JPS61193458A - シリコンウエハの処理方法 - Google Patents
シリコンウエハの処理方法Info
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- JPS61193458A JPS61193458A JP60033181A JP3318185A JPS61193458A JP S61193458 A JPS61193458 A JP S61193458A JP 60033181 A JP60033181 A JP 60033181A JP 3318185 A JP3318185 A JP 3318185A JP S61193458 A JPS61193458 A JP S61193458A
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- Japan
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- wafer
- oxygen
- hydrogen
- silicon wafer
- heat treatment
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/40—Treatments of semiconductor bodies to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H10P95/402—Treatments of semiconductor bodies to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、格子間酸素を含むシリコンウェハの表面近傍
の酸素析出物を消滅させるシリコンウェハの処理方法に
関する。
の酸素析出物を消滅させるシリコンウェハの処理方法に
関する。
従来、半導体集積回路の製造には、半導体インゴットを
ウェハ状に切出し、表面研磨を施したウェハをそのまま
集積回路製造シロセスに投入していた。また、集積回路
製造プロセスでは、１０００ ［℃］を上限とした工程
が一般に採用されていた。
ウェハ状に切出し、表面研磨を施したウェハをそのまま
集積回路製造シロセスに投入していた。また、集積回路
製造プロセスでは、１０００ ［℃］を上限とした工程
が一般に採用されていた。
近年、半導体集積回路の高集積化は著しく、素イ、）□
４．□□イｂ ｉ： ｍ ’ｖ ６ゆ□４ｏ７１ 。
４．□□イｂ ｉ： ｍ ’ｖ ６ゆ□４ｏ７１ 。
いものがある。このため、プロセスの低温化が検討され
ている。しかし、１０００ ［℃］以下の工程では、次
に述べるような３ｉウエハの結晶特性に起因する熱酸化
膜の耐圧不良が発生する。なお、発生原因については今
゛後の硝究により解明されると思われるが、現在推ａｌ
ｌする耐圧不良発生過程は、次のようなものである。即
ち、Ｓｉウェハ中に含まれる格子間酸素原子が３ｉ結晶
中の酸素析出物に捕えられて、更に大きな析出物となる
。集積回路製造の熱処理工程時には、この大きな析出物
の回り【こ発生する強い歪場の領域に、重金属等の不純
物が捕獲される。そして、この重金属を含む析出物が熱
酸化膜中に取込まれると酸化膜欠陥となり、耐圧不良を
生じたり、少数キャリア発生のライフタイムを小さくさ
せたりすることになる。
ている。しかし、１０００ ［℃］以下の工程では、次
に述べるような３ｉウエハの結晶特性に起因する熱酸化
膜の耐圧不良が発生する。なお、発生原因については今
゛後の硝究により解明されると思われるが、現在推ａｌ
ｌする耐圧不良発生過程は、次のようなものである。即
ち、Ｓｉウェハ中に含まれる格子間酸素原子が３ｉ結晶
中の酸素析出物に捕えられて、更に大きな析出物となる
。集積回路製造の熱処理工程時には、この大きな析出物
の回り【こ発生する強い歪場の領域に、重金属等の不純
物が捕獲される。そして、この重金属を含む析出物が熱
酸化膜中に取込まれると酸化膜欠陥となり、耐圧不良を
生じたり、少数キャリア発生のライフタイムを小さくさ
せたりすることになる。
そこで最近、この微少酸素析出物を除去する方法として
、イントリンシック・ゲッタリング法が注目されている
。即ち、Ｓ１ウエハを高温（例えば１１５０℃）で１〜
１００時間の熱処理を行い、結晶育成中に行った過飽和
格子間酸素を外方拡散させ、３ｔウ工ハ表面から数〜数
１０［μＴｒＬ］に゛ 亙る酸素濃度の低い領域を形成
する。この工程は同時に、結晶育成時に結晶中に入った
微小析出物を溶解させる効果もある。更に、低温（８０
０℃）で数時間の熱処理を追加し、析出物の安定化をは
かった後、通常の集積回路製造工程に投入すると、１０
００［℃］の製造工程でウェハ内部で析出物が成長する
。このイントリンシック・ゲッタリング法を集積回路製
造工程に採用すると、ウェハ内に発生した前記微小析出
物がプロセス中にウェハ表面に付着した金属不純物をゲ
ッターし、表面層を不純物のない状態に保つ。従って、
このようなプロセスによって作成された熱酸化膜は欠陥
が少ないと予想される。
、イントリンシック・ゲッタリング法が注目されている
。即ち、Ｓ１ウエハを高温（例えば１１５０℃）で１〜
１００時間の熱処理を行い、結晶育成中に行った過飽和
格子間酸素を外方拡散させ、３ｔウ工ハ表面から数〜数
１０［μＴｒＬ］に゛ 亙る酸素濃度の低い領域を形成
する。この工程は同時に、結晶育成時に結晶中に入った
微小析出物を溶解させる効果もある。更に、低温（８０
０℃）で数時間の熱処理を追加し、析出物の安定化をは
かった後、通常の集積回路製造工程に投入すると、１０
００［℃］の製造工程でウェハ内部で析出物が成長する
。このイントリンシック・ゲッタリング法を集積回路製
造工程に採用すると、ウェハ内に発生した前記微小析出
物がプロセス中にウェハ表面に付着した金属不純物をゲ
ッターし、表面層を不純物のない状態に保つ。従って、
このようなプロセスによって作成された熱酸化膜は欠陥
が少ないと予想される。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、シリコンウェハ表面の酸素析出物を確
実に消滅させるには、高温熱処理を長時間行う必要があ
り、実用性に乏しかった。
があった。即ち、シリコンウェハ表面の酸素析出物を確
実に消滅させるには、高温熱処理を長時間行う必要があ
り、実用性に乏しかった。
また、高温熱処理を長時間行って十分に表面近傍の酸素
濃度を低くし酸素析出物を溶解したつもりでも、熱酸化
膜の耐圧不良は期待した程少なくならないのが現状であ
る。実際の半導体集積回路の製造工程では上述したより
も複雑な現象が起きているものと思われる。
濃度を低くし酸素析出物を溶解したつもりでも、熱酸化
膜の耐圧不良は期待した程少なくならないのが現状であ
る。実際の半導体集積回路の製造工程では上述したより
も複雑な現象が起きているものと思われる。
本発明は上記の事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、格子間酸素を含むシリコンウェハ表
面の酸素析出物を単時間且つ効果的に消滅させることが
でき、シリコンウェハの結晶特性の改善をはかり得る実
用性の高いシリコンウェハの処理方法を提供することに
ある。
的とするところは、格子間酸素を含むシリコンウェハ表
面の酸素析出物を単時間且つ効果的に消滅させることが
でき、シリコンウェハの結晶特性の改善をはかり得る実
用性の高いシリコンウェハの処理方法を提供することに
ある。
本発明の骨子は、イントリンシック・ゲッタリングにお
けるシリコン表面からの酸素の外方拡散を促進させるた
めに、水素雰囲気を利用することにある。
けるシリコン表面からの酸素の外方拡散を促進させるた
めに、水素雰囲気を利用することにある。
即ち本発明は、格子間酸素を含むシリコンウェハの表面
近傍の酸素を消滅させるシリコンウェハの処理方法にお
いて、前記シリコンウェハを水素或いは水素を含む不活
性ガス雰囲気中で８００［℃］以上に、好ましくは１０
００［℃］以上に加熱するようにした方法である。
近傍の酸素を消滅させるシリコンウェハの処理方法にお
いて、前記シリコンウェハを水素或いは水素を含む不活
性ガス雰囲気中で８００［℃］以上に、好ましくは１０
００［℃］以上に加熱するようにした方法である。
本発明によれば、水素雰囲気中での熱処理によりシリコ
ンウェハ表面近傍の酸素の外方拡散を促進することがで
き、これにより表面近傍の酸素析出物を短時間で効果的
に消滅さゼることかできる。
ンウェハ表面近傍の酸素の外方拡散を促進することがで
き、これにより表面近傍の酸素析出物を短時間で効果的
に消滅さゼることかできる。
このため、イン１へリンシック・ゲッタリングの実用性
が向上し、その後に形成する素子の特性向上をはかり得
る。特に、１０００［人］以下の薄いゲート酸化膜を有
するＭＯ８型集積回路の高信頼化を行うことができる。
が向上し、その後に形成する素子の特性向上をはかり得
る。特に、１０００［人］以下の薄いゲート酸化膜を有
するＭＯ８型集積回路の高信頼化を行うことができる。
まず、実施例を説明する前に、本発明の基本原理につい
て説明する。
て説明する。
イントリンシック・ゲッタリングにおけるシリコン中の
酸素析出物の消滅過程は、次のように考えられる。即ち
、高温でシリコンウェハを熱処理すると、シリコン表面
から格子間酸素が外方拡散して、表面近傍の酸素析出物
の回りの格子間酸素濃度が低下する。やがて、固溶限以
下に下がると、酸素析出物から酸素が流出し、再固溶し
始める。
酸素析出物の消滅過程は、次のように考えられる。即ち
、高温でシリコンウェハを熱処理すると、シリコン表面
から格子間酸素が外方拡散して、表面近傍の酸素析出物
の回りの格子間酸素濃度が低下する。やがて、固溶限以
下に下がると、酸素析出物から酸素が流出し、再固溶し
始める。
その際の酸素の流れは、酸素析出物とシリコン界面での
固溶反応と、この析出物界面で固溶した酸素が周辺に拡
散する過程によって制限される。再固溶の初期の段階で
は、析出物の半径が大きいた−〇− め、固溶反応による酸素の流出は十分速く拡散の方が全
体の固溶速度を律速する。しかし、固溶が進み、析出物
半径が小さくなると、拡散速度に比べ界面での固溶反応
が遅く反応律速となる。この反応、律速に入ると、固溶
速度が下がり、消滅時間が延びる。
固溶反応と、この析出物界面で固溶した酸素が周辺に拡
散する過程によって制限される。再固溶の初期の段階で
は、析出物の半径が大きいた−〇− め、固溶反応による酸素の流出は十分速く拡散の方が全
体の固溶速度を律速する。しかし、固溶が進み、析出物
半径が小さくなると、拡散速度に比べ界面での固溶反応
が遅く反応律速となる。この反応、律速に入ると、固溶
速度が下がり、消滅時間が延びる。
従来、シリコン表面近傍の酸素析出物を消滅させるため
の高温熱処理は、酸化性雰囲気若しくは不活性ガス雰囲
気で行われており、析出物の再固溶は、酸化物中のｓ
ｒ −ｏ−ｓ ＋の網目構成を熱エネルギーのみで切断
する必要があり、イントリンシック・ゲッタリングを行
っても、その表面に形成された酸化膜の欠陥密度を消滅
するには、高温熱処理を長時間行う必要があった。
の高温熱処理は、酸化性雰囲気若しくは不活性ガス雰囲
気で行われており、析出物の再固溶は、酸化物中のｓ
ｒ −ｏ−ｓ ＋の網目構成を熱エネルギーのみで切断
する必要があり、イントリンシック・ゲッタリングを行
っても、その表面に形成された酸化膜の欠陥密度を消滅
するには、高温熱処理を長時間行う必要があった。
そこで本発明者等は、これを解決する方法として、高温
熱処理を水素雰囲気中で行うことを検討した。この場合
、水素のシリコン中の固溶限も大きく、拡散係数も１０
００ ［℃］で約４Ｘ１０７［μｍ２／ｈｌと大きいの
で、上記高温熱処理を行うと、Ｓ１中の酸素析出物に水
素が到達する。
熱処理を水素雰囲気中で行うことを検討した。この場合
、水素のシリコン中の固溶限も大きく、拡散係数も１０
００ ［℃］で約４Ｘ１０７［μｍ２／ｈｌと大きいの
で、上記高温熱処理を行うと、Ｓ１中の酸素析出物に水
素が到達する。
その結果、８１表面からの酸素の外方拡散によって、消
滅過程に入り、さらに界面反゛応律速段階に入った微小
析出物の界面において、水素を介在した還元反応が進み
、界面反応を促進させ消滅速度が増大する。従って、水
素を含む雰囲気中で高）品熱処理をしたＳ１ウエハでは
、表面近傍に酸化性雰囲気で高温熱処理した３ｉウエハ
に比べ、より短時間で且つ完全に酸素析出物を消滅させ
ることが可能となる。
滅過程に入り、さらに界面反゛応律速段階に入った微小
析出物の界面において、水素を介在した還元反応が進み
、界面反応を促進させ消滅速度が増大する。従って、水
素を含む雰囲気中で高）品熱処理をしたＳ１ウエハでは
、表面近傍に酸化性雰囲気で高温熱処理した３ｉウエハ
に比べ、より短時間で且つ完全に酸素析出物を消滅させ
ることが可能となる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例方法に係わるＭ
ＯＳキャパシタの製造工程を示す断面図であり、チョク
ラルスキー法（ＣＺ法）によって製造された３ｉウエハ
に適用した例である。
ＯＳキャパシタの製造工程を示す断面図であり、チョク
ラルスキー法（ＣＺ法）によって製造された３ｉウエハ
に適用した例である。
まず、第１図（ａ）に示す如く面方位（１００）、仕抵
抗５〜２０１０ｃｍ］のＳｉウェハ１１を、１０［％］
の水素を含むアルゴンガス中でミ１１９０［℃］の温度
で１０分間熱処理することにより、８１表面近傍の酸素
析出物を消滅させて結晶特性の改善をはかる。これによ
り、Ｓｉウェハ１１の表面は第１図（ａ）中破線Ｐ部を
第２図に拡大して示す如く、ウェハ表面近傍の酸素は外
方拡散してしまい、表面近傍１１ａに無欠陥層が形成さ
れる。これと同時に、ウェハの内部１１ｂには、微小欠
陥層が形成される。
抗５〜２０１０ｃｍ］のＳｉウェハ１１を、１０［％］
の水素を含むアルゴンガス中でミ１１９０［℃］の温度
で１０分間熱処理することにより、８１表面近傍の酸素
析出物を消滅させて結晶特性の改善をはかる。これによ
り、Ｓｉウェハ１１の表面は第１図（ａ）中破線Ｐ部を
第２図に拡大して示す如く、ウェハ表面近傍の酸素は外
方拡散してしまい、表面近傍１１ａに無欠陥層が形成さ
れる。これと同時に、ウェハの内部１１ｂには、微小欠
陥層が形成される。
次いで、上記ウェハ１１を乾燥雰囲気中で、１０００
［℃］の温度で３５分間の処理により酸化し、第１図（
ｂ）に示す如く厚さ４００［入］の酸化膜１２を形成し
た。続いて、ＬＰＣＶＤ法により酸化膜１２上にリン添
加多結晶シリコン膜１３を厚さ４０００ ［人］形成し
た。その後、多結晶シリコン膜１３を写真蝕刻法により
パターニングし、ゲート電極とした。
［℃］の温度で３５分間の処理により酸化し、第１図（
ｂ）に示す如く厚さ４００［入］の酸化膜１２を形成し
た。続いて、ＬＰＣＶＤ法により酸化膜１２上にリン添
加多結晶シリコン膜１３を厚さ４０００ ［人］形成し
た。その後、多結晶シリコン膜１３を写真蝕刻法により
パターニングし、ゲート電極とした。
上記形成された試料の耐圧不良率を′測定したところ第
３図に示す如き結果が得られた。ここで１、図中Ａは熱
処理を施さない場合、Ｂは酸化性雰囲気中での熱処理を
行った場合、Ｃは本実施例方法による場合を示している
。なお、ゲート面積は、いずれも１０［＃ｌＩｌ＋２］
であり、酸化膜電界が７［ＭＶ］のときグー１〜電流が
１［μＡ］以上のものを不良と判定した。
３図に示す如き結果が得られた。ここで１、図中Ａは熱
処理を施さない場合、Ｂは酸化性雰囲気中での熱処理を
行った場合、Ｃは本実施例方法による場合を示している
。なお、ゲート面積は、いずれも１０［＃ｌＩｌ＋２］
であり、酸化膜電界が７［ＭＶ］のときグー１〜電流が
１［μＡ］以上のものを不良と判定した。
第３図から明らかなように、Ｂの場合はＡの場合に比べ
ある程度の改善が見られるが十分ではない。これに対し
、Ｃの場合（本実施例の場合）、Ｂの場合に比しても顕
著な改善が見られる。
ある程度の改善が見られるが十分ではない。これに対し
、Ｃの場合（本実施例の場合）、Ｂの場合に比しても顕
著な改善が見られる。
このように本実施例方法によれば、イントリンシック・
ゲッタリングを水素雰囲気中で行うことにより、Ｓｉウ
ェハ表面近傍の酸素析出物を効果的に消滅させることが
できる。このため、熱酸化膜１２の欠陥密度を著しく低
減させることができる。従って、半導体集積回路に及ぼ
す波及効果は絶大である。例えば、ＭＯ８集積回路での
ゲート酸化膜の薄膜化を容易にし、動作速度を高め、動
作マージンを広くする□ことができ、動作に対する信頼
性を高めることができる。 − なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はない。例えば、前記イントリンシック・ゲッタリング
