JPS61194819A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
- Publication number
- JPS61194819A JPS61194819A JP60035602A JP3560285A JPS61194819A JP S61194819 A JPS61194819 A JP S61194819A JP 60035602 A JP60035602 A JP 60035602A JP 3560285 A JP3560285 A JP 3560285A JP S61194819 A JPS61194819 A JP S61194819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon
- active species
- chamber
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3442—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3444—P-type
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はシリコンを含有する堆積膜、とりわけ機能性膜
、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画
像入力用のラインセンサー、撮像デバイス、光起電力素
子などｌこ用いるアモルファス状あるいは多結晶状等の
非単結晶状のシリコン含有堆積膜を形成するのに好適な
方法に関する。
、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画
像入力用のラインセンサー、撮像デバイス、光起電力素
子などｌこ用いるアモルファス状あるいは多結晶状等の
非単結晶状のシリコン含有堆積膜を形成するのに好適な
方法に関する。
例えば、アモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸涜
法、プラズマＯＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
ら几でおり、一般的正こは、プ２ズマＯＶＤ法が広く用
いらち、企業化されている。
法、プラズマＯＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
ら几でおり、一般的正こは、プ２ズマＯＶＤ法が広く用
いらち、企業化されている。
丙午らアモルファスシリコンで構成される堆積膜はｌＩ
ｃ気的１光字的時性及び、繰返し使用での疲労特性ある
いは匣用環境荷性、更ｉこは均一性、再現性を富めた生
産性、瀘産性の点において、更に総合的な特性の向上を
図る余地がある。
ｃ気的１光字的時性及び、繰返し使用での疲労特性ある
いは匣用環境荷性、更ｉこは均一性、再現性を富めた生
産性、瀘産性の点において、更に総合的な特性の向上を
図る余地がある。
従来から一般化さｎているプラズマＯＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来の０ＶＩ）法に比較してかなり複雑であり、その
反応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜
の形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入
ガスの流量と比、形成時の圧力、高周波成力、４極碑造
、反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方法など）
これら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプ
ラズマが不安定な状ｆｌ１４１こなり、形成された堆積
膜に著しい悪影響を与えることが少なくなかった。
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来の０ＶＩ）法に比較してかなり複雑であり、その
反応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜
の形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入
ガスの流量と比、形成時の圧力、高周波成力、４極碑造
、反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方法など）
これら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプ
ラズマが不安定な状ｆｌ１４１こなり、形成された堆積
膜に著しい悪影響を与えることが少なくなかった。
そのうえ、装置ｔ特有のパラメータを装置ごとに選定し
なければならず、したがって製造条沖を一般化すること
がむず力）しいのが実状であった。一方、アモルファス
シリコン；漠として電気的、光学的、光導峨的乃至は機
械的特性の夫々を十分に満足させ得るものを発現させる
ためζこは、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成す
ることが最良とされている。
なければならず、したがって製造条沖を一般化すること
がむず力）しいのが実状であった。一方、アモルファス
シリコン；漠として電気的、光学的、光導峨的乃至は機
械的特性の夫々を十分に満足させ得るものを発現させる
ためζこは、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成す
ることが最良とされている。
丙午ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも萬速成
膜ｆこよって再現性のあるｔ座化を図ねばならないため
、プラズマ（、ＩＤ法ｌこよるアモルファスシリコン堆
積膜の形成（こおいては、量産装置に多大な設備投資が
必要となり、またその量産の為の管理項目も複雑ｌこな
って、′ｕ埋許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であ
ることから、これらのことが、今後改善すべき問題点と
して指摘さ几ている。他方、通常のＣＶＤ法による従来
の技術では、高を品を必要とし、実用可能な・特性を有
する堆積膜が得られていなかった。
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも萬速成
膜ｆこよって再現性のあるｔ座化を図ねばならないため
、プラズマ（、ＩＤ法ｌこよるアモルファスシリコン堆
積膜の形成（こおいては、量産装置に多大な設備投資が
必要となり、またその量産の為の管理項目も複雑ｌこな
って、′ｕ埋許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であ
ることから、これらのことが、今後改善すべき問題点と
して指摘さ几ている。他方、通常のＣＶＤ法による従来
の技術では、高を品を必要とし、実用可能な・特性を有
する堆積膜が得られていなかった。
上述のμ口く、アモルファスシリコン漠の形成に於て、
その実用可能な特注、均一性を維持させながら、低コス
トなｇｃ置で産屋化できる形成方法を開発することが切
瀘されでいる。これ等のことは、他の機能性撲、例えば
窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜（こ
於ても同様なことがいえる。
その実用可能な特注、均一性を維持させながら、低コス
トなｇｃ置で産屋化できる形成方法を開発することが切
瀘されでいる。これ等のことは、他の機能性撲、例えば
窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜（こ
於ても同様なことがいえる。
本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と共ｌこ、従来の形成方法ｉこよらない新規な堆積膜形
成法を提供するものである。
と共ｌこ、従来の形成方法ｉこよらない新規な堆積膜形
成法を提供するものである。
本発明の目的は、形成される膜の緒特性、成膜速度、再
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の同上及び通産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の同上及び通産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。
上記目的は、基体上（こ堆積膜を形成する為の成膜空間
内ｌこ、炭素とハロゲンを含む化合物を分解することに
より生成される活性種（Ａ）と、該活性＆ （Ａ）と化
学的相互作用をする成膜用のケイ素含有化合物より生成
される活性ｄ （Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに
放電エネルギーを作用させて化学反応させる事によって
、前記基体上に堆積膜を形成する事を特徴とする本発明
の堆積膜形成法によって達成される。
内ｌこ、炭素とハロゲンを含む化合物を分解することに
より生成される活性種（Ａ）と、該活性＆ （Ａ）と化
学的相互作用をする成膜用のケイ素含有化合物より生成
される活性ｄ （Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに
放電エネルギーを作用させて化学反応させる事によって
、前記基体上に堆積膜を形成する事を特徴とする本発明
の堆積膜形成法によって達成される。
本発明方法では、炭素とハロゲンを含む化合物を分解す
ることにより生成される活性種（Ａ）と成膜用のケイ素
含有化合切より生成される活性種（Ｂ）との共存ドに於
いて、これ等に放電エネルギーを作用させることにより
、これ等による化学的相互作用を生起させ、或いは促進
、増幅させるため、従来と比べで低い孜４エネルギーに
よっで成膜が９八Ｃとなり、形成される堆積膜は、エツ
チング作用、或いはその也の列えば異常放置作用などに
よる悪影響を受けるこおは実質的に殆んどない。
ることにより生成される活性種（Ａ）と成膜用のケイ素
含有化合切より生成される活性種（Ｂ）との共存ドに於
いて、これ等に放電エネルギーを作用させることにより
、これ等による化学的相互作用を生起させ、或いは促進
、増幅させるため、従来と比べで低い孜４エネルギーに
よっで成膜が９八Ｃとなり、形成される堆積膜は、エツ
チング作用、或いはその也の列えば異常放置作用などに
よる悪影響を受けるこおは実質的に殆んどない。
又、本発明；こよ几ば、成膜仝間のｌ吐気温匠、基体温
