JPS61167904A - 光フイルタおよび光フイルタ作製法 - Google Patents
光フイルタおよび光フイルタ作製法Info
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- JPS61167904A JPS61167904A JP60008585A JP858585A JPS61167904A JP S61167904 A JPS61167904 A JP S61167904A JP 60008585 A JP60008585 A JP 60008585A JP 858585 A JP858585 A JP 858585A JP S61167904 A JPS61167904 A JP S61167904A
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- optical filter
- film
- single crystal
- glass film
- glass
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔踵業上の利用分野〕
不発明は１光フイルタｇよびその作＃！法に関するもの
である。
である。
ｉ１３図に従来の光フイルタの構成を示す。厚いガラス
板１に金属膜あるいは多ｔｉｌｅ濃からなる光フイルタ
膜２を形成し、これを図に示す工うに斜めに配置すると
、入射光の＠３と透過光の軸４の間に光軸ずれΔを生じ
る。このΔは、ガラス板４をｔ、ガラスの屈折率をｎ、
入射角なθと丁れば次式で与えられる。
板１に金属膜あるいは多ｔｉｌｅ濃からなる光フイルタ
膜２を形成し、これを図に示す工うに斜めに配置すると
、入射光の＠３と透過光の軸４の間に光軸ずれΔを生じ
る。このΔは、ガラス板４をｔ、ガラスの屈折率をｎ、
入射角なθと丁れば次式で与えられる。
例えばθ＝４５°の時には、ｎ＝１−４８である力）ら
となり、ｔ＝１ｍでも０．４絽のずれを生じ、光字系の
組立てに大ざな問題となる。これを防止するためにはガ
ラス板１の厚さを薄くてればよいが。
組立てに大ざな問題となる。これを防止するためにはガ
ラス板１の厚さを薄くてればよいが。
ガラス板１を薄くした場合には光フイルタの強度が著し
く弱（なるという問題を生じる口また。従来の光フイル
タとして、４４図に示す工うに、２ケの直角プリズム５
．６の斜面に＆属膜または多層膜からなる光フイルタ虜
７を形成したものが知られている。しかし、プリズムを
作製をする。 は加工精度ｆｔ喪し、プリズムの３面を
研１ｓするので作菓臘が多く１価格が極めて高（なると
いう欠点がある。また、このＮ遺では小形１ヒが非常に
＃Ｌいという問題もある。
く弱（なるという問題を生じる口また。従来の光フイル
タとして、４４図に示す工うに、２ケの直角プリズム５
．６の斜面に＆属膜または多層膜からなる光フイルタ虜
７を形成したものが知られている。しかし、プリズムを
作製をする。 は加工精度ｆｔ喪し、プリズムの３面を
研１ｓするので作菓臘が多く１価格が極めて高（なると
いう欠点がある。また、このＮ遺では小形１ヒが非常に
＃Ｌいという問題もある。
本発明では、上記従来の光フイルタで生じる欠点↓込丁
なわら、入射光と透過光の光軸ずれ１光フイルタの高価
格化、大盤化を問題としている。
なわら、入射光と透過光の光軸ずれ１光フイルタの高価
格化、大盤化を問題としている。
〔問題点’４ｔ＄央するための手段〕
本発明のうち、＃ｉｌの発明である光フイルタは、光フ
イルタ１１１１ｆｔ’形成した石英系ガラス膜にＳｔ早
結晶の忰を形成してなるものである。
イルタ１１１１ｆｔ’形成した石英系ガラス膜にＳｔ早
結晶の忰を形成してなるものである。
また、第２の発明である光フイルタ作製法は。
ｄｉ単結晶基板上に石英系ガラスの微粒子を堆積し、こ
れを熱処理にエリガラス膜化するか、ｔｉ接ＣＶＬ）＠
や蒸着法にエリガラス膜化し、ガラス膜と反対側の８１
単結晶を選択的に大仏にガラス膜に達するまでエツチン
グし、その後ガラス膜の一圓に光フイルタ襖を形成し、
さらにＳｊ結晶基板を８ｉのへざ開面に旧ってへき開を
施して光フィルタを得るようにしたものであるっ 〔実施例〕 ５ｇ１図は不８明による光フイルタの構成な示す図であ
