JPS61196546A - フイルムキヤリヤ集積回路とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、支持フィルムを備え、はんだ付け可能な材
料から成る金属の導体路がこの支持フィルム上に設けら
れ、この導体路の一端上に接続面が設けられ、またこの
導体路の他端上にはんだ材料により形成され外部配線と
のはんだ付け結合に用いられる外部接続接点が設けられ
、更にまた突起状の金属の接続接点を有する半導体チッ
プを備え、このチップの接続接点が前記接続面とはんだ
付けされ、そのために接続面にはんだ付け結合される接
続接点の少なくとも表面範囲がはんだ付け可能な材料か
ら形成されるフィルムキャリヤ集積回路とその製造方法
とに関する。

［従来の技術］ マイクロパックとも呼ばれるフィルムキャリヤ集積回路
は、半導体産業においてこれまで、従来のケース（セラ
ミックケース、プラスチックケース）を有する集積回路
と同様に知られている。

ドイツ連邦共和国特許出願公開第３３４３３８７号明細
書（特開昭８０−１３４４４２号公報）にフィルムキャ
リヤ集積回路の基本構造が簡単に記載されている。この
集積回路は主として支持フィルムと半導体チップとから
成る。その際支持フィルムと半導体チップとの間の電気
的結合ははんだ付け又は熱圧着により形成される。多く
の場合支持フィルムは主としてプラスチック、しばしば
カプトンから成る。更に支持フィルムは一般にくものよ
うな形の金属の導体路を備え、この導体路の一端（接続
面）は半導体チップに結合され（周知の方法は熱圧着と
はんだ付けである）、またその他端は外部接続接点とし
て別の用途に用いられる０例えばフィルムキャリヤ集積
回路はプリント配線板上に実装できる。その際同時に機
械的固定としての役をも果たす必要な電気結合は、プリ
ント配線板の導体路又ははんだ付け端子とフィルムキャ
リヤ集積回路の外部接続接点との間のはんだ付けされた
配線結合により行われる。

両はんだ付け工程、すなわちプリント配線板の導体路と
フィルムキャリヤ集積回路の外部接続接点との間の結合
、並びに半導体チップと支持フィルムのくも状の金属導
体路との間の結合の形成は、周知のように狭い空間で隣
接して行われる。

その際フィルムキャリヤ集積回路の外部接続接点のはん
だ付けの間に、例えばくも状の金属の導体路を経た熱伝
導により加えられた熱量又は用いられたはんだごてによ
り生じた熱ふく射が、接続面として構成された導体路の
端部と半導体チップの突起状の接続接点との間のはんだ
付け箇所を強く加熱し、そこのはんだが溶けてはんだ付
け箇所が外れるという大きい危険が存在する。かかるは
んだ付け工程がフィルムキャリヤ集積回路の製造者によ
り実施されるのではなくて、場合によっては製造者に比
べてフィルムキャリヤ集積回路の製造に熟練していない
顧客によって初めて行われる可能性があるときには、こ
の危険は更に増大する。

使用すべき外部配線の中に〔例えばプリント配線板上に
〕顧客によって初めてフィルムキャリャ集積回路をはん
だ付けするという可能性は、従来フィルムキャリヤ集積
回路の製造者によって例外なく拒否すべきであると判断
された。すなわちこの可能性は上記の危険のほかに顧客
における長期間にわたるフィルムキャリヤ集積回路の付
随的な在庫をももたらす、しかしながらフィルムキャリ
ヤ集積回路の外部接続接点上での良好なはんだ付け性を
得るためのはんだ材料として従来無電解で析出されたス
ズは、直ちに始まる酸化及び腐食により必要な長期にわ
たる良好なはんだ付け性を維持するのを妨げられた。そ
れにより３週間もたたない内にはんだ付け性はもはや十
分でなくなる。

良好なはんだ付け性の維持のための目標としては少なく
とも１年の期間が考えられる。

更に従来通常ははんだ材料としてスズが無電解析出され
ている。これは低廉な費用で実施できるけれども、フラ
フシオーバ、短絡などの形で回路の電気的信頼性を損な
うおそれがある。その原因は無電解析出の際にスズから
ボイスカーが発生するかうである。

