JPS61143379A - チアゾ−ル酢酸誘導体の製法 - Google Patents

チアゾ−ル酢酸誘導体の製法

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JPS61143379A
JPS61143379A JP26479984A JP26479984A JPS61143379A JP S61143379 A JPS61143379 A JP S61143379A JP 26479984 A JP26479984 A JP 26479984A JP 26479984 A JP26479984 A JP 26479984A JP S61143379 A JPS61143379 A JP S61143379A
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group
compound
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formula
formulas
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JP26479984A
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English (en)
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Toyoo Oine
大稲 豊生
Yoshihisa Yamada
義久 山田
Chikara Hongo
本郷 主税
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Tanabe Pharma Corp
Original Assignee
Tanabe Seiyaku Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はセファロスポリン化合物の合成中間体として有
用な下記一般式で示されるチアゾール酢酸誘導体の製法
に関する。
(但し、 R1′NH−はアミ7基又は保護されたアミ
ノM 、  −GOOR”は力シボキシ基又は保護され
た力〜ボキシ基を表わす。) (従来の技術) 特開昭59−51292号には下記反応式で示されるチ
アゾール酢酸誘導体の製法が記載されている。
(但し、 Trはトリチル基を表わす。)(発明の目的
) 本発明は、優れた抗菌作用を有するセファロスポリン化
合物の合成中間体として有用なチアゾ−μ酢酸誘導体(
I)の新規製法を提供しようとす・るものである。
(発明の構成及び効果) 本発明によれば、目的化合物(I)は一般式(:但し、
  −COOR”はカルボキシ基又は保護された力Vポ
キシ基を表わす。) で示される化合物と一般式 (但し R3は置換もしくは非置換フエ二〜基又は低級
アルキル基を表わす。) で示される化合物とを反応させて一般式%式% (但し、−GOOR”は前記と同一意味を有する。)で
示される化合物とし、該化合物(ff)をハロゲン化剤
で処理して一般式 (但し zlはハロゲン原子を表わし、  −GOOR
”は前記と同一意味を有する。) で示される化合物とし、該化合物(V)と一般式%式%
() (但し、R”&アミノ基又は保護されたアミノ基を表わ
す。) で示される化合物とを反応させて一般式(但し、R”N
ト及び−COOR”  は前記と同一意味を有する6) で示される化合物とし、要すれば該化合物(I′)から
保護基を除去することにより製することができる。
上記反応において、記号1/で示される基としては1例
えば水素原子;又はホルミル基、アセチル基、ピパロイ
ル基の如き低級アルカノイル基;クロロアセチV基、ト
リフルオロアセチル基の如キモノー、ジーもしくはトリ
ハロゲノ−低級アルカノイ〃基:メトキシカルボニル基
、エトキシカMボニルM 6 tart、−プトキシカ
ルボニμ基の如き低級アルコキシカルボニV基;トリク
ロロエトキシカVボニル基の如きモノ−、ジーもしくは
トリハロゲノ−低級アVコキシカルボニル基;ベンジ〃
オキシカ〃ボニル基、P−メトキシベンジVオキシカル
ボニル基の如き置換もしくは非置換ベンジルオキシカル
ボニル基;ベンジ〃基、P−メトキシベンジy基、3,
4−ジメトキシベンジル基の如き置換もしくは非置換フ
ェニル低級アルキル基げられる。また記号R′で示され
