JPS61170024A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61170024A JPS61170024A JP60010105A JP1010585A JPS61170024A JP S61170024 A JPS61170024 A JP S61170024A JP 60010105 A JP60010105 A JP 60010105A JP 1010585 A JP1010585 A JP 1010585A JP S61170024 A JPS61170024 A JP S61170024A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- impurity
- diffusion
- doped
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に不純物濃度
の異なる領域を不純物の拡散によって同時に形成する方
法に関する。
の異なる領域を不純物の拡散によって同時に形成する方
法に関する。
従来の半導体装置の製造方法において、同一導電型の二
種類の表面濃度を有する拡散層を形成するためには、例
えば、ガス拡散による方法では、第２図に示すように、
半導体基板１１の表面にシリコン酸化膜１２を形成して
半導体ウェノ・−１の所望の開口部１３をＰＲ技術によ
り形成し、しかる後、第１回目の拡散を行なって領域１
０を形成しく同図（ａ））、次に第２図（ｂ）に示すよ
うに、新たなシリコン酸化膜１４を形成し、再び第２図
（Ｃ）に示すようにＰＲ技術によシ所望の開口部１５を
露出させ、第１回目とは異なる濃度の第２回目の拡散を
行なって領域１１を形成し、そして第２図（ｄ）に示す
ようにシリコン酸化膜１４をフッ酸液で除去するという
方法が行なわれてきた。
種類の表面濃度を有する拡散層を形成するためには、例
えば、ガス拡散による方法では、第２図に示すように、
半導体基板１１の表面にシリコン酸化膜１２を形成して
半導体ウェノ・−１の所望の開口部１３をＰＲ技術によ
り形成し、しかる後、第１回目の拡散を行なって領域１
０を形成しく同図（ａ））、次に第２図（ｂ）に示すよ
うに、新たなシリコン酸化膜１４を形成し、再び第２図
（Ｃ）に示すようにＰＲ技術によシ所望の開口部１５を
露出させ、第１回目とは異なる濃度の第２回目の拡散を
行なって領域１１を形成し、そして第２図（ｄ）に示す
ようにシリコン酸化膜１４をフッ酸液で除去するという
方法が行なわれてきた。
上述した従来の半導体装置の製造方法は、同一導電型の
二種類の表面濃度を有する拡散層を形成するために、二
回に分けて、拡散を行なう必要があシ、製造工程が長く
なるという欠点がある。
二種類の表面濃度を有する拡散層を形成するために、二
回に分けて、拡散を行なう必要があシ、製造工程が長く
なるという欠点がある。
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、拡散源とし
てドープトオキサイド層又はドープトポリシリコン層を
採用し、同層中の不純物濃度と同層の厚さ及び同層上の
窒化膜（又はノンドープＣＶＤ酸化膜）の有無を組み合
わせることによシ、所望の不純物濃度及び濃度差のある
二種類の拡散層を一回の熱処理で形成することを特徴と
する。
てドープトオキサイド層又はドープトポリシリコン層を
採用し、同層中の不純物濃度と同層の厚さ及び同層上の
窒化膜（又はノンドープＣＶＤ酸化膜）の有無を組み合
わせることによシ、所望の不純物濃度及び濃度差のある
二種類の拡散層を一回の熱処理で形成することを特徴と
する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は、この発明の一実施例を示す
図である。まず第１図（ａ）に示すようにＰ型半導体ウ
ェハー（たとえばシリコンクエバー）ｌの表面にシリコ
ン酸化膜２をたとえば５０００Ａ厚に形成した後、半導
体ウェハー１の所望の表面領域を露出させるためにシリ
コン酸化膜２に開口部３ないし４をＰＲ技術により形成
する。次に第１図（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜
２の表面及び露出した半導体ウェハー１の表面にドープ
トオキサイド層５を３０００〜５００ ｏＡ厚に形成す