度を所望に従って任意に制御することにより、より安定
したＣ’ＪＤ法とすることができる。
度を所望に従って任意に制御することにより、より安定
したＣ’ＪＤ法とすることができる。
また、所望により、放電エネルギーに加えて、光エネル
ギー及び／又は熱エネルギーを併用することができる。
ギー及び／又は熱エネルギーを併用することができる。
光エネルギーは、適宜の光学系を用いて基体の全体に照
射することができるし、あるいは所望部分のみに選択的
制御的に照射Ｔることもできるため、基体ｌこおける堆
積膜の形成位置及び膜厚等を（制御し易くすることがで
きる。また、熱エネルギーとしては、光エネルギーから
転換された熱エネルギーを１吏、巾することもできる。
射することができるし、あるいは所望部分のみに選択的
制御的に照射Ｔることもできるため、基体ｌこおける堆
積膜の形成位置及び膜厚等を（制御し易くすることがで
きる。また、熱エネルギーとしては、光エネルギーから
転換された熱エネルギーを１吏、巾することもできる。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化９間とい
う）に於い−Ｃ活性化された活性種を使うことである。
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化９間とい
う）に於い−Ｃ活性化された活性種を使うことである。
このことｊこより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛り
４的に伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体
温度も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の
安定した堆積膜を工業的に大通に、しかも低コストで提
供できる。
４的に伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体
温度も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の
安定した堆積膜を工業的に大通に、しかも低コストで提
供できる。
尚、本発明での゛前記活性種（Ａ）とは、前記成Ｉ戻用
のケイ素含有化合物より生成される活性種（Ｂ）と化学
的相互作用を起して例えばエネルギーを付与したり、化
学反応を起したりして、堆積膜の形成を促す作用を有す
るものを云う。従って、活性種としては、形成される堆
積膜を構成する構成要素に成る構成要素を含んでいても
良く、あるいはその様な構成要素を含んでいなくともよ
い。
のケイ素含有化合物より生成される活性種（Ｂ）と化学
的相互作用を起して例えばエネルギーを付与したり、化
学反応を起したりして、堆積膜の形成を促す作用を有す
るものを云う。従って、活性種としては、形成される堆
積膜を構成する構成要素に成る構成要素を含んでいても
良く、あるいはその様な構成要素を含んでいなくともよ
い。
本発明では、成ａ仝間に導入される活性化空間（Ａ）か
らの活性種（八）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成される堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用のケイ素含有化合物は活性化空間（Ｂ）
ｌこ於いて活性化エネルギーを作用されて活性化され
て活性種（Ｂ）を生成し、該活性ａ （Ｂ）が成膜空間
に導入され、堆積膜を形成すｂ際、同時に活性化空間（
Ａ）から導入される活性種（Ａ）と放電エネルギーの作
用ｌこより化学的ζこ相互作用する。、その結果、所望
の基体上に所望の堆積膜が容易に形成される。ケイ素含
有化合物より生成される活性ｆｆ１（ｄ）は、活性種（
Ａ）の場合と同様その構成要素が成膜空間で形成される
堆積膜を構成する成分を構成するものとなる。
らの活性種（八）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成される堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用のケイ素含有化合物は活性化空間（Ｂ）
ｌこ於いて活性化エネルギーを作用されて活性化され
て活性種（Ｂ）を生成し、該活性ａ （Ｂ）が成膜空間
に導入され、堆積膜を形成すｂ際、同時に活性化空間（
Ａ）から導入される活性種（Ａ）と放電エネルギーの作
用ｌこより化学的ζこ相互作用する。、その結果、所望
の基体上に所望の堆積膜が容易に形成される。ケイ素含
有化合物より生成される活性ｆｆ１（ｄ）は、活性種（
Ａ）の場合と同様その構成要素が成膜空間で形成される
堆積膜を構成する成分を構成するものとなる。
本発明で使用する堆積膜形成用のケイ素含有化合物は、
活性化空間（Ｂ）に導入される以前に既に気体状態とな
っているか、あるいは気体状態とされて導入されること
が好ましい。例えば液状の化合物を用いる場合、化合物
供給源に適宜の気化装置を接続して化合物を気化してか
ら活性化空間（Ｂ）に導入することができるっケイ素含
有化合物としては、ケイ素に水素、ハロゲンなどが結合
したシラン類及びハロゲン化シラン類等を用いることが
できる。とりわけ鎖状及び環状のシラン化合物、この鎖
状及び環状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部を
ハロゲン原子で置換した化合物などが好適である。
活性化空間（Ｂ）に導入される以前に既に気体状態とな
っているか、あるいは気体状態とされて導入されること
が好ましい。例えば液状の化合物を用いる場合、化合物
供給源に適宜の気化装置を接続して化合物を気化してか
ら活性化空間（Ｂ）に導入することができるっケイ素含
有化合物としては、ケイ素に水素、ハロゲンなどが結合
したシラン類及びハロゲン化シラン類等を用いることが
できる。とりわけ鎖状及び環状のシラン化合物、この鎖
状及び環状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部を
ハロゲン原子で置換した化合物などが好適である。
具体的には、飼えば、Ｓ １）１４ 、 Ｓ ｔ ２Ｈ
６。
６。
５ｉｓＨｓ ＝ ５ｉａｓｓ。＊ Ｓ １ ｓＨｔ ＊
Ｉ Ｓ １６Ｈ１４等の”ｐＨ２ｐ＋２ （ｐは１以
上好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０の整数
である。）で示される直鎖状シラン化合物、５ｉＨ３８
ｉＨ（ＳｉＨ，）ＳｉＨ，，５ｉＨ１ＳｉＨ（ＳｉＨ３
）Ｓｉ３Ｈ７，５ｉ１Ｈ１ＳｉＨ（ＳｉＨ３）Ｓｉ２Ｈ
＠ 等のＳ’Ｉ）Ｈ２１）＋２（ｐは前述の意味を有
する。）で示される分岐を有する鎖状シラン化合物、こ
れら直鎖状又は分岐を有する鎖状のシラン化合物の水素
原子の一部又は全部をへログ／原子で＃夷した化合物％
ＳｉｇＨ＠ ｙ Ｓｉ４Ｈｇ Ｈ８１ｓＨ１ｏ ｒＳ
ｉｓＨｘｉ等のＳ ｒ ｑ Ｈ２ｑ （ｑは３以上、好
ましくは３〜６の整数である。）で示される環状シラン
化合物、該環状シラン化合物の水素原子の一部又は全部
を他の環状シラニル基及び／又は鎖状シラニル基で置換
した化合物、上記例示したシラン化合物の水１ｇ原子の
一部又は全部をハロゲン原子でｌ！換した化合物の例七
して、５ｉＩ（３Ｆ’。
Ｉ Ｓ １６Ｈ１４等の”ｐＨ２ｐ＋２ （ｐは１以
上好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０の整数
である。）で示される直鎖状シラン化合物、５ｉＨ３８
ｉＨ（ＳｉＨ，）ＳｉＨ，，５ｉＨ１ＳｉＨ（ＳｉＨ３
）Ｓｉ３Ｈ７，５ｉ１Ｈ１ＳｉＨ（ＳｉＨ３）Ｓｉ２Ｈ
＠ 等のＳ’Ｉ）Ｈ２１）＋２（ｐは前述の意味を有
する。）で示される分岐を有する鎖状シラン化合物、こ
れら直鎖状又は分岐を有する鎖状のシラン化合物の水素
原子の一部又は全部をへログ／原子で＃夷した化合物％
ＳｉｇＨ＠ ｙ Ｓｉ４Ｈｇ Ｈ８１ｓＨ１ｏ ｒＳ
ｉｓＨｘｉ等のＳ ｒ ｑ Ｈ２ｑ （ｑは３以上、好
ましくは３〜６の整数である。）で示される環状シラン
化合物、該環状シラン化合物の水素原子の一部又は全部
を他の環状シラニル基及び／又は鎖状シラニル基で置換
した化合物、上記例示したシラン化合物の水１ｇ原子の
一部又は全部をハロゲン原子でｌ！換した化合物の例七
して、５ｉＩ（３Ｆ’。
５ｉＨｓＣ１，８ｉＨｓＢｒ 、５ｉＨ１１等（７）
Ｓ ｔ ｒｌ（５Ｘｔ（Ｘはハロゲン原子、ｒは１以上
、好ましくは１〜１０、より好ましくは３〜７の整数＋
ｓ ＋ ｔ ＝２ｒ＋２又は２「である。）で示され
る・・ロゲン置換鎖状又は環状シラン化合物などである
。これらの化合物は、ｌ槓を使用しても２ｉＩ以上を併
用してもよい。
Ｓ ｔ ｒｌ（５Ｘｔ（Ｘはハロゲン原子、ｒは１以上
、好ましくは１〜１０、より好ましくは３〜７の整数＋
ｓ ＋ ｔ ＝２ｒ＋２又は２「である。）で示され
る・・ロゲン置換鎖状又は環状シラン化合物などである
。これらの化合物は、ｌ槓を使用しても２ｉＩ以上を併
用してもよい。
本発明において、活性化空間（Ａ）に導入される員索と
ハロゲンを含む化合物としＣは、炭素原子を主構成−１
！素とし、活性化されることｉこよりでＯＸ１辛（）Ｘ
はハロゲン）を発生し得る位置にＸが化学結合している
化片物、例えば鎖状又は環状炭化水素の水系原子の一部
乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、
具体的には、す１えば、０ｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の
ｊ敗、ＹはＦｏｌ、Ｂｒ及び■より選択される少なくと
も一種の元素である。）で示される鎖状ハロゲン化炭素
、Ｏｖ Ｙ ２ ｖ （ｖは３以上の！４数、Ｙは前述
の意味を有する。）で示される環状ハロゲン化炭素、０
ｕｉ（ｘＹ、（ｕ及びＹは前述の意味を有する。
ハロゲンを含む化合物としＣは、炭素原子を主構成−１
！素とし、活性化されることｉこよりでＯＸ１辛（）Ｘ
はハロゲン）を発生し得る位置にＸが化学結合している
化片物、例えば鎖状又は環状炭化水素の水系原子の一部
乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、
具体的には、す１えば、０ｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の
ｊ敗、ＹはＦｏｌ、Ｂｒ及び■より選択される少なくと
も一種の元素である。）で示される鎖状ハロゲン化炭素
、Ｏｖ Ｙ ２ ｖ （ｖは３以上の！４数、Ｙは前述
の意味を有する。）で示される環状ハロゲン化炭素、０
ｕｉ（ｘＹ、（ｕ及びＹは前述の意味を有する。
ｘ −） ｙ ＃ ２ ＋１又は２：ｕ−２である。）
