JPS6119095B2

JPS6119095B2 -

Info

Publication number: JPS6119095B2
Application number: JP55149323A
Authority: JP
Inventors: Kikuo Yamagami; Koji Yokoyama
Original assignee: Kanetsu Kogyo KK
Current assignee: Kanetsu Kogyo KK
Priority date: 1980-10-27
Filing date: 1980-10-27
Publication date: 1986-05-15
Also published as: JPS5773914A; US4462059A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、電磁チヤツクの励磁コイル等に一定
電圧の直流電流を極性切換周期を漸減させて正逆
交互に供給し、これにより消磁を行ういわゆるル
ープ減衰消磁法に用いられる消磁用電源装置に関
する。従来のこの種の電源装置では、整流回路から出
力される一定電圧の直流電流は、一対のリレー等
からなる極性切換回路を経て励磁コイルに供給さ
れている。前記極性切換回路の作動制御は、従来
前記リレーへの通電を制御するリミツトスイツチ
および該リミツトスイツチの開閉を制御する回転
カムによりなされ或いは周方向に分析された導電
帯を有する回転板と、該回転板に接触するブラシ
とからなるスイツチ機構によりなされていた。しかしながら、前記した回転カム或いは回転板
のような回転体による切換周期の制御では、励磁
コイルに供給される電流の極性を高速で切換える
ことはできず、このため良好な消磁効果を期待す
ることはできない。また、従来の前記電源装置で
は、切換周期のパターンは前記回転カム或いは前
記導電帯が形成された前記回転板によつて決まる
ため、前記回転カム或いは回転板の加工精度に応
じて切換周期のパターンにばらつきが見られ、こ
のため消磁効果にばらつきが生じることがあつ
た。更に、従来の前記電源装置では、消磁効果を
高めるべく前記切換周期を変更するには、前記回
転カム或いは回転板を取替える必要があり、この
ため容易に切換周期のパターンを変更することは
できなかつた。本発明の目的は、従来の前記した欠点を除去
し、部品の取替えを必要とすることなく複数の切
換周期のパターンを選択し得る消磁用電源装置を
提供することにある。本発明は、励磁コイルに消磁のための減衰交番
磁界を発生させるべく、整流回路から出力される
直流電流を極性切換回路により交互に極性を切換
えかつその切換周期を漸減させて前記励磁コイル
に供給するための消磁用電源装置であつて、メモ
リー回路に複数の切換周期のパターンすなわち消
磁パターンを記憶させ、この消磁パターンの選択
によつて所望の切換周期で前記極性切換回路の動
作を制御することができ、これにより部品の取替
えの必要なしに一様に高い消磁効果を得ることが
できることを特徴とする。本発明が特徴とするところは、図示の実施例に
ついての以下の説明により、更に明らかとなろ
う。第１図には、本発明に係る消磁用電源装置１０
がダイヤグラムで示されている。前記電源装置１
０は、交流電流ACを整流するための整流回路１
２と、該整流回路より出力される一定電圧の直流
電流の極性を切換えるための極性切換回路１４と
を含み、該極性切換回路により極性が交互に切換
えられた直流電流は、例えば電磁チヤツクの励磁
コイル１６に供給される。前記切換回路１４はメモリー回路１８より出力
される動作信号により制御され、該メモリー回路