熱圧着の技術は半導体チップを支持フィルムに結合する
別の可能性を提供する。しかしながらその際生じる高い
接触圧力（２００ｃＮ）は半導体チップが機械的に損傷
を受けるという危険を引き起こす。このことは特に電気
的及び化学物理的な長期安定性に関して不利な影響をも
たらす。

［発明が解決しようとする問題点］ この発明は、一方ではくも状の金属の導体路と半導体チ
ップの接続接点との間のはんだ付け結合を損なうことな
く、フィルムキャリヤ集積回路の支持フィルムの外部接
続接点におけるはんだ付けを可能にし、他方では従来に
比べて著しく長い期間にわたって外部接続接点における
はんだ付け可能性を維持することを製造者に対して可能
にするような、フィルムキャリヤ集積回路を提供するこ
とを目的とする。更に前記のホイスカーの形成を防ぐこ
とによりフィルムキャリヤ集積回路の電気的信頼性を高
めようとするものである。更にこの有利なフィルムキャ
リヤ集積回路の製造を可能にする方法を提供しようとす
るものである。また更に熱圧着により生じる欠点を避け
ようとするものである。

Ｅ問題点を解決するための手段］ この目的はこの発明に基づき頭記の種類の集積回路にお
いて、接続面が電解析出されたはんだ材料を含み、接続
面にはんだ付けされている接続接点の表面範囲のはんだ
付け可能な材料が、電解析出されたはんだ材料と共には
んだ付けの際に、耐高温外相により限定された合金混合
比における合金を形成し、この相の融点が外部接続接点
のはんだ材料の融点より少なくとも２０℃高く、その際
半導体チップがはんだ付けの際に熱的に損傷される温度
以下のはんだ付け温度によるはんだ付けの際にこの相が
内部拡散により形成され、外部接続接点がはんだ材料と
して同様に電解析出されたはんだ材料を含むことにより
達成される。このフィルムキャリヤ集積回路の製造方法
は、支持フィルムの主面上に全面的に張られた金属はく
上に第１のホトレジスト層を全面的に塗り、接続面、外
部接続接点及び場合によっては完成したフィルムキャリ
ヤ集積回路の導体路などのはんだ材料を含むべき場所が
、ホトレジストを除去されるように第１のホトレジスト
層を形成し、ホトレジストを除去された場所上にはんだ
材料を電解析出し、その結果接続面と外部接続接点がで
き上がり、残っている第１のホトレジスト層を除去し、
第２のホトレジスト層を全面に塗り、接続面、外部接続
接点及び完成したフィルムキャリヤ集積回路の導体路の
存在する場所が、ホトレジストで覆われたままであるよ
うに第２のホトレジスト層を形成し、第２のホトレジス
ト層を除去された面で金属はくをエツチングすることに
より導体路を形成し、残っている第２のホトレジスト層
を除去し、電解析出されたはんだ材料の融点より少なく
とも２０℃高く、しかしながら半導体チップがまさに損
傷されない値よりもなお低いような温度で、半導体チッ
プの突起状の接続接点を支持フィルムの接続面にはんだ
付けし、その結果少なくともはんだ付け結合が形成され
る範囲において、前記相の合金混合比にほぼ対応する合
金混合比を有する合金が熱的内部拡散により形成される
ことにより達成される。

この発明ははんだ付け可能な材料から成る金属の導体路
を有する既知の全ての支持フィルムに適用可能である。

更にこの発明は使用されている半導体チップに適用され
る半導体技術とは無関係である。唯一の条件は、はんだ
付け工程が行われる突起状の接続接点の少なくとも成る
範囲に用いられる材料がはんだ付け可能であり、この材
料が使用するはんだと共に合金を形成し、この合金の合
金混合比に関する融点曲線が少なくとも一つの耐高温性
相を有し、この相の融点が一方では外部接続接点のはん
だ付けの際に使用される周知のはんだの融点より明らか
に（例えば２０℃）高く。