る。オキサイド層の代わシにドープトポリシリコン層を
使ってもよい。このドープトオキサイド層５の形成には
、例えは、砒素シリカフィルムの塗布等を用いる。ドー
プトポリシリコン層を用いる場合は、減圧ＣＶＤ方式に
よりて約１０００〜３０００Ａの厚さに形成する。
図である。まず第１図（ａ）に示すようにＰ型半導体ウ
ェハー（たとえばシリコンクエバー）ｌの表面にシリコ
ン酸化膜２をたとえば５０００Ａ厚に形成した後、半導
体ウェハー１の所望の表面領域を露出させるためにシリ
コン酸化膜２に開口部３ないし４をＰＲ技術により形成
する。次に第１図（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜
２の表面及び露出した半導体ウェハー１の表面にドープ
トオキサイド層５を３０００〜５００ ｏＡ厚に形成す
る。オキサイド層の代わシにドープトポリシリコン層を
使ってもよい。このドープトオキサイド層５の形成には
、例えは、砒素シリカフィルムの塗布等を用いる。ドー
プトポリシリコン層を用いる場合は、減圧ＣＶＤ方式に
よりて約１０００〜３０００Ａの厚さに形成する。
続いて、形成したドープオキサイド層５の表面に窒化膜
６を８００〜１００ＯＡ厚に減圧ＣＶＤ方式などＫよる
窒化膜成長装置によって形成する。窒化膜６０代わりに
ノンドープのＣＶＤ酸化膜を用いてもよい。さらに第１
図（Ｃ）に示すように、高濃度拡散層を形成する開口部
３の上部にある窒化膜６のみを残すように、ＰＲ技術及
びドライエッチ技術により窒化膜６の選択除去を行なう
。そして、Ｙの状態でドライブインを行なうことにより
、開口部３及び４に対応する半導体ウェハー１の表面内
に、拡散層７及び８を形成する。ここでドライブインの
条件は、温度が８００℃〜１１００℃であシ、雰囲気は
ＮｔまたはＡｒ等の不活性ガスを用いる。
６を８００〜１００ＯＡ厚に減圧ＣＶＤ方式などＫよる
窒化膜成長装置によって形成する。窒化膜６０代わりに
ノンドープのＣＶＤ酸化膜を用いてもよい。さらに第１
図（Ｃ）に示すように、高濃度拡散層を形成する開口部
３の上部にある窒化膜６のみを残すように、ＰＲ技術及
びドライエッチ技術により窒化膜６の選択除去を行なう
。そして、Ｙの状態でドライブインを行なうことにより
、開口部３及び４に対応する半導体ウェハー１の表面内
に、拡散層７及び８を形成する。ここでドライブインの
条件は、温度が８００℃〜１１００℃であシ、雰囲気は
ＮｔまたはＡｒ等の不活性ガスを用いる。
このドライブインの際にドープトオキサイド中の不純物
（たとえば砒素）は、半導体ウェハー中に拡散するが、
一方では、ドープトオキサイド表面を窒化膜６で覆われ
ていない開口部４上のドープトオキサイド５の表面から
は、ドライブインの雰囲気ガス中へも不純物が拡散する
。他方、ドープトオキサイド５の表面を窒化膜６で覆わ
れている開口部３上のドープトオキサイド５からは、ド
ライブインの雰囲気ガス中への不純物拡散は行なわれず
、不純物の拡散は専ら半導体ウェハー１中に行なわれる
。この結果、開口部４に対応する拡散層７の表面不純物
濃度は、開口部３に対応する拡散層８の表面不純物濃度
に比べて低いものとなる。
（たとえば砒素）は、半導体ウェハー中に拡散するが、
一方では、ドープトオキサイド表面を窒化膜６で覆われ
ていない開口部４上のドープトオキサイド５の表面から
は、ドライブインの雰囲気ガス中へも不純物が拡散する
。他方、ドープトオキサイド５の表面を窒化膜６で覆わ
れている開口部３上のドープトオキサイド５からは、ド
ライブインの雰囲気ガス中への不純物拡散は行なわれず
、不純物の拡散は専ら半導体ウェハー１中に行なわれる
。この結果、開口部４に対応する拡散層７の表面不純物
濃度は、開口部３に対応する拡散層８の表面不純物濃度
に比べて低いものとなる。
雰囲気ガス中への不純物拡散の程度は、ドープトオキサ
イド中の不純物濃度及びドープオキサイド層の厚さによ
り異なるためこの両者を適当に選ぶことＫより、形成さ
れる拡散層７と８の表面閾度と表面濃度差は所望の結果
を得ることが可能である。
イド中の不純物濃度及びドープオキサイド層の厚さによ
り異なるためこの両者を適当に選ぶことＫより、形成さ
れる拡散層７と８の表面閾度と表面濃度差は所望の結果
を得ることが可能である。
しかる後、第１図（ｅ）に示すように、ドープトオキサ