で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられる。
で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられる。
具体的には例えばＯＦｍ 、（（ＪＦ＊）ｓ 、（ＯＦ
ｍ）＊（ＯＦｚ）４ ．０ｚＦｓ 、０ｚＦｓ 、
０ＨＦｓ 、ＯＨ＊Ｆｚ。
ｍ）＊（ＯＦｚ）４ ．０ｚＦｓ 、０ｚＦｓ 、
０ＨＦｓ 、ＯＨ＊Ｆｚ。
００１４（ＯＯ１＊）ｓ ｔ ０Ｂｒ４ 、（Ｏ
Ｂｒｓ）ｓ ｔＯｚＯｌｍ −０２０１ｓＦｓ な
どのガス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げられ
る。
Ｂｒｓ）ｓ ｔＯｚＯｌｍ −０２０１ｓＦｓ な
どのガス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げられ
る。
また、本発明においては、前記炭素とハロゲンを含む化
合物を分解することにより生成される活性ｍ （Ａ）に
加えてケイ素とノ・ロゲ／を含む化合物を分解すること
により生成される活性種（ＳＸ）を併用することができ
る。このケイ素とハロゲンを含む化合物としては、例え
ば鎖状又は環状シラン化合物の水素原子の一部乃至全部
をハロゲン原子で置換した化ｆＩ！−物が用いられ、具
体的には、例えば、５ｉｘＺｚｖ＋２（ｖは１以上の整
数、ＺはＦ、ＣＩ、Ｂｒ又はＩである。）で示される鎖
状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉｙ Ｚ ２ ｙ （ｖは３
以上の整数、Ｚは前述の意味を有する。）で示される環
状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉ ｖ Ｈｘ Ｚ ｙ （ｖ
及びＹは前述の意味を有する。ｘ ＋ ｙ −２ｖ又は
２Ｖ＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物など
が挙げられる。
合物を分解することにより生成される活性ｍ （Ａ）に
加えてケイ素とノ・ロゲ／を含む化合物を分解すること
により生成される活性種（ＳＸ）を併用することができ
る。このケイ素とハロゲンを含む化合物としては、例え
ば鎖状又は環状シラン化合物の水素原子の一部乃至全部
をハロゲン原子で置換した化ｆＩ！−物が用いられ、具
体的には、例えば、５ｉｘＺｚｖ＋２（ｖは１以上の整
数、ＺはＦ、ＣＩ、Ｂｒ又はＩである。）で示される鎖
状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉｙ Ｚ ２ ｙ （ｖは３
以上の整数、Ｚは前述の意味を有する。）で示される環
状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉ ｖ Ｈｘ Ｚ ｙ （ｖ
及びＹは前述の意味を有する。ｘ ＋ ｙ −２ｖ又は
２Ｖ＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物など
が挙げられる。
具体的には例えばＳ ｉ Ｆ ａ・（８ｉＦ、）、・（
ＳｉＦ’＊）ｓ 、（ＳｉＦｔ）４ｔ ＳｉｇＦｓ 、
５ｉｘＪ！’ｓ＋ＳｉＨＦ３ 、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＯ
１４（８ｉ０１２）６ 。
ＳｉＦ’＊）ｓ 、（ＳｉＦｔ）４ｔ ＳｉｇＦｓ 、
５ｉｘＪ！’ｓ＋ＳｉＨＦ３ 、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＯ
１４（８ｉ０１２）６ 。
５ｉＢｒａ ＋ （ＳｔＢｒ２）３ 、ｓｔ、ｃｔｓ
Ｈ８ｉ＊０１ａＦｓ などのガス状態の又は容易ｌこ
ガス化し得るものが挙げられる。
Ｈ８ｉ＊０１ａＦｓ などのガス状態の又は容易ｌこ
ガス化し得るものが挙げられる。
活性ａｉ （Ａ）を生成させるためには、前記炭素とハ
ロゲンを含む化合物（及びケイ素と）・ロゲンを含む化
合物）に加えで、必要に応じてケイ素単体等他のケイ素
化合物、水素、ノ・ロゲン化合物（例えばＦ２ガス、Ｏ
１２ガス、ガス化したＢｒ２゜■２等）などを併用する
ことができる。
ロゲンを含む化合物（及びケイ素と）・ロゲンを含む化
合物）に加えで、必要に応じてケイ素単体等他のケイ素
化合物、水素、ノ・ロゲン化合物（例えばＦ２ガス、Ｏ
１２ガス、ガス化したＢｒ２゜■２等）などを併用する
ことができる。
本発明において、活性化空間（Ａ）及び（Ｂ）で活性種
（Ａ）及び（Ｂ）を生成させる方法としては、各々の条
件、装置を考慮してマイクロ波、）ＩＦ、低周波、ＤＣ
等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等による
熱エネルギー、レーザ光等の光エネルギーなどの励起エ
ネルギーが使用される。
（Ａ）及び（Ｂ）を生成させる方法としては、各々の条
件、装置を考慮してマイクロ波、）ＩＦ、低周波、ＤＣ
等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等による
熱エネルギー、レーザ光等の光エネルギーなどの励起エ
ネルギーが使用される。
本発明に於いては、上述した化合物に、活性化空間（Ａ
）で上記の熱、光、電気などの励起エネルギーを加える
ことにより、活性種（Ａ）が生成される。
）で上記の熱、光、電気などの励起エネルギーを加える
ことにより、活性種（Ａ）が生成される。
本発明５こおいて、成嘆空間に導入される前記活性種（
Ｂ）と前記活性ｍ （Ａ）との盪の割合は、成膜条沖、
活性種の種類などで適宜所望ｌこ従って決めらｎるが、
好ましくは１０：１〜１：１０（導入流量比）が適当で
あり、より好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ま
しい。
Ｂ）と前記活性ｍ （Ａ）との盪の割合は、成膜条沖、
活性種の種類などで適宜所望ｌこ従って決めらｎるが、
好ましくは１０：１〜１：１０（導入流量比）が適当で
あり、より好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ま
しい。
本発明において、ケイ素含有化合物の他に、成膜用の化
学＃＊として水素ガス及び／又はハロゲン化合物（例え
ばＦ２ガス、ａｔ、ガス、ガス化したＢｒｘＩｚ等）、
ヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガスなどを活性
化空間（Ｂ）１こ導入して用いることもできる。これら
の成膜用の化学物質の複数を用いる場合には、予め混合
して活性化条件下（Ｂ）にガス状態で導入することもで
きるし、あるいはこれらの成膜用の化学′吻貞を夫々独
立した供給源から各個別に供給し、活性化空間（Ｂ）
Ｊこ 。
学＃＊として水素ガス及び／又はハロゲン化合物（例え
ばＦ２ガス、ａｔ、ガス、ガス化したＢｒｘＩｚ等）、
ヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガスなどを活性
化空間（Ｂ）１こ導入して用いることもできる。これら
の成膜用の化学物質の複数を用いる場合には、予め混合
して活性化条件下（Ｂ）にガス状態で導入することもで
きるし、あるいはこれらの成膜用の化学′吻貞を夫々独
立した供給源から各個別に供給し、活性化空間（Ｂ）
Ｊこ 。
導入することもできるし、又夫々独立の活性化空間に導
入して、夫々個別に活性化することも出来る。
入して、夫々個別に活性化することも出来る。
また本発明の方法により形成される堆積膜は成膜中又は
成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能である
。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、周
期律表第■族Ａの元素、例えばＢ、ＡＩ 、Ｇａ、Ｉｎ
、ＴＩ等が好適なものとしで挙げられ、ｎ型不純物とし
では、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ 、 Ａ ｓ
、 Ｓ ｂ 、 Ｈｉ等が好適なものとして挙げられ
るが、特にＨ，Ｇａ。
成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能である
。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、周
期律表第■族Ａの元素、例えばＢ、ＡＩ 、Ｇａ、Ｉｎ
、ＴＩ等が好適なものとしで挙げられ、ｎ型不純物とし
では、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ 、 Ａ ｓ
、 Ｓ ｂ 、 Ｈｉ等が好適なものとして挙げられ
るが、特にＨ，Ｇａ。
Ｐ、Ｓｂ等が最適である。ドーピングされる不純物の址
は、所望される電気的・光字的特注に応じて適宜決定さ
れるＪ かかる不純物元素を成分としで言む物質（不純物導入用
物＊）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化装
置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい。
は、所望される電気的・光字的特注に応じて適宜決定さ
れるＪ かかる不純物元素を成分としで言む物質（不純物導入用
物＊）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化装
置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい。
この様な化合物としでハ、Ｐ Ｈ２、Ｐ ＊ Ｈ４、Ｐ
Ｆ ｓ 、 Ｐ Ｆ ｓ −Ｐ ｃｌ ｓ 。
Ｆ ｓ 、 Ｐ Ｆ ｓ −Ｐ ｃｌ ｓ 。
Ａ Ｓ Ｈ３ｔ Ａ Ｓ Ｆ ｚ ｐ Ａ Ｓ Ｆ ｓ
ｅ Ａ Ｓ ＯＩ ３ ｔ ｂ ｂ Ｈｓ ＨＳｂＦ
６，５ｉＨ１，ＢＦＳ、ＢＯＩＢ、ＢＢｒ＊＋Ｂ！Ｈ６
＊Ｂ４ＨＩ ｏ ｔＢｓＨｓ 、Ｂｓｆ（ｔ ｔ 、Ｂ
ｓｆ（ｔ ｏ 、ＢｍＨ＊ ｚ をへ１０１．等を挙げ
ることができる。不純物元素を含む化合物は、１種用い
ても２種以上併用してもよい。
ｅ Ａ Ｓ ＯＩ ３ ｔ ｂ ｂ Ｈｓ ＨＳｂＦ
６，５ｉＨ１，ＢＦＳ、ＢＯＩＢ、ＢＢｒ＊＋Ｂ！Ｈ６
＊Ｂ４ＨＩ ｏ ｔＢｓＨｓ 、Ｂｓｆ（ｔ ｔ 、Ｂ
ｓｆ（ｔ ｏ 、ＢｍＨ＊ ｚ をへ１０１．等を挙げ
ることができる。不純物元素を含む化合物は、１種用い
ても２種以上併用してもよい。
不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）又は／及Ｕ ＋
％ 性化２ ｒｊｌＪ ＣＢ） ｌｃ、活性ａｉ（Ａ）