他方でははんだ付け工程の際に半導体チップが熱的の損
傷を受けるようなはんだ付け温度を必要としないという
ことである。

その際突起状の接続接点と使用されるはんだ材料との理
想的な組み合わせは金とインジウムである。インジウム
は約１５５℃の融点を有する。

金との相応の合金の適切に高い融点を有する相はインジ
ウム分が約２０ないし５０原子％で、その融点は３６４
℃ないし３７３℃である（ハンセン（）Ｉａｎｓｅｎ）
著「二元合金の構造（Ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎ　ｏｆ
　Ｂｉｎａｒｙ　Ａ１１ａｙｓ　）　Ｊ１９５８年、第
１２３図、第２１１ページ）、別の組み合わせの可能性
ははんだ材料としてガリウムを、半導体チップの金属の
接続接点のための材料として金を用いることである。こ
の合金はガリウム分が２０ないし５０原子％でこれに対
応し全会が８０ないし５０原子％である合金混合比の場
合に２７５℃ないし３４１’Ｃの融点を有し。

この融点は一方では少なくともはんだの融点２４５℃を
超え、しかしながら他方でははんだ付け工程の際に半導
体チップの熱的破壊を誘発しない、この相ははんだ付け
工程の際に熱的内部拡散によりはんだ付け時間とはんだ
付け温度に関連して形成される。

［実施例］ 次にこの発明に基づくフィルムキャリヤ集積回路とその
製造工程とを示す図面によりこの発明の詳細な説明する
。

第１図にはこの発明に基づくフィルムキャリヤ集積回路
が平面図で示されている。特にこの発明にとって重要な
特徴を明らかにするために、第１図の切断線■−■によ
る断面図が第２図に示されている。第１図において半導
体チップ１は支持フィルム３の窓状のくり抜き孔４の内
部に配置されている。支持フィルム３は主としてプラス
チック特にカプトンから成る。しかしながら支持フィル
ムはその他の耐熱性プラスチック又はセラミック材料の
ような他の材料から成ることもできる。

支持フィルム３上には導体路５が配置されており、この
導体路は窓状のくり抜き孔４の中にまで達している。こ
の導体路は窓状のくり抜き孔４の内部のその一端上に接
続面６を備え、この接続面は半導体チップｌの突起状の
金属の接続接点２との電気的結合に用いられる。同時に
この導体路５はその電気的結合と共に支持フィルム３へ
の半導体チップ１の機械的な固定手段としても働く、導
体路５は例えば銅のようなはんだ付け可能な材料から成
る。かかる導体路は通常的３５μｍの厚さである。半導
体チップ１の接続接点２は、接続面６のはんだ材料を用
いた接続接点２のはんだ付けにより生じた合金を含む。

この発明に基づく有利な実施態様においては合金は接続
接点２の容積に関して小さい範囲１０だけに形成される
（第４図参照）、小さい範囲１０は接続接点２の容積の
１／４ないし１／２０とするのが有利である。

合金の原料は第３図に示すように、接続面６の側ではは
んだ材料であり接続接点２の側では金属であり、この金
属ははんだ付けの際に高い拡散速度による熱的内部拡散
によって、合金の融点が外部接続接点７の純粋なはんだ
材料の融点よりも少なくとも２０℃高い耐高温性相が形
成されるような合金混合比において１合金を形成し得る
ような金属である。はんだ付け工程の際に始まる熱的内
部拡散に基づいて、合金の融点を設定されたはんだ付け
温度よりも高くすることができる。

はんだ材料と接続接点２の金属の組み合わせとしてイン
ジウムと金が考えられる。金インジウム合金はインジウ
ム分が２０ないし５０３；（子％の場合に、上記条件を
満たす３６４℃ないし３７３’Ｃの融点を有する耐高温
性相を有する。

別の組み合わせはガリウム分が２０ないし５０Ｍ子％で
２７５℃ないし３４１℃の融点を有する同様な相を備え
たガリウムと金である。金の代わりに接続接点２は金銅
合金を含むことができる。

接続接点２ははんだ付けの前に全体が選ばれた金属から
成る必要はなく、接続接点２のはんだ付けが行われる側
の表面範囲に選ばれた金属を有する金属層配列を含むこ
ともできる。金属の層配列から成る接続接点２の構造は
一般に知られている。

無電解析出されたはんだの代わりに電解析出されたはん
だ材料を用いることは下記の重要な長所を有する。

ａ）電解析出されたはんだの表面は長期にわたりはんだ
付け可能の状態を維持する。無電解析出されたはんだの
場合の２週間ないし最高で３週間に比べて少なくとも１
年はもつ。

