JPS61138947A - レジスト膜パタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジスト膜パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS61138947A JPS61138947A JP26233384A JP26233384A JPS61138947A JP S61138947 A JPS61138947 A JP S61138947A JP 26233384 A JP26233384 A JP 26233384A JP 26233384 A JP26233384 A JP 26233384A JP S61138947 A JPS61138947 A JP S61138947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- pattern
- substrate
- resist
- film pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置を製造する工程などに用いられてい
る、レジスト膜パターンの形成方法の改善に関する。
る、レジスト膜パターンの形成方法の改善に関する。
周知のように、ＩＣなどの半導体装置を製造する際には
、半導体ウェハーに繰り換えしレジスト膜パターンが焼
付けられ、エツチングされるフォトプロセスが用いられ
ており、このレジスト膜パターンは半導体装置の性能・
品質に重要な影響を与えるものである。
、半導体ウェハーに繰り換えしレジスト膜パターンが焼
付けられ、エツチングされるフォトプロセスが用いられ
ており、このレジスト膜パターンは半導体装置の性能・
品質に重要な影響を与えるものである。
一方、最近におけるＩＣの発展は非常に目覚ましく、そ
れらはすべて高集積化・高密度化する方向に技術的検討
が進められている。そのため、レジスト膜で形成するパ
ターンも掻めて微細化されており、例えば、電子ビーム
露光方式が採られているのがその典型的な例である。
れらはすべて高集積化・高密度化する方向に技術的検討
が進められている。そのため、レジスト膜で形成するパ
ターンも掻めて微細化されており、例えば、電子ビーム
露光方式が採られているのがその典型的な例である。
従って、被処理基板、例えば半導体基板やマスク基板の
上に形成する微細なレジスト膜パターンには、僅少のパ
ターンずれや塵の付着も許されず、欠陥のないレジスト
膜パターンが形成されることが要望されている。
上に形成する微細なレジスト膜パターンには、僅少のパ
ターンずれや塵の付着も許されず、欠陥のないレジスト
膜パターンが形成されることが要望されている。
［従来の技術］
ところで、レジスト膜パターンは、被処理基板上にレジ
スト液を塗布し、露光・現像して形成されるが、レジス
トにはポジ型レジストとネガ型レジストの２種類があり
、又、紫外線露光、遠紫外線露光、電子ビーム露光など
の露光方法によって異なった種類のレジスト材料が用い
られている。
スト液を塗布し、露光・現像して形成されるが、レジス
トにはポジ型レジストとネガ型レジストの２種類があり
、又、紫外線露光、遠紫外線露光、電子ビーム露光など
の露光方法によって異なった種類のレジスト材料が用い
られている。
例えば、ポジ型の紫外線露光にはフェノールノボラック
樹脂が多く、ポジ型の遠紫外線露光、電子ビーム露光に
はＰＭＭＡ （ポリメチルメタアクリレート）が使用さ
れると云った状況である。
樹脂が多く、ポジ型の遠紫外線露光、電子ビーム露光に
はＰＭＭＡ （ポリメチルメタアクリレート）が使用さ
れると云った状況である。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、すべてのレジストは有機樹脂製であって、その
レジスト液を塗布し、ベータして溶媒を蒸発させると、
レジスト膜は非導電性の絶縁体膜になる。
レジスト液を塗布し、ベータして溶媒を蒸発させると、
レジスト膜は非導電性の絶縁体膜になる。
従って、レジスト膜は保管中に静電気を帯びてゴミを吸
着しやすく、その影響でパターンに欠陥が形成され易い
。また、露光・現像してパターンニングしたレジスト膜
パターンは、走査型顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する検査が
行なわれるが、その場合、レジスト膜が絶縁体のために
、チャージアップが起こって像がシフトし、検査エラー
が生じる問題がある。
着しやすく、その影響でパターンに欠陥が形成され易い
。また、露光・現像してパターンニングしたレジスト膜
パターンは、走査型顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する検査が
行なわれるが、その場合、レジスト膜が絶縁体のために
、チャージアップが起こって像がシフトし、検査エラー
が生じる問題がある。
更に、電子ビーム露光方法では、被処理基板上に塗布し
たレジスト膜に電子ビームを照射して露光する際に、同
様にチャージアップが起こって、ビームが異常偏向し、
正規なパターン位置から僅かな位置ずれを起こす問題が
ある。
たレジスト膜に電子ビームを照射して露光する際に、同
様にチャージアップが起こって、ビームが異常偏向し、
正規なパターン位置から僅かな位置ずれを起こす問題が
ある。
本発明はこれらの問題点を解消するための、半導体装置
の製造方法を提案するものである。
の製造方法を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その問題は、導電性微粉末を混合分散させたレジスト膜
を被処理基板上に被覆し、該レジスト膜からなるパター
ンを形成する工程が含まれる半導体装置の製造方法によ
って解決される。
を被処理基板上に被覆し、該レジスト膜からなるパター
ンを形成する工程が含まれる半導体装置の製造方法によ
って解決される。
［作用〕
即ち、半導体基板上にレジスト液を塗布する前に、レジ
スト液に導電性微粉末を混合しておき、それを塗布・ベ
ークしてレジスト膜として、そのレジスト膜を露光・現
像する。
スト液に導電性微粉末を混合しておき、それを塗布・ベ
ークしてレジスト膜として、そのレジスト膜を露光・現
像する。
そうすると、塗布・ベータしたレジスト膜、および、そ
れを露光・現像して形成したレジスト膜パターンには導
電性があって、静電帯電やチャージアップが起こらなく