及び活性ｆｉ （Ｂ）の夫々を生成する各物質と共に導
入されて活性化しでも良いし、或いは、活性化空間（Ａ
）及び活性化空間（Ｂ）とは別の第３の活性化空間（０
）に於いて活性化さ几ても良い。不純物導入用物質を活
性化するには、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）を生成す
るに列配された前述の活性化エネルギーを適宜選択して
採用することが出来る。不純物導入用物質を活性化して
生成される活性種（）’Ｎ） は活性攬（Ａ）又は／
及び活性種（Ｂ）と予め混会されて、又は独立に成膜空
間ｌこ導入される。
％ 性化２ ｒｊｌＪ ＣＢ） ｌｃ、活性ａｉ（Ａ）
及び活性ｆｉ （Ｂ）の夫々を生成する各物質と共に導
入されて活性化しでも良いし、或いは、活性化空間（Ａ
）及び活性化空間（Ｂ）とは別の第３の活性化空間（０
）に於いて活性化さ几ても良い。不純物導入用物質を活
性化するには、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）を生成す
るに列配された前述の活性化エネルギーを適宜選択して
採用することが出来る。不純物導入用物質を活性化して
生成される活性種（）’Ｎ） は活性攬（Ａ）又は／
及び活性種（Ｂ）と予め混会されて、又は独立に成膜空
間ｌこ導入される。
次に、本発明方法によって形成される電子写真用象形成
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
第１図は、本発明によって得られる典盤的な電子写真用
象形成部材、光４区部材の構成例をｒｉ！１．明するた
めの模式図である。
象形成部材、光４区部材の構成例をｒｉ！１．明するた
めの模式図である。
第１図示す光導電部材１０は、電子写真用象形成部材と
して適用させ得るものであって、光導電部材用としての
支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間層１２
、及び感光層１３で構成される層傳成を有している。
して適用させ得るものであって、光導電部材用としての
支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間層１２
、及び感光層１３で構成される層傳成を有している。
光導電部材１０の製造に当っては、中間層１２又は／及
び感光層１３を本発明の方法によって作成することが出
来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化学
的、物質的ｌζ保護する為ｌこ設けられる保護層、或い
は電気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁
層又は／及び上部障壁層を有する場合Ｉこは、これ等を
本発明の方法で作成することも出来る。
び感光層１３を本発明の方法によって作成することが出
来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化学
的、物質的ｌζ保護する為ｌこ設けられる保護層、或い
は電気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁
層又は／及び上部障壁層を有する場合Ｉこは、これ等を
本発明の方法で作成することも出来る。
支持体１１としては、導＃Ｅ性でも電気絶縁性であって
も良い。導電性支持体としては、例えば、Ｎ ｉ Ｏｒ
、 ｘテンＬ／ス、 ＡＩ 、 Ｏｒ 、Ｍｏ 。
も良い。導電性支持体としては、例えば、Ｎ ｉ Ｏｒ
、 ｘテンＬ／ス、 ＡＩ 、 Ｏｒ 、Ｍｏ 。
Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金
属又はこれ等の合金が挙げられる。
属又はこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリグ
ロビレ／、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が油浴使用される。Ｊこ
れらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
万の漱面が＃電処理され、該導電処理された表面側に他
のノーが設けられるのが逼ましい。
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリグ
ロビレ／、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が油浴使用される。Ｊこ
れらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
万の漱面が＃電処理され、該導電処理された表面側に他
のノーが設けられるのが逼ましい。
例えばガラスであれば、その表面がＮ１ｃｒ 。
Ａ Ｉ 、 Ｏｒ 、 八ｔｏ、Ａｕ、Ｉ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ。
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ。
Ｖ、’Ｉ’ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ１ｚＯｉ、ＳｎＯ，。
ＩＴＯ（ＩｎｚＯｓ＋ＳｎＯｇ）Ｊの薄膜を設けること
によっで導電処理され、あるいはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ ｔ Ｏｒ Ｉ Ａ
ｌ ＠ Ａ ｇ ＨＰ ｂ ｙ Ｚ ｎ ＨＮ ｔ
ｔ Ａ ｕ ｅＯｒ 、Ｍｏ 、 Ｉ ｒ 、Ｎｂ 、
Ｔａ 、 Ｖ、Ｔｉ 、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属
で２ミネート処理して、その表面が導電処理される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意
の形状とし得、所望によって、その形状が決定されるが
、例えば、第１図の光４域部材１０を電子写真用像形成
部材としで使用するのであれば、連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。
によっで導電処理され、あるいはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ ｔ Ｏｒ Ｉ Ａ
ｌ ＠ Ａ ｇ ＨＰ ｂ ｙ Ｚ ｎ ＨＮ ｔ
ｔ Ａ ｕ ｅＯｒ 、Ｍｏ 、 Ｉ ｒ 、Ｎｂ 、
Ｔａ 、 Ｖ、Ｔｉ 、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属
で２ミネート処理して、その表面が導電処理される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意
の形状とし得、所望によって、その形状が決定されるが
、例えば、第１図の光４域部材１０を電子写真用像形成
部材としで使用するのであれば、連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。
中間層１２には例えば、支持体１１の側から感光Ｎ１３
中へのキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照
射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に向っ
て移動するフォ）−？ヤリアの感光層１３の側から支持
体１１の側への通過を容易に許す機能を有する。
中へのキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照
射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に向っ
て移動するフォ）−？ヤリアの感光層１３の側から支持
体１１の側への通過を容易に許す機能を有する。
この中間層１２は、本発明の方法で作成するのであれば
、シリコン原子と炭素原子と、必要に応じて水素原子Ｃ
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を含有する半導体（
以下、ｌ’−Ａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で購成さ
几ると共に、！！気伝導性を支配する物質として、例え
ばホウ素（Ｂ）等のｐ型不純物あるいは燐（Ｐ）等、ｎ
Ｍ不純物が含有されている。更ｌこ別には、水素原子（
）Ｉ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有するアモル
ファスンリコ／（以下、「Ａ−８ｉ （Ｈ、Ｘ ） Ｊ
と記す。）で構成されると共に、電気伝導性を支配する
物質として、例えばホウ素（Ｂ）等のｐ型不純物あるい
は燐（Ｐ）等のｎ型不純物が含有されている。
、シリコン原子と炭素原子と、必要に応じて水素原子Ｃ
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を含有する半導体（
以下、ｌ’−Ａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で購成さ
几ると共に、！！気伝導性を支配する物質として、例え
ばホウ素（Ｂ）等のｐ型不純物あるいは燐（Ｐ）等、ｎ
Ｍ不純物が含有されている。更ｌこ別には、水素原子（
）Ｉ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有するアモル
ファスンリコ／（以下、「Ａ−８ｉ （Ｈ、Ｘ ） Ｊ
と記す。）で構成されると共に、電気伝導性を支配する
物質として、例えばホウ素（Ｂ）等のｐ型不純物あるい
は燐（Ｐ）等のｎ型不純物が含有されている。
本発明に於て、中間層１２中１こ含有さｎるＢ。
Ｐ等の伝導性を支配する物質のよ有量としては、好適に
は、０．００１〜５ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃｐ ｐ
ｍ 、より好適には０．５〜Ｉ Ｘ １０’ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍ ％最適には１〜５Ｘ１０’ ａｔｏｍｉ
ｃ ｐｐｍとされるのが望ましい。
は、０．００１〜５ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃｐ ｐ
ｍ 、より好適には０．５〜Ｉ Ｘ １０’ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍ ％最適には１〜５Ｘ１０’ ａｔｏｍｉ
ｃ ｐｐｍとされるのが望ましい。
