JPS61198531A - 螢光表示管陽極基板の製造方法 - Google Patents
螢光表示管陽極基板の製造方法Info
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- JPS61198531A JPS61198531A JP20707884A JP20707884A JPS61198531A JP S61198531 A JPS61198531 A JP S61198531A JP 20707884 A JP20707884 A JP 20707884A JP 20707884 A JP20707884 A JP 20707884A JP S61198531 A JPS61198531 A JP S61198531A
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Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、螢光体の高密度形成全行なうための螢光表
示管陽極基板の製造方法に関するものでめる。
示管陽極基板の製造方法に関するものでめる。
螢光表示管の螢光体形成方法として、電着および印刷の
２種類の方法がめるが、Ｖ４接する螢光体の間隔が狭い
もの、丁外わち螢光体を高密度に形成するもの鉱、印刷
による方法が適さ々いため、電着による方法が採用され
ている。
２種類の方法がめるが、Ｖ４接する螢光体の間隔が狭い
もの、丁外わち螢光体を高密度に形成するもの鉱、印刷
による方法が適さ々いため、電着による方法が採用され
ている。
しかし力から、螢光体が陽極１！極に付着する時、陽極
の表面だけでなく、その１ＩＩｌ壁にも付着するため、
陽極電極の間隔が３０μｍ程度になると、隣接しｙ’ｃ
ｌＩＩＩ極電極の側壁に付着した螢光体が接触してしま
うため、螢光体の高密度形成にも限界がめった。
の表面だけでなく、その１ＩＩｌ壁にも付着するため、
陽極電極の間隔が３０μｍ程度になると、隣接しｙ’ｃ
ｌＩＩＩ極電極の側壁に付着した螢光体が接触してしま
うため、螢光体の高密度形成にも限界がめった。
したがってこの発明の目的は、電着によって螢光体層を
構成する時、従来のものよＶ更に高密度に螢光体形成を
行カうことができる螢光表示管陽極基板の製造方法を提
供することにるる。
構成する時、従来のものよＶ更に高密度に螢光体形成を
行カうことができる螢光表示管陽極基板の製造方法を提
供することにるる。
このような目的ケ達成するためこの発明は、螢光体音形
成する部分以外の部分に焼成によって除去可能な厚みの
可燃性膜音形成し、螢光体形成後可燃性挾葡焼成によっ
て除去するようにしたものである。
成する部分以外の部分に焼成によって除去可能な厚みの
可燃性膜音形成し、螢光体形成後可燃性挾葡焼成によっ
て除去するようにしたものである。
〔作用二Ｉ
螢光体が可燃性膜を形成しカかった部分に残る。
［笑飾例〕
図はこの発明の一笑施例葡示す工程図でるる。
先ず（ａ） Ｋ示すように、ガラス基板１の上に膜厚１
．５μｍ程贋０陽極電極２をアルミ薄膜によって形成す
る。この陽極電極２は一例として５０μｍ×５０μｍ程
度の大きさでるり、陽極電極相互の間隔に３０μｍ程度
のものでるる。また１ｍｍ２ろたｔ）１２．５個の微細
で高密度笑装がなされている。
．５μｍ程贋０陽極電極２をアルミ薄膜によって形成す
る。この陽極電極２は一例として５０μｍ×５０μｍ程
度の大きさでるり、陽極電極相互の間隔に３０μｍ程度
のものでるる。また１ｍｍ２ろたｔ）１２．５個の微細
で高密度笑装がなされている。
次に、（ｂ）に示すように螢光体を電着させる予定の部
分以外の個所に感光性を有した可燃性有機物膜３を形成
する。このためＫは例えば、ジアゾ基を感光基としたポ
リビニールアルコーヤが主成分のエンコゾル液ケ約２０
μｍ厚でガラス基板１の全面にスピンコード法によって
塗布し、戦慄させる。
分以外の個所に感光性を有した可燃性有機物膜３を形成
する。このためＫは例えば、ジアゾ基を感光基としたポ
リビニールアルコーヤが主成分のエンコゾル液ケ約２０
μｍ厚でガラス基板１の全面にスピンコード法によって
塗布し、戦慄させる。
（膜厚に乾燥によって１２μｍ程度となる）そして、陽
槓パターン紮マスクとして露光することによつ゛Ｃ１螢
光体を形成する部分以外の部分に可燃性有機物膜３が形
成できる。この時、露光が過剰となるように制御するこ
とによって、光線のまわり込み勿生じさせ、可燃性有機
物腰３ケ除去する部分ビ陽極電極２より若干小さくして
おく。、このことにより露光が行ガわれだ部分が硬化す
る。次に現像全行なって可燃性膜のうち露光の行なわれ
々かった部分（硬化していない部分）を除去する。
槓パターン紮マスクとして露光することによつ゛Ｃ１螢
光体を形成する部分以外の部分に可燃性有機物膜３が形
成できる。この時、露光が過剰となるように制御するこ
とによって、光線のまわり込み勿生じさせ、可燃性有機
物腰３ケ除去する部分ビ陽極電極２より若干小さくして
おく。、このことにより露光が行ガわれだ部分が硬化す
る。次に現像全行なって可燃性膜のうち露光の行なわれ
々かった部分（硬化していない部分）を除去する。
その後、（Ｃ）に示すように電着によって陽極電極２に
螢光体４ｒ付層させる。これは基板全体音ＺｎＯ： Ｚ
ｎ 螢光体を懸濁させた電着液に浸漬し、所定の条件で
電着することによって］５μｍ程度の膜厚の螢光体を形
成する。
螢光体４ｒ付層させる。これは基板全体音ＺｎＯ： Ｚ
ｎ 螢光体を懸濁させた電着液に浸漬し、所定の条件で
電着することによって］５μｍ程度の膜厚の螢光体を形
成する。
次いで、５００℃前後の焼成を行表うことによって、可
燃性有機物膜３が焼失除去され、（ｄ）に示すように、
目的の螢光体４が陽極電極２の上に形成される。この螢
光体４は陽極電極２の面積より小さいため、ガラス基板
上の電子が螢光体４の発光状態に影ｌＥ會およぼさない
ので、発光部分が欠けることがなく、また隣接する螢光
体の接触が発生することも々い。このため、螢光体間の
間＠上手さくし、螢光体を高密度に形成することができ
る。
燃性有機物膜３が焼失除去され、（ｄ）に示すように、
目的の螢光体４が陽極電極２の上に形成される。この螢
光体４は陽極電極２の面積より小さいため、ガラス基板
上の電子が螢光体４の発光状態に影ｌＥ會およぼさない
ので、発光部分が欠けることがなく、また隣接する螢光
体の接触が発生することも々い。このため、螢光体間の
間＠上手さくし、螢光体を高密度に形成することができ
る。
試作しｌこ螢光体音実測したところ、４５〜４８μｍ角
、膜厚１５μｍでめった。また使用した可燃性有機物膜
の螢光体への影響を調べるため、螢光体の発光特性を調
介したか、従来の電着によって形成したものと比べて遜
