JPS6121507B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は２枚の平行なガラス板と、これらのガ
ラス板間で板の縁部に配置したスペーサと、各ガ
ラス板の外面に設けた偏光フイルタと、上記ガラ
ス板の内面は相互に直角方向にこすられておりこ
れらの各ガラス板の内面に配置した少くとも１個
の電極と、ガラス板間に充填した液晶物質とを備
えた表示セルに関するものである。 多くの液晶化合物は融点が高過ぎ極く狭い温度
範囲において液晶挙動を示すのでかかる化合物を
内蔵する表示セルの実際の用途は限られている。 本発明の目的は広い温度範囲に亘つて液晶挙動
を示し、常温以下の融点または融点範囲を有する
物質を内蔵する表示セルを得んとするにある。 この目的は液晶物質が次式 （式中のｎは６または７を示す）で表わされる
ことを特徴とする本発明の表示セルにより達成さ
れる。 「モレキユラー・クリスタルス・アンド・リキ
ツド・クリスタル」11187〜189（1970）には、ネ
マチツク液晶化合物としてＯ−ヒドロキシ−ｐ−
メトキシベンジル−ｐ−n.ブチルアニリドが記載
されている。然し上記化合物は44℃の融点を有す
る。事実この物質は64.5℃までおよび融点以下８
℃まで液晶であるが、26℃で既に薄層で晶出す
る。 上記化合物に対応するアゾ化合ｐ−n.ブチル−
O′−ヒドロキシ−p′−メトキシアゾベンゼンで
も尚一層高い温度、68℃で融解し、冷却条件下で
60℃まで液晶である様である。 従つて１式の化合物またはその混合物は常温ま
たは常温より低い融点を有し、広範囲に亘つて液
晶であることは驚くべきことである。化合物の特
性を次の表に示す。表中Ｔ_c℃は液晶から等方性
に転移する転移温度を示す。転移温度より低い温
度で化合物および化合物の混合物は液晶である。
転移温度Ｔ_c℃より高い温度で化合物および混合
物は等方性である。 本発明に係る液晶化合物はただ一の液相に関す
る。従つて融点は固体−ネマチツク液転移温度で
ある。 表示セルを用いることができる温度範囲は融点
とＴ_cとの間にある。化合物と化合物，の
混合物では、この有効範囲は約15℃と約75℃の間
にある。化合物は混合物としてだけ用いるのが
好ましく、化合物は23℃以上の温度で用いるこ
とができる。