なる。
れを露光・現像して形成したレジスト膜パターンには導
電性があって、静電帯電やチャージアップが起こらなく
なる。
［実施例］
以下９本発明にがかる一実施例を図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
さて、導電性微粉末としては、酸化錫（Ｓｎ０２）や酸
化インジウム（ＩｎＯ２）が適しており、これらは透明
で導電性がある。そのような物質の粒度が０．１μｍ程
度の微粉末をレジスト液に数％〜１０％程度混合して、
均一に分散したレジス）Ｉｌｌを塗布する。微粉末をレ
ジスト液に混合分散させる方法としては、例えば、粒度
０．１μｍの酸化錫粉末を０ＦＰＲ用シンナーに混合し
、更に、それを０ＦＰＲ−ＳＯＯ＜商品名）と混合して
粘度５〜３０ＣＰのレジスト液にする。
化インジウム（ＩｎＯ２）が適しており、これらは透明
で導電性がある。そのような物質の粒度が０．１μｍ程
度の微粉末をレジスト液に数％〜１０％程度混合して、
均一に分散したレジス）Ｉｌｌを塗布する。微粉末をレ
ジスト液に混合分散させる方法としては、例えば、粒度
０．１μｍの酸化錫粉末を０ＦＰＲ用シンナーに混合し
、更に、それを０ＦＰＲ−ＳＯＯ＜商品名）と混合して
粘度５〜３０ＣＰのレジスト液にする。
第１図は本発明にかかる塗布工程の概要断面図を示して
おり、被処理基板１がスピンナー２の回転台に取付けら
れて、回転している状態にあり、その上からマグネチッ
ク攪拌器３で攪拌しながら、酸化錫が混合分散されたレ
ジスト液４を、定量だけ被処理基板１上に滴下する。こ
の時、スピンナーの回転速度を１０００〜５０００ＰＰ
Ｍとして、滴下ｉ、２０〜３０秒程度回転させてスピン
乾燥する。
おり、被処理基板１がスピンナー２の回転台に取付けら
れて、回転している状態にあり、その上からマグネチッ
ク攪拌器３で攪拌しながら、酸化錫が混合分散されたレ
ジスト液４を、定量だけ被処理基板１上に滴下する。こ
の時、スピンナーの回転速度を１０００〜５０００ＰＰ
Ｍとして、滴下ｉ、２０〜３０秒程度回転させてスピン
乾燥する。
次いで、１００°Ｃで３０分間ベークして、レジスト膜
１０にした後、第２図（ａｌに示す断面図のように紫外
線露光を行なう。本例はガラス坂１１上に被覆したクロ
ム膜１２をパターンニングするマスク基板が被処理基板
である。
１０にした後、第２図（ａｌに示す断面図のように紫外
線露光を行なう。本例はガラス坂１１上に被覆したクロ
ム膜１２をパターンニングするマスク基板が被処理基板
である。
露光した後、レジスト膜を現像してレジスト膜パターン
１０が形成されるが、その工程でレジスト膜パターンの
中間検査がＳＥＭを用いておこなわれる。第２図山）に
示す断面図はその途中工程図であり、従来、その中間検
査で絶縁体のレジスト膜パターン１０にトラップされた
電子の影響で、電界が曲がって像がシフトし、正しいパ
ターンを観察することができず、検査エラーが発生して
いた。
１０が形成されるが、その工程でレジスト膜パターンの
中間検査がＳＥＭを用いておこなわれる。第２図山）に
示す断面図はその途中工程図であり、従来、その中間検
査で絶縁体のレジスト膜パターン１０にトラップされた
電子の影響で、電界が曲がって像がシフトし、正しいパ
ターンを観察することができず、検査エラーが発生して
いた。
しかし、本発明によるレジスト膜パターンは、導電性を
有するから、そのエラーが解消される。
有するから、そのエラーが解消される。
従って、一層高精度なレジスト膜パターンが得られ、そ
のレジスト膜パターンをマスクとしてクロム膜をエツチ
ングすると、第２図（Ｃ）に示すような高精度な微細ク
ロムマスクが得られる。
のレジスト膜パターンをマスクとしてクロム膜をエツチ
ングすると、第２図（Ｃ）に示すような高精度な微細ク
ロムマスクが得られる。
他の実施例として、電子ビームで露光する場合は、従来
、スキャンユング時に電界が曲って、誤つたパターンが
描画されていたが、本発明のようにレジスト膜に導電性
を持たせると、それが解消され、正しいパターンが描画
される。
、スキャンユング時に電界が曲って、誤つたパターンが
描画されていたが、本発明のようにレジスト膜に導電性
を持たせると、それが解消され、正しいパターンが描画
される。
又、このようにレジスト膜に導電性を与えれば、帯電し
なくなるため、ゴミの付着が少なくなって、パターン欠
陥が減少する。
なくなるため、ゴミの付着が少なくなって、パターン欠
陥が減少する。
［発明の効果］
以上の説明から判るように、本発明によれば精度良いレ
ジスト膜パターンを設けることができて、フォトプロセ
スにおけるパターン精度が向上し、半導体装置の高品質
化に役立つものである。
ジスト膜パターンを設けることができて、フォトプロセ
スにおけるパターン精度が向上し、半導体装置の高品質
化に役立つものである。
第１図は本発明にかかるレジスト液の滴下工程の概要断
面図、 第２図（ａ）、 （ｂｌ、 （Ｃ１はレジスト膜パター
ン形成方法の工程順断面図である。 図において、 １は被処理基板、 ２はスピンナー、３は攪拌器、
４はレジスト液、１０はレジスト膜および
レジスト膜パターン、１１はガラス基板、 １２は
クロム膜を示している。
面図、 第２図（ａ）、 （ｂｌ、 （Ｃ１はレジスト膜パター
ン形成方法の工程順断面図である。 図において、 １は被処理基板、 ２はスピンナー、３は攪拌器、
４はレジスト液、１０はレジスト膜および
レジスト膜パターン、１１はガラス基板、 １２は
クロム膜を示している。
Claims (2)
- （１）導電性微粉末を混合分散させたレジスト膜を被処
理基板上に被覆し、該レジスト膜からなるパターンを形
成する工程が含まれてなることを特徴とするレジスト膜
パターンの形成方法。 - （２）前記導電性微粉末が透光性物質からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジスト膜パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26233384A JPS61138947A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | レジスト膜パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26233384A JPS61138947A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | レジスト膜パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61138947A true JPS61138947A (ja) | 1986-06-26 |