る。この図において、８は８ｉ率結晶、９は石英系ガラ
ス膜、１Ｇは金属膜またはｇｆＩ電体多層膜からなる元
のフィルタ膜、ｌｌは防反Ｍｇである。図に示されるよ
うに光フイルタは、窓忰伏に形成されたＳｉ単結１８の
一方の側の面に石英系ガラス膜９が形成され１石英系ガ
ラス膜９の一方の関のｌｌｌ１ｌＫ光フイルタ膜１０が
形成されると共に同他方の１０面に防反射弧１１が形成
されたものである。光フイルタ１１１１０は、液量識別
フィルタ編、＃？透−１ｕｌＲ分−フィルタ膜等である
口この光フイルタでは１石英系ガラス膜９に８１単結ｌ
１ＩＩ８の枠が形成されているので、８ｉ単結、１１．
８に工って光フイルタ全体の５１１１４’高めることが
てさ。
れを熱処理にエリガラス膜化するか、ｔｉ接ＣＶＬ）＠
や蒸着法にエリガラス膜化し、ガラス膜と反対側の８１
単結晶を選択的に大仏にガラス膜に達するまでエツチン
グし、その後ガラス膜の一圓に光フイルタ襖を形成し、
さらにＳｊ結晶基板を８ｉのへざ開面に旧ってへき開を
施して光フィルタを得るようにしたものであるっ 〔実施例〕 ５ｇ１図は不８明による光フイルタの構成な示す図であ
る。この図において、８は８ｉ率結晶、９は石英系ガラ
ス膜、１Ｇは金属膜またはｇｆＩ電体多層膜からなる元
のフィルタ膜、ｌｌは防反Ｍｇである。図に示されるよ
うに光フイルタは、窓忰伏に形成されたＳｉ単結１８の
一方の側の面に石英系ガラス膜９が形成され１石英系ガ
ラス膜９の一方の関のｌｌｌ１ｌＫ光フイルタ膜１０が
形成されると共に同他方の１０面に防反射弧１１が形成
されたものである。光フイルタ１１１１０は、液量識別
フィルタ編、＃？透−１ｕｌＲ分−フィルタ膜等である
口この光フイルタでは１石英系ガラス膜９に８１単結ｌ
１ＩＩ８の枠が形成されているので、８ｉ単結、１１．
８に工って光フイルタ全体の５１１１４’高めることが
てさ。
これによって石英系ガラス膜９の膜厚を薄（することか
でき、入射光と透過光との光軸ずれを僅かに抑えること
ができる。
でき、入射光と透過光との光軸ずれを僅かに抑えること
ができる。
第２図（ａ）〜（Ｑは上記の光フイルタの作裏方ｆｆ、
Ｙ：示す図である。
Ｙ：示す図である。
光フィルタを作製するには、まず、第２図（ａ）に示す
ように、（１００３面？研１したＳｉ単結晶８の基板上
にＱａＯ，を３４ｍｏｌチドーグしたＳｉＵ、系微粒子
ガラス１３を堆積し、１３００’ｃにて２時間加熱し、
この８ｉ０．系微粒子カラス１３１に透明化し石英系ガ
ラス膜９を形成下る（第２図（ｂ）＃照】。ＧｅＯ，′
ｌｈ：ドーグする理由はＳｉ単結晶８の熱膨張係数と石
英系ガラス膜の熱膨張係数とほぼ一攻させるためである
。石英系ガラス膜の他の形成法としては、電子ビーム蒸
着法がある。この場合にも蒸着源にＧｅｍ、が３４ｍｏ
１％含まれるＳｉＯ，ガラスな用いる。このほかＣＶＬ
）法によっても石英系ガラス膜９を８４単結晶８基板上
に形成することかできる。゛−子ビーム蒸＊ｉやＣＶＵ
法によって形成した石英系ガラス−９は膜形成直後でも
使用できるが、［９とｌ＆ｔｆｓの付着１！１１．を上
げるにはやはり膜形成後１０００°０゜１時間加熱焼純
する必要がある。
ように、（１００３面？研１したＳｉ単結晶８の基板上
にＱａＯ，を３４ｍｏｌチドーグしたＳｉＵ、系微粒子
ガラス１３を堆積し、１３００’ｃにて２時間加熱し、
この８ｉ０．系微粒子カラス１３１に透明化し石英系ガ
ラス膜９を形成下る（第２図（ｂ）＃照】。ＧｅＯ，′
ｌｈ：ドーグする理由はＳｉ単結晶８の熱膨張係数と石
英系ガラス膜の熱膨張係数とほぼ一攻させるためである
。石英系ガラス膜の他の形成法としては、電子ビーム蒸
着法がある。この場合にも蒸着源にＧｅｍ、が３４ｍｏ
１％含まれるＳｉＯ，ガラスな用いる。このほかＣＶＬ
）法によっても石英系ガラス膜９を８４単結晶８基板上
に形成することかできる。゛−子ビーム蒸＊ｉやＣＶＵ
法によって形成した石英系ガラス−９は膜形成直後でも
使用できるが、［９とｌ＆ｔｆｓの付着１！１１．を上
げるにはやはり膜形成後１０００°０゜１時間加熱焼純
する必要がある。
つぎＫｆ！ｉの工程でＳｉ単結晶基板８上の光フイルタ