中間層１２が感光層１３と構成成分が類似、或いは同じ
である場合には中間層１２の形成は、中間ｌ３１２の形
成に続けて感光＃１３の形成まで連続的に行なうことが
できる。その場合には、中間層形成用の原料として、活
性化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、活性化空
間（Ｂ）に導入された成膜用のケイ素含有化合物より生
成される活性種（Ｂ）と必要に応じて水素、ハロゲン化
合物、不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合
物のガス等を活性化することにより生成される活性種と
、を夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合しτ支持体
１１のｅ、置しである成膜壁１４に尋人して尋人された
活性種の共存雰囲気に放電エネルギーを作用させること
により、前記支持体１１上に中間層１２を形成させれば
よい。
である場合には中間層１２の形成は、中間ｌ３１２の形
成に続けて感光＃１３の形成まで連続的に行なうことが
できる。その場合には、中間層形成用の原料として、活
性化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、活性化空
間（Ｂ）に導入された成膜用のケイ素含有化合物より生
成される活性種（Ｂ）と必要に応じて水素、ハロゲン化
合物、不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合
物のガス等を活性化することにより生成される活性種と
、を夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合しτ支持体
１１のｅ、置しである成膜壁１４に尋人して尋人された
活性種の共存雰囲気に放電エネルギーを作用させること
により、前記支持体１１上に中間層１２を形成させれば
よい。
中間／１７１２を形成６せる際に活性化空間（Ａ）に導
入されて活性ｍ （Ａ）を生成する炭凧と・・ロゲンを
才む化合物としては、例えば容易にＯＦ、米の如き活性
種Ｃｋ）を生、成する１前記の化＆物を挙げることが出
来る〇 中間層１２の層厚は、好ましくは、３０λ〜１０μ、よ
り好適には４０λ〜８μ、最適には５０λ〜５μとされ
るのが望ましい。
入されて活性ｍ （Ａ）を生成する炭凧と・・ロゲンを
才む化合物としては、例えば容易にＯＦ、米の如き活性
種Ｃｋ）を生、成する１前記の化＆物を挙げることが出
来る〇 中間層１２の層厚は、好ましくは、３０λ〜１０μ、よ
り好適には４０λ〜８μ、最適には５０λ〜５μとされ
るのが望ましい。
感光層１３は、例えばＡ−８ｉ （）ｌ 、 Ｘ ）で
構成され、或いは本発明の方法で作成されるのであｎば
Ａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）で構成さし、レーザー光の照射に
よって７オトキヤリアを発生する電荷発生機能と、該電
荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を有する。
構成され、或いは本発明の方法で作成されるのであｎば
Ａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）で構成さし、レーザー光の照射に
よって７オトキヤリアを発生する電荷発生機能と、該電
荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を有する。
感光層１３の層厚としては、好ましくは、１〜１００μ
、より好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされ
るのが望ましい。
、より好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされ
るのが望ましい。
感光層１３は、ノンドープのＡ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）或いは
Ａ −Ｓ ｉ Ｏ（Ｈ、Ｘ ）の層であるが、所望によ
り中間層１２に含有される伝導特性を支配する物質の極
性とは別の極性（例えばｎ型）の伝導特性を支配する物
質を含有させてもよいし、あるいは、同極性の伝導特性
を支配する物質を、中間層１２に含有される実際の量が
多い場合には、該盪よりも一段と少ない量にして含有さ
せてもよい。
Ａ −Ｓ ｉ Ｏ（Ｈ、Ｘ ）の層であるが、所望によ
り中間層１２に含有される伝導特性を支配する物質の極
性とは別の極性（例えばｎ型）の伝導特性を支配する物
質を含有させてもよいし、あるいは、同極性の伝導特性
を支配する物質を、中間層１２に含有される実際の量が
多い場合には、該盪よりも一段と少ない量にして含有さ
せてもよい。
感光／４１３の形成の場合も、本発明の方法によって形
成されるのであれば中間層１２の場合と同様ｌこ、活性
化空間（Ａ）に炭素と７１０ゲンを含む化合物が導入さ
れ、高餓下でこれ等を分解することにより、或いは放電
エネルギーや光エネルギーを作用させて励起することで
活性／ＩＩ （Ａ）が生成され、該活性４（Ａ）が成膜
空間に導入される。また、これとは別に、成膜用のケイ
素含有化合物より生成される活性Ｉと、必要に応じて、
水素、ノ・ロゲン化合物、不活性ガス、不純物元素を成
分として含む化合物のガス等から生成される活性種を、
支持体１１の設置しである成膜空間に導入し、放置エネ
ルギーを用いることにより、前記支持体１１上に中間層
１２を形成させｎばよい。
成されるのであれば中間層１２の場合と同様ｌこ、活性
化空間（Ａ）に炭素と７１０ゲンを含む化合物が導入さ
れ、高餓下でこれ等を分解することにより、或いは放電
エネルギーや光エネルギーを作用させて励起することで
活性／ＩＩ （Ａ）が生成され、該活性４（Ａ）が成膜
空間に導入される。また、これとは別に、成膜用のケイ
素含有化合物より生成される活性Ｉと、必要に応じて、
水素、ノ・ロゲン化合物、不活性ガス、不純物元素を成
分として含む化合物のガス等から生成される活性種を、
支持体１１の設置しである成膜空間に導入し、放置エネ
ルギーを用いることにより、前記支持体１１上に中間層
１２を形成させｎばよい。
第２図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
でドーピングされたＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）堆積膜を利用し
たＰＩＮ型ダイオード・デバイスの典型例を示した模式
図である。
でドーピングされたＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）堆積膜を利用し
たＰＩＮ型ダイオード・デバイスの典型例を示した模式
図である。
図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４、ｉ型の半導体層２
５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。２８は外
部電気回路装置と結合される導線である。
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４、ｉ型の半導体層２
５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。２８は外
部電気回路装置と結合される導線である。
これ等の半導体層は、Ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）。
Ａ −Ｓ ｉ Ｏ（Ｈ、Ｘ ）等で構成され、本発明の
方法はいず几の層の作成に於いても通用することが出来
るが、殊ｌこ半導体層２６を本発明の方法で作成するこ
とにより、変換効率を高めることが出来る。
方法はいず几の層の作成に於いても通用することが出来
るが、殊ｌこ半導体層２６を本発明の方法で作成するこ
とにより、変換効率を高めることが出来る。
基体２１としては導電性、半導電性、電気絶縁性のもの
が用いられる。半ＪｆＪＪ性基体としＣは、例えば、Ｓ
ｉ 、Ｇｅ 、ＧａＡｓ 、ＺｎＯ、ＺｎＳ等の半導
体が挙げられる。薄ａ、ｌ！１２２．２７としては例え
ば、Ｎ ｔ Ｏｒ ＨＡ ｌ ｒ Ｏｒ １Ｍ ｏ ＋
Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ｌ’ｔ、Ｐｄ。
が用いられる。半ＪｆＪＪ性基体としＣは、例えば、Ｓ
ｉ 、Ｇｅ 、ＧａＡｓ 、ＺｎＯ、ＺｎＳ等の半導
体が挙げられる。薄ａ、ｌ！１２２．２７としては例え
ば、Ｎ ｔ Ｏｒ ＨＡ ｌ ｒ Ｏｒ １Ｍ ｏ ＋
Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ｌ’ｔ、Ｐｄ。
Ｉ ｎ１０３．８ｎＯ１、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎ、０１＋８
ｎ０１）等の薄膜を、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等の処理で基体２１上に設けることによって
得られる。ｆＸｆｉ１２２．２７の膜厚としでは、好ま
しくは３０〜５Ｘ１０４＾、より好ましくは１００〜５
Ｘ１０”又 とされるのが望ましい。
ｎ０１）等の薄膜を、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等の処理で基体２１上に設けることによって
得られる。ｆＸｆｉ１２２．２７の膜厚としでは、好ま
しくは３０〜５Ｘ１０４＾、より好ましくは１００〜５
Ｘ１０”又 とされるのが望ましい。
前記の半導体層を構成するＡ体を必要に厄じでｎｆｆ１
又はｐｌＭとするをこは、ノー形成の際−こ、不純物元
素のうちｎｆｊｌ不純物又はｐｍ不純物、あるいは両不
純物を形成される層中にその盆を制御し乍らドーピング
しでやる事によって形成される。
又はｐｌＭとするをこは、ノー形成の際−こ、不純物元
素のうちｎｆｊｌ不純物又はｐｍ不純物、あるいは両不
純物を形成される層中にその盆を制御し乍らドーピング
しでやる事によって形成される。
本発明方法により、ｂＷｔｓ、ｉ・型及びｐｆｌｉの半
導体層を形成するには、活性化２間（Ａ）に炭素とハロ
ゲンを含む化合物が導入され、活性化エネルギーの作用
下でこれ等を励起し分解することで、例えばＯＦ、帯等
の活性種（Ａ）が生成さ几、該活性ｍ （Ａ）が成膜空
間に導入される。同時に、これとは別に、活性化空間（
Ｂ）に導入された成膜用のケイ素含有化合物と、必要に
応じて不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合
