JPS61165701A - 多層光学素子 - Google Patents
多層光学素子Info
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- JPS61165701A JPS61165701A JP60280232A JP28023285A JPS61165701A JP S61165701 A JPS61165701 A JP S61165701A JP 60280232 A JP60280232 A JP 60280232A JP 28023285 A JP28023285 A JP 28023285A JP S61165701 A JPS61165701 A JP S61165701A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の薄膜層から成り、屈折率の大きい層と屈
折率の小さい層とを交互に有する薄膜積層体を支持する
基体を有する多層光学素子であって、この光学素子の平
面に垂直に入射する可視及び／又は赤外スペクトル領域
の電磁放射を処理する薄膜技術における多層光学素子に
関するものである。
折率の小さい層とを交互に有する薄膜積層体を支持する
基体を有する多層光学素子であって、この光学素子の平
面に垂直に入射する可視及び／又は赤外スペクトル領域
の電磁放射を処理する薄膜技術における多層光学素子に
関するものである。
本明細書では入射する電磁放射を処理するための光学素
子は、所定の波長の電磁放射に関して反射特性又は非反
射特性を有する複数層の系を意味するものとして理解さ
れるべきである。
子は、所定の波長の電磁放射に関して反射特性又は非反
射特性を有する複数層の系を意味するものとして理解さ
れるべきである。
反射特性を有し多層薄膜素子のような構造をした複数層
の系は英国特許出願第２．０２０．８４２号から既知で
ある。この英国特許出願に記載されている反射体は、各
層の厚さがλ／４（λは反射すべき放射の波長）に等し
い屈折率の大きい層と屈折率の小さい層とを交互に有す
る複数の（７〜９層）誘電体層を有している。これら複
数層は蒸着され、氷晶石と硫酸亜鉛との交互層、又はフ
ッ化トリュームと硫酸亜鉛との交互層から構成されてい
る。
の系は英国特許出願第２．０２０．８４２号から既知で
ある。この英国特許出願に記載されている反射体は、各
層の厚さがλ／４（λは反射すべき放射の波長）に等し
い屈折率の大きい層と屈折率の小さい層とを交互に有す
る複数の（７〜９層）誘電体層を有している。これら複
数層は蒸着され、氷晶石と硫酸亜鉛との交互層、又はフ
ッ化トリュームと硫酸亜鉛との交互層から構成されてい
る。
この既知の反射体の欠点は、蒸着によって形成された薄
膜層に固有の物理的な欠陥を有していることである。こ
の物理的欠陥は、反射すべき放射光の波長領域で不適当
な低い吸収を部分的に有していたり、十分にホモジニュ
スでなく、この結果散乱が生じたり吸収中心が発生して
しまう。従って、これらの誘電体層は、高出力レーザの
ミラーとして使用するには極めて不適当である。
膜層に固有の物理的な欠陥を有していることである。こ
の物理的欠陥は、反射すべき放射光の波長領域で不適当
な低い吸収を部分的に有していたり、十分にホモジニュ
スでなく、この結果散乱が生じたり吸収中心が発生して
しまう。従って、これらの誘電体層は、高出力レーザの
ミラーとして使用するには極めて不適当である。
本発明の目的は高出力レーザ用のミラーとして使用する
のに十分適合する本明細書冒頭部で泳べた型式の多層光
学素子を提供するものである。
のに十分適合する本明細書冒頭部で泳べた型式の多層光
学素子を提供するものである。
本発明による多層光学素子は複数の薄膜層から成り、屈
折率の大きい層と屈折率の小さい層とを交互に有する薄
膜積層体を支持する基体を□有する多層光学素子であっ
て、この光学素子の平面に垂直に入射する可視及び／又
は赤外スペクトル領域の電磁放射を処理する薄膜技術に
おける多層光学素子に基体を格子定数ａ０の単結晶基体
とすると共に、前記薄膜積層体を、前記基体上にエピタ
キシャル成長させた複数の単結晶層を以て構成し、且つ
薄膜積層体の格子定数をａｏにほぼ等しくしたことを特
徴とするものである。
折率の大きい層と屈折率の小さい層とを交互に有する薄
膜積層体を支持する基体を□有する多層光学素子であっ
て、この光学素子の平面に垂直に入射する可視及び／又
は赤外スペクトル領域の電磁放射を処理する薄膜技術に
おける多層光学素子に基体を格子定数ａ０の単結晶基体
とすると共に、前記薄膜積層体を、前記基体上にエピタ
キシャル成長させた複数の単結晶層を以て構成し、且つ