には、励磁コイル１６への電流の供給休止時間を
間に挾んで励磁コイル１６への一方向の通電時間
および逆方向への通電時間の漸減する比率等を決
定する複数の消磁パターンのための情報が各アド
レス毎に記憶されている。前記電流の供給休止時
間を不要とすることができる。メモリー回路１８は、アドレス設定回路２０か
らアドレス信号を受け、該アドレス設定回路は消
磁開始信号の入力により、消磁パターンを選択す
るための初期アドレス選択手段２２により指定さ
れた初期アドレス信号をメモリー回路１８に送
る。メモリー回路１８は前記初期アドレス信号に
対応するアドレスの動作信号を極性切換回路１４
に送ると共に前記アドレスの時間指定信号をカウ
ンタ回路２４に送る。カウンタ回路２４はクロツクパルス発生回路２
６からのクロツクパルスを受け、該クロツクパル
ス数がメモリー回路１８からの前記時間指定信号
により特定される数値に達すると、カウンタ回路
２４はアドレス変更信号発生回路２８にリツプル
キヤリーを送る。前記回路２８がリツプルキヤリーを受けると、
該アドレス変更信号発生回路は、前記アドレス設
定回路２０およびカウンタ回路２４にそれぞれア
ドレス変更信号を送る。このアドレス変更信号を受けたアドレス設定回
路２０は、選択されたある一つの消磁パターンを
遂行すべく前記メモリー回路１８にアドレス信号
を送る。メモリー回路１８は、このアドレス信号
を受け、前記初期アドレス信号に対応する前記ア
ドレスに引続く新たなアドレスの動作信号を極性
切換回路１４に送ると共に前記した新たなアドレ
スの時間指定信号をカウンタ回路２４に送る。こ
のカウンタ回路２４は、前記したと同様、新たな
時間指定信号により特定される数値に前記クロツ
クパルスの数が達すると前記回路２８にリツプル
キヤリーを送る。前記した回路動作の繰返しにより、極性切換回
路１４は、メモリー回路１８に記憶されかつ選択
された一つの消磁パターンに沿つて前記励磁コイ
ル１６への電流の供給停止時間を間に挾んで該励
磁コイル１６に正逆の直流電流をその切換周期を
漸減さるべく動作する。前記メモリー回路１８
は、アドレス設定回路２０から受けるアドレス信
号に対応するアドレスが消磁パターンの終了に達
すると、アドレス設定回路２０に作動休止信号を
送りまた前記励磁コイル１６への供給が停止され
る。第２図には、本発明に係る前記消磁用電源装置
１０の電気回路が示されており、該電気回路には
前記電磁チヤツクによる磁性体の吸着を可能とす
べく、該チヤツクの励磁コイル１６に一定電圧の
直流電源を供給するための回路が組込まれてお
り、以下第２図に沿つて説明する。整流回路１２は、一対の電源スイツチSWを経
て交流電源ACに接続されている。整流回路１２
は整流素子SRを備え、該素子の入力端子間には
サージ吸収用バリスタZNRが設けられている。ま
た、前記電源スツチSWの一方と整流回路１２の
入力端との間には、交流遮断用リレーCR₁のａ接
点CR₁aが挿入されており該接点にはサージ吸収
素子R₁，C₁が接続されている。前記整流回路１２の出力側には、極性切換回路
１４を構成するリレーMsの接点Ms₁が挿入され
ている。図示の例では、リレーMsは主リレー
CR₂のａ接点CR₂aの閉接により動作する補助リ
レーMsであり、主リレーCR₂のａ接点CR₂aには
サージ吸収素子R₂，C₂が接続されている。主リ
レーCR₂のａ接点CR₂aをａ接点Ms₁とすることに
より補助リレーMsを不要とすることができる。
前記極性切換回路１４と励磁コイル１６との間に
は、サージ吸収素子R₃，C₃，SA₁が接続されてい
る。また、前記交流電源ACには、前記一対の電源
スイツチSWを経て従来よく知られた定電圧電源
