JPS61199089A - 電鋳型およびその製造方法 - Google Patents
電鋳型およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS61199089A JPS61199089A JP3982785A JP3982785A JPS61199089A JP S61199089 A JPS61199089 A JP S61199089A JP 3982785 A JP3982785 A JP 3982785A JP 3982785 A JP3982785 A JP 3982785A JP S61199089 A JPS61199089 A JP S61199089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cement
- layer
- electrodeposited
- matrix
- ceramic cement
- Prior art date
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- Granted
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「対象技術分野」
この発明は電鋳型およびその製造方法に関する「従来装
置およびその問題点」 従来、表面に凹部を有する母型から電鋳型を製造するば
あい、通常の電流密度で電着な行うと第２図に示すよう
に局部的、とくに凸部２に電着層が厚く形成され、その
ために凹部３における電着層の成長が阻害される。した
がってその電鋳工程における電流密度を通常の電流密度
より低く設定しているが、反面電着層の形成に多くの日
数を要する欠点がある。また電流密度を低（してもなお
凹凸部２，３の電着層が不均一となることは避けられず
、このため電鋳工程の後に機械加工を施す必要があり、
いきおい多くの日時を必要とする。
置およびその問題点」 従来、表面に凹部を有する母型から電鋳型を製造するば
あい、通常の電流密度で電着な行うと第２図に示すよう
に局部的、とくに凸部２に電着層が厚く形成され、その
ために凹部３における電着層の成長が阻害される。した
がってその電鋳工程における電流密度を通常の電流密度
より低く設定しているが、反面電着層の形成に多くの日
数を要する欠点がある。また電流密度を低（してもなお
凹凸部２，３の電着層が不均一となることは避けられず
、このため電鋳工程の後に機械加工を施す必要があり、
いきおい多くの日時を必要とする。
また電着層の不均一を補正する目的で、第３図に示すよ
うに補助電極８を用いることもなされているが、歯型な
どの複雑な凹凸形状を有する電鋳型の製造においては母
型を回転させて電着を行うため、補助電極の作成ならび
に取付装置にかえって多（の時間を費す欠点がある。
うに補助電極８を用いることもなされているが、歯型な
どの複雑な凹凸形状を有する電鋳型の製造においては母
型を回転させて電着を行うため、補助電極の作成ならび
に取付装置にかえって多（の時間を費す欠点がある。
「目的」
この発明は歯型のように複雑な凹凸部を有する電鋳型の
製造において、電着層の形成が遅い凹部にも高速で電着
な施すことを目的とするものである。
製造において、電着層の形成が遅い凹部にも高速で電着
な施すことを目的とするものである。
「実施例」
以下図によってこの発明の一実施例について説明する。
すなわち第１図において電鋳型の母型１はたとえばギア
等の歯型用のもので、その表面には複数の凸部２および
凹部３が形成されている。そしてその母型１０表面には
まず厚さが０．２〜１鶴の電着薄膜層４が形成され、そ
の厚さは母型１の形状あるいはその大きさで異なり、ま
たその電着薄膜層４を形成するばあい、母型１が電気メ
ッキを施すことが可能な形状であるならば電気メッキの
方が能率的に有利であるが、電気メッキを施すことが困
難なばあい、あるいはそのメッキ工程に比較的長い時間
を要するものＫあっては無電解メッキにより形成するこ
とができる。次に電着薄膜層４の表面において凹部３内
にはセラミックセメント５が充填され、これによって母
型１０表面はほぼ均一に整形される。ここでセラミック
セメント５の主剤は三価の金属酸化物たとえば酸化アル
ミニウム（ＡＪｔｏ３ ）や酸化ニッケル（Ｎ１ｚＯ＝
）に金属粉末たとえばニッケル、銅、アルミニウム等
の粉末を重量比にして５〜５０％混合することにより組
成される。そして三価の金属酸化物は熱硬化性を有する
ため、とくに母型１の材質が金属により構成され、かつ
高温加熱が可能なばあいに適する。
等の歯型用のもので、その表面には複数の凸部２および
凹部３が形成されている。そしてその母型１０表面には
まず厚さが０．２〜１鶴の電着薄膜層４が形成され、そ
の厚さは母型１の形状あるいはその大きさで異なり、ま
たその電着薄膜層４を形成するばあい、母型１が電気メ
ッキを施すことが可能な形状であるならば電気メッキの
方が能率的に有利であるが、電気メッキを施すことが困
難なばあい、あるいはそのメッキ工程に比較的長い時間
を要するものＫあっては無電解メッキにより形成するこ
とができる。次に電着薄膜層４の表面において凹部３内
にはセラミックセメント５が充填され、これによって母
型１０表面はほぼ均一に整形される。ここでセラミック
セメント５の主剤は三価の金属酸化物たとえば酸化アル
ミニウム（ＡＪｔｏ３ ）や酸化ニッケル（Ｎ１ｚＯ＝
）に金属粉末たとえばニッケル、銅、アルミニウム等
の粉末を重量比にして５〜５０％混合することにより組
成される。そして三価の金属酸化物は熱硬化性を有する
ため、とくに母型１の材質が金属により構成され、かつ
高温加熱が可能なばあいに適する。
またセラミックセメント５中に混入される金属粉末は熱
伝導性が高く、かつ導電性を有するため、活性化を容易
にするとともに、セラミックセメント５の熱膨張をこの
表面に施されるメッキ層に近づける効果を有する。次に
凹部３に充填したセラミックセメント５を硬化させるが
、この際セラミックセメン）Ｋ導電性を与えるために、
その表面を塩化パラジウＡ （Ｐｄｃｌｔ ）、塩化錫
