する。この2
回反射後の順行光は、直接透過光に対し、膜厚の2倍だ
け遅れた光、即ち同一波長で位相差のある光となって互
に干渉し合うためである。膜厚が2.86±0.02μ
mの場合、2線の透過率が波形の頂部近くにあるが、膜
厚が変動すると、透過率曲線が左右にシフトするので、
この条件を満さなくなる。第2図に同様に、膜厚0.9
0μmの硝酸セルロース薄膜の光線透過率を示す。
防塵カバーを設けることによって、ゴミの影響は除かれ
るとしても、防塵カバーによして、投影光線量が低下し
てはならない。特公昭54−28716には、防塵カバ
ーを一つの露光装置に複数設ける例も示されており、一
枚の防塵カバーの光線透過率は96チ以上であることが
望ましい。そのような防塵カバーには、薄膜の材質に透
明度が高く、無配向のものを用い、所定、且つ一定の膜
厚に高い精度で作製したものを用いる必要がある。まだ
薄膜は厚さ10μm以下の極めて薄いものであるので、
−均一な緊張状態を保って支持枠に保持させる必要があ
る。硝酸セルロースを用いて、そのような薄膜を作る方
法及び保持させる方法は特開昭58−219023に開
示されている。
半導体工業における最近の進歩に伴い、集積回路の高密
度、高集積化の傾向があり、ウエノ・−上への投影パタ
ーンの線幅、線間隔共に小さくなって来ている。そのた
め、露光光源として、i線よりも波長が短く、エネルギ
ーの大きいh線(406μm)。
i線(365μm)が使用されだシ、それぞれの光線に
別々に感光するレヂストを使いわけるなどの技術も用い
られるようにな2て来ている。従来のタイプの防塵カバ
ー用薄膜を用いるとすれば、各光源に応じだ膜厚のもの
を用意しておき、使いわける必要がある。
発明者等は鋭意研究の結果、膜内2回反射光の干渉によ
る影響′を除去すれ゛ば、1線、h線、i線のすべての
露光用光線に対し高い透過率を与え、且つ微小膜厚変動
の影響も除かれた薄膜かえられることを見出した。即ち
、薄膜の一方又は両方の表面に、薄膜材質よシも屈折率
の低い透明物質を約1100nの厚みにコーティングす
ることによって、300〜700nmの波長の光を96
チ以上透過するコーテッド薄膜を得ることができた。
本発明に使用する樹脂薄膜には、セルロース誘導体が適
当である。セルロース誘導体−は、光線透過率特に近紫
外領域での透過率が高く、成型時に配向する傾向も少い
。セルロース誘導体としては、硝酸セルロース、酢酸セ
ルロース、酪酸酢酸セルロース、プロピオン酸セルロー
スなどがあるが、特に硝酸セルロースが? <:れてい
る。セルロース誘導体以外の物質としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン。
ポリスチレン、ポリアクリル酸メチル、ポリカーボネー
トなどを用いて樹脂薄膜を製造することができる。
樹脂薄膜の表面コーティング層を形成させる物質として
は、透明な無機材料例えば、金属弗化物。
金属酸化物から選択することができるが、反射光による
干渉の影響を除去する目的においては、樹脂薄膜材質よ
シも屈折率の低い物質を用いる必要がある。即ち、セル
ロース誘導体の場合、露光に、使用する300°〜70
0nmの波長の範囲に対する屈折率は1.50〜1.5
5程度であるので、コーティングに適する物質としては
、弗化カルシラ・ム(436nmにおける屈折率1,2
3、以下同様)。
弗化バリウム(1,3) 、弗化ナトリウム(1,34
)。
弗化マグネシウム(1,38)などがある。本発明の目
的には屈折率1.3以下の物質が特に適している。樹脂
薄膜は、極めて薄いため、均一な緊張下に保持していて
も、外力により振動することがあるが、この振動に追随
できるだけの可撓性あるいは柔軟性がないと、コーティ
ング層がひび割れを起す危険性があるが、弗化カルシウ
ムは、適度の柔軟性があるので、屈折率の値とともに、
本発明の実施に特に有用である。また、弗化カルシウム
は比較的吸湿性が低いことも利点の一つである゛。
表面コーティング層の反射防止のメカニズムは次のよう
に考えられる。まず片面コーティングの場合は、薄膜の
光線出口側に設ける。この場合、■膜/大気の屈折率差
に比べて、膜/コーティング層の屈折率差は小さいので
、膜/コーチインク界面での反射率は、膜/大気界面で
の反射率、即ち、コーティング層のない場合に比して小
さい。しかし、コーティング層/大気界面でも反射が起
る。
■このとき、コーティング層の厚みを、光の波長の1/
4としておけば、膜/コーチ4フフ層界面での反射光と
、コーティング層/太気界面での反射光が丁度1/2波
長の差を以て干渉し、反射光自体を減殺させる。同様に
両面コーティングを行えば第2反射光は無視できる程度
になり、直進透過光に対する干渉効果はさらに減少する
。その結果、透過率〜波長曲線の波形が殆んど消失し、
全領域にわたって高透過率を得ることができる。
薄膜に対するコーティングは、真空蒸着によって行う。
即ち、コーティング材料を10−3〜1O−5Tor:
rのの高真空中で加熱し、発生した蒸気を薄膜上に蒸着
させる。このとき、コーティどグ層形成面の反対側から
、特定の波長の光線で反射率を測定しながら蒸着させて
ゆくモニタリングシステムが開発されており、光の波長