回路３０が接続されている。定電圧電源回路３０
は、前記リレーCR₁，CR₂，メモリー回路１８、
アドレス設定回路２０、初期アドレス選択手段２
２、カウンタ回路２４、クロツクパルス発生回路
２６およびアドレス変更信号発生回路２８を含む
各回路に所定の作動電流を供給する。前記定電圧電源回路３０からの作動電流の供給
を受ける回路の一つである初期化設定回路３２は
プルアツプ抵抗R₄、ダイオードＤおよびコンデ
ンサC₄を備える。前記回路３２は、前記電源ス
イツチSWの投入後の所定の時間経過後における
コンデンサC₄の端子間電圧が“Ｌ”レベルより
“Ｈ”レベルに変化することにより、装置全体を
初期化すべくこの“Ｈ”レベル信号すなわち
「１」信号を信号発生回路３４に送る。この信号発生回路３４は、操作スイツチ３６の
切換操作により該スイツチから「０」信号を消磁
開始信号として受ける。また操作スイツチ３６は
その切換操作により前記チヤツクによる磁性体の
吸着保持のために、正励磁信号発生回路３８に
「０」信号を送る。この操作スイツチ３６は、中
立位置より正励磁位置への操作により該正励磁位
置に機械的に保持され、また消磁位置への操作時
該消磁位置から中立位置に向けて自動復帰するス
イツチを用いることが望ましい。前記信号発生回路３８は、プルアツプ抵抗
R₅、遅延素子R₆，C₅、波形成形用NOTゲート素
子IC₁、およびオープンコレクタ用NOTゲート素
子IC₂を備える。前記信号発生回路３８は、前記
操作スイツチ３６の操作により該スイツチから
「０」信号を受けると、ゲート素子IC₂の出力端よ
り前記信号発生回路３４に休止信号すなわち
「０」信号を送ると共に、NANDゲート素子（図
には負論理のNORゲート素子記号で示されてい
る）IC₃に「０」信号を送る。前記ゲート素子IC₃
は、前記「０」信号を受けることにより、NOT
ゲート素子IC₄およびオープンコレクタ出力形駆
動用素子IC₅を経て前記リレーCR₁を駆動させ
る。また、前記駆動リレーCR₂は駆動されること
なく補助リレーMsの接点Ms₁は一方の閉接位置
に保持される。従つて、スイツチSWの投入後、前記操作スイ
ツチ３６を正励磁位置へ操作することにより、前
記リレーCR₁を駆動させ、これにより前記チヤツ
クの励磁コイル１６に一定電圧の直流電流を供給
することができ、前記チヤツクに磁性体を保持の
ための一定の磁界を発生させることができる。前記操作スイツチ３６の消磁位置への操作によ
つて「０」信号を受ける信号発生回路３４は、一
対の波形整形用NANDゲート素子IC₆，IC₇（IC₃
は負論理のNORゲート素子記号で示されてい
る）からなるRSフリツプフロツプ４０および単
安定マルチバイブレータ４２を備える。フリツプ
フロツプ４０の一方の入力端子４０ａは、メモリ
ー回路１８、信号発生回路３８および初期化設定
回路３２の各出力信号を、ワイヤードオア接続の
オアゲート４１を経て受け、また他方の入力端子
４０ｂは操作スイツチ３６からの出力信号を受け
る。フリツプフロツプ４０はその一方の入力端子
４０ａに「１」信号を受けた状態で他方の入力端
子４０ｂに「０」信号を受けると、一方の出力端
子４０ｃに「０」信号を出し、また他方の出力端
子４０ｄに「１」信号を出力する。この出力は、
一方の入力端子４０ａの入力信号が「０」となら
ない限り、他方の入力端子４０ｂの入力信号が
「１」信号に変つても変化せず、前記フリツプフ
ロツプ４０は、その入力端子４０ａに前記正励磁
信号発生回路３８およびメモリー回路１８からの
休止信号すなわち「０」信号を受けることによ
り、出力信号を反転させる。従つて、フリツプフ
ロツプ４０は、信号発生回路３８から「１」信号
