JPS61187247A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61187247A JPS61187247A JP60028060A JP2806085A JPS61187247A JP S61187247 A JPS61187247 A JP S61187247A JP 60028060 A JP60028060 A JP 60028060A JP 2806085 A JP2806085 A JP 2806085A JP S61187247 A JPS61187247 A JP S61187247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellets
- wafer
- defective
- wafer ring
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0442—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−の１
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、
半導体素子が形成されたウェーハを、接着シートを利用
してペレットに細分割後、ペレットの良品と不良品とを
分離する方法に関するものである。
半導体素子が形成されたウェーハを、接着シートを利用
してペレットに細分割後、ペレットの良品と不良品とを
分離する方法に関するものである。
従」Ｊｌ支術−
半導体装置の製造においては、ペレットを得るには、周
知の通り、熱拡散やイオン注入、エツチング処理等の工
程を経て、ウェーハに多数の素子を形成し、その素子を
ウェーハ状態のままで特性チェックし、その後細分割し
て個々のペレットとしている。この場合に、ペレットの
不良発生率は、ウェーハの外周部が圧倒的に高い。その
理由は、第６図を参照して説明するとウェーハ１の外周
縁は、ウェーハ１をスライスする以前の単結晶インゴッ
トを製作する際に、結晶欠陥が外周縁に集中すること、
及び、区画線２，２．・・・と３，３．・・・で区画さ
れる素子４，４．・・・中で外周縁部の４′は、区画不
良、つまり完全な方形とは限らず、必然的に素子パター
ン欠損を招いたりするからである。そして、特性チェッ
クの結果不良であった素子４′や４”には、不良マーキ
ングが施され、さらに、第７図に示すようにワックス５
にてガラス板等の基板６に貼り付けられた後、第８図の
ようにダイシングにより個々のペレット７．７．・・・
毎に完全カットしている。
知の通り、熱拡散やイオン注入、エツチング処理等の工
程を経て、ウェーハに多数の素子を形成し、その素子を
ウェーハ状態のままで特性チェックし、その後細分割し
て個々のペレットとしている。この場合に、ペレットの
不良発生率は、ウェーハの外周部が圧倒的に高い。その
理由は、第６図を参照して説明するとウェーハ１の外周
縁は、ウェーハ１をスライスする以前の単結晶インゴッ
トを製作する際に、結晶欠陥が外周縁に集中すること、
及び、区画線２，２．・・・と３，３．・・・で区画さ
れる素子４，４．・・・中で外周縁部の４′は、区画不
良、つまり完全な方形とは限らず、必然的に素子パター
ン欠損を招いたりするからである。そして、特性チェッ
クの結果不良であった素子４′や４”には、不良マーキ
ングが施され、さらに、第７図に示すようにワックス５
にてガラス板等の基板６に貼り付けられた後、第８図の
ようにダイシングにより個々のペレット７．７．・・・
毎に完全カットしている。
そしてダイシング後のウェーハ１を、基板に貼り付けた
まま、第９図の通り、ワックス５を溶融する溶剤８、例
えば、アビニシンワックスに対しては、トリクレン貯溜
槽９中に立掛・保持させて、ワックス５を溶かして、個
々のペレット７．７．７’。
まま、第９図の通り、ワックス５を溶融する溶剤８、例
えば、アビニシンワックスに対しては、トリクレン貯溜
槽９中に立掛・保持させて、ワックス５を溶かして、個
々のペレット７．７．７’。
７′、・・・を基板から剥離させるとともに洗浄してい
る。
る。
ロ （よ ′ ｏ ＪＬところで、
基板６上のウェーハ１から、個々のペレッ）７，７．７
’、７′、・・・に剥離させるとき、溶剤８中には、良
品ペレット７．７．・・・と、不良品ペレット７Ｚ７１
．・・・が不都合なことに、混じり合ったままである。
基板６上のウェーハ１から、個々のペレッ）７，７．７
’、７′、・・・に剥離させるとき、溶剤８中には、良
品ペレット７．７．・・・と、不良品ペレット７Ｚ７１
．・・・が不都合なことに、混じり合ったままである。
したがって、ペレットの良否選別が必要となるが、ペレ
ッ）７，７，７°、７゛、・・・は微小であり、不良マ
ーキングの有無、完全な方形か否かを判別する作業は困
難であった。
ッ）７，７，７°、７゛、・・・は微小であり、不良マ
ーキングの有無、完全な方形か否かを判別する作業は困
難であった。
この発明は、−に記問題解決のために提案されたもので
ある。
ある。
ｒ、 −た の − −
° □この発明は、以−ＪＬの縁線があり、次の手段
を採用してペレットの良否判別作業を改善するものであ
る。つまりこの発明は、多数の半導体素子が形成された
ウェーハを、可撓性接着ソートに接着し、スクライビン
グして接着シートを引伸ばすか、あるいは又、ウェーハ
を完全カントして、個々のペレットに細分割後、不良ペ
レット固着用の樹脂を、ウェーハ外周縁部に塗着させ、
」二記接着シートのウェーハ非接着の裏面より、押当冶
