JPS61148619A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61148619A JPS61148619A JP27003784A JP27003784A JPS61148619A JP S61148619 A JPS61148619 A JP S61148619A JP 27003784 A JP27003784 A JP 27003784A JP 27003784 A JP27003784 A JP 27003784A JP S61148619 A JPS61148619 A JP S61148619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- thin film
- magnetic head
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッドに関する。
従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、トラック幅の規制を
上部磁性膜又は下部磁性膜のパターニングにより行って
いた。その具体例を第５図〜第７図に示す。第５図に示
す落涙磁気ヘッド（１）は、非磁性基板（６）上の全面
に下部磁性膜（５）を形成し、この下部磁性Ｍ（５）上
にＳｉＯ□膜等の絶縁膜よりなるスペーサを介して形成
した上部磁性膜（２）によりトラック幅Ｔの規制を行５
ようにした例である。第５図中ｇはギャップ、（３）は
巻線導体、（４）は眉間絶縁膜である。第６図に示す薄
膜磁気ヘッド（７）は、非磁性基板（６）上の下部磁性
膜（５）をノーターニングし、この下部磁性膜（５）で
トラック幅Ｔの規制を行うようにした例である。αＱは
非磁性膜である。第７図に示す薄膜磁気ヘッド（８）は
、共通の磁性基板（９）上の上部磁性膜（２）でトラッ
ク幅Ｔの規制を行なうようにした例である。
上部磁性膜又は下部磁性膜のパターニングにより行って
いた。その具体例を第５図〜第７図に示す。第５図に示
す落涙磁気ヘッド（１）は、非磁性基板（６）上の全面
に下部磁性膜（５）を形成し、この下部磁性Ｍ（５）上
にＳｉＯ□膜等の絶縁膜よりなるスペーサを介して形成
した上部磁性膜（２）によりトラック幅Ｔの規制を行５
ようにした例である。第５図中ｇはギャップ、（３）は
巻線導体、（４）は眉間絶縁膜である。第６図に示す薄
膜磁気ヘッド（７）は、非磁性基板（６）上の下部磁性
膜（５）をノーターニングし、この下部磁性膜（５）で
トラック幅Ｔの規制を行うようにした例である。αＱは
非磁性膜である。第７図に示す薄膜磁気ヘッド（８）は
、共通の磁性基板（９）上の上部磁性膜（２）でトラッ
ク幅Ｔの規制を行なうようにした例である。
〔発明が解決しよ５とする問題点〕
従来の構造に係る薄膜磁気ヘッドにおいては、デプス上
の薄膜コアの幅は、トラック幅が一定であるため、デプ
スの深さがコア厚よりも犬きくなると巻線部のコアの飽
和により、ギャップ中磁界が急激に小さくなるとい５問
題点がある。第４図の曲線人は、第５図〜第７図に示す
上部磁性膜（２）及びパターニングされた下部磁性膜（
５）でトラック＠Ｔを規制するようにした磁気ヘッド（
１） ｅ （７） ｅ （８）について、デプス深さに
対するギャップ中磁界の変化を測定した結果を示す。薄
膜磁気ヘッドを高抗磁力記録媒体に対して飽和記録可能
な状態で長寿命化させるためには、デプス深さを大きく
する必要がある。ところが、従来の構造によりトラック
幅の規制を行う限り、そのイヤツブ中磁界は、トラック
幅の規制を行なう磁気コアの厚みで制限される。また、
デプス深さを大きくするためにコアの厚みを大きくする
と、薄膜のエツチング精度、スパッタ時間の長時間化等
の問題が生ずる。
の薄膜コアの幅は、トラック幅が一定であるため、デプ
スの深さがコア厚よりも犬きくなると巻線部のコアの飽
和により、ギャップ中磁界が急激に小さくなるとい５問
題点がある。第４図の曲線人は、第５図〜第７図に示す
上部磁性膜（２）及びパターニングされた下部磁性膜（
５）でトラック＠Ｔを規制するようにした磁気ヘッド（
１） ｅ （７） ｅ （８）について、デプス深さに
対するギャップ中磁界の変化を測定した結果を示す。薄
膜磁気ヘッドを高抗磁力記録媒体に対して飽和記録可能
な状態で長寿命化させるためには、デプス深さを大きく
する必要がある。ところが、従来の構造によりトラック
幅の規制を行う限り、そのイヤツブ中磁界は、トラック
幅の規制を行なう磁気コアの厚みで制限される。また、
デプス深さを大きくするためにコアの厚みを大きくする
と、薄膜のエツチング精度、スパッタ時間の長時間化等
の問題が生ずる。
本発明は、特にヘッド；アの飽和をなくシ、デプスの長
大化を可能とする薄膜磁気ヘッドを提供するものである
。
大化を可能とする薄膜磁気ヘッドを提供するものである
。
本発明におりでは、磁性基板にトラック幅を規制するた
めの溝を形成するとともにこの溝内に非磁性材を充填し
、この磁性基板上に絶縁膜と巻線導体を介して上部磁性
膜を形成することにより本薄膜磁気ヘッドを構成する。
めの溝を形成するとともにこの溝内に非磁性材を充填し
、この磁性基板上に絶縁膜と巻線導体を介して上部磁性
膜を形成することにより本薄膜磁気ヘッドを構成する。
磁性基板における非磁性材が充填された溝によりトラン
ク幅の規制を行うよ５１ＣＬ、上部磁性膜のコア幅をト
ラック幅より大きくしたことにより、薄膜磁気コアの飽
和をなくすことができる。
ク幅の規制を行うよ５１ＣＬ、上部磁性膜のコア幅をト
ラック幅より大きくしたことにより、薄膜磁気コアの飽
和をなくすことができる。
本発明の第１の実施例を第１図に示す。この実施例では
％ Ｎｉ −Ｚｎ フェライト、Ｍｎ−Ｚ’ｎフェラ
イト等より成る磁性基板α力に断面が略半円形状の溝（
２）を、その間の間隔がトラック幅Ｔとなるように１対
形成し、この両溝（６）内に非磁性材（至）全充填する
。この非磁性材υとしては、ガラス、５１ｏ２のような
絶縁材と金属との複合体等を使用することができる。そ
して、この磁性基板α環上に８１０□等の絶ＲＴＩＩと
巻線導体α→と６１０２等の層間絶縁膜（ロ）を形成し
た後、両溝（６）の非磁性材（至）に跨るように、例え
ばセンダストよりなる上部磁性膜αＱ′ｔ−形成するこ
とにより、本薄膜磁気ヘッドαηを構成する。この薄膜
磁気ヘッド（ロ）では、上部磁性膜ｅＬＱはデプス部の
上部においてトラック幅Ｔより大きいコア幅を有する。
％ Ｎｉ −Ｚｎ フェライト、Ｍｎ−Ｚ’ｎフェラ
イト等より成る磁性基板α力に断面が略半円形状の溝（
２）を、その間の間隔がトラック幅Ｔとなるように１対
形成し、この両溝（６）内に非磁性材（至）全充填する
。この非磁性材υとしては、ガラス、５１ｏ２のような
絶縁材と金属との複合体等を使用することができる。そ
して、この磁性基板α環上に８１０□等の絶ＲＴＩＩと
巻線導体α→と６１０２等の層間絶縁膜（ロ）を形成し
た後、両溝（６）の非磁性材（至）に跨るように、例え
ばセンダストよりなる上部磁性膜αＱ′ｔ−形成するこ
とにより、本薄膜磁気ヘッドαηを構成する。この薄膜
磁気ヘッド（ロ）では、上部磁性膜ｅＬＱはデプス部の
上部においてトラック幅Ｔより大きいコア幅を有する。
なお、この薄膜磁気ヘッドａ乃は、抗磁力Ｈｅの比較的
低い磁気記録媒体（約６０００・）に対応させたもので
ある。
低い磁気記録媒体（約６０００・）に対応させたもので
ある。
第２図に示す第２の実施例では、先ず、磁性基板（２）
上にセンダストのような高飽和磁束密度Ｂｓの材料より
成る下部磁性ｍ ａｓ を形成し、次に断面が略半円形
状の＃（６）を１対その間隔がトラック幅Ｔとなるよう
に形成し、との両溝（２）内に非磁性材（至）を充填す
る。磁性基板（１］）と非磁性材（至）の材料は、上記
実施例と同じである。そして、この磁性基板（１２）上
に上記実施例と、同様に、絶縁膜、巻線導体α→、眉間
絶縁膜（ト）及び上部磁性膜αＱを形成することにより
、本薄膜磁気ヘッド（至）′ｔ−構成する。なお、この
薄膜磁気ヘッド（至）は、抗磁力Ｈｅの大きい磁気記録
媒体（約１２０００ｅ ）に対応させたものである。
上にセンダストのような高飽和磁束密度Ｂｓの材料より
成る下部磁性ｍ ａｓ を形成し、次に断面が略半円形
状の＃（６）を１対その間隔がトラック幅Ｔとなるよう
に形成し、との両溝（２）内に非磁性材（至）を充填す
る。磁性基板（１］）と非磁性材（至）の材料は、上記
実施例と同じである。そして、この磁性基板（１２）上
に上記実施例と、同様に、絶縁膜、巻線導体α→、眉間
絶縁膜（ト）及び上部磁性膜αＱを形成することにより