を受けた状態で前記操作スイツチ３６から消磁開
始信号すなわち「０」信号を受けると、一方の出
力端子４０ｃに「１」信号を出力しまた他方の出
力端子４０ｄに「０」信号を出力する。この出力
状態は自己保持され、前記スイツチ３６のチヤタ
リングが防止される。前記バイブレータ４２は、その入力端子Ｂに前
記フリツプフロツプ４０から「１」信号を受ける
と、その出力端子Ｑより正の単発パルスを発し、
またその出力端子より負の単発パルスを発す
る。各単発パルスの幅は抵抗R₇およびコンデン
サC₆の各値により決定される。前記フリツプフロツプ４０の出力端子４０ｄか
ら出力される「０」信号はメモリー回路１８に送
られ、また前記バイブレータ４２の出力端子よ
り負の単発パルスを発する。各単発パルスの幅は
抵抗R₇およびコンデンサC₆の各値により決定さ
れる。前記フリツプフロツプ４０の出力端子４０ｄか
ら出力される「０」信号はメモリー回路１８に送
られ、また前記バイブレータ４２の出力端子か
ら出力される負の単発パルスはアドレス設定回路
２０に送られる。アドレス設定回路２０は、図示の例ではNAND
ゲート素子IC₈，IC₉（ゲート素子IC₈は負論理
NOR記号で示されている）を介して相互に直列
に接続されかつそれぞれ４つの入力端子Ａ〜Ｄお
よび４つの出力端子Ｑ_A〜Ｑ_Dを有する２つのアツ
プダウンカウンタＩ，Ｊと、初期アドレス選択手
段２２を構成するプルアツプ抵抗R₈，R₉および
２つのDIPスイツチDSと、NANDゲート素子IC₁₀
（負論理NOR記号で示されている）と、遅延素子
R₁₀，C₇とを備える。前記した２つのアツプダウ
ンカウンタを１つのアツプダウンカウンタとする
ことができる。前記アツプダウンカウンタＪの２つの入力端子
Ｃ，ＤにはそれぞれDIPスイツチDSが接続さ
れ、また他の入力端子Ａ，Ｂには一定電圧Vccが
印加されている。また、アツプダウンカウンタＩ
の入力端子Ａ〜Ｄには一定電圧Vccが印加されて
いる。従つて、前記２つのDIPスイイツチDSの
操作によつて前記アドレス設定回路２０に４種類
の先頭アドレスを選択することができる。前記ア
ツプダウンカウンタＪの出力端子Ｑ_A〜Ｑ_Dはメモ
リー回路１８の対応するアドレスバスA₄〜A₇に
接続され、またアツプダウンカウンタＩの出力端
子Ｑ_A〜Ｑ_Dはメモリー回路１８の対応するアドレ
スバスA₀〜A₃に接続されている。両アツプダウ
ンカウンタＩ，Ｊの各出力端子すなわちアドレス
設定回路２０の各出力端子Ｑ_A〜Ｑ_D，Ｑ_A〜Ｑ_Dは
（1111，1111）にプリセツトされており、（0000，
0000）迄の状態をとり得る。前記両アツプダウンカウンタＩ，Ｊは、それぞ
れの端子に前記バイブレータ４２の出力端子^Q
からの前記負の単発パルスを受け、また該単発パ
ルスを前記遅延素子R₁₀，C₇による所定の時間遅
れを以つてそれぞれ前記ゲート素子IC₉およびゲ
ート素子IC₁₀を経てそれぞれのCK端子に正の単
発パルスとして受ける。前記両カウンタＩ，Ｊは
それぞれの両およびCK端子に前記した単発パ
ルスを受けることにより、各入力端子Ａ〜Ｄ，Ａ
〜Ｄに設定された信号に対応する出力信号を各出
力端子Ｑ_A〜Ｑ_D，Ｑ_A〜Ｑ_Dに出力する。また、ア
ツプダウンカウンタＩは、前記CK端子に前記ゲ
ート素子IC₁₀を経てアドレス変更信号発生回路２
８からのアドレス変更信号を受けると、該信号を
受ける毎にその出力端子Ｑ_A〜Ｑ_Dからの出力
（1111）を減算する。このアツプダウンカウンタ
Ｉの出力端子Ｑ_A〜Ｑ_Dが（0000）となると、引続
く前記アドレス変更信号の入力毎に、該アツプダ
ウンカウンタの端子より負パルスが発せら
れ、これによりアツプダウンカウンタＪはその出
力端子Ｑ_A〜Ｑ_Dからの出力Ｆ（1111）を減算す
る。従つて、アドレス設定回路２０は、前記両
端子に負の単発パルスを受けかつアツプダウンカ
ウンタＩのCK端子に「１」信号を受けると、前
記DIPスイツチDSにより特定される選択された
先頭アドレス信号をその出力端子Ｑ_A〜Ｑ_D，Ｑ_A
〜Ｑ_Dよりメモリー回路１８の対応する各アドレ
スバスA₀〜A₇に発し、またアツプダウンカウン
タＩのCK端子にのみ「１」信号を受けると、前
記DIPスイツチDSにより選択された一つの消磁
パターンを遂行すべく前記先頭アドレスに引続く
新たなアドレス信号を前記アドレスバスA₀〜A₇
に発する。メモリー回路１８は、図示の例ではICからな
り、アドレス設定回路２０の前記出力端子Ｑ_A〜
Ｑ_D，Ｑ_A〜Ｑ_Dに対応する８つのアドレスバスA₀
〜A₇と、８つのデータバスD₀〜D₇とを備え、そ
の端子に前記フリツプフロツプ４０の出力端
子４０ｄから「０」信号を受けると前記アドレス
設定回路２０からのアドレス信号をアドレスバス
A₀〜A₇より読取り該アドレス信号により指定さ
れるアドレスに対応する情報をデータバスD₀〜
D₇に出力する。メモリー回路１８には、複数の
例えば４つの消磁パターンについての情報が入力
されており、上位３ビツトのデータバスD₅〜D₇
からはそれぞれリレーCR₁，CR₂およびリレー
CR₃のための駆動信号が「０」信号として出力さ
れる。データバスD₇の駆動信号は前記リレーCR₁
のａ接点CR₁aを閉接させるべく前記IC₃に入力さ
れる。データバスD₆の駆動信号は、補助リレー
Msの接点Ｍ_S1を切換えるべくオープンコレクタ
出力形駆動用素子IC₁₁に入力され、該素子の出力
端電圧が低下することにより主リレーCR₂に直流
が通じ、これにより該リレーが励起される。ま
た、データバスD₅の駆動信号は、オープンコレ
クタ出力形駆動用素子IC₁₂に入力され、これによ
りリレーCR₃が励起される。このリレーCR₃は、
前記装置１０の外部に付加される機器を極性切換
回路１４のリレーCR₂に同期して作動させるため
の予備リレーであり、これを不要とすることがで
きる。また、メモリー回路１８のデータバスD₄から
は「０」信号が作動休止信号として発せられ、こ
の休止信号は、装置１０を休止状態におくべく
NOTゲート素子IC₁₃およびオープンコレクタ
NOTゲート素子IC₁₄を経て前記信号発生回路３
４におけるフリツプフロツプ４０の前記一方の入
力端子４０ａに入力される。メモリー回路１８の
下位４ビツトのデータバスD₀〜D₃からはカウン
タ回路２４へ時間データが出力される。メモリー回路１８ののデータバスD₀〜D₃から
時間データすなわち時間指定信号を受けるカウン
タ回路２４は、各データバスD₀〜D₃に対応する
入力端子Ａ〜Ｄを有するカウンタ４４を備える。
前記バイブレータ４２の出力端子Ｑから発せられ
る前記正の単発パルスは、NOTゲート素子
IC₁₅、NANDゲート素子IC₁₆（負論理NOR記号で
示されている）およびNOTゲート素子IC₁₇を経
ることにより負の単発パルスとして前記カウンタ
４４の端子に送られ、また遅延素子R₁₁，C₈に
より所定の時間遅れを以つてNANDゲート素子
IC₁₈を経ることにより正の単発パルスとして前記
カウンタ４４のCK端子に送られる。前記カウン
タ４４はその両およびCK端子に前記した単発
パルスを受けることにより、メモリー回路１８か
らの時間D₀〜D₃をその入力端子Ａ〜Ｄに読取
る。また、カウンタ４４はそのCK端子に、クロツ
クパルス発生回路２６からNANDゲート素子IC₁₉
（負論理NOR記号で示されている）および前記ゲ
