JPS6117151B2 - - Google Patents
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- JPS6117151B2 JPS6117151B2 JP55107455A JP10745580A JPS6117151B2 JP S6117151 B2 JPS6117151 B2 JP S6117151B2 JP 55107455 A JP55107455 A JP 55107455A JP 10745580 A JP10745580 A JP 10745580A JP S6117151 B2 JPS6117151 B2 JP S6117151B2
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- light
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は固体撮像素子に関するものである。
近年、固体撮像素子のダイナミツクレンジをあ
げるためにブルーミング抑制や光導電体膜を利用
して受光部を電圧制御する方式のものが開発され
ている。その一例の平面図を第１図に示し、第１
図の−線断面図を第２図に示す。なお、第２
図における５，６，７および１８の符号で示す部
分は第１図では示されていない。残りの図面につ
いても同様である。
げるためにブルーミング抑制や光導電体膜を利用
して受光部を電圧制御する方式のものが開発され
ている。その一例の平面図を第１図に示し、第１
図の−線断面図を第２図に示す。なお、第２
図における５，６，７および１８の符号で示す部
分は第１図では示されていない。残りの図面につ
いても同様である。
この固体撮像素子において、Ａは光電変換用の
光導電体膜６に発生した信号電荷を保持する拡散
層１からなる受光領域であり、この拡散層１から
なる受光領域Ａより読み込みゲート部Ｂを経て転
送領域Ｃに信号電荷が読み込まれ、転送領域Ｃで
第１図において矢印Ｑで示す方向に信号転荷が転
送されるようになつている。２は基板であり、厚
い酸化膜（LOCOS酸化膜）３により隣接する各
転送領域Ｃ、受光領域Ａ相互の間は絶縁分離され
ている。４は耐圧を上げるためのＰ+チヤンネル
ストツパ領域である。５は受光領域Ａを電圧制御
するMo電極であり、その上部に前述した光導電
体膜（例えばZnSe−ZnCdTeヘテロ接合膜）６、
電極７（例えばITO膜）が存在し、Mo電極５と
拡散層１の間は直接に結合されず、ポリシリコン
電極８を介して結合されている。このように、
Mo電極５と拡散層１との間を直接結合しないの
は、最下層に位置する拡散層１の上部にホトエツ
チングにより厚いPSG膜のコンタクト穴を形成す
ることが困難なこと、およびたとえ形成されても
拡散層１とその周囲との段差が急峻になり光導電
体膜６の平坦性が損われその特性が悪くなるため
である。そして、この例では、段差形成したポリ
シリコン電極８の上段部の上方にコンタクト穴を
形成して（その形成にはホトエツチング工程が容
易である）、拡散層１とその周囲との段差が少な
くなるようにしている。９は転送領域Ｃに読み込
まれた信号電荷を転送するための転送駆動電圧が
印加されるポリシリコン電極であり、絶縁膜１０
を介して前記ポリシリコン電極８の下方に形成さ
れている。
光導電体膜６に発生した信号電荷を保持する拡散
層１からなる受光領域であり、この拡散層１から
なる受光領域Ａより読み込みゲート部Ｂを経て転
送領域Ｃに信号電荷が読み込まれ、転送領域Ｃで
第１図において矢印Ｑで示す方向に信号転荷が転
送されるようになつている。２は基板であり、厚
い酸化膜（LOCOS酸化膜）３により隣接する各
転送領域Ｃ、受光領域Ａ相互の間は絶縁分離され
ている。４は耐圧を上げるためのＰ+チヤンネル
ストツパ領域である。５は受光領域Ａを電圧制御
するMo電極であり、その上部に前述した光導電
体膜（例えばZnSe−ZnCdTeヘテロ接合膜）６、
電極７（例えばITO膜）が存在し、Mo電極５と
拡散層１の間は直接に結合されず、ポリシリコン
電極８を介して結合されている。このように、
Mo電極５と拡散層１との間を直接結合しないの
は、最下層に位置する拡散層１の上部にホトエツ
チングにより厚いPSG膜のコンタクト穴を形成す
ることが困難なこと、およびたとえ形成されても
拡散層１とその周囲との段差が急峻になり光導電
体膜６の平坦性が損われその特性が悪くなるため
である。そして、この例では、段差形成したポリ
シリコン電極８の上段部の上方にコンタクト穴を
形成して（その形成にはホトエツチング工程が容
易である）、拡散層１とその周囲との段差が少な
くなるようにしている。９は転送領域Ｃに読み込
まれた信号電荷を転送するための転送駆動電圧が
印加されるポリシリコン電極であり、絶縁膜１０
を介して前記ポリシリコン電極８の下方に形成さ
れている。
なお、上記各図において、１１はＰを注入した
Ｎ-領域、１２はBrを注入してポテンシヤルシフ
トした読み込みゲート領域、１８は酸化膜であ
る。
Ｎ-領域、１２はBrを注入してポテンシヤルシフ
トした読み込みゲート領域、１８は酸化膜であ
る。
第３図は第１図および第２図に示した固体撮像
素子の等価回路を示し、V0はITO電位、C1，C0
はそれぞれ光導電体膜６の容量および拡散層１と
基板２との間の接合容量、C2は絶縁膜１０を介
したポリシリコン電極８，９間の浮遊容量、V1
は転送駆動電圧、ＶDは受光領域Ａのダイオード
電位である。
素子の等価回路を示し、V0はITO電位、C1，C0
はそれぞれ光導電体膜６の容量および拡散層１と
基板２との間の接合容量、C2は絶縁膜１０を介
したポリシリコン電極８，９間の浮遊容量、V1
は転送駆動電圧、ＶDは受光領域Ａのダイオード
電位である。
なお、第２図および第３図から明らかなよう
に、電極９は読み込みゲート部Ｂ上に設置されて
おり、読み込みゲート部Ｂを駆動させる電圧を印
加する電極を兼ねている。
に、電極９は読み込みゲート部Ｂ上に設置されて
おり、読み込みゲート部Ｂを駆動させる電圧を印
加する電極を兼ねている。
しかしながら、このような固体撮像素子の構成
では、第１図の平面図および第２図の断面図から
明らかなように絶縁膜１０を介してポリシリコン
電極８，９が交錯し、ポリシリコン電極８，９が
重なつているため、ポリシリコン電極８，９間に
浮遊容量C2が生じ、この浮遊容量C2は、前記固
体撮像素子の当価回路を示す第３図において転送
駆動電圧V1と受光領域Ａのダイオード電位ＶDと
の間に存在することとなり、この浮遊容量C2の
影響で受光領域Ａに印加される駆動電圧が減殺さ
れ、十分なダイナミツクレンジを得ることができ
ないという欠点を有する。第２図では、ポリシリ
コン電極９上に絶縁膜１０を介してポリシリコン
電極８を形成し、ポリシリコン電極９上でMo電
極５とポリシリコン電極８とを接続している。故
に絶縁膜１０を厚くするとポリシリコン電極８の
段差が大きくなり、絶縁膜１０を厚くできないた
め浮遊容量による悪影響を避けることができなか
つた。
では、第１図の平面図および第２図の断面図から
明らかなように絶縁膜１０を介してポリシリコン
電極８，９が交錯し、ポリシリコン電極８，９が
重なつているため、ポリシリコン電極８，９間に
浮遊容量C2が生じ、この浮遊容量C2は、前記固
体撮像素子の当価回路を示す第３図において転送
駆動電圧V1と受光領域Ａのダイオード電位ＶDと
の間に存在することとなり、この浮遊容量C2の
影響で受光領域Ａに印加される駆動電圧が減殺さ
れ、十分なダイナミツクレンジを得ることができ
ないという欠点を有する。第２図では、ポリシリ
コン電極９上に絶縁膜１０を介してポリシリコン
電極８を形成し、ポリシリコン電極９上でMo電
極５とポリシリコン電極８とを接続している。故
に絶縁膜１０を厚くするとポリシリコン電極８の
段差が大きくなり、絶縁膜１０を厚くできないた
め浮遊容量による悪影響を避けることができなか
つた。
したがつて、この発明の目的は、受光領域を電
圧制御する方式の固体撮像素子であつて、受光領
域と転送領域（あるいは読み込みゲート）間の浮
遊容量による電荷転送駆動電圧（あるいは読み込
み動作駆動電圧）の影響を受光領域が受けること
なく、受光領域の信号電荷の電位を大きくし十分
なダイナミツクレンジを容易に得ることのできる
固体撮像素子を提供することである。
圧制御する方式の固体撮像素子であつて、受光領
域と転送領域（あるいは読み込みゲート）間の浮
遊容量による電荷転送駆動電圧（あるいは読み込
み動作駆動電圧）の影響を受光領域が受けること
なく、受光領域の信号電荷の電位を大きくし十分
なダイナミツクレンジを容易に得ることのできる
固体撮像素子を提供することである。
この発明の一実施例を第４図ないし第８図に基
づいて説明する。この固体撮像素子は、第１図お
よび第２図に示す従来例における受光領域Ａのホ
トダイオードからなる拡散層１と、光導電体６の
下地のMo電極（第１の電極）５とを接続する接
続用ポリシリコン電極（接続電極）８を第４図の
平面図および第５図および第６図の断面図から明
らかなように電荷転送駆動用のポリシリコン電極
（第２の電極）９，９′と重ならないように、すな
わち交錯しないように酸化膜３の領域の上に形成
したものである。なお、ポリシリコン電極９のみ
斜線で示した。
づいて説明する。この固体撮像素子は、第１図お
よび第２図に示す従来例における受光領域Ａのホ
トダイオードからなる拡散層１と、光導電体６の
下地のMo電極（第１の電極）５とを接続する接
続用ポリシリコン電極（接続電極）８を第４図の
平面図および第５図および第６図の断面図から明
らかなように電荷転送駆動用のポリシリコン電極
（第２の電極）９，９′と重ならないように、すな
わち交錯しないように酸化膜３の領域の上に形成
したものである。なお、ポリシリコン電極９のみ
斜線で示した。
第４図ないし第６図において、１２は読み込み
ゲートであり、転送領域Ｃは遷移領域１４と蓄積
領域１５とからなり、第４図中仮想線で囲まれる
領域１６が１絵素を構成する。そして、ポリシリ
コン電極９，９′に２相クロツクを印加すること
により、ホトダイオードからなる拡散領域１から
転送領域Ｃに読み込まれた信号電荷を第４図中矢
印Ｐ，P′の方向に転送するようにしている。破線
矢印Ｐはポリシリコン電極９により読み込まれて
転送される信号電荷の流れを示し、実線P′はポリ
シリコン電極９′により読み込まれて転送される
信号電荷の流れを示している。
ゲートであり、転送領域Ｃは遷移領域１４と蓄積
領域１５とからなり、第４図中仮想線で囲まれる
領域１６が１絵素を構成する。そして、ポリシリ
コン電極９，９′に２相クロツクを印加すること
により、ホトダイオードからなる拡散領域１から
転送領域Ｃに読み込まれた信号電荷を第４図中矢
印Ｐ，P′の方向に転送するようにしている。破線
矢印Ｐはポリシリコン電極９により読み込まれて
転送される信号電荷の流れを示し、実線P′はポリ
シリコン電極９′により読み込まれて転送される
信号電荷の流れを示している。
なお、電極９，９′とMo電極５間には当然絶縁
膜１８を介している。
膜１８を介している。
拡散領域１、読み込みゲート１２および転送領
域Ｃからなる能動領域は、隣接する能動領域との
間を厚い酸化膜の領域３で絶縁分離している。
域Ｃからなる能動領域は、隣接する能動領域との
間を厚い酸化膜の領域３で絶縁分離している。
このように、受光領域Ａを電圧駆動するMo電
極５と拡散層１を接続する接続用ポリシリコン電
極８を転送駆動用のポリシリコン電極９と重なら
ない領域の上に形成したため、ポリシリコン電極
８とポリシリコン電極９に重なりがなく、Mo電
極５とポリシリコン電極９間には厚い絶縁膜１８
が存在しており、電極の段差を大きくすることな
く、浮遊容量をなくすことができ、駆動電圧が浮
遊容量の影響により減殺しダイナミツクレンジが
小さくなつてしまうといつた不都合を回避するこ
とができる。
極５と拡散層１を接続する接続用ポリシリコン電
極８を転送駆動用のポリシリコン電極９と重なら
ない領域の上に形成したため、ポリシリコン電極
８とポリシリコン電極９に重なりがなく、Mo電
極５とポリシリコン電極９間には厚い絶縁膜１８
が存在しており、電極の段差を大きくすることな
く、浮遊容量をなくすことができ、駆動電圧が浮
遊容量の影響により減殺しダイナミツクレンジが
小さくなつてしまうといつた不都合を回避するこ
とができる。
つぎに、第３図の等価回路に基づき、前記浮遊
容量が存在する場合と存在しない場合とを比較
し、前記実施例が有効であることを説明する。
容量が存在する場合と存在しない場合とを比較
し、前記実施例が有効であることを説明する。
(1) 浮遊容量C2が存在する場合
ポリシリコン電極９，９′に第７図Ａに示す
ような転送駆動電圧パルスV1、ポリシリコン
電極８に同図Ｂに示すような直流駆動電圧V0
を印加すると、受光領域Ａのダイオード電位Ｖ
Dは同図Ｃに実線で示すようになる。すなわ
ち、時間T1において転送駆動電圧V1がＶH1→
０になると、浮遊容量C2の存在によりダイオ
ード電位ＶDがV0から少し減少する（変化分Δ
ＶD＝C2VH1／（C0＋C1＋C2））。つぎの時間T2
で転送領域Ｃに信号電荷が読み込まれ、ダイオ
ード電位ＶDは信号電荷の放出と共に上り、完
全にはき出されるとV3に落ちつく。つぎに転
送駆動電圧V1がＶH2→０になる読み込み時の
T3でダイオード電位ＶDは浮遊容量C2の存在に
よりV4のレベルにくる。そして転送駆動電圧
V1が時間T4において再びレベルＶH1になる
と、再度浮遊容量C2の存在によりダイオード
電位ＶDはV5になり、つぎの読み込み駆動用の
パルスがくるまで（時間T5まで）受光領域Ａ
に光が照射されることにより、順次ダイオード
電位ＶDは下つてゆきV0に落ちつく。なお、時
間T4から時間T5までにおいて、転送駆動電圧
V1のパルス変動に対し、ダイオード電位ＶDも
浮遊容量C2の影響でパルス的に追随するが、
ここでは省略する。
ような転送駆動電圧パルスV1、ポリシリコン
電極８に同図Ｂに示すような直流駆動電圧V0
を印加すると、受光領域Ａのダイオード電位Ｖ
Dは同図Ｃに実線で示すようになる。すなわ
ち、時間T1において転送駆動電圧V1がＶH1→
０になると、浮遊容量C2の存在によりダイオ
ード電位ＶDがV0から少し減少する（変化分Δ
ＶD＝C2VH1／（C0＋C1＋C2））。つぎの時間T2
で転送領域Ｃに信号電荷が読み込まれ、ダイオ
ード電位ＶDは信号電荷の放出と共に上り、完
全にはき出されるとV3に落ちつく。つぎに転
送駆動電圧V1がＶH2→０になる読み込み時の
T3でダイオード電位ＶDは浮遊容量C2の存在に
よりV4のレベルにくる。そして転送駆動電圧
V1が時間T4において再びレベルＶH1になる
と、再度浮遊容量C2の存在によりダイオード
電位ＶDはV5になり、つぎの読み込み駆動用の
パルスがくるまで（時間T5まで）受光領域Ａ
に光が照射されることにより、順次ダイオード
電位ＶDは下つてゆきV0に落ちつく。なお、時
間T4から時間T5までにおいて、転送駆動電圧
V1のパルス変動に対し、ダイオード電位ＶDも
浮遊容量C2の影響でパルス的に追随するが、
ここでは省略する。
なお、転送駆動電圧V1は、読み込み用駆動パ
ルスを含んでおり、時間T2からT3までは読み込
み期間であり、時間T4からT5までは転送期間で
ある。
ルスを含んでおり、時間T2からT3までは読み込
み期間であり、時間T4からT5までは転送期間で
ある。
転送期間においては振幅ＶH1〜０、周波数
18.75KHzの駆動パルスであり、読み込み時にお
いては振幅ＶH2、周期〜33msecのパルスであ
る。
18.75KHzの駆動パルスであり、読み込み時にお
いては振幅ＶH2、周期〜33msecのパルスであ
る。
また、第７図において
V3＝Ｃ１Ｖ０＋Ｃ２ＶＨ２／ＣＤ＋Ｃ１＋Ｃ２
V4＝Ｃ１Ｖ０／Ｃ０＋Ｃ１＋Ｃ２
V5＝Ｃ１Ｖ０＋Ｃ２ＶＨ１／Ｃ０＋Ｃ１＋Ｃ２
である。
(2) 浮遊容量C2が存在しない場合
第７図Ｃに破線で示すようになり、時間T4
ではダイオード電位ＶDはV6となり、その後側
次降下してV0に落ちつく 同図において、斜線の部分は受光領域から信号
電荷がはき出された後、再び充電された信号電荷
の浮遊容量C2がある場合と無い場合の充電量の
差である。
ではダイオード電位ＶDはV6となり、その後側
次降下してV0に落ちつく 同図において、斜線の部分は受光領域から信号
電荷がはき出された後、再び充電された信号電荷
の浮遊容量C2がある場合と無い場合の充電量の
差である。
第８図は、受光領域Ａと読み込みゲート部Ｂの
電位を示す模式図であり、横軸に領域区分を縦軸
に電位（下向きに正電位）をとつて示しており、
読み込みゲート部Ｂのφ（０），φ（ＶH1），φ
（ＶH2）はそれぞれ駆動電圧V1として０，ＶH1，
ＶH2を印加したときの転送領域Ｃの電位を示して
いる。そして、同図において斜線部分は、前記第
７図Ｃの斜線部分に相当する。輝度レベルという
観点からは、斜線部分が無い場合、つまりＶD＝
V6のとき信号がないから黒レベルであり、ＶD＝
V0のときが白レベルとなる。
電位を示す模式図であり、横軸に領域区分を縦軸
に電位（下向きに正電位）をとつて示しており、
読み込みゲート部Ｂのφ（０），φ（ＶH1），φ
（ＶH2）はそれぞれ駆動電圧V1として０，ＶH1，
ＶH2を印加したときの転送領域Ｃの電位を示して
いる。そして、同図において斜線部分は、前記第
７図Ｃの斜線部分に相当する。輝度レベルという
観点からは、斜線部分が無い場合、つまりＶD＝
V6のとき信号がないから黒レベルであり、ＶD＝
V0のときが白レベルとなる。
なお、第７図Ｃの破線は輝度レベルが最高（白
レベル）のときのダイオード電位ＶDの変化を示
しているが、輝度レベルがこれより低い場合に
は、時間T5での破線の位置がV0とV6の間にな
る。
レベル）のときのダイオード電位ＶDの変化を示
しているが、輝度レベルがこれより低い場合に
は、時間T5での破線の位置がV0とV6の間にな
る。
このように、浮遊容量C2の発生を回避するこ
とにより、転送領域Ｃの電位を増大させることが
でき、したがつて転送領域Ｃに蓄えられる信号電
荷が増大しそれだけダイナミツクレンジを拡大す
ることができる。また、このことは換言すると、
浮遊容量C2の発生する従来例の構成の場合と同
一のダイナミツクレンジを得るのに、この実施例
の場合、従来例の場合の駆動電位より低い電圧で
駆動しうることを意味し、乾電池などを電源とす
る低電圧駆動への応用に極めて有効である。
とにより、転送領域Ｃの電位を増大させることが
でき、したがつて転送領域Ｃに蓄えられる信号電
荷が増大しそれだけダイナミツクレンジを拡大す
ることができる。また、このことは換言すると、
浮遊容量C2の発生する従来例の構成の場合と同
一のダイナミツクレンジを得るのに、この実施例
の場合、従来例の場合の駆動電位より低い電圧で
駆動しうることを意味し、乾電池などを電源とす
る低電圧駆動への応用に極めて有効である。
この発明の第２の実施例を第９図および第１０
図に示す。すなわち、この固体撮像素子は、第１
図および第２図に示す従来例の固体撮像素子にお
いて、Mo電極５と拡散層１の接続のために設け
られているポリシリコン電極（接続電極）を、超
微細加工技術を用いて第９図および第１０図に１
７で示すように拡散層１の上部にのみ（例えばポ
リシリコン電極９と交錯しないように）形成した
ものである。
図に示す。すなわち、この固体撮像素子は、第１
図および第２図に示す従来例の固体撮像素子にお
いて、Mo電極５と拡散層１の接続のために設け
られているポリシリコン電極（接続電極）を、超
微細加工技術を用いて第９図および第１０図に１
７で示すように拡散層１の上部にのみ（例えばポ
リシリコン電極９と交錯しないように）形成した
ものである。
前記超微細加工は、１〜２μｍの微細加工が可
能な加工装置により行なうことができる。
能な加工装置により行なうことができる。
このように構成することにより、ポリシリコン
電極１７，９間には重なりがなく、ポリシリコン
電極９上には厚い絶縁膜１８を形成することがで
き、浮遊容量C2の発生を回避することができ
る。その他の効果は前記第１の実施例と同様であ
る。
電極１７，９間には重なりがなく、ポリシリコン
電極９上には厚い絶縁膜１８を形成することがで
き、浮遊容量C2の発生を回避することができ
る。その他の効果は前記第１の実施例と同様であ
る。
なお、第１図および第２図に示す従来例の構成
においては、段差を考慮するとポリシリコン電極
８，９間の絶縁膜１０の厚さは3000Å以下にする
必要があり、極間距離が小さいほどその値が大き
くなる浮遊容量C2の存在を無視することができ
ないのであるが、本発明では絶縁膜１８を例えば
厚さ7000Å以上の酸化膜で形成することができ、
前記浮遊容量をほとんど無視できる程度まで低減
化することができる。
においては、段差を考慮するとポリシリコン電極
８，９間の絶縁膜１０の厚さは3000Å以下にする
必要があり、極間距離が小さいほどその値が大き
くなる浮遊容量C2の存在を無視することができ
ないのであるが、本発明では絶縁膜１８を例えば
厚さ7000Å以上の酸化膜で形成することができ、
前記浮遊容量をほとんど無視できる程度まで低減
化することができる。
以上のように、この発明の固体撮像素子は、半
導体基板上に形成され光信号を受け信号電荷を発
生する光電変換部と、前記半導体基板に形成され
前記信号電荷を保持する受光領域と、前記光電変
換部の下方に設置され前記受光領域を駆動させる
電圧を印加する受光領域駆動用の第１の電極と、
前記半導体基板に形成され信号電荷を転送する転
送領域と、前記受光領域の信号電荷を前記転送領
域に読み込む読み込みゲート部と、この読み込み
ゲート部を駆動させる電圧を印加する読み込みゲ
ート部駆動用および前記転送領域を駆動させる電
圧を印加する転送領域駆動用の第２の電極と、前
記受光領域上に設置され前記第１の電極と設置さ
れた接続電極とを備え、前記第１の電極を前記第
２の電極に対し絶縁膜を介して配置するととも
に、前記接続電極を前記第２の電極と重畳しない
領域に配置したものであり、電極の段差を大きく
することなく受光領域の電極と読み込みゲートの
電極および転送領域の電極との間に浮遊容量が生
じるのを防止することができ、受光領域における
信号電荷の電位を増大させ、ダイナミツクレンジ
を拡大することできるという効果を有する。
導体基板上に形成され光信号を受け信号電荷を発
生する光電変換部と、前記半導体基板に形成され
前記信号電荷を保持する受光領域と、前記光電変
換部の下方に設置され前記受光領域を駆動させる
電圧を印加する受光領域駆動用の第１の電極と、
前記半導体基板に形成され信号電荷を転送する転
送領域と、前記受光領域の信号電荷を前記転送領
域に読み込む読み込みゲート部と、この読み込み
ゲート部を駆動させる電圧を印加する読み込みゲ
ート部駆動用および前記転送領域を駆動させる電