物のガス等を夫々活性化エネルギーによって励起し分解
して夫々の活性種を生成し、夫々を別々に又は適宜に混
合して、基体１１の設直しである成膜空間に導入する。
導体層を形成するには、活性化２間（Ａ）に炭素とハロ
ゲンを含む化合物が導入され、活性化エネルギーの作用
下でこれ等を励起し分解することで、例えばＯＦ、帯等
の活性種（Ａ）が生成さ几、該活性ｍ （Ａ）が成膜空
間に導入される。同時に、これとは別に、活性化空間（
Ｂ）に導入された成膜用のケイ素含有化合物と、必要に
応じて不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合
物のガス等を夫々活性化エネルギーによって励起し分解
して夫々の活性種を生成し、夫々を別々に又は適宜に混
合して、基体１１の設直しである成膜空間に導入する。
成膜空間に導入された活性種は放電エネルギーを用いる
ことにより化学的相互作用を生起され、又は促進或いは
増幅されて基体２１上に堆積膜が形成させる。ｎ鳳及び
ｐｍの半導体層の層厚としては、好ましくは１００〜１
０４° より好ましくは３００〜２０００λの範囲が
望ましい。
ことにより化学的相互作用を生起され、又は促進或いは
増幅されて基体２１上に堆積膜が形成させる。ｎ鳳及び
ｐｍの半導体層の層厚としては、好ましくは１００〜１
０４° より好ましくは３００〜２０００λの範囲が
望ましい。
また、ｉ盤の半導体層の層厚としては、好ましくは５０
０〜１０４又、より好ましくは１０００〜１００００又
の範囲が望ましい。
０〜１０４又、より好ましくは１０００〜１００００又
の範囲が望ましい。
以下に、本発明の具体的実施例を示す。
実施例１
第３図に示した装置を用い、以下の如き操作によりてｉ
ｆｆ、ｐ型及びｎｆｉのａ −Ｓ ｉ Ｏ（Ｈ，Ｘ）堆
積膜を形成した。
ｆｆ、ｐ型及びｎｆｉのａ −Ｓ ｉ Ｏ（Ｈ，Ｘ）堆
積膜を形成した。
第３図においで、１０１は堆積室であり、内部の基体支
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。
１０４は基体加熱用のヒーターであり、導線１０５を介
して給電され、発熱する。基体温度は特に制限されない
が、本発明方法を実施するにあたって、基体を加熱する
必要がある場合には基体温度は好ましくは５０〜４５０
°Ｃ１より好ましくは１００〜３５０°０であることが
望ましい。
して給電され、発熱する。基体温度は特に制限されない
が、本発明方法を実施するにあたって、基体を加熱する
必要がある場合には基体温度は好ましくは５０〜４５０
°Ｃ１より好ましくは１００〜３５０°０であることが
望ましい。
１０６乃至１゛０９は、ガス供給系であり、ケイ素含有
化合物、及び必要に応じで用いられる水素、ハロゲン化
合物、不活性ガス、不純物元素を成分とする化合物のガ
スの種類に応じて設けられる。
化合物、及び必要に応じで用いられる水素、ハロゲン化
合物、不活性ガス、不純物元素を成分とする化合物のガ
スの種類に応じて設けられる。
これらのガスが標準状態に於いて液状のものを使用する
場合には、適宜の気化装置を具備させる。
場合には、適宜の気化装置を具備させる。
図中ガス供給系１０６乃至１０９の符合にａを付したの
は分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流
量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付し
たのは各気体流量を調整するためのパルプである。１２
３は活性種（Ｂ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３の周りには活性種（Ｂ）を生成させる
為の活性エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ発生
装置１２２が設けられている。ガス導入ｆｌｌｏより供
給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは活性化室（Ｂ
） １２３内において活性化され、生じた活性種（Ｂ）
は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入される。
は分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流
量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付し
たのは各気体流量を調整するためのパルプである。１２
３は活性種（Ｂ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３の周りには活性種（Ｂ）を生成させる
為の活性エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ発生
装置１２２が設けられている。ガス導入ｆｌｌｏより供
給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは活性化室（Ｂ
） １２３内において活性化され、生じた活性種（Ｂ）
は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入される。
１１１はガス圧力計である。図中１１２は活性化室（Ａ
）、１１３は電気炉、１１４は固体０粒、１１５は活性
種（Ａ）の原料となる気体状態の炭素とハロゲンを含む
化合物の導入管であり、活性化室（Ａ） １１２で生成
された活性種（Ａ）は導入管１１６を介して成膜室１０
１内に導入される。
）、１１３は電気炉、１１４は固体０粒、１１５は活性
種（Ａ）の原料となる気体状態の炭素とハロゲンを含む
化合物の導入管であり、活性化室（Ａ） １１２で生成
された活性種（Ａ）は導入管１１６を介して成膜室１０
１内に導入される。
１１７は放電エネルギー発生！ｉｔであって、マツチン
グボックス１１７３％高周波導入用カソード電極１１７
ｂ等を具備している。
グボックス１１７３％高周波導入用カソード電極１１７
ｂ等を具備している。
放電エネルギー発生装＃Ｌ１１７からの放電エネルギー
は、矢印１１９の向きに流れている活性種に作用し、作
用された各活性種は相互に化学反応させる事ｌこよって
基体１０３の全体あるいは所望部分子こＡ −Ｓ ｉ
Ｏ（Ｈ、Ｘ ）の堆積膜を形成する。
は、矢印１１９の向きに流れている活性種に作用し、作
用された各活性種は相互に化学反応させる事ｌこよって
基体１０３の全体あるいは所望部分子こＡ −Ｓ ｉ
Ｏ（Ｈ、Ｘ ）の堆積膜を形成する。
また、図中、１２０は排気バルブ、１２１は排気管であ
る。先ず、ポリエチレンテレフタレートフィルム製の基
体１０３を支持台１０２上に載置し、排気装［１（不図
示）を用いて成膜室１０１内を排気し、約１０−’Ｔｏ
ｒｒに減圧した。ガス供給用ボンベ１０６よりＳｉＨａ
１５０ＳＯＯＭ、 あるいはこれとＰＨ３ガス又はＢ
、）Ｉ＠ガス（何れも１１０００ｐｐ水素ガス希釈）４
０ＳＯＯＭとを混合したガスをガス導入管１１０を介し
て活性化室（Ｂ）１２３ にイ導入した。活性化室（Ｂ
） １２．３内に導入さｎたＳ ｉ Ｈ４ガスやＨ，ガ
ス等はマイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化
されて５ｉＨ１”や活性化水素等とされ、導入管１２４
を通じてＳ ｉ Ｈ！帯や活性化水素等を成膜室１０１
に導入した。
る。先ず、ポリエチレンテレフタレートフィルム製の基
体１０３を支持台１０２上に載置し、排気装［１（不図
示）を用いて成膜室１０１内を排気し、約１０−’Ｔｏ
ｒｒに減圧した。ガス供給用ボンベ１０６よりＳｉＨａ
１５０ＳＯＯＭ、 あるいはこれとＰＨ３ガス又はＢ
、）Ｉ＠ガス（何れも１１０００ｐｐ水素ガス希釈）４
０ＳＯＯＭとを混合したガスをガス導入管１１０を介し
て活性化室（Ｂ）１２３ にイ導入した。活性化室（Ｂ
） １２．３内に導入さｎたＳ ｉ Ｈ４ガスやＨ，ガ
ス等はマイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化
されて５ｉＨ１”や活性化水素等とされ、導入管１２４
を通じてＳ ｉ Ｈ！帯や活性化水素等を成膜室１０１
に導入した。
また他方、活性化室（Ａ） １０２に固体０粒１１４を
詰めて、電気炉１１３により加熱し、Ｃを赤熱状態とし
、そこへ導入管１１５を通しで不図示のボンベよりＯＦ
４を吹き込むこと−こより、活性種（Ａ）としてのＯＦ
２帯を生成させ、該ＯＦ、帯を導入管１１６を経て、成
膜室１０１へ導入した。
詰めて、電気炉１１３により加熱し、Ｃを赤熱状態とし
、そこへ導入管１１５を通しで不図示のボンベよりＯＦ
４を吹き込むこと−こより、活性種（Ａ）としてのＯＦ
２帯を生成させ、該ＯＦ、帯を導入管１１６を経て、成
膜室１０１へ導入した。
成膜室１０１内の内圧をＱ、４Ｔｏｒｒに保ちつつ放電
装置からグ２ズマを作用させて、ノンドープのあるいは
ドーピングされたＡ −８ｉ （３（Ｈ、Ｘ ）膜（膜
厚７００＾）を形成した。成膜速度は２４又／ ｓ ｅ
ｃであった。
装置からグ２ズマを作用させて、ノンドープのあるいは
ドーピングされたＡ −８ｉ （３（Ｈ、Ｘ ）膜（膜
厚７００＾）を形成した。成膜速度は２４又／ ｓ ｅ
ｃであった。
次いで、得られたノンドープのあるいはｐ型のａ−８ｉ
Ｏ（Ｈ，Ｘ）膜試料を蒸着ｍ＋こ入れ、真空度１０弓Ｔ
ｏ ｒ ｒでクシ型のＡＩギャップ電極（ギャップ長
２５０μ、巾５ ＩＩＩＢ）を形成した後、印加電圧１
０Ｖで暗電流を測定し、暗導電率ｄａを求めて、各試料
の膜特性を評価した。結果を第１表に示した。
Ｏ（Ｈ，Ｘ）膜試料を蒸着ｍ＋こ入れ、真空度１０弓Ｔ
ｏ ｒ ｒでクシ型のＡＩギャップ電極（ギャップ長
２５０μ、巾５ ＩＩＩＢ）を形成した後、印加電圧１
０Ｖで暗電流を測定し、暗導電率ｄａを求めて、各試料
の膜特性を評価した。結果を第１表に示した。
実施例２〜４
Ｓ ｉＨ４の代りに直鎖状５ｉ２Ｈ，、分岐状８４ａＨ
１゜、又はＨ＠ Ｓ ｌ ｓ Ｆ ｍ を用いた以外
は、実施例１と同様にしてａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）膜を形
成した。暗導＃を率を測定し、結果を第１表に示した。
１゜、又はＨ＠ Ｓ ｌ ｓ Ｆ ｍ を用いた以外
は、実施例１と同様にしてａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）膜を形
成した。暗導＃を率を測定し、結果を第１表に示した。
第１表から、本発明によると電気特性に優れた、Ａ−８
ｉＯ（ｆ（、Ｘ）膜が得られ、また、ドーピングが十分
に行なわれたＡ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）膜が得られることが