を行う際の熱処理温度は１１９０［℃］に限るものでは
なく、８００．［℃］以上であればよい。但し、処理時
間の短縮をはかる目的からは１０００ ［℃］以上にす
る方が望ましい。
ゲッタリングを水素雰囲気中で行うことにより、Ｓｉウ
ェハ表面近傍の酸素析出物を効果的に消滅させることが
できる。このため、熱酸化膜１２の欠陥密度を著しく低
減させることができる。従って、半導体集積回路に及ぼ
す波及効果は絶大である。例えば、ＭＯ８集積回路での
ゲート酸化膜の薄膜化を容易にし、動作速度を高め、動
作マージンを広くする□ことができ、動作に対する信頼
性を高めることができる。 − なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はない。例えば、前記イントリンシック・ゲッタリング
を行う際の熱処理温度は１１９０［℃］に限るものでは
なく、８００．［℃］以上であればよい。但し、処理時
間の短縮をはかる目的からは１０００ ［℃］以上にす
る方が望ましい。
さらに、熱処理する際の雰囲気中の水素の割合いは１０
［％］に限るものではなく、適宜変更可能である。水素
１００１％］でも効果はあるが、この場合高温熱処理中
に爆発する虞れがあり、熱処理装置の防爆対策等を十分
に行う必要がある。
［％］に限るものではなく、適宜変更可能である。水素
１００１％］でも効果はあるが、この場合高温熱処理中
に爆発する虞れがあり、熱処理装置の防爆対策等を十分
に行う必要がある。
１０［％］の水素を含む窒素ガス中で高温熱処理を行う
場合には、ウェハ表面に変質層が形成されたらしく、熱
処理後化学的にウェハ表面を０．１［μＴｒＬ］程度以
上除去する必要があった。通常の気密性を持った高温熱
処理装置で２０［％］の水素を含むアルゴンガス中で相
当数の高温熱処理を行ったが爆発等の事故は起こってい
ない。また、上記の熱処理温度及び水素の割合い等の条
件の他に熱処理時間等の条件も、仕様に応じて適宜変更
可能である。ここで、温度が高い程、更に時間が長い程
シリコン中の酸素析出物の消滅が表面からより深い領域
まで完全になされる。つまり、前記酸化膜の厚さが厚い
程、熱処理温度を高く、時間を長くする必要がある。
場合には、ウェハ表面に変質層が形成されたらしく、熱
処理後化学的にウェハ表面を０．１［μＴｒＬ］程度以
上除去する必要があった。通常の気密性を持った高温熱
処理装置で２０［％］の水素を含むアルゴンガス中で相
当数の高温熱処理を行ったが爆発等の事故は起こってい
ない。また、上記の熱処理温度及び水素の割合い等の条
件の他に熱処理時間等の条件も、仕様に応じて適宜変更
可能である。ここで、温度が高い程、更に時間が長い程
シリコン中の酸素析出物の消滅が表面からより深い領域
まで完全になされる。つまり、前記酸化膜の厚さが厚い
程、熱処理温度を高く、時間を長くする必要がある。
また、前記実施例では、ＭＯＳキャパシタの製造に応用
したが、ＭＯＳＦＥＴ及び他のＭＯ８集積回路は勿論、
他の熱酸化膜を有する各種半導体素子のウェハ処理に適
用することができる。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
したが、ＭＯＳＦＥＴ及び他のＭＯ８集積回路は勿論、
他の熱酸化膜を有する各種半導体素子のウェハ処理に適
用することができる。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例方法に係わるＭ
ＯＳキャパシタの製造工程を示す断面図、第２図は上記
第１図（ａ）に破線Ｐで囲んだ部分を拡大して示す模式
図、第３図は上記実施例方法による効果を説明するため
のものでグー１〜酸化膜の耐圧不良率を示す特性図であ
る。 １１・・・３ｉウエハ、１１ａ・・・ウェハの表面近傍
領域、’１１ｂ・・・ウェハの内部領域、１２・・・熱
酸化膜（ゲート酸化膜）、１３・・・リン添加多結晶シ
リコン膜。 出願人代理人 弁理士 鈴汀武彦 第１図 第２図 〜＼〜−−−−− 第３図
ＯＳキャパシタの製造工程を示す断面図、第２図は上記
第１図（ａ）に破線Ｐで囲んだ部分を拡大して示す模式
図、第３図は上記実施例方法による効果を説明するため
のものでグー１〜酸化膜の耐圧不良率を示す特性図であ