（５ｎｃｌｔ ）等で表面を活性化し、その表面に厚さ
が約０．０１〜０．１ｆｌ程度のメッキ層６を形成する
。なおこのメッキ層は無電解メッキにより行うことが望
ましい。そしてこのメッキ層を形成した状態においては
母型１０表面には凹凸がなくなるため、次にスルフアミ
ノ酸ニッケル浴のような高電流の流せるメッキ浴を使用
して電着加工を行うことによりその表面に電着層７を形
成する。これＫよって表面の均一な電鋳母型が完成する
。
伝導性が高く、かつ導電性を有するため、活性化を容易
にするとともに、セラミックセメント５の熱膨張をこの
表面に施されるメッキ層に近づける効果を有する。次に
凹部３に充填したセラミックセメント５を硬化させるが
、この際セラミックセメン）Ｋ導電性を与えるために、
その表面を塩化パラジウＡ （Ｐｄｃｌｔ ）、塩化錫
（５ｎｃｌｔ ）等で表面を活性化し、その表面に厚さ
が約０．０１〜０．１ｆｌ程度のメッキ層６を形成する
。なおこのメッキ層は無電解メッキにより行うことが望
ましい。そしてこのメッキ層を形成した状態においては
母型１０表面には凹凸がなくなるため、次にスルフアミ
ノ酸ニッケル浴のような高電流の流せるメッキ浴を使用
して電着加工を行うことによりその表面に電着層７を形
成する。これＫよって表面の均一な電鋳母型が完成する
。
「効果」
この発明は上述のように母型の凹部内に三価の金属酸化
物に金属粉末を重量比にして５〜５０％混合したセラミ
ックセメントを充填するとともに。
物に金属粉末を重量比にして５〜５０％混合したセラミ
ックセメントを充填するとともに。
このセラミックセメントの表面に電着層を施すよう圧し
ているσ３で、導電性がよく、かつセラミックセメント
とこの表面に施されるメッキ層との熱膨張をたがいに近
づけることができ、したがって電鋳時間が着るしく短縮
される。とくにこの発明によるとその工程時間は従来の
３分の１ないし２分のＩＫ短縮することができる。また
従来のように電鋳加工の後、別に機械加工を行う必要も
ないため、電鋳設備の回転性が良く、しかも電気代およ
びメッキ薬品の節約と相まって電鋳加工能率が大幅に向
上する利点がある。
ているσ３で、導電性がよく、かつセラミックセメント
とこの表面に施されるメッキ層との熱膨張をたがいに近
づけることができ、したがって電鋳時間が着るしく短縮
される。とくにこの発明によるとその工程時間は従来の
３分の１ないし２分のＩＫ短縮することができる。また
従来のように電鋳加工の後、別に機械加工を行う必要も
ないため、電鋳設備の回転性が良く、しかも電気代およ
びメッキ薬品の節約と相まって電鋳加工能率が大幅に向
上する利点がある。
第１図はこの発明における電鋳加工方法の一実施例を示
す正断面図、第２図および第３図は従来の加工方法を示
す正断面図である。 １・・・母型、２・・・凸部、３・・・凹部、４・・・
電着薄膜層、５・・・セラミックセメント、６・・・メ
ッキ層。 特許用 願人 山武ハネウェル株式会社第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ ｒＭ
す正断面図、第２図および第３図は従来の加工方法を示
す正断面図である。 １・・・母型、２・・・凸部、３・・・凹部、４・・・
電着薄膜層、５・・・セラミックセメント、６・・・メ
ッキ層。 特許用 願人 山武ハネウェル株式会社第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ ｒＭ
Claims (2)
- （１）凹凸部を有する母型の表面に電着薄膜層を形成し
、この電着薄膜層の表面において、上記凹部内に三価の
金属酸化物に金属粉末を重量比にして５〜５０％混合し
たセラミックセメントを充填し、かつこのセラミックセ
メントの表面を活性化し、さらにこのセラミックセメン
トの表面に電着層を施すことを特徴とする電鋳型の製造
方法。 - （２）凹凸部を有する母型の表面に電着薄膜層を形成し
、この電着薄膜層の表面において、上記凹部内に三価の
金属酸化物に金属粉末を重量比にして５〜５０％混合し
たセラミックセメントからなる充填剤を充填し、かつこ
の充填剤の表面に電着層を施すことを特徴とする電鋳型
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3982785A JPS61199089A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電鋳型およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3982785A JPS61199089A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電鋳型およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199089A true JPS61199089A (ja) | 1986-09-03 |
| JPH0124870B2 JPH0124870B2 (ja) | 1989-05-15 |
Family
ID=12563805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3982785A Granted JPS61199089A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電鋳型およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199089A (ja) |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3982785A patent/JPS61199089A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0124870B2 (ja) | 1989-05-15 |
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