イド上の窒化膜６を熱リン酸によシ除去し、さらにドー
プトオキサイド層５を１０％７ツ酸溶液で除去する。
イド上の窒化膜６を熱リン酸によシ除去し、さらにドー
プトオキサイド層５を１０％７ツ酸溶液で除去する。
以上説明したように本発明は、拡散源としてドープトオ
キサイドやドープトポリシリコンを採用し、ド・−ブト
オキサイド等中の不純物濃度とドープトオキサイド等の
厚さ及びドープトオキサイド等上の窒化膜等の選択除去
の王者を組み合わせることにｔシ所望の不純物濃度及び
＃度差のある二種の拡散層を一回の熱処理（ドライブイ
ン）により形成することができ、工程を簡略化できる効
果がある。
キサイドやドープトポリシリコンを採用し、ド・−ブト
オキサイド等中の不純物濃度とドープトオキサイド等の
厚さ及びドープトオキサイド等上の窒化膜等の選択除去
の王者を組み合わせることにｔシ所望の不純物濃度及び
＃度差のある二種の拡散層を一回の熱処理（ドライブイ
ン）により形成することができ、工程を簡略化できる効
果がある。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の一実施例による半導
体装置の製造方法を示す各工程断面図である。第２図は
、従来例の半導体装置の製造方法を示す工程断面図であ
る。 １．１１・・・・・・半導体ウエノ〜−１２，１２・−
・・・・シリコン酸化膜、３，４，１３．１５・・・・
・・開口部、１４・・・・・・シリコン酸化膜、５・・
・・・・ドープトオキサイド層、６・・・・・・シリコ
ン窒化膜、７，１０・・・・・・低表面濃度領域、８．
１１・・・・・・高表面濃度領域。 ｙｆ５１ 図
体装置の製造方法を示す各工程断面図である。第２図は
、従来例の半導体装置の製造方法を示す工程断面図であ
る。 １．１１・・・・・・半導体ウエノ〜−１２，１２・−
・・・・シリコン酸化膜、３，４，１３．１５・・・・
・・開口部、１４・・・・・・シリコン酸化膜、５・・
・・・・ドープトオキサイド層、６・・・・・・シリコ
ン窒化膜、７，１０・・・・・・低表面濃度領域、８．
１１・・・・・・高表面濃度領域。 ｙｆ５１ 図
Claims (1)
- 半導体層上に第１および第２の開口を有する不純物拡散
阻止層を形成する工程と、前記第１および第２の開口を
うめるように不純物含有層を形成する工程と、外方不純
物拡散阻止層を前記第１および第２の開口のいずれか一
方上に位置する不純物含有層上に形成する工程と、前記
不純物含有層からの不純物拡散によって表面不純物濃度
が異なる二つの領域を前記半導体層内に形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60010105A JPS61170024A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60010105A JPS61170024A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170024A true JPS61170024A (ja) | 1986-07-31 |
Family
ID=11741031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60010105A Pending JPS61170024A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61170024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01179313A (ja) * | 1987-12-30 | 1989-07-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-01-23 JP JP60010105A patent/JPS61170024A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01179313A (ja) * | 1987-12-30 | 1989-07-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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