具等により押圧鳴しごきして、ウェーハ中央部のペレッ
トと外周縁部のペレットとを分離するものである。
を採用してペレットの良否判別作業を改善するものであ
る。つまりこの発明は、多数の半導体素子が形成された
ウェーハを、可撓性接着ソートに接着し、スクライビン
グして接着シートを引伸ばすか、あるいは又、ウェーハ
を完全カントして、個々のペレットに細分割後、不良ペ
レット固着用の樹脂を、ウェーハ外周縁部に塗着させ、
」二記接着シートのウェーハ非接着の裏面より、押当冶
具等により押圧鳴しごきして、ウェーハ中央部のペレッ
トと外周縁部のペレットとを分離するものである。
すなわち、この発明は、確率的に不良となるウェーハ周
縁部のペレットは、−割して不良と見做して除去する方
式とするのである。
縁部のペレットは、−割して不良と見做して除去する方
式とするのである。
１批
この発明では、外形が方形でないすべての不良ペレット
及び、方形であっても特性不良となる確率が高いペレッ
トは、ウェーハの接着ソートに、樹脂にて固着されるの
で、押圧・しどきされて得られるペレットは、製作歩留
りが著しく増し、良否選別作業が容易となる。しかもこ
の発明では、樹脂にて接着シートに固着されたまま除去
されるペレットは、ウェーハ状態のままの配列で残すこ
とができるので、特性不良解析に役立てることが可能と
なる。
及び、方形であっても特性不良となる確率が高いペレッ
トは、ウェーハの接着ソートに、樹脂にて固着されるの
で、押圧・しどきされて得られるペレットは、製作歩留
りが著しく増し、良否選別作業が容易となる。しかもこ
の発明では、樹脂にて接着シートに固着されたまま除去
されるペレットは、ウェーハ状態のままの配列で残すこ
とができるので、特性不良解析に役立てることが可能と
なる。
災１バ
第１図は、この発明の一実施例を説明するためのペレッ
トウェーハ剥離作業工程におけるペレ。
トウェーハ剥離作業工程におけるペレ。
ト剥離装置の略断面視概念図である。ます、ＩＯは、ウ
ェーハ１を貼り付けした接着シート１１を固着したウェ
ーハリングで、次の工程を経て、ペレット７．７．７’
、７’、・・・とじたものである。すなわち、はじめに
第２図のように、可視性、例えば上面に接着剤層を設け
たポリ塩化ビニル製の接着シーＨ１を用意し、ウェーハ
１を貼り付固定し、従来通りに１スクライブ溝＋２．１
２．・・・及び＋３．１３．・・・を形成してペレット
区画を設けたウェーハ貼付体１４を作る。つぎにその接
着シーＨ１の外端縁１１”を、第３図のように、両端開
口筒杖体１５の」１端に掛けて、弾力性があるリング状
体１６で弛めつけながら、第４図の状態まで引き下げる
。すると、接着シート１１が放射状に引き伸ばされるこ
とになり、ウェーハ１は、ペレット７．７．７’、７’
、・・・にブレーキングされる。
ェーハ１を貼り付けした接着シート１１を固着したウェ
ーハリングで、次の工程を経て、ペレット７．７．７’
、７’、・・・とじたものである。すなわち、はじめに
第２図のように、可視性、例えば上面に接着剤層を設け
たポリ塩化ビニル製の接着シーＨ１を用意し、ウェーハ
１を貼り付固定し、従来通りに１スクライブ溝＋２．１
２．・・・及び＋３．１３．・・・を形成してペレット
区画を設けたウェーハ貼付体１４を作る。つぎにその接
着シーＨ１の外端縁１１”を、第３図のように、両端開
口筒杖体１５の」１端に掛けて、弾力性があるリング状
体１６で弛めつけながら、第４図の状態まで引き下げる
。すると、接着シート１１が放射状に引き伸ばされるこ
とになり、ウェーハ１は、ペレット７．７．７’、７’
、・・・にブレーキングされる。
このようにして得られたウェーハリング１０は、第５図
に示す通り、その外周縁のペレット７“、７′、・・・
に、固着用樹脂として、例えば加湿加硫型シリコンゴム
１７を塗着させる。
に示す通り、その外周縁のペレット７“、７′、・・・
に、固着用樹脂として、例えば加湿加硫型シリコンゴム
１７を塗着させる。
さて、以」乙のようにして得られたウェーハリング１０
を用いてペレット７．７を剥離するには、第１図のよう
に、ますウェーハリング１０を反転させて、接着剤を溶
解する溶剤１８を溜めた溶剤貯溜槽１９上に載置する。
を用いてペレット７．７を剥離するには、第１図のよう
に、ますウェーハリング１０を反転させて、接着剤を溶
解する溶剤１８を溜めた溶剤貯溜槽１９上に載置する。
それから接着シーＮ＋のウェーハ非接着面、つまり上面
を、スキージ２０で押圧させたままで移動させて扱くこ
とにより、中央部のペレット７．７．・・・のみを剥離
し、溶剤１８中に落下させるのである。したがって、ウ
ェーハリング１０の接着シーＮ＋には、樹脂Ｉ７に固着
され正規の方形になっていない不良ペレット７”、７′
、・・・が残される。
を、スキージ２０で押圧させたままで移動させて扱くこ
とにより、中央部のペレット７．７．・・・のみを剥離
し、溶剤１８中に落下させるのである。したがって、ウ
ェーハリング１０の接着シーＮ＋には、樹脂Ｉ７に固着
され正規の方形になっていない不良ペレット７”、７′
、・・・が残される。
尚、つづいて行われる特性良否選別工程以降は、従来通
りであるので、説明を省く。
りであるので、説明を省く。
以」二の実施例ては、ウェーハはスクライビングして接
着シート引伸ばし後ペレットに分割した場合を示したが
、この発明は、この場合に限らす、都合によっては、接
着シート上でウェーハを完全カットするようにしてもよ
い。
着シート引伸ばし後ペレットに分割した場合を示したが
、この発明は、この場合に限らす、都合によっては、接
着シート上でウェーハを完全カットするようにしてもよ