、本薄膜磁気ヘッド（至）′ｔ−構成する。なお、この
薄膜磁気ヘッド（至）は、抗磁力Ｈｅの大きい磁気記録
媒体（約１２０００ｅ ）に対応させたものである。
第３図に示す第３の実施例では、先ず磁性基板α力に断
面が略半円形状の５！翰を１対形成した後、この両溝（
１）内も含めて磁性基板α壇上に高飽和磁束密度Ｂｓの
材料（例えばセンダスト）より成る下部磁性Ｍα樟を形
成する。この際、下部磁性膜部の形成により新たに出来
た両溝（ｌ！壇の間隔は、所望のトラック幅Ｔとなるよ
うにする。次に、この両溝（ハ）内に非磁性材（至）を
充填する。磁性基板０］）と非磁性材（至）の材料は、
第１の実施例と同じである。そして、この磁性基板（２
）上に第１の実施例と同様に絶縁膜、巻線導体α◆、層
間絶縁Ｍ（ロ）及び上部磁性膜ａＱｔ−形成することに
より、本薄膜磁気ヘッド（イ）を構成する。この薄膜磁
気ヘッド（２）は、抗磁力Ｈｅの大きい磁気記録媒体（
約１２０００の）に対応させたものである。
面が略半円形状の５！翰を１対形成した後、この両溝（
１）内も含めて磁性基板α壇上に高飽和磁束密度Ｂｓの
材料（例えばセンダスト）より成る下部磁性Ｍα樟を形
成する。この際、下部磁性膜部の形成により新たに出来
た両溝（ｌ！壇の間隔は、所望のトラック幅Ｔとなるよ
うにする。次に、この両溝（ハ）内に非磁性材（至）を
充填する。磁性基板０］）と非磁性材（至）の材料は、
第１の実施例と同じである。そして、この磁性基板（２
）上に第１の実施例と同様に絶縁膜、巻線導体α◆、層
間絶縁Ｍ（ロ）及び上部磁性膜ａＱｔ−形成することに
より、本薄膜磁気ヘッド（イ）を構成する。この薄膜磁
気ヘッド（２）は、抗磁力Ｈｅの大きい磁気記録媒体（
約１２０００の）に対応させたものである。
なお、上記実施例において、下部磁性膜（Ｌ枠、巻線導
体ａ４、上部磁性膜ぐＯ等は、スパッタリングで形成す
ることができる。また、高飽和磁束密度の材料として、
センメス） （Ｆｅ−Ａｔ−８ｉ）の他に例えば（Ｆｅ
Ｃｏ Ｎｉ ）（ＳｉＢ）系又は（ＦｅＣｏ Ｎ１
）（ＺｒＮｂ Ｔａ ）系のア七ルコアス材料を使用す
ることができる。
体ａ４、上部磁性膜ぐＯ等は、スパッタリングで形成す
ることができる。また、高飽和磁束密度の材料として、
センメス） （Ｆｅ−Ａｔ−８ｉ）の他に例えば（Ｆｅ
Ｃｏ Ｎｉ ）（ＳｉＢ）系又は（ＦｅＣｏ Ｎ１
）（ＺｒＮｂ Ｔａ ）系のア七ルコアス材料を使用す
ることができる。
第４図の曲線Ｂに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドについ
てデプス深さに対するギャップ中磁界の変化を測定した
結果を示す。このグラフから、本薄膜磁気ヘッドによれ
ば、磁性基板α力を用いると共に、基板側の溝でトラッ
ク幅を規制し、上部磁性膜０Ｑのコア幅をトラック幅よ
り大に形成したことにより、デプス深さが上部磁性膜α
Ｑのコア厚よりも大であっても、ヘッドコアの飽和が生
ぜず、ギャップ中磁界の急激な減少も生じなくなること
がわかる。
てデプス深さに対するギャップ中磁界の変化を測定した
結果を示す。このグラフから、本薄膜磁気ヘッドによれ
ば、磁性基板α力を用いると共に、基板側の溝でトラッ
ク幅を規制し、上部磁性膜０Ｑのコア幅をトラック幅よ
り大に形成したことにより、デプス深さが上部磁性膜α
Ｑのコア厚よりも大であっても、ヘッドコアの飽和が生
ぜず、ギャップ中磁界の急激な減少も生じなくなること
がわかる。
本薄膜磁気ヘッドによれば、薄膜磁気コアの形状をデプ
ス部でもトラック幅より大きくすることが可能になった
ので、コアの飽和をなくすことができる。また、デプス
の長大化により、薄膜磁気ヘッドの長寿命化も可能にな
る。
ス部でもトラック幅より大きくすることが可能になった
ので、コアの飽和をなくすことができる。また、デプス
の長大化により、薄膜磁気ヘッドの長寿命化も可能にな
る。
第１図〜第３図は本実施例に係る薄膜磁気ヘッドを示す
斜視図、第４図は本薄婁磁気ヘッドと従来例のデプス深
さに対するギャップ中磁界の変化を測定し九グラフ、第
５図〜Ｍ７図は従来例に係る薄膜磁気ヘッドを示す斜視
図である。 （６）、（ハ）は溝、（６）は非磁性材、α→は巻線導
体、（至）は層間絶縁膜、ａ・は上部磁性膜、Ｔはトラ
ック幅である。 第１図 第２図 第３図 第４図 デゲλ〔Ｐ橢ｌ 第５図 第６図