ート素子IC₁₈を経てクロツクパルスを受け、該ク
ロツクパルスの数が前記入力端子Ａ〜Ｄより読取
られた数値に達すると、カウンタ４４はその
端子より負のパルスであるリツプルキヤリーをア
ドレス変更信号発生回路２８に送る。前記メモリー回路１８の下位４ビツトのデータ
バスD₀〜D₃からカウンタ４４に出力される時間
指定信号は（0000）〜（1111）であり、例えば、
カウンタ４４が10信法で“２”に相当する
（0010）という時間指定信号を読取ると、該カウ
ンタはクロツクパルス発生回路２６から２つクロ
ツクパルスを受けた後すなわち該クロツクパルス
の発振周期をＴとすると2T後、アドレス変更信
号発生回路２８にリツプルキヤリーを発する。従
つて、データバスD₀〜D₃の時間情報によつて15T
迄の時間設定が可能であり、更に長い時間設定が
必要な場合には、引続くアドレスにおいて時間の
設定に係わりのない上位４ビツトのデータバス
D₄〜D₇の信号を継続させて不足する時間を補う
べく下位４ビツトの時間指定信号D₀〜D₃を所望
の値に設定することができる。前記クロツクパルス発生回路２６は、マルチバ
イブレータ４６を備え、その入力端子１Ｂに
「１」信号を受けかつその入力端子２Ｂに前記フ
リツプフロツプ４０の出力端子４０ｃから「１」
信号を受ける限り、出力端子１Ｑより前記ゲート
素子IC₁₉，IC₁₈を経てカウンタ４４の前記CK端
子にクロツクパルスを送る。このクロツクパルス
の前記発振周期Ｔは、抵抗R₁₃，R₁₄およびコンデ
ンサC₁₀，C₁₁により決められるが、図示の通りマ
ルチバイブレータ４８にノイズフイルタRFC₁，
RFC₂，C₁₂，C₁₃を介して可変抵抗器５０を付加
し、該可変抵抗器の調節によりパルス間隔を増減
することによつて前記発振周期Ｔを例えば0.01秒
ないし0.1秒の間で可変とすることができる。前記クロツクパルス発生回路２６は、前記入力
端子２Ｂに前記フリツプフロツプ４０の出力端子
４０ｃから「０」信号を受けることにより発振を
停止し、また前記入力端子１Ｂにアドレス変更信
号発生回路２８から「０」信号であるアドレスデ
クレメント信号を受けることにより発振を一時的
に停止する。前記アドレス変更信号発生回路２８は、単安定
マルチバイブレータ４８を備え、その入力端子Ｂ
にカウンタ４４からの前記リツプルキヤリーを受
けると、出力端子より、抵抗R₁₂およびコンデ
ンサC₉により決まる一定幅の負のパルス信号を
アドレス変更信号すなわちアドレスデクレメント
信号として前記ゲート素子IC₁₀を経て前記アツプ
ダウンカウンタＩの前記CK端子に送る。このア
ドレスデクレメント信号の入力により、前記した
ように前記アドレス設定回路２０は引続くアドレ
ス信号をメモリー回路１８に出力すべく動作す
る。また、前記アドレスデクレメント信号は、前記
ゲート素子IC₁₆，IC₁₇，IC₁₈を経てカウンタ４４
の前記端子およびCK端子に送られ、これによ
りカウンタ４４は前記メモリー回路１８より出力
される引続く新たな時間指定信号を読取る。更に、前記アドレスデクレメント信号は、前記
クロツクパルス発生回路２６の発振を一時的に停
止させるため該パルス発生回路の前記入力端子１
Ｂに送られる。本発明に係る前記装置においては、前記したよ
うに、前記操作スイツチ３６を正励磁位置へ操作
することにより、前記ゲート素子IC₃に「０」信
号を与え、これにより前記リレーCR₁を駆動させ
て補助リレーMsを励起し、そのａ接点CR₁aを閉
接させることができる。また、前記信号発生回路
３４における前記フリツプフロツプ４０の出力端
子４０ｃ，４０ｄには、それぞれ「０」信号およ
び「１」信号が出力されることから、前記クロツ
