JPS61201421A - 分子線エピタキシ−装置 - Google Patents
分子線エピタキシ−装置Info
- Publication number
- JPS61201421A JPS61201421A JP60043957A JP4395785A JPS61201421A JP S61201421 A JPS61201421 A JP S61201421A JP 60043957 A JP60043957 A JP 60043957A JP 4395785 A JP4395785 A JP 4395785A JP S61201421 A JPS61201421 A JP S61201421A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- evaporation cell
- iris
- intensity
- evaporation
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体エピタキシー装置に関するものであ
る。
る。
第３図は従来の分子線エピタキシー装置の蒸発セルの模
式図であり、この図において、１は蒸発セル、２は前記
蒸発セル１の内部に設置されたＰＢ Ｎ （Ｐｙｒｏｌ
ｙｔｉｃ Ｂａｒｏｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ ）るつば、
３はこのＰＢＮるつぼ２内にいられた蒸発源（Ａ７．Ｇ
ａなど）、４はシャッタである。
式図であり、この図において、１は蒸発セル、２は前記
蒸発セル１の内部に設置されたＰＢ Ｎ （Ｐｙｒｏｌ
ｙｔｉｃ Ｂａｒｏｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ ）るつば、
３はこのＰＢＮるつぼ２内にいられた蒸発源（Ａ７．Ｇ
ａなど）、４はシャッタである。
次に動作について説明する。蒸発源３は、超高真空中で
加熱され、蒸発した分子は、分子線となりＰＢＮるつぼ
２の開口部から噴出する。分子線の強度は、蒸発セル１
の温度により制御される。
加熱され、蒸発した分子は、分子線となりＰＢＮるつぼ
２の開口部から噴出する。分子線の強度は、蒸発セル１
の温度により制御される。
分子線のｏｎ−ｏｆｆはシャッタ４の開閉により行う（
図はシャッタが開いている状態）。たとえばＡＩ、Ｇａ
１−！Ａｓの結晶成長のためにはＡＩ用、Ｇａ用Ａｓ用
の３個の蒸発セルを必要とする。それぞれの蒸発セルか
ら噴出した分子線は、加熱された半導体基板上に飛来し
、エピタキシャル成長が起きる。Ａｄｚ ＧＩＬＩ−！
Ａｓのような混晶の場合、その混晶比Ｘは、分子線強
度の比により決定される。
図はシャッタが開いている状態）。たとえばＡＩ、Ｇａ
１−！Ａｓの結晶成長のためにはＡＩ用、Ｇａ用Ａｓ用
の３個の蒸発セルを必要とする。それぞれの蒸発セルか
ら噴出した分子線は、加熱された半導体基板上に飛来し
、エピタキシャル成長が起きる。Ａｄｚ ＧＩＬＩ−！
Ａｓのような混晶の場合、その混晶比Ｘは、分子線強
度の比により決定される。
従来の分子線エピタキシー装置は以上のように構成され
ているので１分子線強ｙＬ１に調節するためには蒸発セ
ルの温度を変えなければならず、急激に分子線強度を変
化させることは困難であった。
ているので１分子線強ｙＬ１に調節するためには蒸発セ
ルの温度を変えなければならず、急激に分子線強度を変
化させることは困難であった。
したがって、 ＡｊｘＧａｐ−、Ａａのような混晶の組
成比の異なる層で多層構造を作成しようとする場合、１
つの層から次の層の成長へ移る時、蒸発セルの温度が次
の層の組成に対応した温度に安定するまで成長を中断し
なければならないなどの問題点があった。
成比の異なる層で多層構造を作成しようとする場合、１
つの層から次の層の成長へ移る時、蒸発セルの温度が次
の層の組成に対応した温度に安定するまで成長を中断し
なければならないなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、蒸発セルの温度を変えずＫ、分子線強度を
変化させうる分子線エピタキシー装置ン得ることを目的
とする。
れたもので、蒸発セルの温度を変えずＫ、分子線強度を
変化させうる分子線エピタキシー装置ン得ることを目的
とする。
この発明に係る分子線エピタキシー装置は、蒸発セルの
前面に開口度の調整自在のしぼりｔ配置したものである
。
前面に開口度の調整自在のしぼりｔ配置したものである
。
この発明においては、蒸発セルの前面に設けられたしぼ
りを調節することにより、蒸発セルの温度を変えずに、
分子線強度の調節を可能にする。
りを調節することにより、蒸発セルの温度を変えずに、