Family
ID=17374306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26233384A Pending JPS61138947A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | レジスト膜パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61138947A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11054152B2 (en) | 2016-10-21 | 2021-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air conditioner |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5937778A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-03-01 | Asahi Hoso Kk | 可変露出テレビカメラ装置 |
| JPS59115676A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Canon Inc | 撮像装置 |
| JPS59122288A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
1984
- 1984-12-11 JP JP26233384A patent/JPS61138947A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5937778A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-03-01 | Asahi Hoso Kk | 可変露出テレビカメラ装置 |
| JPS59115676A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Canon Inc | 撮像装置 |
| JPS59122288A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11054152B2 (en) | 2016-10-21 | 2021-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air conditioner |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0222657A (ja) | パターン形成方法および半導体装置製造方法 | |
| US4401745A (en) | Composition and process for ultra-fine pattern formation | |
| CN104597719B (zh) | 基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法 | |
| US4383026A (en) | Accelerated particle lithographic processing and articles so produced | |
| JP2867479B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| EP0350876A2 (en) | Process for the production of dielectric layers in planar circuits on ceramic substrates | |
| JPS59107347A (ja) | パタ−ン形成材料 | |
| JPS6248211B2 (ja) | ||
| US4233394A (en) | Method of patterning a substrate | |
| JPS6169130A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0226016A (ja) | 回路パターンの描画方法 | |
| JP2651192B2 (ja) | レジスト材料及びその製造方法 | |
| JPH0547098B2 (ja) | ||
| JPS6026943A (ja) | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法 | |
| US3676127A (en) | Color television tube fabrication | |
| JPS59107348A (ja) | パタ−ン形成材料 | |
| Hatzakis | Electron beam processing systems (a state of the art review) | |
| JP3098090B2 (ja) | 導電性レジスト | |
| JPS62212648A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPS60191245A (ja) | レジスト膜材料およびレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH07325385A (ja) | ホトレジスト膜の形成方法とホトプレート | |
| JPS6151414B2 (ja) | ||
| KR100442968B1 (ko) | 반도체소자의감광막형성방법 | |
| WO1980002752A1 (en) | Accelerated particle lithographic processing and articles so produced | |
| Harris | Electron Beam Techniques for Microelectronic Device Fabrication |