クパルス回路２６の発振が停止され、また前記メ
モリー１８のデータバスD₆からは「１」信号が
出力され、これにより補助リレーMsの接点Ｍ_S1
は一方の閉接位置に保持される。従つて、前記スイツチ３６の操作により、前記
チヤツクの励磁コイル１６に一定の直流電流を供
給することができ、これにより前記チヤツクに定
磁界を発生させて該磁界により前記チヤツクに磁
性体を吸着保持させることができる。また、前記磁性体の前記チヤツクからの除去に
際し、該チヤツクの残留磁気を消去するのに適正
な消磁パターンが前記初期アドレス選択手段２２
の前記DIPスイツチDSの操作により決定され
る。その後、前記操作スイツチ３６を消磁位置へ
操作することにより、前記フリツプフロツプ４０
出力端子４０ｃ，４０ｄのそれぞれの出力を反転
することができる。このフリツプフロツプ４０の
出力の反転により前記アドレス設定回路２０は前
記DIPスイツチDPにより選択された一つの先頭
アドレス指定信号をメモリー回路１８に出力し、
該メモリー回路は、例えばそのデータバスD₇〜
D₄に（1111）すなわち16進法の表示による
“Ｆ”の信号を出力し、またデータバスD₃〜D₀に
（1111）すなわち16進法の表示による“Ｆ”の信
号を出力する。これによりデータバスD₃〜D₀で
特定される15T秒間前記リレーCR₁，CR₂，CR₃
が非励起状態におかれて前記励磁コイルへの通電
が停止される。前記クロツクパルス発生回路２６からのクロツ
クパルス数が15に達するとすなわち15T秒後、カ
ウンタ回路２４は前記アドレス変更信号発生回路
２８にリツプルキヤリーを発し、これによりアド
レス変更信号発生回路２８はアドレス変更信号を
発する。このアドレス変更信号により前記アドレ
ス設定回路２０は前記先頭アドレス信号に引続く
アドレス指定信号すなわち先頭アドレスよりも
「１」を減算されたアドレス指定信号をメモリー
回路に出力する。その結果、前記メモリー回路１
８は、例えば、そのデータバスD₇〜D₄に
（0011）すなわち16進法の表示による“３”信号
を出力し、またそのデータバスD₃〜D₀に
（1111）すなわち16進法の表示による“Ｆ”信号
を出する。これにより、15T秒間前記リレーCR₁
および前記リレーCR₂を励起させる。前記リレー
CR₁の励起によりそのリレー接点CR_1aが閉接さ
れ、前記リレーCR₂の励起により前記リレーMs
の接点Ms₁が他方の閉接位置に保持される。その
結果15T秒間励磁コイル１６には逆電流が流れ
る。以下順次、前記メモリー回路に記憶されかつ前
記DIPスイツチDSにより選択された消磁パター
ンに沿つて、例えば第３図に示されているように
リレーCR₁，CR₂の作動が制御され、励磁コイル
１６に極性が切換えられかつ切換周期の漸減する
一定値の電流が供給され、これにより前記チヤツ
クの残留磁気の消去が完了する。前記消磁パターンの遂行が完了すると前記メモ
リー回路１８のデータバスD₄からの「１」信号
により前記装置１０は休止状態におかれる。次に、表１および表２にそれぞれ異なる消磁パ
ターンのための、メモリー回路１８に記憶される
データを例示する。

【表】

【表】前記各表におけるアドレスおよびデータは、16
進法で表示されており、例えばアドレスFFは
（1111，1111）に相当し、またデータFFはデータ
バスD₇〜D₄，D₃〜D₀の出力が（1111，1111）に
相当する。従つて、例えば、表１おけるアドレス
FF，FEのデータFF，Ｆ４によれば各上位４ビ
ツトの値“Ｆ”で休止状態が特定され、この休止
状態は下位４ビツトすなわちデータバスD₃〜D₀
の各値の和すなわち20T秒（Ｔは前記したクロツ