る基としては0例えば水素原子;又はメチル基、エチル
基、 tart、 −エチル基の如き低級アyキ〃基;
ベンジル基、P−メトキシベンジル基、P−ニトロベン
ジA/ g (2)如き書換もしくは非置換フェニル低
級アVキル基;ベンズヒドリル基の如き保護基が挙げら
れる。
さらに記号BSで示される基としては1例えばフェニル
11s、p−メチルフェニル基の如き置換4L<は非置
換フェニル基又はメチル基、エチル基、プロピ〃基の如
き低級ア/L/キM基が挙げられる。
化合物(II)と化合物([[)との反応は適当な溶媒
中脱酸剤の存在下に実施することができる。脱酸剤とし
ては0例えば炭酸ア〃カリ金属(例えば8炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム)、水累化アVカリ金属(例えば、水
素化ナトリウム)、水酸化アルカリ金@C例えば、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム)などが挙げられる。溶
媒としては1例エバアセトン、テトラヒドロフラン、酢
Mエチtv、ジメチMスVホキシト、ジメ千Vホルムア
ミドなどが挙げられる。本反応は一10℃〜80℃。
好ましくは10℃〜50℃で実施するのが適当である。
化合物QV)とハロゲン化剤との反応は適当な溶媒中実
施することができる。ハロゲン化剤としては3例えば塩
化スルフリ〃、塩素、臭素、N−プロモサクlンイミド
、ピリジニウムハイドログロミドバープロミドなどが好
適に挙げられる。溶媒としては1例えばクロロホルム、
塩化メチレン。
四塩化炭素、1.2−ジクロロエタンなどが好適に挙げ
られる。本反応は0℃〜100℃、好ましくは10℃〜
50℃で実施するのが適当である。
化合物(V)と化合物(VI)との反応は適当を溶媒中
脱酸剤の存在下に実施することができる。脱酸剤として
は0例えば11.N−ジメチルアニリン、トリエチルア
ミン、ピリジンの如き有機第3級アミンが好適に挙げら
れる。溶媒としては0例えば低級ブルカノール(例えば
、メタノ−/I/、エタノール、イングロパノール)或
いはこれら溶媒と水との混合溶媒を好適に用いることが
できる。水反応Viio℃〜80℃、好ましくは70℃
〜qo℃で実施するのが適当である。
かくして得られる化合物げ)からの保護基の脱離は1例
えば加水分解、加溶媒分解、#処理、還元の如き常法に
より容易に実施することができる。
例えば、アミ7基の保護基R1’がホルミル基、アセチ
ル基1 tert、−ブトキシカルボニル基、トリチl
し基もしくはベンズヒドリル基及び/又はカルボキシ基
の保護基♂′がtert、−ブチル基もしくはベンズヒ
ドリル基である場合、これら保護基は化合物(1′)を
酸で処理することにより除去することができる。酸とし
ては8例えばギ駿、トリフルオロ酢酸、ベンゼンスルホ
ンWIN 、 p−)ルエンスルホン酸、塩酸、臭化水
Xfkどが挙げられる。本反応は適当な溶媒又は無溶媒
中で実施することができ。
溶媒としては例えば、水、メタノ−〃、エタノール、酢
酸、ジオキサンiどを使用することができる。本反応は
一30℃〜70℃、好ましくは10℃〜50℃で実施す
るのが適当である。なお1本反応において、′:aとし
てトリフルオロ詐りを用いる場合には、アニソールの存
在下に実施するのが好ましい。
また、アミノ基の保護基R1がトリチル基である場合、
該保護基の除去は化合物(工うを適当な溶媒中加熱する
ことによっても実施することができる。溶媒としては9
例えば低級アVカッ−/L/(例えば、メタノ−V、エ
タノール)、水、或いはこれらの混合溶媒などを好適に
使用することができる。本反応は40℃〜100℃、好
ましくは50’e〜80℃で実施するのが適当である。
アミノ基の保護基がベンジルオキシカVボニV基、P−
メトキシベンジルオキシカルポニル基、ベンジ/L基。
P−メトキシベンジル基もしくは3.4−ジメトキシヘ
ンシル基及び/又なカルボキシ基のl[iR”がベンジ
ル基、P−メトキシベンジル基もしくはP−ニトロベン
ジル基である場合、これら保護基の除去は化合物(工り
を水素ガス気流中触媒の存在下に接触還元することによ
シ実施することができる。触媒としては0例えばパッジ
ラム−炭酸バリウム、バッジラム1炭素バヲジウム黒な
どが好適に挙げられる。本接触遭元反応は適当な溶媒中
常圧乃至加工下O℃〜100℃、とくに10℃〜40℃
で実施するのが好ましい。溶媒としては0例えばメタノ
ール、エタノール、テトラヒドロフラン、水などを好適
に用いることができる。アミノ基の保31I基R1′が
トリフVオロアセチv基、ピバロイル基、メトキシカル
ボニル基もしくはエトキシカルボニル基及び/又はカル
ボキシ基の保護基R″′がメチM基、エチル基の如き低
級ア77 * A/基である場合、これら保護基は化合
物(I’)を加水分解することにより除去することがで
きる。化合物(Iりの加水分解は常法により実施するこ
とができ0例えば適当な溶媒中アルカリ試薬又は酸で処
理することにより実施することができる。γρ力・す試
薬としでは0例えば水p化アルカリ金W4(例えば水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム)、水酸化アルカリ土類
金属(例えば、水酸化カルシウム、水酸化バリウム)な
どが挙げられ、また酸としては例えば、塩酸、臭化水素
酸などが挙げられる。溶媒としては1例えば低級アルカ
ノール(メタノール、エタノール)、ジメチ〃ホ〃ムア
ミド、或いはこれら溶媒と水との混合溶媒などを好適に
使用することができる。本反応は10”0〜80℃、好
ましくは20℃〜60℃で実施するのが適当である。さ
らに、アミノ基の保護基W′がクロロアセチ〃基である
場合、該保護基は適当な溶媒中化合物(I5をチオ尿素
で処理することにより除去することができる。溶媒とし
ては2例えばメタノール、エタノール、水などを好適に
使用することができる。
本反応は20℃〜80℃、好ましくは20℃〜50℃で
実施するのが適当である。
上記反応において、原料化合物(1[)は分子内に1個
の不斉炭素原子を有する九め2個の光学異性体が存在す
るが、上記本発明の反応は全てラセミ化を伴うことなく
進行するなめ原料化合物として化合物(1[)の光学活
性体を使用すれば、目的化合物(I)を光学活性体とし
て容易に取得することができる。また目的化合物(I)
にはオキシイミノ基が2(すなわち、シン)配置の化合
物とF!(すなわち、アンチ)配置の化合物が存在する
が、上記本発明の反応においては、オキシイミノ基が主
として2配置である化合物(I)が生成する。
上記の如くして得られる本発明の目的化合物(I)Hセ
ファロスポリン化合物合成中間体として有用であり1例
えば特開昭59−51292号に記載されている優れた
抗閑活性を有するセファロスポリン化合物の合成中間体
と+−,て有用である。
尚、原料化合物(給の光学活性体は1例えば光学活性3
−ヒドロキシ−2−ピロリドン(AataChamia
a 5oandinavioa、 、 B 34 、7
3 ]−−733訂(1980年)参照)と一般式 %式% (但し 1gはハロゲン原子を表わし R1は前記と同
一意味を有する。) で示される化合物とを反応壊せることにより製すること
かできる。
実施例 1 (1)2−ヒドロキシイミノ−3−オキソ酪酸工寿 千Mエステ/l/ 3.21をアセトン2F+ff+/
に呑解し。
該溶液に炭酸カリウム4.21及び(R1−3−(p−
トシルオキシ)−2−ピロリドン7.6y−を加え室温
で15時間かく拌する。混合@を減圧下に濃縮乾固する
。残査に冷水50−?前え、該混合物を酢酸エチVで抽
出する。抽出液を乾燥後減圧下に濃縮乾固することによ
り1Zl−2−(((3S )−2−ピロリドン−3−
イ/L/)オキシイミノ〕−3−オキソ酪酸エチルエス
テル3.3F?得る。
N M R(00013)δ: 1.32(3H、t 、J=7Hz)、2.00 (3
1。
自) 、2.04−2.86(2TI 、ff1) 、
3.3−3.7(28。
111) 、4−36(2H、q 、J=7E[z )
 、4.96(1!1 。
6、Jgs7Hz) +7.5(II、broad s
)+21  (Kl−2−〔((3El)  −2−ピ
ロリドン−3−イ/I/)オキシイミノツー3−オキソ
酪酸エチルエステA/2.4Fを塩化メチレン15rn
lに溶解し。
該溶液に塩化スルフリル1.61を加え15〜25℃で
20時間かく拌する。混合物を減圧下に濃縮して溶媒を
留去する。残査全クロロホルムに溶解し、該溶液を水で
洗浄する。クロロホルム液を乾燥後減圧下に濃縮乾固す
ることにより、(Z)−2−(((3S)−2−ピロリ
ドン−3−イル)オキシイミノ〕−3−オキソー4−ク
ロロ酪酸エチVエステルを粗製物として得る。この粗製
物をエタノール20−に溶解し、該溶液にチオ尿素1.