分子線強度の調節を可能にする。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、２１は蒸発セル、２２はしぼりである
６第２図はしぼりの調節′に説明する図で。
６第２図はしぼりの調節′に説明する図で。
蒸発セル２１の正面から見たところである。第２図（＆
）はしほりを完全に開いた状態、（ｂ）は開口面積をし
ぼった状態、（ｅ）は完全に閉じた状態である。
）はしほりを完全に開いた状態、（ｂ）は開口面積をし
ぼった状態、（ｅ）は完全に閉じた状態である。
図において斜線を施した部分が開口面積である。
しぼり２２は、対向した２枚の三日月形の板、およびそ
れを回転させるための軸からなっている。
れを回転させるための軸からなっている。
三日月形の板の軸のまわりの回転角を調節することによ
り、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）のよう
に開口面積を調節できる。分子線強度は開口面積に比例
するから、しぼり２２の開口度により分子線強度を調節
できる。
り、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）のよう
に開口面積を調節できる。分子線強度は開口面積に比例
するから、しぼり２２の開口度により分子線強度を調節
できる。
ＡＪ、Ｇａ＋−ｘＡｓ のような混晶で組成比の異な
る多層構造を作成しようとする場合、Ｇａの分子線強度
は一定とし、Ａｎの入った蒸発セル２１の前面のしぼり
２２によりＡＩの分子線強度を変化させることにより１
組成比の異なった層が次々と成長できる。
る多層構造を作成しようとする場合、Ｇａの分子線強度
は一定とし、Ａｎの入った蒸発セル２１の前面のしぼり
２２によりＡＩの分子線強度を変化させることにより１
組成比の異なった層が次々と成長できる。
なお、上記実施例では、しぼり２２は２枚の三日月形の
板とそれを回転させるための２本の軸からなるものを示
したか、しぼり２２として機能するものなら、いかなる
形態のものでもよい。
板とそれを回転させるための２本の軸からなるものを示
したか、しぼり２２として機能するものなら、いかなる
形態のものでもよい。
この発明は以上説明したとおり、蒸発セルの１「面にし
ぼりを設けたので、ｍ便に分子線強度の調節かできる効
果かある。
ぼりを設けたので、ｍ便に分子線強度の調節かできる効
果かある。
第１図はこの発明の一実施例による蒸発セルを示す斜視
図、第２図（ａ）〜（ｃ）は、第１図に示した蒸発セル
のしぼりＫよる開口面積の調節を説明する正面図、第３
図は従来の蒸発セルを示す斜視図である。 図において、２１は蒸発セル、２２はしぼりである。 代理人 大尉 増Ｊｉ（外２名） 第１図 第３５ｇＩ
図、第２図（ａ）〜（ｃ）は、第１図に示した蒸発セル
のしぼりＫよる開口面積の調節を説明する正面図、第３
図は従来の蒸発セルを示す斜視図である。 図において、２１は蒸発セル、２２はしぼりである。 代理人 大尉 増Ｊｉ（外２名） 第１図 第３５ｇＩ
Claims (1)
- 蒸発源を入れた蒸発セルの前面に、開口度の調節自在の
しぼりを設けたことを特徴とする分子線エピタキシー装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043957A JPS61201421A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 分子線エピタキシ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043957A JPS61201421A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 分子線エピタキシ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61201421A true JPS61201421A (ja) | 1986-09-06 |
Family
ID=12678181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043957A Pending JPS61201421A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 分子線エピタキシ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61201421A (ja) |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP60043957A patent/JPS61201421A/ja active Pending
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