クパルス発振周期）間保持される。また引続く逆
励磁の状態はデータ３Ｆ，３Ｆ，３Ｆ，３Ｄの各
上位４ビツトの値である“３”すなわちデータバ
スD₇〜D₄（0011）で特定され、またその時間は
各下位４ビツトの値の和すなわち61T秒である。従つて、例えばメモリー回路１８に記憶された
表１に沿つた消磁パターンを遂行するには、初期
アドレス（Ｆ，Ｆ）すなわち（1111，1111）をア
ドレス設定回路２０に指定すべく初期アドレス選
択手段２２の両DIPスイツチDSを開放状態にし
た後、操作スイツチ３６を消磁位置に操作すれば
よい。また、表２に沿つた消磁パターンの遂行に
は、初期アドレス（７，Ｆ）すなわち（0111，
1111）をアドレス設定回路２０に指定すべくアツ
プダウンカウンタＪのＤ入力端子に対応する一方
のDIPスイツチDSのみを閉接すればよい。本発明によれば、前記したように、DIPスイツ
チDSの操作のみによつて複数の消磁パターンの
中の最適な消磁パターンを選択することとができ
る。また、励磁コイルに供給される電流の切換の
ためのリレーの制御は、メモリー回路の情報に基
づいて電気的に制御されることから、選択された
消磁パターンにばらつきが生じることなく、また
高速での極性切換が可能となることから、均一で
しかも極めて良好な消磁効果を得ることができ
る。さらに、クロツクパルス発生回路のパルス発
振周期を可変とすることにより、選択された一つ
の消磁パターンについても消磁時間を増減するこ
とができ、これにより最適な消磁効果を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る消磁用電源装置を示すダ
イヤグラムであり、第２図は本発明に係る消磁装
置の電気回路図であり、第３図は第２図に示した
リレーおよび励磁コイルの励磁状態を示すタイム
チヤートである。１２……整流回路、１４……極性切換回路、１
６……励磁コイル、１８……メモリー回路、２０
……アドレス設定回路、２２……初期アドレス選
択手段、２４……カウンタ回路、２６……クロツ
クパルス発生回路、２８……アドレス変更信号発
生回路。

Claims

【特許請求の範囲】

１励磁コイルに消磁のための減衰交番磁界を発
生させるべく、整流回路から出力される直流電流
を極性切換回路により交互に極性を切換えかつそ
の切換周期を漸減させて前記励磁コイルに供給す
るための消磁用電源装置であつて、複数の消磁パ
ターンが記憶され前記極性切換回路に動作信号を
送るメモリー回路と、消磁開始信号の入力により
前記消磁パターンを選択するための初期アドレス
を選択する手段と、該初期アドレス選択手段によ
つて指定されたアドレス指定信号を前記メモリー
回路に送るアドレス設定回路と、クロツクパルス
発生回路と、該クロツクパルス発生回路からのク
ロツクパルスおよび前記アドレス設定回路のアド
レス指定信号により指定された前記メモリー回路
からの時間指定信号を受けて該時間指定信号によ
り規定される所定の値に前記クロツクパルス数が
達した際にリツプルキヤリーを発生するカウンタ
ー回路と、前記アドレス設定回路から前記メモリ
ー回路に出力されるアドレス指定信号を選択され
た消磁パターンに沿つて順次引続くアドレス指定
信号に進めかつ前記メモリー回路から出力される
引続く時間指定信号を前記カウンター回路に入力
させるべく、前記リツプルキヤリーを受けて前記
アドレス設定回路および前記カウンター回路のそ
れぞれにアドレス変更信号を送るアドレス変更信
号発生回路とを含み、選択された一つの消磁パタ
ーンの遂行後前記メモリー回路から前記アドレス
設定回路に送られる休止信号によつて休止状態に
おかれることを特徴とする消磁用電源装置。