ｂ）無電解析出されたはんだは析出の際に横に突き出て
くるホイスカーを形成する（例えば太さＩｇｍないし２
＃Ｌｍ、長さ５＃Ｌｍないし３０７ｚｍ）、ホイスカー
は個々の導体路５又は接続面６の間の今日通常用いられ
る小さい間隔では容易に短絡を形成し得る。ボイスカー
は電解析出の際には生じない。

Ｃ）電解析出によればより大きいはんだ強度が得られる
。

第１図、第２図及び特に第５図に示すように。

導体路５の他端には通常のように同一のはんだ材料（同
様に電解析出されるのが有利である）を有する外部接続
接点７が設けられ、その際導体路５の全長に比べて小さ
い範囲８においてもはんだ材料が導体路５を覆うことが
できる。外部接続接点７のはんだ材料の下では導体路５
の材料が全面的に続いている。外部接続接点７のために
電解析出されたはんだの利用の際の長所に関しては、接
続面６の場合と同じことが成り立つ。

この発明の有利な実施態様においては外部接続接点７の
はんだ材料が接続面６のはんだ材料と別のものであるこ
ともまた可能である。接続面６上及び外部接続接点７上
に析出されたはんだ材料の厚さはそれぞれｌμｍないし
１５１Ｌｍとするのが有利である。

この発明の理論の主旨は支持フィルム３の材料と形状と
には無関係であるので、前記の特徴を有し窓状のくり抜
き孔４を備えていない支持フィルム３を有するフィルム
キャリヤ集積回路もまたこの発明の範囲に属する。そし
てその際にはもちろん導体路５は完全に支持フィルム３
上に配置されている。

耐熱性の相に関して上記温度条件を満たす［はんだ材料
と接続接点２の材料との使用」並びに「電解析出はんだ
材料の使用」との発明上重要な特徴の組み合わせは、フ
ィルムキャリヤ集積回路の製造者が新しい市場を開発す
ることを可能にする。すなわち外部接続接点７に接続さ
れた外部配線無しのフィルムキャリヤ集積回路を販売す
ることが可能である。そして顧客は後に、外部接続接点
７上にかぶせられたはんだの融点と合金１０の融点との
間の温度範囲において、半導体チップ１の接続接点と接
続面６との間のはんだ付け結合がゆるむことを心配する
必要が無く、自分自身ではんだ付けによる接続を行うこ
とができる。更に顧客はフィルムキャリヤ集積回路の製
造後１年までは、低下したはんだ付け性により損害を受
けることなく接続を行うことができる。

第６図ないし第１２図に示すように、この発明に基づく
集積回路が次に述べるように製造される。前記材料から
成る支持フィルム３の中に窓状のくり抜き孔４が、例え
ば切断又は打ち抜きにより設けられる。更に支持フィル
ム３の主面が全面的に、すなわち窓状のくり抜き孔４を
含めて、はんだ付け可能な材料から成る金属はく１５に
より覆われる。このために例えば厚さ約３５１Ｌｍの銅
はくが使用できる。このことは専門家にとっては従来の
技術水準として周知である。第８図はこの製造段階にお
ける未完成のフィルムキャリヤ集積回路を示す、金属は
く１５により覆われた窓状のくり抜き孔４は破線により
示されている。

窓状のくり抜き孔４を設けることはフィルムキャリヤ集
積回路において通常行われるが、しかしながら全く設け
なくてもよい。

金属はく１５上には次いで全面的に第１のホトレジスト
層９（第９図及び第１０図）が塗られ、通常の手段によ
り場所１６，１７．１８が再びホトレジスト層９を除去
されるように形成される。