薄膜積層体の格子定数をａｏにほぼ等しくしたことを特
徴とするものである。
本発明による多層光学素子の一例は、基体から数えて偶
数番目の単結晶層を基体と同一の材料を以て構成したこ
とを特徴とするものである。
数番目の単結晶層を基体と同一の材料を以て構成したこ
とを特徴とするものである。
本発明の範囲内におい′ζは、基体を例えば燐化ガリュ
ーム単結晶とすることができる。シリコンと燐化ガリュ
ームとの交互単結晶層はへテロ−エピタキシー法によっ
て堆積させることができる。
ーム単結晶とすることができる。シリコンと燐化ガリュ
ームとの交互単結晶層はへテロ−エピタキシー法によっ
て堆積させることができる。
別の方法としては、基体を砒化ガリューム単結晶体を以
て構成することができる。シリコンと砒化ガリュームと
の交互単結晶層は、ヘテロ−エピタキシ一方法によって
堆積させることができる。
て構成することができる。シリコンと砒化ガリュームと
の交互単結晶層は、ヘテロ−エピタキシ一方法によって
堆積させることができる。
本発明では、基体とこの基体にエピタキシャル成長させ
た単結晶層とをガーネット構造を有する単結晶材料を以
て構成するこが好適である。
た単結晶層とをガーネット構造を有する単結晶材料を以
て構成するこが好適である。
ガーネット単結晶層の、例えば液晶からのエピタキシャ
ル成長は、゛物理的に言えば蒸着層に比べてほぼ完全な
層となり、従ってガーネット単結晶層はわずかな吸収中
心及びわずかな数の散乱中心を有するにすぎない。種々
の組成のガーネットを用いて少なくともほぼ等しい格子
定数を有するが屈折率の異なる値を有する複数層を組み
合せることができる。屈折率の大きな層と小さな層とを
交互に積層し、屈折率の差に応じて積層数を変えること
によって所望の反射率を実現することができる。
ル成長は、゛物理的に言えば蒸着層に比べてほぼ完全な
層となり、従ってガーネット単結晶層はわずかな吸収中
心及びわずかな数の散乱中心を有するにすぎない。種々
の組成のガーネットを用いて少なくともほぼ等しい格子
定数を有するが屈折率の異なる値を有する複数層を組み
合せることができる。屈折率の大きな層と小さな層とを
交互に積層し、屈折率の差に応じて積層数を変えること
によって所望の反射率を実現することができる。
本発明では、基体をガドリュームガリュームガーネッＩ
−（ＧＧＧ）を以て構成することが実際的である。ＧＧ
Ｇは高い光学性能、すなわち物理的欠陥が最小であって
光学的不均一性が無視できる程度のものを手に入れるこ
とができる。
−（ＧＧＧ）を以て構成することが実際的である。ＧＧ
Ｇは高い光学性能、すなわち物理的欠陥が最小であって
光学的不均一性が無視できる程度のものを手に入れるこ
とができる。
赤外線スペクトル領域の電磁放射を処理するためには、
基体から数えて奇数番目の単結晶ガーネット層をイット
リューム鉄ガーネットを基材とする材料を以て構成する
と共に、基体から数えて偶数番目の層をガドリュームガ
リュームガーネットを以て構成する。
基体から数えて奇数番目の単結晶ガーネット層をイット
リューム鉄ガーネットを基材とする材料を以て構成する
と共に、基体から数えて偶数番目の層をガドリュームガ
リュームガーネットを以て構成する。
例えば、ＧＧＧの基体上にイントリューム鉄ガーネット
（ＹＩＧ） （ｎ ＝２．２）とＧＧＧ（ｎ ＝２．０
）との交互層を反射特性が最良となるような厚さで成長
させた場合、２層の場合の反射率は１８％であり、１０
層の場合は４９％であり、１６層の場合の反射率は６９
％である。
（ＹＩＧ） （ｎ ＝２．２）とＧＧＧ（ｎ ＝２．０
）との交互層を反射特性が最良となるような厚さで成長
させた場合、２層の場合の反射率は１８％であり、１０
層の場合は４９％であり、１６層の場合の反射率は６９
％である。
光学的スペクトル領域の電磁放射を処理するためには、
基体から数えて奇数番目の単結晶ガーネット層をＹ３Ａ
ｌ３ＳＣ２０１ｔを基材とする材料を以て構成し、基体
から数えて偶数番目の単結晶ガーネット層をガドリュー
ムガリュームガーネットを以て構成する。
基体から数えて奇数番目の単結晶ガーネット層をＹ３Ａ
ｌ３ＳＣ２０１ｔを基材とする材料を以て構成し、基体
から数えて偶数番目の単結晶ガーネット層をガドリュー
ムガリュームガーネットを以て構成する。
これら以外にレーザ装置の反射素子又は非反射素子とし
ても有用性があり、本発明による光学素子は磁気光学的
に活性なガーネット層と組み合せて使用するにも好適で
ある。この磁気光学的に活性なガーネット層は、エピタ
キシャル単結晶ガーネット積層体の基体と反対側に形成
するか、又は基体とエピタキシャル単結晶ガーネット層
の積層体との間に形成することができる。この場合、積
層体を構成する複数のエピタキシャル単結晶ガーネット
層の各厚さを、使用する電磁放射の波長に対して最良の
反射率となるように選択する。
ても有用性があり、本発明による光学素子は磁気光学的
に活性なガーネット層と組み合せて使用するにも好適で
ある。この磁気光学的に活性なガーネット層は、エピタ
キシャル単結晶ガーネット積層体の基体と反対側に形成
するか、又は基体とエピタキシャル単結晶ガーネット層
の積層体との間に形成することができる。この場合、積
層体を構成する複数のエピタキシャル単結晶ガーネット
層の各厚さを、使用する電磁放射の波長に対して最良の
反射率となるように選択する。
一方、磁気光学的に活性なエピタキシャルガーネット層
をエピタキシャル成長させた第１の副積層体と第２副積
層体との間に形成することもでき、この場合には第１副
積層体の各層の厚さを使用する電磁放射の波長に対して
最良の反射が得られるように選択し、第２副積層体の各
層の厚さを使用する電磁放射の波長に対して最良の非反
射特性となるように選択する。この場合、第１副積層体
を例えば基体に隣接させ、処理すべき電磁放射を第２副
積層体を経て入射させる。
をエピタキシャル成長させた第１の副積層体と第２副積
層体との間に形成することもでき、この場合には第１副
積層体の各層の厚さを使用する電磁放射の波長に対して
最良の反射が得られるように選択し、第２副積層体の各
層の厚さを使用する電磁放射の波長に対して最良の非反
射特性となるように選択する。この場合、第１副積層体
を例えば基体に隣接させ、処理すべき電磁放射を第２副
積層体を経て入射させる。
以下図面に基いて本発明の詳細な説明する。
第１図に、例えばガドリュームガリュームガーネッ）
（ＧＧＧ）から成る単結晶基体ｌを示す。単結晶のガー
ネット層１１〜１６から成る積層体２を例えば液相から
気相成長させて基体１上に堆積する。
（ＧＧＧ）から成る単結晶基体ｌを示す。単結晶のガー
ネット層１１〜１６から成る積層体２を例えば液相から
気相成長させて基体１上に堆積する。
基体１は積層体２と共に本発明による光学素子を構成し
ている。厚さ及び屈折率に関し最大反射が得られるよう
に層１１〜１６を最良のものとする（これらの層はλ／
４層として考えることができる）と共に、これら層１１
〜１６が第１の屈折率ｎ＋（層１１゜１３、１５）と第
２の屈折率ｎｚ（層１２．１４．１６）を有している。
ている。厚さ及び屈折率に関し最大反射が得られるよう
に層１１〜１６を最良のものとする（これらの層はλ／
４層として考えることができる）と共に、これら層１１
〜１６が第１の屈折率ｎ＋（層１１゜１３、１５）と第
２の屈折率ｎｚ（層１２．１４．１６）を有している。
ここでｎｚ ＜ｎ、である。層１２．１４゜１６をＧＧ
Ｇ（ｎｚ ＝２．０）を以て構成し層１１．１３．１５
をＹＩＧ（ｎ、 ＝２．２）を以て構成し場合反射率は
３４％である（λ＝ ｌｏｏｏｎｍ）。基体１で直接測
定した反射率、すなわち７７４層を設けないで測定した
ときの反射率は１１％である。積層体２は６層以上又は
６層以下とすることができる。１／４７層の数の関数と
しての反射率を以下に示す。
Ｇ（ｎｚ ＝２．０）を以て構成し層１１．１３．１５
をＹＩＧ（ｎ、 ＝２．２）を以て構成し場合反射率は
３４％である（λ＝ ｌｏｏｏｎｍ）。基体１で直接測
定した反射率、すなわち７７４層を設けないで測定した
ときの反射率は１１％である。積層体２は６層以上又は
６層以下とすることができる。１／４７層の数の関数と
しての反射率を以下に示す。
１／４λ層の数 反射率（χ）
ＧＧＧ及びＹＩＧの格子定数は互いに十分近接している
ので（ａｏ ＝１２．３８３人とａ０＝１２．３７７人
）、それぞれエピタキシャル成長させることができる。
ので（ａｏ ＝１２．３８３人とａ０＝１２．３７７人
）、それぞれエピタキシャル成長させることができる。
第１図においてＩは入射光であり、Ｒは反射光であり、
Ｔは透過光である。
Ｔは透過光である。
最大反射ではなく最大透過を求める場合には（非反射特
性を有する層のシステムであるから）、このために層１
１〜１６の厚さ及び屈折率を最良のものとすることがで
きる。
性を有する層のシステムであるから）、このために層１
１〜１６の厚さ及び屈折率を最良のものとすることがで
きる。
光学的スペクトル範囲の電磁放射を取り扱うのに好適な
光学素子を得るために、ＧＧＧを基体１の材料としても
用いることができると共に、Ｙ３Ａｌ３ＳＣｚＯ＋ｚ（
ｎ＝Ｌ８）から成る層１１．１３及び１５とＧＧＧ（ｎ
＝２．０）から成る層１２．１４及び１６との交互層
をそれらの上にエピタキシャル成長させて堆積されるこ
とができる。ＧＧＧの格子定数（ａ、 ＝１２．３８３
人）とＹ３Ａｌ＋５ＣｚＯ＋ｚの格子定数（ａｏ ＝１
２．３８±０．０１）は互いに十分適合し得るので、そ
れぞれエピタキシャル成長させることができる。
光学素子を得るために、ＧＧＧを基体１の材料としても
用いることができると共に、Ｙ３Ａｌ３ＳＣｚＯ＋ｚ（
ｎ＝Ｌ８）から成る層１１．１３及び１５とＧＧＧ（ｎ
＝２．０）から成る層１２．１４及び１６との交互層
をそれらの上にエピタキシャル成長させて堆積されるこ
とができる。ＧＧＧの格子定数（ａ、 ＝１２．３８３
人）とＹ３Ａｌ＋５ＣｚＯ＋ｚの格子定数（ａｏ ＝１
２．３８±０．０１）は互いに十分適合し得るので、そ
れぞれエピタキシャル成長させることができる。
゛ 第２図は、エピタキシャル成長させたλ／４層から
成る積層体２を有する第１図に示す基体１を図示する。
成る積層体２を有する第１図に示す基体１を図示する。
本例では磁気光学的に活性な特性を有するガーネット層
３を積層体２上にエピタキシャル成長させている。この
ガーネット層３は、例えばイッリューム鉄ガーネット又
はビイスマスイソトリエーム鉄ガーネットを基材とする
合成物を有する磁気バブルガーネット層である。
３を積層体２上にエピタキシャル成長させている。この
ガーネット層３は、例えばイッリューム鉄ガーネット又
はビイスマスイソトリエーム鉄ガーネットを基材とする
合成物を有する磁気バブルガーネット層である。
積層体２を有する基体１は、磁気光学的活性層３に対し
て反射体として作用する。活性層３内の磁気バブル４は
検出装置によって検出することができ、この検出装置は
レーザ光源５、レーザ光源５の放射を集束させるための
レンズ系６，７、偏光子８、検光子９、半透過性ミラー
１０及び検出器２０を以て構成する。
て反射体として作用する。活性層３内の磁気バブル４は
検出装置によって検出することができ、この検出装置は
レーザ光源５、レーザ光源５の放射を集束させるための
レンズ系６，７、偏光子８、検光子９、半透過性ミラー
１０及び検出器２０を以て構成する。
この場合、基体１の前面側から検出を行なう。
しかしながら、基体１の後側から、すなわち基体１を透
過させて検出することも可能である。基体１の後側から
検出するのに好適な光学素子を第３図に線図的に示す。
過させて検出することも可能である。基体１の後側から
検出するのに好適な光学素子を第３図に線図的に示す。
基体１及び層１１〜１６から成る積層体２は第１図及び
第２図に示すものと同一であるが、この場合には磁気光
学的に活性な特性を有するエピタキシャル単結晶ガーネ
ット層３を基体１と積層体２との間に形成する。電磁放
射Ｉは基体１を経て入射し、活性層３を透過し、積層体
２の層数に依存する２７４層である積層体２によって部
分的に反射し、再び活性層３を透過し、基体１の自由面
側で検出される。磁気光学的活性層３は、反射特性を有
する副積層体２と非反射特性を有する副積層体２′との
間に形成することも任意に行なうことができる。
第２図に示すものと同一であるが、この場合には磁気光
学的に活性な特性を有するエピタキシャル単結晶ガーネ
ット層３を基体１と積層体２との間に形成する。電磁放
射Ｉは基体１を経て入射し、活性層３を透過し、積層体
２の層数に依存する２７４層である積層体２によって部
分的に反射し、再び活性層３を透過し、基体１の自由面
側で検出される。磁気光学的活性層３は、反射特性を有
する副積層体２と非反射特性を有する副積層体２′との
間に形成することも任意に行なうことができる。
第４図は本発明による光学素子を具える第１の型式のレ
ーザ装置を示す。このレーザ装置では、各端部にブリュ
ースタの角度の窓２２及び２３をそれぞれ有する放電管
２１をミラー２４及び２５の間に配置している。ミラー
２４及び２５は本発明による光学素子であり、各ミラー
２４及び２５は単結晶の基体１とこの基体上に屈折率の
高い層と屈折率の低い層とを交互にエピタキシャル成長
させた単結晶エピタキシャルガーネット層の積層体２と
を以て構成されている。厚さ及び屈折率は放電管２１か
らの放射光に対して最大反射となるように効率のよいも
のとする。
ーザ装置を示す。このレーザ装置では、各端部にブリュ
ースタの角度の窓２２及び２３をそれぞれ有する放電管
２１をミラー２４及び２５の間に配置している。ミラー
２４及び２５は本発明による光学素子であり、各ミラー
２４及び２５は単結晶の基体１とこの基体上に屈折率の
高い層と屈折率の低い層とを交互にエピタキシャル成長
させた単結晶エピタキシャルガーネット層の積層体２と
を以て構成されている。厚さ及び屈折率は放電管２１か
らの放射光に対して最大反射となるように効率のよいも
のとする。
第５図は第２の型式のレーザ装置を示す。本例では放電
管２６を２個のミラー２７及び２８の間に配置し、各ミ
ラー２７及び２８を本発明による反射光学素子を以て形
成する。本例ではコイル３０が巻装されている磁気光学
的に活性な素子３１を有する共振空胴２９を放電管２６
とミラー２８との間に配置する。このレーザ系の最大エ
ネルギーは共振空胴内で処理されるので、放電管２６か
らの放射に対して非反射特性を有することは磁気光学的
活性素子３１の両端において極めて重要である。この目
的を達成するため、例えば単結晶ガーネット基体を基材
とする磁気光学的活性素子３１の両端が積層体２′をそ
れぞれ有し、この積層体２′を放電管２６からの放射に
対して反射率が最小となるような屈折率及び厚さを有す
る単結晶エビタキシャルガーネ・７ト層を以て構成する
。
管２６を２個のミラー２７及び２８の間に配置し、各ミ
ラー２７及び２８を本発明による反射光学素子を以て形
成する。本例ではコイル３０が巻装されている磁気光学
的に活性な素子３１を有する共振空胴２９を放電管２６
とミラー２８との間に配置する。このレーザ系の最大エ
ネルギーは共振空胴内で処理されるので、放電管２６か
らの放射に対して非反射特性を有することは磁気光学的
活性素子３１の両端において極めて重要である。この目
的を達成するため、例えば単結晶ガーネット基体を基材
とする磁気光学的活性素子３１の両端が積層体２′をそ
れぞれ有し、この積層体２′を放電管２６からの放射に
対して反射率が最小となるような屈折率及び厚さを有す
る単結晶エビタキシャルガーネ・７ト層を以て構成する
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による反射特性を有する光学素子の断面
図、 第２図及び第３図は本発明による磁気光学的活性層を有
する光学素子の２個の異なる組合せを示す線図的正面図
、 第４図は本発明による２個の反射光学素子を具えるレー
ザ装置の構成を示す線図、 第５図は本発明による２個の反射素子及び２個の非反射
素子を具えるレーザ装置の構成を示す線図である。 １・・・基体 ２・・・積層体２′・・・
副積層体 ３・・・磁気光学的活性層５・・・レ
ーザ光源６，７・・・レンズ系８・・・偏光子
９・・・検光子１０・・・半透過性ミラー １１〜１６・・・ガーネット層 ２０・・・検出器特許
出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラン
ベンファプリケン 一一−ｑ−一ノ
図、 第２図及び第３図は本発明による磁気光学的活性層を有
する光学素子の２個の異なる組合せを示す線図的正面図
、 第４図は本発明による２個の反射光学素子を具えるレー
ザ装置の構成を示す線図、 第５図は本発明による２個の反射素子及び２個の非反射
素子を具えるレーザ装置の構成を示す線図である。 １・・・基体 ２・・・積層体２′・・・
副積層体 ３・・・磁気光学的活性層５・・・レ
ーザ光源６，７・・・レンズ系８・・・偏光子
９・・・検光子１０・・・半透過性ミラー １１〜１６・・・ガーネット層 ２０・・・検出器特許
出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラン
ベンファプリケン 一一−ｑ−一ノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の薄膜層から成り、屈折率の大きい層と屈折率
の小さい層とを交互に有する薄膜積層体を支持する基体
を有する多層光学素子であって、この光学素子の平面に
垂直に入射する可視及び／又は赤外スペクトル領域の電
磁放射を処理する薄膜技術における多層光学素子におい
て、前記基体を格子定数ａ＿０の単結晶基体とすると共
に、前記薄膜積層体を、前記基体上にエピタキシャル成
長させた複数の単結晶層を以て構成し、且つ薄膜積層体
の格子定数をａ＿０にほぼ等しくしたことを特徴とする
多層光学素子。 ２、基体から数えて偶数番目の単結晶層を基体と同一の
材料を以て構成したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の多層光学素子。 ３、前記基体及び基体上にエピタキシャル成長させた単
結晶を、ガーネット構造を有する単結晶材料を以て構成
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の多層光学素子。 ４、前記基体をガドリュームガリュームガーネットを以
て構成したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
の多層光学素子。 ５、赤外スペクトル領域の電磁放射を処理するために、