判った０ 実施例５ 第４図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した０ 第４図において、２０１は成膜室、２０２は活性化室、
２０３は電気炉、２０４は固体０粒、２０５は活性種（
Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性種（Ａ）導入管、
２０７はモーター、２０８は第３図の１０４と同様に用
いられる加熱ヒーター、２０９．２１０は吹き出し管、
２１１はＡＩクシリンダ−基体、２１２は排気パルプを
示している。
ｉＯ（ｆ（、Ｘ）膜が得られ、また、ドーピングが十分
に行なわれたＡ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）膜が得られることが
判った０ 実施例５ 第４図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した０ 第４図において、２０１は成膜室、２０２は活性化室、
２０３は電気炉、２０４は固体０粒、２０５は活性種（
Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性種（Ａ）導入管、
２０７はモーター、２０８は第３図の１０４と同様に用
いられる加熱ヒーター、２０９．２１０は吹き出し管、
２１１はＡＩクシリンダ−基体、２１２は排気パルプを
示している。
また、２１３乃至２１６は第３図中１０６乃至１０９と
同様の原料ガス供給源であり、２１７−１はガス導入管
である。
同様の原料ガス供給源であり、２１７−１はガス導入管
である。
成膜室２０１にＡｌシリンダー状基体２１１をつり下げ
、その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０
７により回転できる様にする。２１８は放電エネルギー
発生装置であって、マツチングボックス２１８３％高周
波導入用カンード或極２１８ｂ当を具備しでいる。
、その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０
７により回転できる様にする。２１８は放電エネルギー
発生装置であって、マツチングボックス２１８３％高周
波導入用カンード或極２１８ｂ当を具備しでいる。
また、活性化室（Ａ） ２０２に固体０粒２０４を詰め
て、電気炉２０３により加熱し、Ｃを赤熱状態とし、そ
こへ導入１２０６を通じて不図示のボ／ぺからＣＦ、を
吹き込むことにより、活性種（Ａ）としてのＣＦ、＊を
生成させ、該ＯＦ、帯導帯管入管６を５経て、成膜室２
０１へ導入した。
て、電気炉２０３により加熱し、Ｃを赤熱状態とし、そ
こへ導入１２０６を通じて不図示のボ／ぺからＣＦ、を
吹き込むことにより、活性種（Ａ）としてのＣＦ、＊を
生成させ、該ＯＦ、帯導帯管入管６を５経て、成膜室２
０１へ導入した。
一方、導入管２１７−１より５ｉｆｔ（＠とＨｌの各ガ
スを成膜室２０１に導入した。導入されたＳ ｉ ＊
Ｈａガス、Ｈ２ガスは活性化室（Ｂ） ２２０において
、マイクロ波プラズマ発生装置ｔ２２１によりプラズマ
化等の活性化処理を受けて活性化水累化ケイ素、活性化
水素となり導入管２１７−２を通じて、成膜室２０１内
ζこ導入された。この際必要に応じてＰＨ，、Ｂ、Ｈ＠
等の不純物ガスも活性化室（Ｂ） ２２０内に導入され
て活性化された。次いで成膜室２０１内の内圧を１．０
Ｔｏｒｒに保ちつつ、放電装＠２１８により発生された
よりプラズマを作用させた。
スを成膜室２０１に導入した。導入されたＳ ｉ ＊
Ｈａガス、Ｈ２ガスは活性化室（Ｂ） ２２０において
、マイクロ波プラズマ発生装置ｔ２２１によりプラズマ
化等の活性化処理を受けて活性化水累化ケイ素、活性化
水素となり導入管２１７−２を通じて、成膜室２０１内
ζこ導入された。この際必要に応じてＰＨ，、Ｂ、Ｈ＠
等の不純物ガスも活性化室（Ｂ） ２２０内に導入され
て活性化された。次いで成膜室２０１内の内圧を１．０
Ｔｏｒｒに保ちつつ、放電装＠２１８により発生された
よりプラズマを作用させた。
Ａｌシリンダー状基体２１１は２２０″Ｃにヒーター２
０８により加熱、保持され、回転させ、排ガスは排気バ
ルブ２１２の開口を適当に調整して排気させた。このよ
うにして感光層１３が形成された。
０８により加熱、保持され、回転させ、排ガスは排気バ
ルブ２１２の開口を適当に調整して排気させた。このよ
うにして感光層１３が形成された。
また、中間層１２は、導入管２１７−１よりＨオ／ Ｂ
２ Ｈ＠（容量チでＢ、ｆ（、ガスが０．２％）の混
会ガスを更に導入し、膜厚２０００λで成膜さｎた。
２ Ｈ＠（容量チでＢ、ｆ（、ガスが０．２％）の混
会ガスを更に導入し、膜厚２０００λで成膜さｎた。
比較例１
０ＦｔとＳｉ２Ｈ６，Ｈｚ 及びＢ ！ Ｈｓ の
各ガスを使用して成膜室２０１と同様の構成の成膜室を
用意して１３．５６ Ｍ）ｌｚ の高周波装置を備え
で、一般的なプラズマＯＶＤ法により、第１図に示す層
構成の成子写真用隊形成部材を形成した。
各ガスを使用して成膜室２０１と同様の構成の成膜室を
用意して１３．５６ Ｍ）ｌｚ の高周波装置を備え
で、一般的なプラズマＯＶＤ法により、第１図に示す層
構成の成子写真用隊形成部材を形成した。
実施例３及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
製形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
製形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
第 ２ 表
第 ２ 表（続き）
実施例６
ケイ素含有比合物として５ｉ２Ｈ，を用いて第３図の装
置直を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオードを作
製した。
置直を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオードを作
製した。
まず、１ｏｏｏｉのＩＴＯ１ｉ２２を蒸着したポリエチ
レンナフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１０
−’Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例１と同様に導入管１
１６からＯＦ、帯の活性種を成膜室１０１内に導入し、
また導入管１１０から８ｉｚＨａ １５０ Ｓ ＯＯＭ
、ＰＨ３ガス（１１０００ｐｐ水素ガス希釈の夫々を活
性化室（Ｂ） １２３に導入して活性化した。次いでこ
の活性化さ几たガスを導入管１１６を介して成膜室１０
１内に導入した。成膜室１０１内の圧力をＱ、１Ｔｏｒ
ｒｌこ保ちながら放電装置からプラズマを作用させて、
ＰでドーピングさＱ タｎ １ｊｌｌ、 ａ −８ｉ
０ （Ｈ、Ｘ ）膜２４（ａｉ厚７００ｋ）を形成した
。
レンナフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１０
−’Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例１と同様に導入管１
１６からＯＦ、帯の活性種を成膜室１０１内に導入し、
また導入管１１０から８ｉｚＨａ １５０ Ｓ ＯＯＭ
、ＰＨ３ガス（１１０００ｐｐ水素ガス希釈の夫々を活
性化室（Ｂ） １２３に導入して活性化した。次いでこ
の活性化さ几たガスを導入管１１６を介して成膜室１０
１内に導入した。成膜室１０１内の圧力をＱ、１Ｔｏｒ
ｒｌこ保ちながら放電装置からプラズマを作用させて、
ＰでドーピングさＱ タｎ １ｊｌｌ、 ａ −８ｉ
０ （Ｈ、Ｘ ）膜２４（ａｉ厚７００ｋ）を形成した
。
次いで、Ｐ Ｈｓガスの代りにＢ ＊ Ｈｓガス（３０
０ｐｐｍ水素ガス希釈）を導入した以外はｎ屋ａ−８ｉ
Ｏ（Ｈ，Ｘ）膜の場合と同一の方法で１型ａ−８ｉＯ（
Ｈ，Ｘ）膜２５（膜厚５０００＾）を形成した。
０ｐｐｍ水素ガス希釈）を導入した以外はｎ屋ａ−８ｉ
Ｏ（Ｈ，Ｘ）膜の場合と同一の方法で１型ａ−８ｉＯ（
Ｈ，Ｘ）膜２５（膜厚５０００＾）を形成した。
次いで、Ｈ２ガスと共にＢ、Ｈ・ガス１１０００ｐｐ水
素ガス希釈）を使用し、それ以外はｎ型と同じ条件でＢ
でドーピングされたｐ １１ ａ −８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）
膜２６（膜厚７００λ）を形成した。
素ガス希釈）を使用し、それ以外はｎ型と同じ条件でＢ
でドーピングされたｐ １１ ａ −８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）
膜２６（膜厚７００λ）を形成した。
更ｌこ、このｐ型膜上に真空蒸着により膜厚１０００又
のＡＩ［極２７を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。
のＡＩ［極２７を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。
かくして得られたダイオード素子（面積１ｃＩ／ｌ）ま
た、光照射特性においても、基板側から光を導入し、光
照射強度ＡＭＩ（約Ｉ Ｑ Ｏｍ Ｗ／ ｃｒ／ｌ ）
で、変換効率８．５％以上、開放端電圧０．９２Ｖ。
た、光照射特性においても、基板側から光を導入し、光
照射強度ＡＭＩ（約Ｉ Ｑ Ｏｍ Ｗ／ ｃｒ／ｌ ）
で、変換効率８．５％以上、開放端電圧０．９２Ｖ。
短絡電流１−０．５ ｍ Ａ ／ （−７ｄが得られた
。
。
実施例７〜９
ケイ素含有化合物としてＳ ｉ 、Ｈ＠の代りに、直鎖
状８ ｉ ４Ｈ１ｏ ｓ分岐状Ｓ ｉ ４ Ｈｓ ａｓ
又はＨ＠ Ｓ ＋ ｍ Ｆ ｓ を用いた以外は、実
施例６と同一のＰＩＮ型ダイオードを作製した。整流特
性及び光起電力効果を評価し、結果を第３表に示した。
状８ ｉ ４Ｈ１ｏ ｓ分岐状Ｓ ｉ ４ Ｈｓ ａｓ
又はＨ＠ Ｓ ＋ ｍ Ｆ ｓ を用いた以外は、実
施例６と同一のＰＩＮ型ダイオードを作製した。整流特
性及び光起電力効果を評価し、結果を第３表に示した。
第３茨から、本発明ｌこよｎば、従来に比べ艮好な光学
的・電気的特性を有するａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）ＰＩＮｆ
ｉダイオードが得られることが判った。
的・電気的特性を有するａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）ＰＩＮｆ
ｉダイオードが得られることが判った。
本発明の堆積膜形成法１こよれば、形成される膜に所望
さ几る電気的、光学的、光導成約及び機械的特性が向上