１に分離するために第２図（Ｃ）に示すＬうにへぎ開用
の溝１５を作る。丁なゎも最終的に得られる窓ガラス伏
の光フイルタのＳｉ＄１Ｍ晶のフレームとなる工うに：
３ｉ単結晶基板８上に８ｉ率結晶８のへき開面（１１０
）と平行に基盤目状の浅い縛１５を形成する。マスク材
としてはＣｒ膜１６゜エツチング液とじてピロカテコー
ルｅエチレン争シアミンを用いる。
１に分離するために第２図（Ｃ）に示すＬうにへぎ開用
の溝１５を作る。丁なゎも最終的に得られる窓ガラス伏
の光フイルタのＳｉ＄１Ｍ晶のフレームとなる工うに：
３ｉ単結晶基板８上に８ｉ率結晶８のへき開面（１１０
）と平行に基盤目状の浅い縛１５を形成する。マスク材
としてはＣｒ膜１６゜エツチング液とじてピロカテコー
ルｅエチレン争シアミンを用いる。
溝１５の形成後には、Ｃｒ１ｌ（マスク）１６を除去す
る。このＣｒ［１６の除去には、（赤血塩＋Ｎ ａ Ｏ
Ｈ＋ Ｈｔ Ｏ）あるいは（硝酸第２セリクム＋過塩ｆ
ｉ＋）ｌ！Ｕ）のエッチ液を用いる。
る。このＣｒ［１６の除去には、（赤血塩＋Ｎ ａ Ｏ
Ｈ＋ Ｈｔ Ｏ）あるいは（硝酸第２セリクム＋過塩ｆ
ｉ＋）ｌ！Ｕ）のエッチ液を用いる。
ついで、第２図（ｄ）に示す工うにＦｆｒ定の大きさの
窓ガラス伏となるように８ｉ＄＠晶基板８の長面をホト
エツチングで８１率結晶を除去する。この場合も、Ｓｉ
単結晶のエツチング時には、マスク材１７としてＣｒ膜
またはＳｉ、Ｎ、膜を用い。
窓ガラス伏となるように８ｉ＄＠晶基板８の長面をホト
エツチングで８１率結晶を除去する。この場合も、Ｓｉ
単結晶のエツチング時には、マスク材１７としてＣｒ膜
またはＳｉ、Ｎ、膜を用い。
エツチング液としてはピロカテコール・エチレン・ジア
ミンを用いる。８１単結晶をエツチング後マスク材がＣ
ｒ膜である場合は（赤血塩＋Ｎａ（ＪＨ＋Ｈ，Ｕ）ある
いは（硝酸第２セリタム十過塩威＋４（、０）のエッチ
液で、Ｓ ｉ、Ｎ、膜である場合はＣＦ、のプラズマエ
ツチングでこれらを除去する。石英系ガラス膜９９表面
がＳｉ率積晶のエツチング時に影響受ける場合には石英
系ガラス膜９にＣｒ膜な薄く４着して保護する。
ミンを用いる。８１単結晶をエツチング後マスク材がＣ
ｒ膜である場合は（赤血塩＋Ｎａ（ＪＨ＋Ｈ，Ｕ）ある
いは（硝酸第２セリタム十過塩威＋４（、０）のエッチ
液で、Ｓ ｉ、Ｎ、膜である場合はＣＦ、のプラズマエ
ツチングでこれらを除去する。石英系ガラス膜９９表面
がＳｉ率積晶のエツチング時に影響受ける場合には石英
系ガラス膜９にＣｒ膜な薄く４着して保護する。
ツキに、第２図（ｅ）に示すように１石英系ガラスＳｉ
Ｘ９上に金属膜あるいは誘電体多１−からなる光フイル
タ膜１０を形成する。さらにその反対面に防反射ｇｉｎ
形成する。この防反射ａｌｌ［１１は必らずしも形成す
る必要はない。！！た＊７４イルタ膜１０の形成は石英
系ガラス模９形成直後に形成してもよい。この場合には
Ｓｉ単結晶エツチングの保護のために薄いＣｒ膜を蒸着
にエリ形成する。ｉＩｋ終的に＃Ｅ２図（りに示す工う
にへき開にエリ＄１５に宿って８ｉ単結晶基［８を割っ
て、第１図に示す工うに８ｉ単結晶８をフレームとして
光フイルタを形成する。実験例では、３インチ直径、厚
さ０．２Ｂの８ｉ単結晶基板から、外１ｉ１５謁 、内
開口 ３ｎ の光フィルタが１０５枚が得られた。なｇ。
Ｘ９上に金属膜あるいは誘電体多１−からなる光フイル
タ膜１０を形成する。さらにその反対面に防反射ｇｉｎ
形成する。この防反射ａｌｌ［１１は必らずしも形成す
る必要はない。！！た＊７４イルタ膜１０の形成は石英
系ガラス模９形成直後に形成してもよい。この場合には
Ｓｉ単結晶エツチングの保護のために薄いＣｒ膜を蒸着
にエリ形成する。ｉＩｋ終的に＃Ｅ２図（りに示す工う
にへき開にエリ＄１５に宿って８ｉ単結晶基［８を割っ
て、第１図に示す工うに８ｉ単結晶８をフレームとして
光フイルタを形成する。実験例では、３インチ直径、厚
さ０．２Ｂの８ｉ単結晶基板から、外１ｉ１５謁 、内
開口 ３ｎ の光フィルタが１０５枚が得られた。なｇ。
石英系ガラス膜はガラス微粒子を透明化して作られ、膜
厚は１５μｍである。
厚は１５μｍである。
不発明によれば、光フイルタ膜が形成された石英系ガラ
ス膜にＳｉ単結晶の伜を形成した構造であるので、８１
