JPS61207066A - バイポ−ラトランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ０）産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路（ＩＣ）に組込まれるバイポー
ラトランジスタのｈｔｍ値コントロールに関する。

（ロ）従来の技術 従来のバイポーラトランジスタとしては、例えば特開昭
５９−２３４３号公報に開示されている。

第３図はこのようなバイポーラトランジスタを示し、（
１１はＰ型半導体基板、（２）はＮ　型埋込層、（３）
はＮ−型エピタキシャル層、（４）はＰ　型分離領域、
（５）は分離領域（４）により島状に分離された複数の
島領域である。そして島領域（５）表面にＰ型不純物を
拡散して第１のベース領域（６）を形成し、後にＮ型不
純物を拡散してエミッタ領域（７）及びコレクタコンタ
クト領域（８）を形成し、ＮＰＮ型トランジスタを構成
する。この詩仙の島領域（５）においても前述した拡散
工程で同時にＮＰＮ型トランジスタが形成されている。

貼止した如く構成したトランジスタのｈ□値は、第１の
ベース領域（６）及びエミッタ領域（７）の不純物濃度
とベース幅（第３図Ｎ中Ｋ“Ｂ”で示す）により決定す
る。従って各々の島領域（５）Ｋ同時に形成する限り、
従来のトランジスタは何れもほぼ均一なｈ□値になる。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、ユーザーの散水や回路構成上の必要性か
ら同一チップ上に複数の異るｈＰｌ値をもつトランジス
タを形成したい場合、従来のトランジスタではそれぞれ
のｈ□値ごとに拡散工程を追加しなければならず、同時
には形成できないという欠点があった。

（ロ）問題点を解決するための手段 本発明は貼止した欠点に鑑みてなされ、同一チップ上に
様々なｈ□値をもつトランジスタを同時に形成すること
を目的とし、エミッタ領域（支）に一部重管する第２の
ベース領域（２３）を形成し、第２のベース領域（ハ）
とエミッタ領域（イ）との重畳面積の変化でｈ□値をコ
ントロールすることを特徴とする。

（ホ）作用 本発明によれば、第２のベース領域（ハ）によりエミッ
タ領域−直下の不純物濃度が増し、ベースでの注入担体
の消滅による再結合電流が増加するのでｈ□値は小とな
る。その値は第１のベース領域０８１により決まるｈｙ
ｍ値に対し、第２のベース領域（ハ）によりどの程度再
結合電流が増加するかで決まる。

（へ）実施例 以下本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。

第１図は本発明によるバイポーラトランジスタの彌寺寺
侠施例を示し、αυはＰ型半導体基板、（＋２１はＮ＋
型埋込層、α阻まＮ型エピタキシャル層、（１４１はＰ
＋型分離領域、α９αｅは分離領域α４）により島状に
分離された複数の島領域、（Ｌ前駆まＰ型第１のベース
領域、Ｑ９（イ）はＮ　型エミッタ領域、（２１）■は
Ｎ＋型コレクタコンタクト領域、（ハ）はＰ　型彫２の
ベース領域、（２供家酸化膜、Ｃ１５１０６１・・・・
・・■は夫々の領域上に設けられた電極である。

而して、島領域（１５１には同一チップ上で最大のｈ□
値をもつＮＰＮＷ）ランジスタが形成され、島領域α６
１には第２のベース領域（ハ）を設けることにより小さ
いＬＦＩ値をもつＮＰＮ型トランジスタが形成されてい
る。

本発明の最も特徴とする点は、エミッタ領域−に一部１
畳した第２のベース領域（ハ）を設けた点にある。

この構造によれば、第１と第２のベース領域ａＱ（ハ）
が１畳することにより不純物濃度が増し、ベースでの注
入担体の消滅による再結合電流が増加するのでｈｌｌ値
は小さくなる。この時の値は第２のベース領域（ハ）の
不純物濃度及びエミッタ領域（イ）と第２のベース領域
との重畳面積により増減するが、これを夫々の島領域ａ
ｅに同時に形成すれば不純物濃度は一定なのでｈ□値を
コントロールするＫは前記重畳面積による。前記重畳面
積が大となれば第２のベース領域（ハ）がｈｔｍ値に与
える影醤が大となるのでｈ□値は小となる。

従って本発明によれば、ｈ□値の最も高いトランジスタ
を第１のベース領域α＆のみの構造とし、ｈＦＩ値が小
さくなるに従って前記重畳面積を大とすれは夫々の島領
域α９αｅに様々なり、ヨ値をもつトランジスタを同時
に形成することができる。

以下本発明による第１の実施例の製造方法を第２図（イ
）〜に）を参照しながら説明する。

先ず第２図（イ）に示す如く、Ｐ型半導体基板ＵυにＮ
＋型埋込層α２をドープした後エピタキシャル成長法を
用いてエピタキシャル層１３１を形成し、Ｐ＋型分離領
域（１４）を形成することにより複数の島領域αｏｔｉ
＋を形成する。

次に第２図（ロ）に示す如く、選択拡散法を用いてＰ型
不純物、例えばボロンを拡散し、第１のベース領域（１
７）（１〜を形成する。

次に第２図（ハ）に示す如（、再びＰ型不純物を拡散し
て所望の島領域Ｑ６１に第２のベース領域（ハ）を第１
のベース領域（１１９より浅く形成する。この時の拡散
窓の大きさは後に形成するエミッタ領域−との重畳面積
で所望のｈｕｍ値が得られるようにする。

次に第２囚に）に示す如く、Ｎ型不純物、例えばリンを
拡散し、Ｎ　型エミッタ領域Ｑ９翰、コレクタコンタク
ト領域Ｑυのを形成し、酸化膜伽）にコンタクトホール
なあけた後に周知の蒸着技術にて電極部材、例えばアル
ミを蒸着し、所望形状にエツチングすることにより各領
域上に電極（ハ）伽１・・・・・・側を設ける。

同図では島領域−に同一チップ上で最も高いｈ□値をも
つトランジスタが形成され、島領域側にはそれより小さ
いｈ□値をもつトランジスタが形成されている。

（ト）発明の詳細 な説明した如く、本発明によれば１回の拡散工程を追加
するだけで同一チップ上に様々なｈｒｍ値をもつトラン
ジスタを同時に形成することができるので、ユーザーの
要求に即対応でき、回路説計がより容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図ビ）（ロ）はそれぞれ本発明の詳細な説明するた
めの断面図、平面図、第２図（イ）〜に）は本発明によ
る実施例の製造方法を説明するための断面図、第３図は
従来のバイポーラトランジスタを示す断面図である。 主な図番の説明 αυは半導体基板、α５１（１６１は島領域、αηａ阻
ま第１のベース領域、（ハ）は第２のベース領域、α９
＠はエミッタ領域、の）はベース幅である。 出願人　三洋電機株式会社　外１名 代理人　弁理士　　佐　野　静　失 策１図（岨 第２図（イ） 第２図（田 １ら　　　　　１７ 第　２　図　（ハ）１１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）一導電型半導体基板上に形成した逆導電型のエピ
   タキシャル層と該エピタキシャル層を島状に分離した島
   領域と該島領域表面に二重に形成した一導電型の第１の
   ベース領域と逆導電型のエミッタ領域とを備えたバイポ
   ーラトランジスタにおいて、前記エミッタ領域と一部重
   畳し且つ前記第１のベース領域より浅い第２のベース領
   域を備え、該第２のベース領域と前記エミッタ領域との
   重畳面積を変化させることによりｈ＿■＿■値をコント
   ロールしたことを特徴とするバイポーラトランジスタ。