前記基体から数えて奇数番目の単結晶ガーネット層をイ
ッリューム鉄ガーネットを基材とする材料を以て構成す
ると共に、基体から数えて偶数番目の層をガドリューム
ガリュームガーネットを以て構成したことを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載の多層光学素子。 ６、可視スペクトル領域の電磁放射を処理するために、
前記基体から数えて奇数番目の単結晶ガーネット層をＹ
＿３Ａｌ＿３Ｓｃ＿２Ｏ＿１＿２を基材とする材料を以
て構成すると共に、基体から数えて偶数番目の単結晶ガ
ーネット層をガドリュームガリュームガーネットを以て
構成したことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
多層光学素子。 ７、前記複数の単結晶ガーネット層から成る積層体を基
体に隣接させると共に、磁気光学的に活性なエピタキシ
ャル単結晶層を前記積層体の基体と反対側に形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項乃至第６項記載の
いずれか１に記載の多層光学素子。 ８、前記基体が磁気光学的に活性なエピタキシャル単結
晶層を支持し、複数の単結晶ガーネット層から成る積層
体を磁気光学的に活性なガーネット層上にエピタキシャ
ル成長させたことを特徴とする特許請求の範囲第３項乃
至第６項記載のいずれか１に記載の多層光学素子。 ９、複数の単結晶ガーネット層からなる第１の副積層体
と、複数の単結晶ガーネット層から成る第２の副積層体
との間に磁気光学的に活性なエピタキシャル単結晶層を
挟持し、この磁気光学的に活性なエピタキシャル単結晶
層を基体上に支持し、前記第１の副積層体の単結晶ガー
ネット層の厚さを所定波長の電磁放射の反射に対して最
良のものとし、前記第２の副積層体の単結晶ガーネット
層の厚さを所定波長の電磁放射の非反射に対して最良の
ものとしたことを特徴とする特許請求の範囲第３項乃至
第６項のいずれか１に記載の多層光学素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8403816A NL8403816A (nl) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | Meerlaags optisch bouwelement. |
| NL8403816 | 1984-12-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61165701A true JPS61165701A (ja) | 1986-07-26 |
| JPH07107561B2 JPH07107561B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=19844916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60280232A Expired - Lifetime JPH07107561B2 (ja) | 1984-12-17 | 1985-12-14 | 多層光学素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0187400B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07107561B2 (ja) |
| DE (1) | DE3571107D1 (ja) |
| NL (1) | NL8403816A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63296001A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Toshinori Takagi | 光学結晶性膜 |
| JPS6456424A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Fujitsu Ltd | Production of organic film |
| JPH0194300A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-12 | Canon Inc | Ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡の作成方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261539A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 焦点検出装置 |