圧を印加する転送領域駆動用の第２の電極と、前
記受光領域上に設置され前記第１の電極と設置さ
れた接続電極とを備え、前記第１の電極を前記第
２の電極に対し絶縁膜を介して配置するととも
に、前記接続電極を前記第２の電極と重畳しない
領域に配置したものであり、電極の段差を大きく
することなく受光領域の電極と読み込みゲートの
電極および転送領域の電極との間に浮遊容量が生
じるのを防止することができ、受光領域における
信号電荷の電位を増大させ、ダイナミツクレンジ
を拡大することできるという効果を有する。
第１図は従来例を示す平面図、第２図は第１図
の−線断面図、第３図はその等価回路図、第
４図はこの発明の一実施例を示す平面図、第５図
は第４図のＶ−Ｖ線断面図、第６図は第４図の
−線断面図、第７図はＡ，Ｂ，Ｃはその動作波
形図、第８図はその各領域の電位を示す模式図、
第９図はこの発明の他の実施例を示す平面図、第
１０図は第９図のＸ−Ｘ線断面図である。 １……拡散層、２……基板、３……酸化膜、５
……Mo電極、６……光導電体膜、７……電極、
８……ポリシリコン電極、９，９′……ポリシリ
コン電極、１０……絶縁膜、１２……読み込みゲ
ート、１４……遷移領域、１５……蓄積領域、１
６……絵素、Ａ……受光領域、Ｂ……読み込みゲ
ート部、Ｃ……転送領域、C2……浮遊容量。
の−線断面図、第３図はその等価回路図、第
４図はこの発明の一実施例を示す平面図、第５図
は第４図のＶ−Ｖ線断面図、第６図は第４図の
−線断面図、第７図はＡ，Ｂ，Ｃはその動作波
形図、第８図はその各領域の電位を示す模式図、
第９図はこの発明の他の実施例を示す平面図、第
１０図は第９図のＸ−Ｘ線断面図である。 １……拡散層、２……基板、３……酸化膜、５
……Mo電極、６……光導電体膜、７……電極、
８……ポリシリコン電極、９，９′……ポリシリ
コン電極、１０……絶縁膜、１２……読み込みゲ
ート、１４……遷移領域、１５……蓄積領域、１
６……絵素、Ａ……受光領域、Ｂ……読み込みゲ
ート部、Ｃ……転送領域、C2……浮遊容量。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に形成され光信号を受け信号電
荷を発生する光電変換部と、前記半導体基板に形
成され前記信号電荷を保持する受光領域と、前記
光電変換部の下方に設置され前記受光領域を駆動
させる電圧を印加する受光領域駆動用の第１の電
極と、前記半導体基板に形成され信号電荷を転送
する転送領域と、前記受光領域の信号電荷を前記
転送領域に読み込む読み込みゲート部と、この読
み込みゲート部を駆動させる電圧を印加する読み
込みゲート部駆動用および前記転送領域を駆動さ
せる電圧を印加する転送領域駆動用の第２の電極
と、前記受光領域上に設置され前記第１の電極と
接続された接続電極とを備え、前記第１の電極を
前記第２の電極に対し絶縁膜を介して配置すると
ともに、前記接続電極を前記第２の電極と重畳し
ない領域に配置した固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10745580A JPS5732682A (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Solid state image pickup element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10745580A JPS5732682A (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Solid state image pickup element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5732682A JPS5732682A (en) | 1982-02-22 |
| JPS6117151B2 true JPS6117151B2 (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=14459595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10745580A Granted JPS5732682A (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Solid state image pickup element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5732682A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6921456B2 (en) | 2000-07-26 | 2005-07-26 | Tokyo Electron Limited | High pressure processing chamber for semiconductor substrate |
| US6926798B2 (en) | 1999-11-02 | 2005-08-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for supercritical processing of a workpiece |
| US7021635B2 (en) | 2003-02-06 | 2006-04-04 | Tokyo Electron Limited | Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof |
| US7077917B2 (en) | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Tokyo Electric Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
| US7270137B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-09-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing |
| US7435447B2 (en) | 2005-02-15 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167365A (ja) * | 1984-12-21 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| CN104201180A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-12-10 | 格科微电子（上海）有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
-
1980
- 1980-08-04 JP JP10745580A patent/JPS5732682A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6926798B2 (en) | 1999-11-02 | 2005-08-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for supercritical processing of a workpiece |
| US6921456B2 (en) | 2000-07-26 | 2005-07-26 | Tokyo Electron Limited | High pressure processing chamber for semiconductor substrate |
| US7021635B2 (en) | 2003-02-06 | 2006-04-04 | Tokyo Electron Limited | Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof |
| US7077917B2 (en) | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Tokyo Electric Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
| US7270137B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-09-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing |
| US7435447B2 (en) | 2005-02-15 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5732682A (en) | 1982-02-22 |
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