色はなかった。
、膜厚１５μｍでめった。また使用した可燃性有機物膜
の螢光体への影響を調べるため、螢光体の発光特性を調
介したか、従来の電着によって形成したものと比べて遜
色はなかった。
可燃性有機物膜の膜厚ｉｊ：ｍｋ笑験を行なった結果、
次の理由によって５〜３０μｍが適蟲な値でるることが
判明した。
次の理由によって５〜３０μｍが適蟲な値でるることが
判明した。
（イ）膜厚が５μｍ未満では螢光体が陽極電極の側壁に
付着し効果が得られない。
付着し効果が得られない。
（ロ）３０μｍより厚くすると可燃性有機物膜の加工が
正確に行なえない。
正確に行なえない。
（ハ）可燃性有機物膜と螢光体膜厚は同程度の場合が最
も精度良く螢光体層を構成でき、発光効率の面から螢光
体膜厚は５〜３０μｍ程度で良い。
も精度良く螢光体層を構成でき、発光効率の面から螢光
体膜厚は５〜３０μｍ程度で良い。
以上説明したようにこの発明は、螢光体を一形成する部
分以外の部分に焼成によって除去可能な膜厚紮有する可
燃性膜を形成した後、電着によって螢光体全付着させ、
その後焼成によって可燃性膜全除去するので、陽極を極
の側壁に螢光体が付着せず、このため隣接する螢光体全
近接させて高密度に形成できるという効果を有する。
分以外の部分に焼成によって除去可能な膜厚紮有する可
燃性膜を形成した後、電着によって螢光体全付着させ、
その後焼成によって可燃性膜全除去するので、陽極を極
の側壁に螢光体が付着せず、このため隣接する螢光体全
近接させて高密度に形成できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の−′ｊ！施例會示す工程図でろる。
１・・・・ガラス基板、２・・・・陽極電極、３・−・
・可燃性有機物膜、４・・・・螢光体。
・可燃性有機物膜、４・・・・螢光体。
Claims (1)
- 薄膜状の陽極を有する基板とこの基板上の陽極部分に電
着形成させた螢光体層を構成する螢光表示管陽極基板の
製造方法において、基板上に薄膜状の陽極電極を形成す
る形成工程、焼成により除去可能な感光性を有する可燃
性膜を陽極基板上に５〜３０μｍの厚みで塗布する工程
、陽極パターンをマスクとして螢光体を形成する部分の
面積が陽極面積よりも小さくなるまで可燃性膜の過剰露
光を行なう工程、現像により可燃性膜のうち露光の行な
われなかった部分を除去する工程、螢光体層を電着する
工程、焼成によって可燃性膜を除去する工程を順次実行
することによって陽極基板を形成することを特徴とする
螢光表示管陽極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20707884A JPS61198531A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 螢光表示管陽極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20707884A JPS61198531A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 螢光表示管陽極基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198531A true JPS61198531A (ja) | 1986-09-02 |
| JPH0318291B2 JPH0318291B2 (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16533831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20707884A Granted JPS61198531A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 螢光表示管陽極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267225A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-26 | Ricoh Co Ltd | 蛍光表示管における蛍光面形成方法 |
| US5611719A (en) * | 1995-07-06 | 1997-03-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for improving flat panel display anode plate phosphor efficiency |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5315754A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Ise Electronics Corp | Method of manufacturing fluoresent display tube anote plate |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP20707884A patent/JPS61198531A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5315754A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Ise Electronics Corp | Method of manufacturing fluoresent display tube anote plate |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267225A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-26 | Ricoh Co Ltd | 蛍光表示管における蛍光面形成方法 |
| US5611719A (en) * | 1995-07-06 | 1997-03-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for improving flat panel display anode plate phosphor efficiency |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318291B2 (ja) | 1991-03-12 |
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