斜視図、第４図は本薄婁磁気ヘッドと従来例のデプス深
さに対するギャップ中磁界の変化を測定し九グラフ、第
５図〜Ｍ７図は従来例に係る薄膜磁気ヘッドを示す斜視
図である。 （６）、（ハ）は溝、（６）は非磁性材、α→は巻線導
体、（至）は層間絶縁膜、ａ・は上部磁性膜、Ｔはトラ
ック幅である。 第１図 第２図 第３図 第４図 デゲλ〔Ｐ橢ｌ 第５図 第６図
Claims (1)
- トラック幅を規制するための溝が形成され、かつ前記溝
内に非磁性材が充填されてなる磁性基板上に絶縁膜及び
巻線導体を介して上部磁性膜が形成されてなる薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270037A JPH0622050B2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270037A JPH0622050B2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148619A true JPS61148619A (ja) | 1986-07-07 |
| JPH0622050B2 JPH0622050B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=17480647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59270037A Expired - Lifetime JPH0622050B2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622050B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2641111A1 (ja) * | 1988-12-27 | 1990-06-29 | Thomson Csf | |
| EP0874355A3 (en) * | 1997-04-25 | 1999-08-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method for production thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5919214A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP59270037A patent/JPH0622050B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5919214A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツド |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2641111A1 (ja) * | 1988-12-27 | 1990-06-29 | Thomson Csf | |
| EP0376790A1 (fr) * | 1988-12-27 | 1990-07-04 | Thomson-Csf | Procédé de fabrication de têtes magnétiques planaires, et têtes magnétiques obtenues par un tel procédé |
| EP0874355A3 (en) * | 1997-04-25 | 1999-08-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method for production thereof |
| US6199267B1 (en) | 1997-04-25 | 2001-03-13 | Fujitsu, Limited | Method for the production of a magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622050B2 (ja) | 1994-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |