JPS61193459A - シリコンウエハの処理方法 - Google Patents
シリコンウエハの処理方法Info
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- JPS61193459A JPS61193459A JP60033182A JP3318285A JPS61193459A JP S61193459 A JPS61193459 A JP S61193459A JP 60033182 A JP60033182 A JP 60033182A JP 3318285 A JP3318285 A JP 3318285A JP S61193459 A JPS61193459 A JP S61193459A
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- JP
- Japan
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- wafer
- oxide film
- oxygen
- silicon wafer
- heat treatment
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P36/00—Gettering within semiconductor bodies
- H10P36/03—Gettering within semiconductor bodies within silicon bodies
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、格子間酸素を含むシリコンウェハの表面近傍
の酸素析出物を低減させるシリコンウェハの処理方法に
関する。
の酸素析出物を低減させるシリコンウェハの処理方法に
関する。
従来、半導体集積回路の製造には、半導体インゴットを
ウェハ状に切出し、表面研磨を施したウェハをそのまま
集積回路製造プロセスに投入していた。また、集積回路
製造プロセスでは、１０００［℃］を上限とした工程が
一般に採用されていた。
ウェハ状に切出し、表面研磨を施したウェハをそのまま
集積回路製造プロセスに投入していた。また、集積回路
製造プロセスでは、１０００［℃］を上限とした工程が
一般に採用されていた。
近年、半導体集積回路の高集積化は著、シフ、素子の微
細化及び薄膜化に対する要求は極めて厳しいものがある
。このため、プロセスの低温化が検討されている。しか
し、１０００ ［’Ｃ］以下の工程では、次に述べるよ
うな３ｉウエハに起因する熱酸化膜の耐圧不良が発生す
る。なお、発生原因については今後の研究により解明さ
れると思われるが、現在推測する耐圧不良発生過程は次
のようなものである。即ち、３ｉウエハ中に含まれる格
子間酸素原子が８１結晶中の酸素析出物に捕えられて、
更に大きな析出物となる。集積回路製造の熱処理工程時
には、この大きな析出物の回りに発生する強い歪場の領
域に、重金属等の不純物が捕獲される。そして、この重
金属を含む析出物が熱酸化膜中に取込まれると酸化膜欠
陥となり、耐圧不良を生じたり、少数キャリア発生のラ
イフタイムを小さくさせたりすることになる。
細化及び薄膜化に対する要求は極めて厳しいものがある
。このため、プロセスの低温化が検討されている。しか
し、１０００ ［’Ｃ］以下の工程では、次に述べるよ
うな３ｉウエハに起因する熱酸化膜の耐圧不良が発生す
る。なお、発生原因については今後の研究により解明さ
れると思われるが、現在推測する耐圧不良発生過程は次
のようなものである。即ち、３ｉウエハ中に含まれる格
子間酸素原子が８１結晶中の酸素析出物に捕えられて、
更に大きな析出物となる。集積回路製造の熱処理工程時
には、この大きな析出物の回りに発生する強い歪場の領
域に、重金属等の不純物が捕獲される。そして、この重
金属を含む析出物が熱酸化膜中に取込まれると酸化膜欠
陥となり、耐圧不良を生じたり、少数キャリア発生のラ
イフタイムを小さくさせたりすることになる。
そこで最近、この微小酸素析出物を除去する方法として
、イントリンシック・ゲッタリング法が注目されている
。即ち、Ｓｉウェハを高温（例えば１１５０℃）で１〜
１００時間の熱処理を行い、結晶育成中に入った過飽和
格子間酸素を外方拡散させ、３ｉウ工ハ表面から数〜数
１０［μｍ］に亙る酸素濃度の低い領域を形成する。こ
の工程は同時に、結晶育成時に結晶中に入った微小析出
物を溶解させる効果もある。更に、低温（８００℃）で
数時間の熱処理を追加し、析出物の安定化をはかった後
、通常の集積回路製造工程に投入すると、１０００［℃
］の製造工程でウェハ内部で析出物が成長する。このイ
ントリンシック・ゲッタリング法を集積回路製造工程に
採用すると、ウェハ内に発生した前記微小析出物がプロ
セス中にウェハ表面に付着した金属不純物をゲッターし
、表面層を不純物のない状態に保つ。従って、このよう
なプロセスによって作成された熱酸化膜は欠陥が少ない
と予想される。
、イントリンシック・ゲッタリング法が注目されている
。即ち、Ｓｉウェハを高温（例えば１１５０℃）で１〜
１００時間の熱処理を行い、結晶育成中に入った過飽和
格子間酸素を外方拡散させ、３ｉウ工ハ表面から数〜数
１０［μｍ］に亙る酸素濃度の低い領域を形成する。こ
の工程は同時に、結晶育成時に結晶中に入った微小析出
物を溶解させる効果もある。更に、低温（８００℃）で
数時間の熱処理を追加し、析出物の安定化をはかった後
、通常の集積回路製造工程に投入すると、１０００［℃
］の製造工程でウェハ内部で析出物が成長する。このイ
ントリンシック・ゲッタリング法を集積回路製造工程に
採用すると、ウェハ内に発生した前記微小析出物がプロ
セス中にウェハ表面に付着した金属不純物をゲッターし
、表面層を不純物のない状態に保つ。従って、このよう
なプロセスによって作成された熱酸化膜は欠陥が少ない
と予想される。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、シリコンウェハ表面の酸素析出物を確
実に消滅させるには、高温熱処理を長時間行う必要があ
り、実用性に乏しかった。
があった。即ち、シリコンウェハ表面の酸素析出物を確
実に消滅させるには、高温熱処理を長時間行う必要があ
り、実用性に乏しかった。
また、高温熱処理を長時間行い十分に表面近傍の酸素濃
度を低くし、酸素析出物を溶解したつもりでも、熱酸化
膜の耐圧不良は期待した程少なくはならないのが現状で
ある。実際の半導体集積回路の製造工程では、上述した
よりも複雑な現象が起きているものと思われる。
度を低くし、酸素析出物を溶解したつもりでも、熱酸化
膜の耐圧不良は期待した程少なくはならないのが現状で
ある。実際の半導体集積回路の製造工程では、上述した
よりも複雑な現象が起きているものと思われる。
本発明は上記の事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、格子間酸素を含むシリコンウェハ表
面の酸素析出物をψ時間且つ効果的に消滅させることが
でき、シリコンウェハの結晶特性の改善をはかり得る実
用性の高いシリコンウェハの処理方法を提供することに
ある。
的とするところは、格子間酸素を含むシリコンウェハ表
面の酸素析出物をψ時間且つ効果的に消滅させることが
でき、シリコンウェハの結晶特性の改善をはかり得る実
用性の高いシリコンウェハの処理方法を提供することに
ある。
本発明の骨子は、イントリンシック・ゲッタリングにお
けるシリコン表面からの酸素の外方拡散を促進させるた
めに、水素雰囲気を利用することにある。
けるシリコン表面からの酸素の外方拡散を促進させるた
めに、水素雰囲気を利用することにある。
即ち本発明は、格子間酸素を含むシリコンウェハの表面
近傍の酸素析出物を消滅させるシリコンウェハの処理方
法において、前記シリコンウェハの表面に酸化膜を形成
したのち、水素を含む雰囲気中で８００ Ｃ℃］以上に
、好ましくは１０００［’Ｃ］以上の熱処理を施すよう
にした方法である。
近傍の酸素析出物を消滅させるシリコンウェハの処理方
法において、前記シリコンウェハの表面に酸化膜を形成
したのち、水素を含む雰囲気中で８００ Ｃ℃］以上に
、好ましくは１０００［’Ｃ］以上の熱処理を施すよう
にした方法である。
本発明によれば、水素雰囲気中での熱処理によりシリコ
ンウェハ表面近傍の酸素の外方拡散を促進することがで
き、これにより表面近傍の酸素析出物を短時間で効果的
に消滅させることができる。
ンウェハ表面近傍の酸素の外方拡散を促進することがで
き、これにより表面近傍の酸素析出物を短時間で効果的
に消滅させることができる。
このため、イントリンシック・ゲッタリングの実用性が
向上し、その後に形成するゲート酸化膜等の欠陥を低減
させ、素子の特性向上をはかり得る。
向上し、その後に形成するゲート酸化膜等の欠陥を低減
させ、素子の特性向上をはかり得る。
特に、１０００［人］以下の薄いゲート酸化膜を有する
ＭＯ８型集積回路の高信頼化を行うことができる。
ＭＯ８型集積回路の高信頼化を行うことができる。
また、シリコンウェハの表面に一旦酸化膜を形成したの
ちに水素雰囲気中で熱処理しているので、シリコンウェ
ハの表面にエッチビットが発生する等の不都合を未然に
防止することができる。
ちに水素雰囲気中で熱処理しているので、シリコンウェ
ハの表面にエッチビットが発生する等の不都合を未然に
防止することができる。
まず、実施例を説明する前に、本発明の基本原理につい
て説明する。
て説明する。
イントリンシック・ゲッタリングにおけるシリコン中の
酸素析出物の消滅過程は、次のように考えられる。即ち
、高温でシリコンウェハを熱処理すると、シリコン表面
から格子間酸素が外方拡散して、表面近傍の酸素析出物
の回りの格子間酸素濃度が低下する。やがて、固溶限以
下に下がると、酸素析出物から酸素が流出し、再固溶し
始める。
酸素析出物の消滅過程は、次のように考えられる。即ち
、高温でシリコンウェハを熱処理すると、シリコン表面
から格子間酸素が外方拡散して、表面近傍の酸素析出物
の回りの格子間酸素濃度が低下する。やがて、固溶限以
下に下がると、酸素析出物から酸素が流出し、再固溶し
始める。
その際の酸素の流れは、酸素析出物とシリコン界面での
固溶反応と、この析出物界面で固溶した酸素が周辺に拡
散する過程によって制限される。再固溶の初期の段階で
は、析出物の半径が大きいため、固溶反応による酸素の
流出は十分速く拡散の方が全体の固溶速度を律速する。
固溶反応と、この析出物界面で固溶した酸素が周辺に拡
散する過程によって制限される。再固溶の初期の段階で
は、析出物の半径が大きいため、固溶反応による酸素の
流出は十分速く拡散の方が全体の固溶速度を律速する。
しかし、固溶が進み、析出物半径が小さくなると、拡散
速度に比べ界面での固溶反応が遅く反応律速となる。こ
の反応律速に入ると、固溶速度が下がり、消滅時間が延
びる。
速度に比べ界面での固溶反応が遅く反応律速となる。こ
の反応律速に入ると、固溶速度が下がり、消滅時間が延
びる。
従来、シリコン表面近傍の酸素析出物を消滅させるため
の高温熱処理は、酸化性雰囲気若しくは不活性ガス雰囲
気で行われており、析出物の再固溶は、酸化物中のＳ
＋ −０−Ｓ ＋の網目構成を熱エネルギーのみで切断
する必要があり、イントリンシック・ゲッタリングを行
っても、その表面に形成された酸化膜の欠陥密度を低減
するには、高温熱処理を長時間行う必要があった。
の高温熱処理は、酸化性雰囲気若しくは不活性ガス雰囲
気で行われており、析出物の再固溶は、酸化物中のＳ
＋ −０−Ｓ ＋の網目構成を熱エネルギーのみで切断
する必要があり、イントリンシック・ゲッタリングを行
っても、その表面に形成された酸化膜の欠陥密度を低減
するには、高温熱処理を長時間行う必要があった。
そこで本発明者等は、これを解決する方法として、高温
熱処理を水素雰囲気中で行うことを検討した。この場合
、水素のシリコン中の固溶限も大きく、拡散係数も１０
００Ｅ℃］で約４×１０７［μｍ２／ｈ］と大きいので
、上記高温熱処理を行うと、３ｉ中の酸素析出物に水素
が到達する。
熱処理を水素雰囲気中で行うことを検討した。この場合
、水素のシリコン中の固溶限も大きく、拡散係数も１０
００Ｅ℃］で約４×１０７［μｍ２／ｈ］と大きいので
、上記高温熱処理を行うと、３ｉ中の酸素析出物に水素
が到達する。
その結果、８１表面からの酸素の外方拡散によって、消
滅過程に入り、さらに界面反応律速段階に入った微小析
出物の界面において、水素を介在した還元反応が進み、
界面反応を促進させ消滅速度が増大する。従って□、水
素を含む雰囲気中で高温熱処理をした３ｉウエハでは、
表面近傍に酸化性雰囲気で高温熱処理した３ｉウエハに
比べ、より短時間で且つ完全に酸素析出物を消滅させる
ことが可能となる。
滅過程に入り、さらに界面反応律速段階に入った微小析
出物の界面において、水素を介在した還元反応が進み、
界面反応を促進させ消滅速度が増大する。従って□、水
素を含む雰囲気中で高温熱処理をした３ｉウエハでは、
表面近傍に酸化性雰囲気で高温熱処理した３ｉウエハに
比べ、より短時間で且つ完全に酸素析出物を消滅させる
ことが可能となる。
しかしながら、このような高温熱処理を市販の酸化炉で
行うと、炉口の密閉度が十分でないので、室内の空気が
僅かに逆流する。酸素が僅かであるため、 ２Ｓｉ＋０２→２Ｓ（０ と云う反応が起こり、ＳｉＯが揮発性のため、シリコン
ウェハの表面にエッチビットが出てしまう。
行うと、炉口の密閉度が十分でないので、室内の空気が
僅かに逆流する。酸素が僅かであるため、 ２Ｓｉ＋０２→２Ｓ（０ と云う反応が起こり、ＳｉＯが揮発性のため、シリコン
ウェハの表面にエッチビットが出てしまう。
このエッチビットは、のちに形成する素子の特性を劣化
させる要因となる。
させる要因となる。
この点に着目して本発明者等が鋭意研究を重ねた結果、
シリコンウェハの表面に予め酸化膜を形成した後、上記
の水素雰囲気中での熱処理を行うことにより、上記エッ
チビットの発生をも防止できることが判明した。
シリコンウェハの表面に予め酸化膜を形成した後、上記
の水素雰囲気中での熱処理を行うことにより、上記エッ
チビットの発生をも防止できることが判明した。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例方法に係わる
ＭＯＳキャパシタの製造工程を示す断面図であり、チョ
クラルスキー法（ＣＺ法）によって製造されたＳ１ウエ
ハに適用した例である。
ＭＯＳキャパシタの製造工程を示す断面図であり、チョ
クラルスキー法（ＣＺ法）によって製造されたＳ１ウエ
ハに適用した例である。
まず、第１図（ａ＞に示す如く面方位（１００）、比抵
抗５〜２０［Ωｃｒｎコの３ｉウエハ１１を、例えば１
０００ ［’Ｃ］で乾燥アルゴンにより１０［％］に希
釈された乾燥酸素中に置き、ウェハ１１の表面に厚さ５
０［入］の酸化膜１２を形成した。
抗５〜２０［Ωｃｒｎコの３ｉウエハ１１を、例えば１
０００ ［’Ｃ］で乾燥アルゴンにより１０［％］に希
釈された乾燥酸素中に置き、ウェハ１１の表面に厚さ５
０［入］の酸化膜１２を形成した。
次いで、１０［％］の水素を含むアルゴンガス中で、１
１９０［’Ｃ］の温度で１０分間熱処理することにより
、３ｉ表面近傍の酸素析出物を消滅させる。その後、第
１図（ｂ）に示す如く酸化膜１２をエツチング除去した
。これにより、Ｓｉウェハ１１の表面は第１図（ｂ）中
破線Ｐ部を第２図に拡大して示す如く、ウェハ表面近傍
の酸素は外方拡散してしまい、表面近傍１１ａに無欠陥
層が形成される。これと同時に、ウェハの内部１１ｂに
は、微小欠陥層が形成される。
１９０［’Ｃ］の温度で１０分間熱処理することにより
、３ｉ表面近傍の酸素析出物を消滅させる。その後、第
１図（ｂ）に示す如く酸化膜１２をエツチング除去した
。これにより、Ｓｉウェハ１１の表面は第１図（ｂ）中
破線Ｐ部を第２図に拡大して示す如く、ウェハ表面近傍
の酸素は外方拡散してしまい、表面近傍１１ａに無欠陥
層が形成される。これと同時に、ウェハの内部１１ｂに
は、微小欠陥層が形成される。
次いで、上記ウェハ１１を乾燥雰囲気中で、１０００［
℃］の温度で３５分間の処理により酸化し、第１図（ｂ
）に示す如く厚さ４００［人］の酸化膜（ゲート酸化膜
）、１３を形成した。続いて、ＬＰＣＶＤ法により酸化
膜１３上にリン添加多結晶シリコン膜１４を厚さ４００
０ ［人］形成した。その後、多結晶シリコン１１１４
を写真蝕刻法によりバターニングし、ゲート電極とした
。
℃］の温度で３５分間の処理により酸化し、第１図（ｂ
）に示す如く厚さ４００［人］の酸化膜（ゲート酸化膜
）、１３を形成した。続いて、ＬＰＣＶＤ法により酸化
膜１３上にリン添加多結晶シリコン膜１４を厚さ４００
０ ［人］形成した。その後、多結晶シリコン１１１４
を写真蝕刻法によりバターニングし、ゲート電極とした
。
上記形成された試料の耐圧不良率を測定したところ第３
図に示す如き結果が得られた。ここで、図中Ａは熱処理
を施さない場合、Ｂは酸化性雰囲気中での熱処理を行っ
た場合、Ｃは本実施例方法による場合を示している。な
お、ゲート面積は、いずれも１０［＃２］であり、酸化
膜電界が７［ＭＶコのときゲート電流が１［μＡ］以上
のものを不良と判定した。
図に示す如き結果が得られた。ここで、図中Ａは熱処理
を施さない場合、Ｂは酸化性雰囲気中での熱処理を行っ
た場合、Ｃは本実施例方法による場合を示している。な
お、ゲート面積は、いずれも１０［＃２］であり、酸化
膜電界が７［ＭＶコのときゲート電流が１［μＡ］以上