01及びN、N−ジメチMアニリン1.2 F ?加え
20〜25℃で2時間かく拌する。混合物を減圧下に濃
縮して溶媒全留去する。残査をクロロホルムに溶解し、
該溶液を水及び炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄する。
クロロホルム液を乾燥後減圧下に濃縮して溶媒を留去す
る。残査をイソプロパツールで結晶化し、ろ取すること
により、ml−2−(2−アミ/チアゾ−A/−4−イ
A/)−2−(((3S)−2−ピロリドン−3−イ/
I/)オキシイミノ〕酢酸エチルエステyi、2pを得
ル。
M、p、160−163℃ 〔α〕哲 −15,90(C−1,メタノ−/L/)N
MR(DMlIO−d@)a  :  。
1−27 (3H、t 、J =7 Hz ) * 1
.93−2.60 (2” −’I)−3,1−3,5
(2H,ai)−4−32(2”*q−’−7Hg)、
4.74(IF5t  、J−7Hg)、8.93(I
II。
s)、7.30(211、s)、7.96(III、5
)fi / 4−1シーIW−4−4v)−2−C(<
3s>−2−ピロリドン−3−イ/I/)オキシイミノ
〕酢酸エチルエステル1.OFを加え20℃で1時間か
く拌する。混合物をlO鳴墳酸でpH5とし、811合
物を減圧下に濃縮してメタノールを留去する。
残査を10哄塩酸でPl(3とし、該混合物を水冷する
。析出晶をろ取し、メタノ−μで洗浄後乾燥することに
より、(zl−2−(2−アミノチアゾール−4−イル
)−2−(((3g)−2−ピロリドン−3−イA/)
オキVイミノ〕酢酸730IIPを得る。
M、p、  199−200℃ C分解)〔α〕甘せ5
0.8° (Cコ1.水)N  M  R(D  O+
 NaHCOi  )  δ :2.0−2.7(21
1、m)、3.3−3.6(2R,m)。
4.95(IFI 、t  、J−8k )、6.90
(ill  +!り上記実施例1に準拠して下記表記載
の化合物を上記表中の化合物は全て1!+配置である。
(注1):l’1MHの溶媒: CDCIg(注2):
 (a)%’  −:1g、8° (C−1,ジメ+p
v*Vムアミド) (注s> : ca)v−21,5° (C窃1.メタ
ノール)(注4):〔α)DI′−342° (C−1
,ジメチ〃ホVムアミド) (郡) : Cbg :ベンジVオキシカ〃ボニル〔原
料化合物の調製〕 (R1−3−ヒドロキF −2−ピロリドン(Aata
に2N水酸化ナトリウム15−を室温で加えけん濁物を
溶解させる。この溶液を一3〜5℃に冷却し、該溶液に
p−)シルクロリド5.7yを加え同温で1時間かく拌
する。混合物?10〜15℃で一夜かく拌後、該混合物
を2N塩#10&でPH2とする。混合物を減圧下に濃
縮してアセトンを留去する。残査をクロロホVムで抽出
し、抽出液を飽和食塩水で洗浄後乾燥する。クロロホル
ム液を減圧下に濃縮して溶媒を留去する。残査をエーテ
〃で結晶化し、酢酸エチルから再結晶することにより、
1R)−3−(p−)シルオキシ)−2−ピロリドン3
.5ノを得る。
輩、p、  148−149℃ 〔α〕π +17.7° (C,=1 、メタノ−/L
/)NMR(CDCIg)  δ: 2.0−2.7(211,+11)、2.43(3FI
、!l)3.1−3.5(21!、+m )、4.91
(IH,t、J−711g)7.2(lEi、broa
d)、7.32(2F1.d、2m9Hzン7.84 
(2H,d 、 J−9tlz )・−−−1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (但し、−COOR^2はカルボキシ基又は保護された
    カルボキシ基を表わす。) で示される化合物と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (但し、R^3は置換もしくは非置換フエニル基又は低
    級アルキル基を表わす。) で示される化合物とを反応させて一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (但し、−COOR^2′は前記と同一意味を有する。 )で示される化合物とし、該化合物(IV)をハロゲン化
    剤で処理して一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (但し、X^1はハロゲン原子を表わし、−COOR^
    2′は前記と同一意味を有する。) で示される化合物とし、該化合物(V)と一般式R^1
    ′NH−CS−NH_2 (VI) (但し、R^1′NH−はアミノ基又は保護されたアミ
    ノ基を表わす。) で示される化合物とを反応させて一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ′) (但し、R^1′NH−及び−COOR^2′は前記と
    同一意味を有する。) で示される化合物とし、要すれば該化合物( I ′)か
    ら保護基を除去することを特徴とする一般式▲数式、化
    学式、表等があります▼( I ) (但し、R^1NH−はアミノ基又は保護されたアミノ
    基、−COOR^2はカルボキシ基又は保護されたカル
    ボキシ基を表わす。) で示されるチアゾール酢酸誘導体の製法。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0101265A2 (en) * 1982-08-07 1984-02-22 Tanabe Seiyaku Co., Ltd. Novel cephalosporin compounds and preparation thereof
JPS59134784A (ja) * 1983-01-07 1984-08-02 Takeda Chem Ind Ltd アミノチアゾ−ル酢酸誘導体及びその製造法

Patent Citations (2)

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