し、しかも比較的低い基体温度で高速成膜が可能となる
。また、成膜Ｉζおける再現性が向上し、膜品質の向上
と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化に有
利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に達成
することができる。更に、耐熱性に乏しい基体上にも成
膜できる、低温処理によって工程の短縮化を図れるとい
った効果が発揮される。
さ几る電気的、光学的、光導成約及び機械的特性が向上
し、しかも比較的低い基体温度で高速成膜が可能となる
。また、成膜Ｉζおける再現性が向上し、膜品質の向上
と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化に有
利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に達成
することができる。更に、耐熱性に乏しい基体上にも成
膜できる、低温処理によって工程の短縮化を図れるとい
った効果が発揮される。
第１図は本発明方法を用いて製造される電子写真用１象
形成部材の構成例を説明するための模式図である。 第２図は本発明方法を用いで製造されるＰＩＮ型ダイオ
ードの構成例を説明するための模式図である。 第３図及び第４囚はそれぞれ実施例で用いた本発明方法
を実施するための装ｒ＃の構成を説明するための模式図
である。 １０ ・・・ 纜子写真用１象杉成部材、１１ ・・・
基体、 １２ ・・・ 中間層、 １３ ・・・ 感光層１ ２１ ・・・ 基体、 ２２．２７ ・・・ ｉｖ模α極、 ２４ ・・・ ｎ警手導体層、 ２５ ・・・ ｉ［半導体層、 ２６ ・・・ ｐｉ半半体体層 １０１．２０１ ・・・ 成膜室、 １１２．２０２ ・・・ 活性化ヱ（Ａ）、２１？ １２３、≠金環 ・・・ 活性化室（Ｂ）、１０６．１
０７，１０８，１０９゜ ２１３．２１４，２１５，２１６ ・・・ ガス供給系、 １０３．２１１ ・・・ 基体 １１７．２１８ ・・・ 放電エネルギー発生装置。
形成部材の構成例を説明するための模式図である。 第２図は本発明方法を用いで製造されるＰＩＮ型ダイオ
ードの構成例を説明するための模式図である。 第３図及び第４囚はそれぞれ実施例で用いた本発明方法
を実施するための装ｒ＃の構成を説明するための模式図
である。 １０ ・・・ 纜子写真用１象杉成部材、１１ ・・・
基体、 １２ ・・・ 中間層、 １３ ・・・ 感光層１ ２１ ・・・ 基体、 ２２．２７ ・・・ ｉｖ模α極、 ２４ ・・・ ｎ警手導体層、 ２５ ・・・ ｉ［半導体層、 ２６ ・・・ ｐｉ半半体体層 １０１．２０１ ・・・ 成膜室、 １１２．２０２ ・・・ 活性化ヱ（Ａ）、２１？ １２３、≠金環 ・・・ 活性化室（Ｂ）、１０６．１
０７，１０８，１０９゜ ２１３．２１４，２１５，２１６ ・・・ ガス供給系、 １０３．２１１ ・・・ 基体 １１７．２１８ ・・・ 放電エネルギー発生装置。
Claims (1)
- 基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、炭素と
ハロゲンを含む化合物を分解することにより生成される
活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用をす
る成膜用のケイ素含有化合物より生成される活性種（Ｂ
）とを夫々別々に導入し、これらに放電エネルギーを作
用させて化学反応させる事によって、前記基体上に堆積
膜を形成する事を特徴とする堆積膜形成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035602A JPS61194819A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 堆積膜形成法 |
| US06/831,411 US4853251A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-20 | Process for forming deposited film including carbon as a constituent element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035602A JPS61194819A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 堆積膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194819A true JPS61194819A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12446368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60035602A Pending JPS61194819A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-25 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10421329B2 (en) | 2016-01-15 | 2019-09-24 | Oiles Corporation | Slide bearing |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140267A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Vapor epitaxial crystal growing device |
| JPS52143980A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-30 | Nec Corp | Equipment for plasma deposition |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP60035602A patent/JPS61194819A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140267A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Vapor epitaxial crystal growing device |
| JPS52143980A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-30 | Nec Corp | Equipment for plasma deposition |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10421329B2 (en) | 2016-01-15 | 2019-09-24 | Oiles Corporation | Slide bearing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62163311A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61194819A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6191010A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61248419A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6188520A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61179870A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6188514A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6197817A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH0712026B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPS6199325A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61112314A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61193429A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61100924A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61194818A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61104612A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6189625A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61222117A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH0722123B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPS6190425A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61228613A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61101023A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61228615A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6189624A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61193430A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61112313A (ja) | 堆積膜形成法 |