のものを不良と判定した。
第３図から明らかなように、Ｂの場合はＡの場合に比べ
ある程度の改善が見られるが十分ではない。これに対し
、Ｃの場合（本実施例の場合）、Ｂの場合に比しても顕
著な改善が見られる。
ある程度の改善が見られるが十分ではない。これに対し
、Ｃの場合（本実施例の場合）、Ｂの場合に比しても顕
著な改善が見られる。
このように本実施例方法によれば、イントリンシック・
ゲッタリングを水素雰囲気中で行うことにより、Ｓｉウ
ェハ表面近傍の酸素析出物を効果的に消滅させることが
できる。しかも、シリコンウェハ１１の表面に一旦酸化
膜１２を形成したのちに、上記水素雰囲気中での熱処理
を行っているので、シリコンウェハ表面にエッチピッｉ
〜が発生することを未然に防止することができる。この
ため、ゲート酸化膜１３の欠陥密度を著しく低減させる
ことができる。従って、半導体集積回路に及ぼす波及効
果は絶大である。例えば、ＭＯ８集積回路でのゲート酸
化膜の薄膜化を容易にし、動作速度を高め、動作マージ
ンを広くすることができ、動作に対する信頼性を高める
ことができる。
ゲッタリングを水素雰囲気中で行うことにより、Ｓｉウ
ェハ表面近傍の酸素析出物を効果的に消滅させることが
できる。しかも、シリコンウェハ１１の表面に一旦酸化
膜１２を形成したのちに、上記水素雰囲気中での熱処理
を行っているので、シリコンウェハ表面にエッチピッｉ
〜が発生することを未然に防止することができる。この
ため、ゲート酸化膜１３の欠陥密度を著しく低減させる
ことができる。従って、半導体集積回路に及ぼす波及効
果は絶大である。例えば、ＭＯ８集積回路でのゲート酸
化膜の薄膜化を容易にし、動作速度を高め、動作マージ
ンを広くすることができ、動作に対する信頼性を高める
ことができる。
なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はない。例えば、前記イントリンシック・ゲッタリング
を行う際の熱処理温度は１１９０［℃］に限るものでは
なく、８００［’１以上であればよい。但し、処理時間
の短縮をはかる目的からは１０００［’Ｃ］以上にする
方が望ましい。
はない。例えば、前記イントリンシック・ゲッタリング
を行う際の熱処理温度は１１９０［℃］に限るものでは
なく、８００［’１以上であればよい。但し、処理時間
の短縮をはかる目的からは１０００［’Ｃ］以上にする
方が望ましい。
また、熱処理時間及び水素雰囲気中の水素の割合い等の
条件は、仕様に応じて適宜変更可能である。
条件は、仕様に応じて適宜変更可能である。
ここで、温度が高い程、更に時間が長い程シリコン中の
酸素析出物の消滅が表面からより深い領域まで完全にな
される。つまり、前記酸化膜の厚さが厚い程、熱処理温
度を高く、時間を長くする必要がある。
酸素析出物の消滅が表面からより深い領域まで完全にな
される。つまり、前記酸化膜の厚さが厚い程、熱処理温
度を高く、時間を長くする必要がある。
また、実施例ではエッチビット防止用の熱酸化膜を１０
００ ［℃］のアルゴン希釈酸素中で５０［入コの厚さ
に形成したが、酸化条件及び膜厚に制限はなく、良質の
酸化膜で後に続く水素を含む雰囲気中での熱処理の効果
を低下させる程厚いものでなければよい。また、前記実
施例では、ＭＯＳキャパシタの製造に応用したが、ＭＯ
ＳＦＥＴ及び他のＭＯ８集積回路は勿論、他の熱酸化膜
を有する各種半導体素子のウニＡ処理に適用することが
できる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
００ ［℃］のアルゴン希釈酸素中で５０［入コの厚さ
に形成したが、酸化条件及び膜厚に制限はなく、良質の
酸化膜で後に続く水素を含む雰囲気中での熱処理の効果
を低下させる程厚いものでなければよい。また、前記実
施例では、ＭＯＳキャパシタの製造に応用したが、ＭＯ
ＳＦＥＴ及び他のＭＯ８集積回路は勿論、他の熱酸化膜
を有する各種半導体素子のウニＡ処理に適用することが
できる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例方法に係わる
ＭＯＳキャパシタの製造工程を示す断面図、第２図は上
記第１図（ｂ）に破線Ｐで囲んだ部分を拡大して示す模
式図、第３図は上記実施例方法による効果を説明するた
めのものでゲート酸化膜の耐圧不良率を示す特性図であ
る。 １１・・・Ｓｉウェハ、１１ａ・・・ウェハの表向近傍
領域、１１ｂ・・・ウェハの内部領域、１２・・・熱酸
化膜〈エッチビット発生防止用酸化膜）、１３・・・熱
酸化膜（ゲート酸化膜）、１４・・・リン添加多結晶シ
リコン膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 ｆｓ２図 第３図
ＭＯＳキャパシタの製造工程を示す断面図、第２図は上
記第１図（ｂ）に破線Ｐで囲んだ部分を拡大して示す模
式図、第３図は上記実施例方法による効果を説明するた
めのものでゲート酸化膜の耐圧不良率を示す特性図であ
る。 １１・・・Ｓｉウェハ、１１ａ・・・ウェハの表向近傍
領域、１１ｂ・・・ウェハの内部領域、１２・・・熱酸
化膜〈エッチビット発生防止用酸化膜）、１３・・・熱
酸化膜（ゲート酸化膜）、１４・・・リン添加多結晶シ
リコン膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 ｆｓ２図 第３図
Claims (3)
- （１）格子間酸素を含むシリコンウェハの表面近傍の酸
素析出物を低減させるシリコンウェハの処理方法におい
て、前記シリコンウェハの表面に酸化膜を形成する工程
と、次いで水素を含む雰囲気中で８００［℃］以上の熱
処理を施す工程を含むことを特徴とするシリコンウェハ
の処理方法。 - （２）前記シリコンウェハの熱処理温度を１０００［℃
］以上に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のシリコンウェハの処理方法。 - （３）前記熱処理工程のあと、前記酸化膜を除去して新
たにゲート酸化膜を形成することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のシリコンウェハの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033182A JPS61193459A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | シリコンウエハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033182A JPS61193459A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | シリコンウエハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193459A true JPS61193459A (ja) | 1986-08-27 |
Family
ID=12379356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033182A Pending JPS61193459A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | シリコンウエハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193459A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202828A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0620896A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JPH0997789A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0673059A3 (en) * | 1994-03-07 | 1998-09-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor wafer with pre-process denudation |
Citations (2)
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1985
- 1985-02-21 JP JP60033182A patent/JPS61193459A/ja active Pending
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