い。
発訓塚と祢呆−
この発明によれば、不良品となることが自明なペレット
は、ウェーハリングに残し、除去されるので、製作歩留
りが向上するとともに、ペレット良否選別作業を容易と
し、さらに自動剥離作業も可能とする。さらにこの発明
では、製造中に、不良ペレットか固着されているウェー
ハリングをサンプル抽出することができ、不良解析に役
立ち、よって信頼性向」二にも貢献させることができる
。
は、ウェーハリングに残し、除去されるので、製作歩留
りが向上するとともに、ペレット良否選別作業を容易と
し、さらに自動剥離作業も可能とする。さらにこの発明
では、製造中に、不良ペレットか固着されているウェー
ハリングをサンプル抽出することができ、不良解析に役
立ち、よって信頼性向」二にも貢献させることができる
。
第１図は、この発明の一実施例を説明するためのペレ７
）剥離装置の略断面視概念図、第２図はそのウェーハ貼
付体の斜視図、第３図及び第４図は、ウェーハリングの
断面図、第５図は、樹脂塗着済ウェーハリングの斜視図
である。第６図は、一般的な半導体ウェーハの平面図、
第７図及び第８図は、従来のウェーハ貼付体の断面図、
第９図は接着を溶解する溶剤貯溜槽の断面図である。 ■・・・ウェーハ、 ４・・・素子、 ７．７′・・・ペレット、 ＩＯ・・・ウェーハリング、 １１・・・接着シート、 １７・・・樹脂、 ２０・・・スキージ。 第 ３ 図 矢−ハリ＞７”（−７しＮ〉７゛躬）第
４Ｆｌ！１ ヤ上−へす＞ ７”（プレーキン７
オ支）第 ５ 図 朴掃塗風済ブ癖ハｌ）＞７”２
・ ゛ ・ ４・ ４′ ／” ゛ ２ ４パ 第６図 ■
）剥離装置の略断面視概念図、第２図はそのウェーハ貼
付体の斜視図、第３図及び第４図は、ウェーハリングの
断面図、第５図は、樹脂塗着済ウェーハリングの斜視図
である。第６図は、一般的な半導体ウェーハの平面図、
第７図及び第８図は、従来のウェーハ貼付体の断面図、
第９図は接着を溶解する溶剤貯溜槽の断面図である。 ■・・・ウェーハ、 ４・・・素子、 ７．７′・・・ペレット、 ＩＯ・・・ウェーハリング、 １１・・・接着シート、 １７・・・樹脂、 ２０・・・スキージ。 第 ３ 図 矢−ハリ＞７”（−７しＮ〉７゛躬）第
４Ｆｌ！１ ヤ上−へす＞ ７”（プレーキン７
オ支）第 ５ 図 朴掃塗風済ブ癖ハｌ）＞７”２
・ ゛ ・ ４・ ４′ ／” ゛ ２ ４パ 第６図 ■
Claims (1)
- 多数の半導体素子が形成されたウェーハを、可撓性接
着シートに接着し、スクライビングして接着シートを引
伸ばすか／ウェーハを完全カットして、個々のペレット
に細分割後、不良ペレット固着用の樹脂を、ウェーハ外
周縁部に塗着させ、上記接着シートのウェーハ非接着の
裏面より、押当治具等により押圧・しごきして、ウェー
ハ中央部のペレットと外周縁部のペレットとを分離する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60028060A JPS61187247A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60028060A JPS61187247A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61187247A true JPS61187247A (ja) | 1986-08-20 |
Family
ID=12238216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60028060A Pending JPS61187247A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61187247A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63178333U (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-18 | ||
| JPH03286553A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ダイシング方法 |
| US5725728A (en) * | 1995-09-18 | 1998-03-10 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Pellet pick-up device |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60028060A patent/JPS61187247A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63178333U (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-18 | ||
| JPH03286553A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ダイシング方法 |
| US5725728A (en) * | 1995-09-18 | 1998-03-10 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Pellet pick-up device |
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