単結晶が補強材となって石英系ガラス膜の膜厚を薄くて
ることができ、これによって入射光と透過光との軸ずれ
ｔ極めて小さくすることが可能となる。本発明では、石
英系ガラス膜を１０μｍ以下とすることも可能である。
ス膜にＳｉ単結晶の伜を形成した構造であるので、８１
単結晶が補強材となって石英系ガラス膜の膜厚を薄くて
ることができ、これによって入射光と透過光との軸ずれ
ｔ極めて小さくすることが可能となる。本発明では、石
英系ガラス膜を１０μｍ以下とすることも可能である。
またエツチングによって小形のものを含めた横々の大き
さ形状が実現でざると同時に、一枚のＳｉ単結晶基板か
ら数枚から数十枚の光フィルタを作製することがでさ、
光フィルタを安価に得ることができる。
さ形状が実現でざると同時に、一枚のＳｉ単結晶基板か
ら数枚から数十枚の光フィルタを作製することがでさ、
光フィルタを安価に得ることができる。
４、図面のｒｒｓ＊なＩ！５！明
第１図は不発明の一実施例として示した光フィルタの斜
視図、第２図（→〜（ｆ）は不発明の光フイルタ作裏方
法な示す説明図、第３図、４ｇ４図はいずれも従来の光
フィルタの側面図である。
視図、第２図（→〜（ｆ）は不発明の光フイルタ作裏方
法な示す説明図、第３図、４ｇ４図はいずれも従来の光
フィルタの側面図である。
８・・・８ｉ＄Ｍ品、９・・・石英系ガラス膜。
１０・・・光フイルタ膜、１３・・・石英系ガラス微粒
子。
子。
出願人 日本’、ａｍ電話公社
第２図
（Ｃ）
Claims (2)
- （１）石英系ガラス膜上に光フイルタ膜が形成され、か
つ該石英系ガラス膜にＳｉ単結晶の枠が形成されている
ことを特徴とする光フイルタ。 - （２）Ｓｉ単結晶基板上に石英系ガラスの微粒子を堆積
し、これを熱処理によりガラス膜化するか、直接ＣＶＤ
法や蒸着法によりガラス膜化し、ガラス膜と反対側のＳ
ｉ単結晶を選択的に穴状にガラス膜に達するまでエッチ
ングし、その後ガラス膜の一面に光フイルタ膜を形成し
、さらにＳｉ単結晶基板をＳｉのへき開面に沿つてへき
開を施して光フイルタを得ることを特徴とする光フイル
タ作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60008585A JPS61167904A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 光フイルタおよび光フイルタ作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60008585A JPS61167904A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 光フイルタおよび光フイルタ作製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61167904A true JPS61167904A (ja) | 1986-07-29 |
| JPH0322603B2 JPH0322603B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=11697077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60008585A Granted JPS61167904A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 光フイルタおよび光フイルタ作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61167904A (ja) |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP60008585A patent/JPS61167904A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322603B2 (ja) | 1991-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |