JPS61199088A - 電鋳型およびその製造方法 - Google Patents

電鋳型およびその製造方法

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JPS61199088A
JPS61199088A JP3982685A JP3982685A JPS61199088A JP S61199088 A JPS61199088 A JP S61199088A JP 3982685 A JP3982685 A JP 3982685A JP 3982685 A JP3982685 A JP 3982685A JP S61199088 A JPS61199088 A JP S61199088A
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JP
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cement
matrix
electrodeposited
recesses
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Keiji Aihara
相原 啓次
Hirotoshi Uchida
内田 博敏
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Azbil Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「対象技術分野」 この発明は電鋳型およびその製造方法に関する「従来装
置およびその問題点」 従来、表面に凹部な有する母型から電鋳型な製造するば
あい、通常の電流密度で電着を行うと第2図に示すよ5
に局部的、とくに凸部2に電着層が厚く形成され、その
ために凹部3における電着層の成長が阻害される。した
がってその電鋳工程における電流密度を通常の電流密度
より低く設定している−が、反面電着層の形成に多くの
日数を賛する欠点がある。また電流密度を低(してもな
お凹凸部2,3の電着層が不均一となることは避けられ
ず、このため電鋳工程の後に機械加工を施す必要があり
、いきおい多(の日時を必要とする。
また電着層の不均一を補正する目的で、第3図に示すよ
うに補助電極8を用いることもなされているが、歯型な
どの複雑な凹凸形状を有する電鋳型の製造においては母
型を回転させて電着を行うため、補助電極の作成ならび
に取付装置Kかえって多くの時間を費す欠点がある。
「目的」 この発明は歯型のように複雑な凹凸部を有する電鋳型の
製造において、電着層の形成が遅い凹部にも高速で電着
な施すことを目的とするものである。
「実施例」 以下図によってこの発明の一実施例について説明する。
すなわち第1図において電鋳型の母型1はたとえばギア
等の歯型用のもので、その表面には複数の凸部2および
凹部3が形成されて−いる。そしてその母型1の表面に
はまず厚さが0.2〜1鶴の電着薄膜層4が形成され、
その厚さは母型1の形状あるいはその大きさで異なり、
またその電着薄膜層4を形成するばあい、母型1が電気
メッキを施すことが可能な形状であるならば、電気メッ
キの方が能率的に有利であるが、電気メッキを施すこと
が困難なばあい、あるいはそのメッキ工程に比較的長い
時間を要するものにあっては無電解メッキにより形成す
ることができる。次に電着薄膜層4の表面において、凹
部3内にはセラミックセメント5が次項され、これによ
って母型10表面はほぼ均一に整形される。ここでセラ
ミックセメント5の主剤は三価の金属酸化物たとえば酸
化アルミニウム(、’U、0.)や酸化ニッケル(Ni
2O,)等で組成される。この三価の金属酸化物は熱硬
化性を有するため母型1の材質が金属により構成され、
かつ高温加熱が可能なばあいにはとくにその強度からし
て有利である。つづいて凹部3に充填したセラミックセ
メント5を硬化させるが、この状態においてはセラミッ
クセメント5は非電導体であるため、その表面を塩化パ
ラジウム(PdCl2 )、塩化錫(5ncTo )等
で表面を活性化し、その表面に厚さが約0.01〜0.
1鶴程度のメッキ層6を形成する。なおこのメッキ層は
無電解メッキにより行うことが望ましい。そしてこのメ
ッキ層を形成した状態においては凹凸がなくなるため、
次にスルフアミノ酸ニッケル浴のような高電流の流せる
メッキ浴を使用して電着加工を行うことによりその表面
に電着層7を形成する。これKよって表面の均一な電鋳
母型が完成する。
「効果」 この発明は上述のように母型の凹部内に三価の金属酸化
物からなるセラミックセメントを充填するとともに、こ
のセラミックセメントの表面に電着層を施すよ5Kして
いるので、電鋳時間が著るしく短縮される。とくにこの
発明によるとその工程時間は従来の3分の1ないし2分
の1に短縮することができる。また従来のように電鋳加
工の後、別に機械加工を行う必要もないため、電鋳設備
の回転性が良く、しかも電気代Rよびメッキ薬品の節約
と相まって電鋳加工能率が大幅に向上する利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明における電鋳加工方法の一実施例を示
す正断面図、第2図および第3図は従来の加工方法を示
す正断面図である。 1・・・母型、2・・・凸部、3・・・凹部、4・・・
電着薄膜層、5・・・セラミックセメント、6・・・メ
ッキ層、7・・・電着層。 特許 出 願人  山武ハネウェル株式会社第 1 図 第 3 閃

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)凹凸部を有する母型の表面に電着薄膜層を形成し
    、この電着薄膜層の表面において、上記凹部内に三価の
    金属酸化物からなるセラミックセメントを充填し、かつ
    このセラミックセメントの表面を活性化し、さらにこの
    セラミックセメントの表面に電着層を施すことを特徴と
    する電鋳型の製造方法。
  2. (2)凹凸部を有する母型の表面に電着薄膜層を形成し
    、この電着薄膜層の表面において、上記凹部内に三価の
    金属酸化物を含有するセラミックセメントからなる充填
    剤を充填し、かつこの充填剤の表面に電着層を施すこと
    を特徴とする電鋳型。
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