る。 １１・・・３ｉウエハ、１１ａ・・・ウェハの表面近傍
領域、’１１ｂ・・・ウェハの内部領域、１２・・・熱
酸化膜（ゲート酸化膜）、１３・・・リン添加多結晶シ
リコン膜。 出願人代理人 弁理士 鈴汀武彦 第１図 第２図 〜＼〜−−−−− 第３図
Claims (4)
- （１）格子間酸素を含むシリコンウェハの表面近傍の酸
素を消滅させるシリコンウェハの処理方法において、前
記シリコンウェハを水素或いは水素を含む不活性ガス雰
囲気中で８００［℃］以上に加熱することを特徴とする
シリコンウェハの処理方法。 - （２）前記シリコンウェハの処理温度を１０００［℃］
以上に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のシリコンウェハの処理方法。 - （３）前記熱処理する際の雰囲気は、水素を２０［％］
以下含む不活性ガス雰囲気であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項又は第２項記載のシリコンウェハの処
理方法。 - （４）前記不活性ガスとして、アルゴンを用いることを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載のシリコンウェハ
の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033181A JPS61193458A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | シリコンウエハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033181A JPS61193458A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | シリコンウエハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193458A true JPS61193458A (ja) | 1986-08-27 |
Family
ID=12379332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033181A Pending JPS61193458A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | シリコンウエハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193458A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897222A (ja) * | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
| EP0673059A3 (en) * | 1994-03-07 | 1998-09-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor wafer with pre-process denudation |
| JP2001217253A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウェーハ及び半導体単結晶ウェーハ並びにそれらの製造方法 |
| US6809015B2 (en) | 1998-12-28 | 2004-10-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for heat treatment of silicon wafers and silicon wafer |
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-
1985
- 1985-02-21 JP JP60033181A patent/JPS61193458A/ja active Pending
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