の1/4の厚さにコーティングしたとき、反射光が最小
になるので、その時点でコーティングを終了させればよ
い。片面コーティングを終了したあと、薄膜を反転し、
もう一方の面に同様にコーティングすれば両面コーティ
ングが完了する。
適切なコーティングを、適切な薄膜上に形成させること
によって、300nm〜700nmの全領域にわたる光
線透過率の高い防塵カバーかえられる。
本発明の方法によって得られるコーテッド薄膜は、コー
ティング層のない薄膜に比べて、膜厚の選択性に対する
要求がきびしくないので、防塵カバー生産時の歩留シが
向上する。また、一つの防塵カバーで以て、を線、h線
、i線のように異る波長の光線の使用に対応できる。さ
らに、コーティング層の表面硬度は、樹脂よシも高いの
で、防塵カバーの耐久性もまたすぐれたものになるが、
この点では両面コーチイツトのものが特にすぐれている
以上、本発明は、全域にわたって厚みが均一であり、厚
み05〜10μmの透明樹脂薄膜を、均一な緊張状態に
保持し、その片面又は両面に、無色の金属弗化物又は金
属酸化物を、それぞれ約100圃の厚さにコーティング
することを特徴とする、300〜500nmの範囲内の
特定波長の光線を96%以上透過するコーテッド薄膜の
製造法に関するものである。
以下に実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこ
れによシ限定されるものではない。
〔実施例〕
特開昭58−219023号明細書に示された方法で膜
厚2.90μmの硝酸セルロース薄膜を作成し、内径6
1mm、外径65mm、高さ3閤の円形フレー上記薄膜
に弗化カルシウムコーティングを行った。ジンクロン真
空蒸着装置(真空器械工業)′を用い、438nmの光
でモニターしながら反射率が最小となるまでコーティン
グを行った。コーティング層の厚さは、約1’l’、O
nmである。片面コーテッド薄膜の光線透過率を第3図
の鎖線(−・−・−・→で示す。
片面コーテッド薄膜を反転し同様にして両面コーテッド
薄膜とした。両面コーテッド薄膜の光線透過率を第3図
の実線(□)で示す。
3種類の露光光源を線(436nm)、h線(406n
m)、i線(365nm)に対し、片面コーテッド膜は
96%以上、両面コーテッド膜は98チ以上の光線透過
率を示すものであった。
また、コーテッド薄膜に対し、1mの距離から3 KI
i/cdの風圧を与えるツアーガンで1分間ブローした
が、コーティング層のひびわれ、脱落はみられなかった
【図面の簡単な説明】
第1図鵜膜厚g、85μm、第2図は膜厚0.90μm
の硝酸セルロース薄膜の光線透過率をプロットしたグラ
フである。第3図は膜i2.9oμmの薄膜(−−−−
−−−、)及び片面コーテッド薄膜(−−一・−)なら
びニ両面コーテッド薄膜(□)のそれぞれの光線透過率
をプロットしたグラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)全域にわたって厚みが均一であり、厚み0.5〜1
    0μmの透明樹脂薄膜を、均一な緊張状態に保持し、そ
    の片面又は両面に、無色の金属弗化物又は金属酸化物を
    、それぞれ約100nmの厚さにコーティングすること
    を特徴とする300〜600nmの範囲内の特定波長の
    光線を96%以上透過するコーテッド薄膜の製造法。 2)樹脂薄膜が硝酸セルローズであり、コーティング物
    質が弗化カルシウムである特許請求範囲第1項記載のコ
    ーテッド薄膜の製造法。
JP59132019A 1984-06-28 1984-06-28 光線透過率の大きい薄膜の製造法 Granted JPS6113201A (ja)

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JP59132019A JPS6113201A (ja) 1984-06-28 1984-06-28 光線透過率の大きい薄膜の製造法

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JP59132019A JPS6113201A (ja) 1984-06-28 1984-06-28 光線透過率の大きい薄膜の製造法

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JPH0570121B2 JPH0570121B2 (ja) 1993-10-04

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5057216A (ja) * 1973-09-19 1975-05-19
JPS5666802A (en) * 1979-11-05 1981-06-05 Seiko Epson Corp Antireflection film of optical parts made of synthetic resin

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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