JPS61137221A - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS61137221A JPS61137221A JP25820184A JP25820184A JPS61137221A JP S61137221 A JPS61137221 A JP S61137221A JP 25820184 A JP25820184 A JP 25820184A JP 25820184 A JP25820184 A JP 25820184A JP S61137221 A JPS61137221 A JP S61137221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- magnetic
- recording medium
- lubricant
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は磁気ディスク装置に使用される磁気ディスク
に関するものである。
に関するものである。
第２図は例えば電々公社研究実用化報告第３１巻第９号
のＩＴ３１〜１γ４４に報告された従来の磁気ディスク
を示す＠面図であり１図において、（１）はディスク状
のアルミニウム合金基材、（２）はアルマイトから成る
磁気記録媒体の下地層、（３）は磁気記録媒体となるγ
−Ｆｅ２０．．薄膜、（４）はヘッドとディスクの吸着
を防止する潤滑剤層である。
のＩＴ３１〜１γ４４に報告された従来の磁気ディスク
を示す＠面図であり１図において、（１）はディスク状
のアルミニウム合金基材、（２）はアルマイトから成る
磁気記録媒体の下地層、（３）は磁気記録媒体となるγ
−Ｆｅ２０．．薄膜、（４）はヘッドとディスクの吸着
を防止する潤滑剤層である。
現在、磁気ディスク装置では起動、停止にコンタクトス
タートストップ方式を採用しており、起動及び停止時に
は、磁気ヘッドと磁気ディスク表面が接触したまま回転
するため、）Ｍ擦によシ靜電気が発生する。また９通常
回転（記録・再生時）している場合には、磁気ディスク
が高速回転して磁気ヘッドが空気流によって浮上してい
るため。
タートストップ方式を採用しており、起動及び停止時に
は、磁気ヘッドと磁気ディスク表面が接触したまま回転
するため、）Ｍ擦によシ靜電気が発生する。また９通常
回転（記録・再生時）している場合には、磁気ディスク
が高速回転して磁気ヘッドが空気流によって浮上してい
るため。
空気とヘッドあるいはディスクとの摩擦によっても静電
気が発生する。
気が発生する。
ところで、従来の磁気ディスクでは、磁気記録媒体とな
るγ−Ｆθ２０３薄膜の抵抗が大きく（抵抗率が１０３
Ω・α と犬きく、膜厚が薄いため）、上記のような摩
優によって発生した静電気が蓄積し易かった。記録媒体
に薄膜を使用すると１表面精度が良いことや化学吸着し
にぐいことにより、塗布媒体よりも潤滑剤がはぐ離し易
い。従って、静電気が蓄積して、静電力や放電により、
潤滑剤が剥離し、磁気ディスクの信頼性を表わすコンタ
クトスタートストップ（ａＳＳ ） 回数が少なくな
るという問題点があった。一般にＣ８Ｓ回数が少ないと
。
るγ−Ｆθ２０３薄膜の抵抗が大きく（抵抗率が１０３
Ω・α と犬きく、膜厚が薄いため）、上記のような摩
優によって発生した静電気が蓄積し易かった。記録媒体
に薄膜を使用すると１表面精度が良いことや化学吸着し
にぐいことにより、塗布媒体よりも潤滑剤がはぐ離し易
い。従って、静電気が蓄積して、静電力や放電により、
潤滑剤が剥離し、磁気ディスクの信頼性を表わすコンタ
クトスタートストップ（ａＳＳ ） 回数が少なくな
るという問題点があった。一般にＣ８Ｓ回数が少ないと
。
ヘッドクラッシュが起こり易く、故障発生率が高くなる
。
。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、ｆＢ磁気記録媒体静電気が蓄積しないようにし、
その為潤滑剤が剥離しに＜ ＜ ａＳＳ回数が減りにく
い信頼性の高い磁気ディスクを得ること乞目的とする。
ので、ｆＢ磁気記録媒体静電気が蓄積しないようにし、
その為潤滑剤が剥離しに＜ ＜ ａＳＳ回数が減りにく
い信頼性の高い磁気ディスクを得ること乞目的とする。
この発明に係る磁気ディスクは、γ−Ｆθ２０３膜で形
成された磁気記録媒体と潤滑剤層との間に。
成された磁気記録媒体と潤滑剤層との間に。
導電性酸化物膜で形成された帯電防止層乞介在させたも
のである。
のである。
この発明における帯電防止層は、電気抵抗率がγ−Ｆθ
２ｏ３薄膜より著しく低いため、静電気がすみやかに逃
がされ、静電気の蓄積が防止される。
２ｏ３薄膜より著しく低いため、静電気がすみやかに逃
がされ、静電気の蓄積が防止される。
以下、この発明の一実施例を図を用いて説明する。第１
図において、（５）が帯電防止層である。帯電防止層は
抵抗率が低いという条件の他に、耐食性・耐摩耗性が優
れている必要があり、導電性酸化物薄膜が適している。
図において、（５）が帯電防止層である。帯電防止層は
抵抗率が低いという条件の他に、耐食性・耐摩耗性が優
れている必要があり、導電性酸化物薄膜が適している。
ここで導電性酸化物薄膜上だとヘッドとγ−Ｆ ｅ２０
３膜の間が開き過ぎる為である。ここでいう導電性酸化
物薄膜とは、 ５ｎ０２＋工ｎ２０．、、 Ｃｄ２Ｓ
ｎＯ４，’ ０（ｔｏ薄膜を示しており、抵抗率を下げ
る為に不純物添加を行なっているＯ例えばＳｎＯの場合
ｓｂを、工ｎ ２０ ｘ、の場合Ｓｎを添加しているが
、 ８ｎを工ｎ２０３に添加する場合Ｓｎ力；ｏ、ｓ
ｗｔ％で抵抗率ρは約１Ω−αとなる。なお、抵抗率を
下げるための化学量論組成からのずれや不純物添加は帯
電防止に何ら悪形ｑ１を与えない。また１種類によらず
、帯電防止としての効果は同程度であった。これらの薄
膜は透明導電膜としてオプトエレクトロニクスなどに不
可欠な工業材料として広く実用化されており、スプレー
法、 ＯＶＤ法。
３膜の間が開き過ぎる為である。ここでいう導電性酸化
物薄膜とは、 ５ｎ０２＋工ｎ２０．、、 Ｃｄ２Ｓ
ｎＯ４，’ ０（ｔｏ薄膜を示しており、抵抗率を下げ
る為に不純物添加を行なっているＯ例えばＳｎＯの場合
ｓｂを、工ｎ ２０ ｘ、の場合Ｓｎを添加しているが
、 ８ｎを工ｎ２０３に添加する場合Ｓｎ力；ｏ、ｓ
ｗｔ％で抵抗率ρは約１Ω−αとなる。なお、抵抗率を
下げるための化学量論組成からのずれや不純物添加は帯
電防止に何ら悪形ｑ１を与えない。また１種類によらず
、帯電防止としての効果は同程度であった。これらの薄
膜は透明導電膜としてオプトエレクトロニクスなどに不
可欠な工業材料として広く実用化されており、スプレー
法、 ＯＶＤ法。
スパッタ法等で成膜されている。
上記のように構成された磁気ディスクは、潤滑剤の剥離
が減少し、帯電防止層の抵抗率ρ７５（１Ω。
が減少し、帯電防止層の抵抗率ρ７５（１Ω。
α以下の場合、 ａＳＳテストでは従来の帯電防止Ｊ
―が無い場合に比較してａＳＳ回数が約２倍となった。
―が無い場合に比較してａＳＳ回数が約２倍となった。
このことはヘッドクラッシュが減少すること７示してい
る。
る。
この発明は以上説明したとおり、γ−Ｆ ｅ ２０３膜
で形成された磁気記録媒体と潤滑剤層との間に。
で形成された磁気記録媒体と潤滑剤層との間に。
導電性酸化物膜で形成された帯電防止層を介在させたの
で、磁気記録媒体から静電気が速やかに逃げ、その為潤
滑剤の剥離が起こりに〈〈、ヘッドクラッシュによる故
障が減少し、信頼性の高い磁気ディスクが得られるとい
う効果がある。
で、磁気記録媒体から静電気が速やかに逃げ、その為潤
滑剤の剥離が起こりに〈〈、ヘッドクラッシュによる故
障が減少し、信頼性の高い磁気ディスクが得られるとい
う効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による磁気ディスクを示す
部分断面図、第２図は従来の磁気ディスクを示す部分断
面図である。 図において、（１）は基材−２）は下地層、（３）は磁
気記録媒体、（４）は潤滑剤層、（５）は帯電防止層で
ある。
部分断面図、第２図は従来の磁気ディスクを示す部分断
面図である。 図において、（１）は基材−２）は下地層、（３）は磁
気記録媒体、（４）は潤滑剤層、（５）は帯電防止層で
ある。
Claims (1)
- γ−Ｆｅ＿２Ｏ＿３膜で形成された磁気記録媒体と潤滑
剤層との間に、導電性酸化物膜で形成された帯電防止層
を介在させた磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25820184A JPS61137221A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25820184A JPS61137221A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137221A true JPS61137221A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17316906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25820184A Pending JPS61137221A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137221A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158035A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS59180828A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | Fujitsu Ltd | 磁気デイスクおよびその製造方法 |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP25820184A patent/JPS61137221A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158035A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS59180828A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | Fujitsu Ltd | 磁気デイスクおよびその製造方法 |
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