【表】 上表の右欄におよびで示す化合物が１式の
ｎが６および７である化合物を示し、下の３つは
およびの化合物の混合物で、本発明において
およびの混合物も本発明の表示セルに用いら
れることを例示したもので、，およびこれら
の混合物が常温または常温より低い、融点または
融点範囲を示すことを表わしている。 上記融点範囲とは、融解が開始する温度である
下限温度と融解が完了する温度である上限温度と
の間の温度範囲を言う。表中の＊は化合物の第
１の結晶態種（crystal modification）の融点を
示す。化合物は２つの結晶態種で存在し、第２
結晶態種の融点は17℃であり、これら２種の結晶
態種を共存せず、従つて第１の結晶態種は第２の
結晶態種に移転することなく、夫々別に存在し、
両者とも本発明の表示セルに用いるのに有効であ
る。 １式で表わされる化合物はそれ自体既知の方法
により製造することができる。 例えば、ｏ，ｐ−ジヒドロキシ−p′−ブチルア
ゾベンゼンまたはそのアルカリ金属塩を、次の２
式 Ｃ_oＨ_2o+1Ｘ (2) （式中のｎは６または７，Ｘはヨウ素または臭
素原子を示す）で表わされるアルキルハロゲニド
と反応させることにより製造することができる。
この反応は高度に極性の中性溶媒、例えばジメチ
ルホルムアミド中で常温と混合物の沸点の間の温
度で行うのが好ましい。 上記反応の出発物質であるアゾベンゼン化合物
はｐ−ブチルフエニル−ジアゾニウムテトラ−フ
ルオロボレートをレゾルシンとアセトン／水中０
〜５℃の温度で反応させることにより得られる。 本発明を次の実施例および化合物の製造例につ
いて説明する。 製造例 １ ａ 0.1モルのｐ−ｎ，ブチルアニリンを40mlの
水に溶解した溶液に、30mlの濃塩酸をかきまぜ
乍ら添加した。次いで反応混合物を０℃に冷却
した。この混合物に0.1モルの亜硝酸ナトリウ
ムの水溶液をかきまぜ乍ら添加し反応混合物の
温度を０℃〜５℃の温度に留めた。亜硝酸ナト
リウム溶液を添加した後、かきまぜを15分間続
けた。次いで0.15モルのホウ弗化アンモニウム
水溶液を上記反応混合物に添加した。沈澱した
ホウ弗化ジアゾニウムを別し、１時間冷凍機
内に維持した後冷水で洗浄した。ホウ弗化ジア
ゾニウムを水とアセトン（１：１）の混合物
100mlに溶解した。次いで0.15モルのレゾルシ
ンを120mlの水に溶解した溶液を添加した。上
記溶液を冷凍機に16時間維持し、次いで500ml
の水に注入した。生成した４−n.ブチル−2′，
4′−ジヒドロキシアゾベンゼンを別した。 ｂ 0.10モルの４−n.ブチル−2′，4′−ジヒドロ
キシアゾベンゼンを200mlのメタノールに溶解
し、0.1モルの水酸化カリウムを添加した。生
成した混合物を、水酸化カリウムが十分に溶解
するまで加熱した。次いでメタノールを真空中
で除去した。残留物に50mlの無水エタノールお
よび50mlのベンゼンを添加した。溶媒を真空中
で抽出した。上記操作を２回繰返した。最後に
残留物を石油エーテル中に溶解し、沈澱を別
した。 ｃ ４−n.ブチル−2′，4′−ジヒドロキシアゾベ
ンゼンのカリウム塩0.05モルを300mlのジメチ
ルホルムアミドに溶解した。この溶液に0.05モ
ルのヨウ化ヘキシルをかきまぜ乍ら添加し、次
いで110℃に加熱した。この温度に混合物を30
分間維持した後、0.025モルのヨウ化ヘキシル
を添加し、混合物を更に45分間110℃で貯蔵し
た。最後に反応混合物を水中に注入し、石油エ
ーテルと一緒に振とうした。石油エーテル抽出
物を４Åの孔径を有する分子篩上で乾燥した。
石油エーテルを真空中で除去した。油状残留物
を無水エタノールで２回再結晶した。再結晶を
氷浴中で迅速冷却により実施した場合に８℃の
融点を有する第１のα−態種の結晶が得られ
た。また緩徐な冷却法によると17℃の融点を有
する一層安定な第２のβ−態種の結晶が得られ
た。α−およびβ−両結晶態種は同時に生成す
ることはない。そしてα−態種からβ−態種へ
の転移も起らない。 製造例 ２ 製造例1cと同様にして４−n.ブチル−2′−ヒド
ロキシ−4′−n.ヘプチルオキシアゾベンゼンを、
４−n.ブチル−2′，4′−ジヒドロキシアゾベンゼ
ンのカリウム塩とヨウ化へプチルから出発して製
造した。融点は22〜23℃であつた。 実施例 第１図および第２図に示す７個の酸化インジウ
ム切片２（層厚0.1nm）の８形パターンを備えた
60×65×２mmのガラス板１と、0.1nmの厚さを有
する酸化錫層４で被覆された50×60×１mmの第２
ガラス板３を一方向に摩擦し、この際酸化錫で被
覆された側でレンズ紙を用いガラス板１は縦方向
に、ガラス板３は横方向に摩擦した。 ガラス板１上に２個の厚さ20nmのスペーサー
のポリテン細条５をおき、この上にガラス板３を
おいた。これ等のガラス板をエポキシ接着剤６で
連結し、充填用開口７を残した。両ガラス板間に
ｐ−n.ブチル−O′ヒドロキシ−p′−n.ヘキシルオ
キシアゾベンゼンを充填した。開口７をエポキシ
接着剤で閉じた。 電流供給リード線を、ガラス板１の縁部に配置
した酸化インジウムの接続点８およびガラス板３
の酸化錫層４に取付けた。ガラス板１の下側およ
びガラス板３の上側に偏光フイルタ９を設けた。
２個のフイルタの偏光の方向は、板１をレンズ紙
で摩擦した方向に平行であつた。この様にして得
た表示セルは暗い影像界を示した。 ガラス板の酸化物被覆表面に、ネマチツク液晶
物質の分子を表面に平行で且つ摩擦方向に配置し
た。上記方向は相互に直角であるので、液晶層は
ねじれた構造を有した。 ガラス板３の層４とガラス板１の切片２との間
に6V，50Hzの交流電圧を印加した。これにより
輝いた８字形の像が生じた。ガラス板１上の切片
２とガラス板３上の酸化錫との間に位置する液晶
はガラス板の表面に直角に配向されているのでセ
ルは部分的に透明になり暗黒領域に輝かしい８字
形像が生じた。

【図面の簡単な説明】

第１図は偏光フイルタを取付ける前の表示セル
の平面図、第２図はフイルタを取付けた後第１図
に示すＡ−Ｂ線で切断した表示セルの断面図であ
る。 １……ガラス板、２……酸化インジウム切片、
３……第２ガラス板、４……酸化錫層、５……ポ
リテン細条、７……開口、８……接続点、９……
偏光フイルタ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ２枚の平行なガラス板１，３と、これらのガ
   ラス板間で板の縁部に配置したスペーサ５と、各
   ガラス板の外面に設けた偏光フイルタ９と、上記
   ガラス板の内面は相互に直角方向にこすられてお
   り、これらの各ガラス板の内面に配置した少くと
   も１個の電極２，４と、ガラス板間に充填した液
   晶物質とを備えた表示セルにおいて、液晶物質が
   次式 （式中のｎは６または７を示す）で表わされる
   １種の化合物または２種の化合物の混合物から成
   ることを特徴とする表示セル。