これらの場所は完成したフィルムキャリヤ集積回路にお
いて、それぞれはんだ材料を含む接続面６、外部接続接
点７及び場合によっては空間的に外部接続接点７に接続
し導体路５の長さに比べて非常に短い導体路５上の範囲
が存在するような場所である。金属はく１５上では第１
のホトレジスト層９を除去された場所１６，１７．１８
上にはんだ材料が電解析出される。その際この発明の有
利な実施態様において場所１６と１８上には場所１７上
と異なるはんだ材料を析出することができる。はんだ材
料はそれぞれｌｌＬｍないし１５Ｂｍの厚さに析出され
るのが有利である。その際はんだ材料として特に将来の
接続面６に対しては、相の融点が一方では将来の外部接
続接点７のために用いられるはんだ材料の融点より少な
くとも２０’Ｃ高く、他方では半導体チップｌの接続接
点２にはんだ材料をはんだ付けの際にそのチップが熱的
に損傷を受けない温度より更に下にあるような、耐高温
性相がはんだ付けの際の熱的内部拡散により形成される
ように１合金混合比が設定できる合金を接続接点２の金
属と結合して形成できるようなはんだが用いられる。上
限に対する正確な値ははんだ付け時間とはんだ付けの際
に加えられる接触圧力とばかりではなく、半導体チップ
１に使用される半導体材料にも関係する。その値ははん
だ付け時間１秒、接触圧力２０ｃＮでシリコンの場合に
約５５００Ｃである。はんだ材料としてはインジウム又
はガリウムが適している。接続接点２の材料としては半
導体チップｌの製造の際に、はんだ付けが行われるべき
側の少なくとも表面範囲に特に金又は金銅合金が用いら
れる。

はんだ材料の電解析出に続いて残っている第１のホトレ
ジスト層９が通常の手段により除去される。この加工段
階の結果は第１１図に示されている。続いて再び金属は
〈１５と電解析出されたはんだ材料上に全面的に第２の
ホトレジスト層が塗布され、接続面６、場合によっては
非常に短い範囲８と共に外部接続接点７及び完成したフ
ィルムキャリヤ集積回路の導体路５が存在する場所が、
第１２図に示すようにホトレジス）１９により覆われた
ままであるように形成される。その後で電解析出により
でき上がった接続面６及び場合によっては非常に短い範
囲８が接続している外部接続接点７に加えて、導体路５
ができ上がるように金属はく１５が通常の手段によりエ
ツチングされる。その際第２のホトレジスト層の形成は
、それに続く金属はく１５のエツチングの際に少なくと
も接続面６上で電解析出されたはんだ材料が一緒にエツ
チングされないように行わなければならない、かかるエ
ツチングは例えば等方性のアンダカットがあると発生す
る恐れがある。実際にはこのことは形成された第２のホ
トレジスト層１９が接続面６の所望の底面より広く覆っ
ている（オーバラップ）ことを意味する。このオーバラ
ップの寸法快足の大まかな法則によれば、各接続面６の
境界線に関してホトレジスト１９が電解析出されたはん
だ材料と金属はく１５の厚さの和の半分であるようなオ
ーバラップ量を少なくとも持つべきであるということで
ある。

この発明の趣旨においては、平面図において（第５図参
照）金属は〈１５のエツチングの後に付属の導体路５の
表面により接続面６が完全に囲まれているように、接続
面６上の第２のホトレジスト層を形成することもまた許
される。しかしながら第１及び第２のホトレジスト層の
形成は相対的なずれが生じないように幾何学的に正確に
相互に一致している（例えば使用するホトマスクの相応
する正確な調節により）ことが基本的に非常に重要であ
る。すなわちもし相互のずれがあれば金属はく１５のエ
ツチングの際に接続面６上であらかじめ析出されたはん
だ材料の一部が再び除去されるので、接続面６のはんだ
材料の寸法（これについては後述する）が接続接点２に
関してもはや適合しなくなるおそれがある０例えばホト
マスクの調節不良により発生するかかるずれは第１３図
に示されている。接続面６の破線で示した部分は導体路
５のための金属はく１５のエツチングの際に一緒にエツ
チングされ、すなわち接続面６は許容できないほど小さ
くなる。金属はく１５のエツチングの後に、残っている
第２のホトレジスト層１９が除去される。

続いて半導体チップ１の接続接点２が接続面６にはんだ
付けされる。これは通常のように２０ｃＮの接触圧力と
、１秒の典型的なはんだ付け時間と、はんだ付けの際に
内部拡散により生じる相の融点以下のはんだ付け温度と
で行われる。

その際この発明の理論に基づき、その融点が外部接続接
点７のはんだ材料の融点より少なくとも２０℃高いよう
な、使用した材料（例えばインジウム分が２０ないし５
０ｊｉ子％で全会が８０ないし５０原子％）から成る耐
高温性相を有する合金混合比の合金がはんだ付けにより
そのときでき上がったはんだ付け結合部に発生するよう
に努められる。その際適用されるはんだ付け温度は発生
した合金の融点より低くすることができる。かかる合金
を得るために次の条件が必要である。

ａ）前記に対応する相を含有した合金が発生するように
使用すべき材料を選び出されなければならない。

ｂ）使用する材料の量の配合はかかる相が形成されるよ
うに相互に調和していなければならない。

次に一実施例により使用すべき材料（ここでは金とイン
ジウム）の量の配合をどのようにして決めることができ
るかを示す、接続面６上にはんだ付けすべき接続接点２
の範囲が１２０Ｘ１２０Ｘ１８ＩＬｍの寸法を有する（
すなわち例えば接続接点２全体が金から成る）という想
定のもとではこの金の重量は４Ｊｉｇである。インジウ
ム分３０原子％（２０重量％に相当）の合金の耐高温性
相をはんだ付けの際に得ることができるためには、イン
ジウムの量はＩＪＪ−ｇに決めなければならない、イン
ジウムの厚さを３１Ｌｍと仮定すれば、このことはイン
ジウムにより覆うべき接続面６が２００Ｘ２００７ｔｍ
であることに相当する。

この発明の有利な実施態様においては、はんだ材料が接
続接点２のはんだ付け可能な材料全体に関して決められ
るのではなく、接続接点２の容積の約１／４ないし１／
２０であるような範囲１０（第４図参照）においてのみ
、はんだ付けの際に前記合金混合比を有する合金が形成
されるように量が決められることが推薦される。このこ
とは一方では半導体チップ１に対して熱的な長所をもた
らし、他方では接続接点２上での半導体チップｌの起こ
り得る材料のひずみがはんだ付けの際に避けられる。そ
の涼夏に、はんだ付けの際に接続接点２が全体として溶
け、それにより接触圧力（例えば２０ｃＮ）に基づき半
導体チップ１と導体路５との間に存在する間隔が減少す
るおそれを避けることができる。すなわちもしこうなっ
たときには、半導体チップｌと導体路５との間の望まし
くない電気的短絡を生じるおそれがある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に基づくフィルムキャリヤ集積回路の
一実施例の平面図、第２図は第１図に示す集積回路の切
断線■−Ｈによる断面図、第３図は第２図に示す半導体
チップの接続接点部分のはんだ付け前の拡大断面図、第
４図は第３図に示す部分のはんだ付け後の拡大断面図、
第５図は第１図に示す導体路の拡大平面図、第６図ない
し第１２図は第１図に示す集積回路に関するこの発明に
基づく製造方法の一実施例の各段階を示す平面図、第１
３図は第５図に示す接続面部分のホトマスク調整不良に
よるずれを示す拡大平面図である。 １−・・半導体チップ、　２・・拳接続接点、３・・・
支持フィルム、　５・・・導体路、　６・・・接続面、
　　７−拳・外部接続接点、　８゜１０−・・小さい範
囲、　　　９・・争第１のホトレジスト層、　　　１５
・・Φ金属はく、　　　１６゜１７．１８・・・はんだ
材料を含むべき場所。 １９・・・第２のホトレジスト層。 ＩＧ２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）支持フィルム（３）を備え、はんだ付け可能な材料
   から成る金属の導体路（５）がこ の支持フィルム上に設けられ、この導体路 （５）の一端上に接続面（６）が設けられ、またこの導
   体路（５）の他端上にはんだ材料により形成され外部配
   線とのはんだ付け結合に用いられる外部接続接点（７）
   が設けら れ、更にまた突起状の金属の接続接点（２）を有する半
   導体チップ（１）を備え、この チップの接続接点（２）が前記接続面（６）とはんだ付
   けされ、そのために接続面（６）にはんだ付け結合され
   る接続接点の少なくとも表面範囲がはんだ付け可能な材
   料から形成されるフィルムキャリヤ集積回路において、
   ａ）接続面（６）が電解析出されたはんだ材料を含み、 ｂ）接続面（６）にはんだ付けされている接続接点（２
   ）の表面範囲のはんだ付け可能な材料が、電解析出され
   たはんだ材料と共にはんだ付けの際に、耐高温性相によ
   り限定された合金混合比における合金を形成し、この相
   の融点が外部接続接点（７）のはんだ材料の融点より少
   なくとも２０℃高く、その際半 導体チップ（１）がはんだ付けの際に熱的に損傷される
   温度以下のはんだ付け温度によるはんだ付けの際にこの
   相が内部拡散により形成され、 ｃ）外部接続接点（７）がはんだ材料として同様に電解
   析出されたはんだ材料を含む ことを特徴とするフィルムキャリヤ集積回 路。 ２）支持フィルム（３）が主としてプラスチック、特に
   カプトンから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載のフィルムキャリヤ集積回路。 ３）金属の導体路（５）が外部接続接点（７）のすぐそ
   ばで、導体路（５）の長さに比べて小さい範囲（８）内
   において、同様に電解析出されたはんだ材料を含むこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のフ
   ィルムキャリヤ集積回路。 ４）電解析出されたはんだ材料としてインジウムが用い
   られることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
   ３項のいずれか１項に記載のフィルムキャリヤ集積回路
   。 ５）電解析出されたはんだ材料としてガリウムが用いら
   れることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
   項のいずれか１項に記載のフィルムキャリヤ集積回路。 ６）接続接点（２）のはんだ付け可能な材料が主として
   金であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
   第５項のいずれか１項に記載のフィルムキャリヤ集積回
   路。 ７）接続接点（２）のはんだ付け可能な材料が主として
   金銅合金であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   ないし第５項のいずれか１項に記載のフィルムキャリヤ
   集積回路。 ８）接続面（６）のはんだ材料が外部接続接点（７）の
   はんだ材料と別の物であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項ないし第７項のいずれか１項に記載のフィル
   ムキャリヤ集積回路。 ９）外部接続接点（７）のはんだ材料の厚さが１μｍな
   いし１５μｍであることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項ないし第８項のいずれか１項に記載のフィルムキャ
   リヤ集積回 路。 １０）接続面（６）のはんだ材料の厚さがはんだ付け前
   に１μｍない１５μｍであることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項ないし第９項のいずれか１項に記載のフィ
   ルムキャリヤ集積回路。 １１）接続面（６）のはんだ材料の量が、はんだ材料と
   してインジウムを用いかつ接続接点（２）の材料として
   金を用いた場合に、はんだ付けにより形成される合金の
   合金混合比がインジウム分２０ないし５０原子％でこれ
   に応じ金分８０ないし５０原子％となるように決められ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第１０
   項のいずれか１項に記載のフィルムキャリヤ集積回路。 １２）接続面（６）のはんだ材料を用いた半導体チップ
   （１）の接続接点（２）のはんだ付けにより生じる合金
   が、接続接点（２）の容積に関して小さい範囲（１０）
   だけに形成されていることを特徴とする特許請求の範囲 第１項ないし第１１項のいずれか１項に記載のフィルム
   キャリヤ集積回路。 １３）前記小さい範囲（１０）が半導体チップ（１）の
   接続接点（２）の容積の１／４ないし１／２０であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１２項記載のフィルム
   キャリヤ集積回路。 １４）支持フィルム（３）がその主面上に全面的にはん
   だ付け可能な材料から成る金属はく（１５）を張られて
   いるフィルムキャリヤ集積回路の製造方法において、次
   の製造段階、ａ）金属はく（１５）上に第１のホトレジ
   スト層（９）を全面的に塗り、 ｂ）接続面（６）、外部接続接点（７）及び場合によっ
   ては完成したフィルムキャリヤ集積回路の導体路（５）
   などのはんだ材料を含むべき場所（１６、１７、１８）
   が、ホトレジスト（９）を除去されるように第１のホト
   レジスト層（９）を形成し、 ｃ）ホトレジスト（９）を除去された場所 （１６、１７、１８）上にはんだ材料を電解析出し、そ
   の結果接続面（６）と外部接続接点（７）ができ上がり
   、 ｄ）残っている第１のホトレジスト層（９）を除去し、 ｅ）第２のホトレジスト層を全面に塗り、 ｆ）接続面（６）、外部接続接点（７）及び完成したフ
   ィルムキャリヤ集積回路の導体 路（５）の存在する場所が、ホトレジスト （１９）で覆われたままであるように第２のホトレジス
   ト層を形成し、 ｇ）第２のホトレジスト層を除去された面で金属はく（
   １５）をエッチングすることにより導体路（５）を形成
   し、 ｈ）残っている第２のホトレジスト層 （１９）を除去し、 ｉ）電解析出されたはんだ材料の融点より少なくとも２
   ０℃高く、しかしながら半導体 チップ（１）がまさに損傷されない値よりもなお低いよ
   うな温度で、半導体チップ（１）の突起状の接続接点（
   ２）を支持フィルム （３）の接続面（６）にはんだ付けし、その結果少なく
   ともはんだ付け結合が形成される範囲（１０）において
   、前記相の合金混合比にほぼ対応する合金混合比を有す
   る合金が熱的内部拡散により形成される、 を採用することを特徴とするフィルムキャリヤ集積回路
   の製造方法。 １５）接続接点（２）のはんだ付け可能な材料として、
   また電解析出されるはんだ材料として、それらの合金が
   合金混合比に関係して少なくとも一つの耐高温性相を有
   し、この相の融点が外部接続接点（７）のはんだ材料の
   融点より少なくとも２０℃高いような材料が 選定されることを特徴とする特許請求の範囲第１４項記
   載の製造方法。 １６）はんだ材料としてインジウムが電解析出されるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲 第１４項又は第１５項記載の製造方法。 １７）はんだ材料としてガリウムが電解析出されること
   を特徴とする特許請求の範囲第１４項又は第１５項記載
   の製造方法。 １８）支持フィルム（３）の材料として主としてプラス
   チック、特にカプトンが用いられることを特徴とする特
   許請求の範囲第１４項ないし第１７項のいずれか１項に
   記載の製造方法。 １９）金属の接続接点（２）が、接続面（６）とのはん
   だ付けを行われる側の少なくとも表面範囲において、主
   として金から成るように構成されることを特徴とする特
   許請求の範囲第１４項ないし第１８項のいずれか１項に
   記載の製造方法。 ２０）金属の接続接点（２）が、接続面（６）とのはん
   だ付けを行われる側の少なくとも表面範囲において、主
   として金銅合金から成るように構成されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１４項ないし第１８項のいず
   れか１項に記載の製造方法。 ２１）外部接続接点（７）のはんだ材料として、接続面
   （６）のはんだ材料とは異なるはんだ材料が電解析出さ
   れることを特徴とする特許請求の範囲第１４項ないし第
   ２０項のいずれか１項に記載の製造方法。 ２２）はんだ材料が１μｍないし１５μｍの厚さに析出
   されることを特徴とする特許請求の範囲第１４項ないし
   第２１項のいずれか１項に記載の製造方法。 ２３）はんだ材料が接続面（６）及び外部接続接点（７
   ）上にそれぞれ全面的に析出されることを特徴とする特
   許請求の範囲第１４項ないし第２２項のいずれか１項に
   記載の製造方法。 ２４）接続面（６）上に析出されるはんだ材料の量が、
   はんだ材料としてインジウムを用い接続接点（２）の材
   料として金を用いる場合に、両金属のはんだ付けにより
   生じる合金がインジウム分２０ないし５０原子％、金分 ８０ないし５０原子％を含むように決めら れ、このことが前記耐高温性相に相応することを特徴と
   する特許請求の範囲第１４項ないし第２３項のいずれか
   １項に記載の製造方 法。 ２５）接続面（６）上に析出されるはんだ材料の量が接
   続接点（２）のはんだ付け可能な材料の量に関して、両
   材料のはんだ付けにより生じる合金が前記相におけるこ
   れら材料の合金混合比に相応する合金混合比でもって接 続接点（２）の各容積に関して小さい範囲 （１０）の中だけに形成されるように、決 められることを特徴とする特許請求の範囲 第１４項ないし第２４項のいずれか１項に記載の製造方
   法。 ２６）小さい範囲（１０）が突起状の接続接点（２）の
   容積の１／４ないし１／２０であるように決められるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第２５項記載の製造方法
   。