| DE102021129829A1 (de) * | 2021-11-16 | 2023-05-17 | Precitec Gmbh & Co. Kg | Ablenkvorrichtung mit beschichtetem Spiegelelement sowie Laserbearbeitungskopf mit derselben |
| CN116540333A (zh) * | 2023-05-06 | 2023-08-04 | 安徽光智科技有限公司 | 一种8~12μm波段高透过率膜系及其制备方法以及应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165959A (ja) * | 1974-12-05 | 1976-06-08 | Sumitomo Electric Industries | Tasomakuhikarihenchososhi oyobi sonoseizoho |
| JPS52109893A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture for photo integration circuit |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2006456B (en) * | 1977-10-04 | 1983-06-02 | Sperry Rand Ltd | Magneto-optical phase modulatiing devices |
| US4222668A (en) * | 1978-02-23 | 1980-09-16 | Rockwell International Corporation | Ferrimagnetic Faraday elements for ring lasers |
| US4195908A (en) * | 1978-05-15 | 1980-04-01 | Sperry Corporation | Magnetic mirror for imparting non-reciprocal phase shift |
-
1984
- 1984-12-17 NL NL8403816A patent/NL8403816A/nl not_active Application Discontinuation
-
1985
- 1985-11-22 DE DE8585201931T patent/DE3571107D1/de not_active Expired
- 1985-11-22 EP EP85201931A patent/EP0187400B1/en not_active Expired
- 1985-12-14 JP JP60280232A patent/JPH07107561B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165959A (ja) * | 1974-12-05 | 1976-06-08 | Sumitomo Electric Industries | Tasomakuhikarihenchososhi oyobi sonoseizoho |
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| JPS6456424A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Fujitsu Ltd | Production of organic film |
| JPH0194300A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-12 | Canon Inc | Ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡の作成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07107561B2 (ja) | 1995-11-15 |
| NL8403816A (nl) | 1986-07-16 |
| EP0187400B1 (en) | 1989-06-14 |
| EP0187400A1 (en) | 1986-07-16 |
| DE3571107D1 (en) | 1989-07-20 |
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