JPS5980652A - 3−クロル−4−シアノフエニル4−置換ベンゾエ−ト類 - Google Patents
3−クロル−4−シアノフエニル4−置換ベンゾエ−ト類Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気光学的表示、特に多重型表示に用いるの
に適したネマチック液晶化合物に閏するものτ゛ある。
に適したネマチック液晶化合物に閏するものτ゛ある。
ツイスト型ネマチック電界効果に基づく表示装置におい
ては、ネマチック液晶組成物が正の誘電異方性を示し、
かつ支持基体上に整列して最初のツイスト型構造をもた
らさなければならないことが知られている。
ては、ネマチック液晶組成物が正の誘電異方性を示し、
かつ支持基体上に整列して最初のツイスト型構造をもた
らさなければならないことが知られている。
ツイスト型ネマヂック液晶が2つの透明電極板の間に挿
入された揚台に、)(り晶分子は均:?’1 %整列を
形成し、分子の長袖が電極板に平行な方向に整列する。
入された揚台に、)(り晶分子は均:?’1 %整列を
形成し、分子の長袖が電極板に平行な方向に整列する。
正の誘電異方性をもつ液晶物質に電界が印加されると、
液晶分子はホメオトロピック配列をとり、分子の軸は電
(oj板に対して垂直に整列する。かような整列は液晶
の1[の誘電異方性に起因する。
液晶分子はホメオトロピック配列をとり、分子の軸は電
(oj板に対して垂直に整列する。かような整列は液晶
の1[の誘電異方性に起因する。
電極板間に電界が印加される前に、液晶分子は電極板間
である特定の角度でねじれた螺旋状配列を形成し、その
結果、入射光を偏光する。
である特定の角度でねじれた螺旋状配列を形成し、その
結果、入射光を偏光する。
電極板間に電圧が印加されると、液晶分子はその偏光性
が消去ザるよ−)な配列となる。
が消去ザるよ−)な配列となる。
ネマチック液晶の誘電異方性を調節することによって、
液晶のしきい値を変化させることがてさる。特に、正の
誘75巽方1(1が増;J[1するどしきい値【A、低
減(7、こ1′シに、Lっで電気光学表示を低電圧で作
動させることができる。この目的のために、非y”+’
に高い正の誘電異方性を0っ化合物を用いて液晶の誘電
率を調整する。例えば、負の誘電異方性を6つネンチッ
ク液晶(こかJ、うな化合物を添加することによって、
かような比較的低い誘電異方性の物質を電界効果表示モ
ードに使用することが可能になる。
液晶のしきい値を変化させることがてさる。特に、正の
誘75巽方1(1が増;J[1するどしきい値【A、低
減(7、こ1′シに、Lっで電気光学表示を低電圧で作
動させることができる。この目的のために、非y”+’
に高い正の誘電異方性を0っ化合物を用いて液晶の誘電
率を調整する。例えば、負の誘電異方性を6つネンチッ
ク液晶(こかJ、うな化合物を添加することによって、
かような比較的低い誘電異方性の物質を電界効果表示モ
ードに使用することが可能になる。
電気光学的表示装置に必要な電力を最小にする目的で、
正の誘電層ノ)性を調節するために使用される化合物(
j5、米国特許第4,313,878号および第4,1
98,312号に開示されている。
正の誘電層ノ)性を調節するために使用される化合物(
j5、米国特許第4,313,878号および第4,1
98,312号に開示されている。
本発明の目的は、液晶混合物の正の誘電異方性を増加さ
せるための新規な誘雷率調整用化合物類を提供すること
である。
せるための新規な誘雷率調整用化合物類を提供すること
である。
本発明のもう1つの目的は、最適表示作動をもたらすよ
うに液晶特性を向上させる新規な種類の化合物類を提供
することである。
うに液晶特性を向上させる新規な種類の化合物類を提供
することである。
本発明によれば、芳香族エステル分子に結合したジオキ
サン、シフ[Iハ、1−サンまたはベンゼン部分のいず
れかを有する液晶物質類からなる新規な種類の化合物類
が提11(される。側部にある塩素原子は、結合したジ
オキサン、シクロヘキサンまたはヘンUン部分に対して
末端にあるシアノ基に対して、オルソ位置に結合してい
る。
サン、シフ[Iハ、1−サンまたはベンゼン部分のいず
れかを有する液晶物質類からなる新規な種類の化合物類
が提11(される。側部にある塩素原子は、結合したジ
オキサン、シクロヘキサンまたはヘンUン部分に対して
末端にあるシアノ基に対して、オルソ位置に結合してい
る。
これらの化合物類を含有する液晶(二1、多重型または
低電圧の電気工学的表示に使用される。この新しい種類
の化合物類は、下記の構造式によって表わされる: 式中、Rは炭素原子数1〜8個のアルキル基であり、X
はジオキサン、シクロヘキサンまたはベンゼン環である
。この化合物類は、液晶に対する正の誘電異方性増加効
果によって特徴づけられる。
低電圧の電気工学的表示に使用される。この新しい種類
の化合物類は、下記の構造式によって表わされる: 式中、Rは炭素原子数1〜8個のアルキル基であり、X
はジオキサン、シクロヘキサンまたはベンゼン環である
。この化合物類は、液晶に対する正の誘電異方性増加効
果によって特徴づけられる。
本発明の化合物類は、少なくとも以下に示す4つの方法
によって調整できる。
によって調整できる。
本発明の特徴は以下に挙げる代表的実施例によって一層
明瞭に理解できよう。しかしながら本発明はこれらの実
施例のみに限定されるものではない。
明瞭に理解できよう。しかしながら本発明はこれらの実
施例のみに限定されるものではない。
実旋例1 3−クロル−4−シアノフェニル4’−(5
−n−ベンチルー1.3−ジオキサン−2−イル)ベン
ゾエート 〔工程1) 前記方法Iにより、ハロゲン化剤である塩化チオニル(
800g、 6.72モル〉を2−クロル−4−ニトロ
安息香酸(500g. 2.48モル)に添加し、この
際反応混合物を加温しながら添加した。添加後、混合物
を約3時間還流Lた。過剰の低沸点塩化チオニルを蒸留
により除去し、残留反応混合物を真空蒸留して、2−ク
ロル−4−ニトロベンゾイルクロライド(510g、9
3%、b.p. 143℃/4mm)を得た。
−n−ベンチルー1.3−ジオキサン−2−イル)ベン
ゾエート 〔工程1) 前記方法Iにより、ハロゲン化剤である塩化チオニル(
800g、 6.72モル〉を2−クロル−4−ニトロ
安息香酸(500g. 2.48モル)に添加し、この
際反応混合物を加温しながら添加した。添加後、混合物
を約3時間還流Lた。過剰の低沸点塩化チオニルを蒸留
により除去し、残留反応混合物を真空蒸留して、2−ク
ロル−4−ニトロベンゾイルクロライド(510g、9
3%、b.p. 143℃/4mm)を得た。
(工程2)
次いで、2−クロル−4−ニト11ヘンゾイルクI]ラ
イド(450g、 2.1モル)を、9〜16℃の間の
室温以下で攪拌されている23%アンモニア溶液(20
00ml)に滴下シタ。沈殿シタ反応混合物を水およひ
30%メタノールで洗浄したのち真空蒸留して2−クロ
ル−4−ニトロベンズアミド(379g、90%、m.
p.168−170℃)を得た。
イド(450g、 2.1モル)を、9〜16℃の間の
室温以下で攪拌されている23%アンモニア溶液(20
00ml)に滴下シタ。沈殿シタ反応混合物を水およひ
30%メタノールで洗浄したのち真空蒸留して2−クロ
ル−4−ニトロベンズアミド(379g、90%、m.
p.168−170℃)を得た。
〔工程3〕
次いで塩化チオニル(1,000g、 8.4モル)を
2−クロルー4−ニトロベンスアミド(200g、1モ
ル)に添加し、この際混合物を加温しながら添加した。
2−クロルー4−ニトロベンスアミド(200g、1モ
ル)に添加し、この際混合物を加温しながら添加した。
添加後、この捏合物を約3時間環流した。過剰の塩化チ
オニルを蒸留にJ、り除去し、反応混合物残留物を残留
せしめた。冷たい反応混合物にベンゼン(500ml)
を添加Lて反応生成物を抽出した。この抽出物を希カ性
ソータ溶液および水で中性になるまで洗浄したのち、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。ベンゼン溶剤を留去し、
反応生成物をメタノールから結晶化させて、2−クロル
−4−ニトロベンゾートリル(145g、79%、m.
p.73〜75℃)を得た〔工程4〕 一部の2−クロルー4−ニトロベンソニトリル(5g、
0.027モル)をヒドラジンLツバドレート(11
0ml)とともに反応が開始するまC加熱した。所定量
の別の2−クロル−4−ニトロベンゾニトリル(35g
、 0.192モル)を添加した。窒素ガスの放出が止
まったどきに、この反応混合物を約30分間還流し、次
いで攪拌されている氷水中に注いだ。沈澱をろ過し、固
形物を水から結晶化さゼて2−クロル−4−アミノベン
ゾニトリル(25g,78%、m.p.117℃ )を
得た。
オニルを蒸留にJ、り除去し、反応混合物残留物を残留
せしめた。冷たい反応混合物にベンゼン(500ml)
を添加Lて反応生成物を抽出した。この抽出物を希カ性
ソータ溶液および水で中性になるまで洗浄したのち、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。ベンゼン溶剤を留去し、
反応生成物をメタノールから結晶化させて、2−クロル
−4−ニトロベンゾートリル(145g、79%、m.
p.73〜75℃)を得た〔工程4〕 一部の2−クロルー4−ニトロベンソニトリル(5g、
0.027モル)をヒドラジンLツバドレート(11
0ml)とともに反応が開始するまC加熱した。所定量
の別の2−クロル−4−ニトロベンゾニトリル(35g
、 0.192モル)を添加した。窒素ガスの放出が止
まったどきに、この反応混合物を約30分間還流し、次
いで攪拌されている氷水中に注いだ。沈澱をろ過し、固
形物を水から結晶化さゼて2−クロル−4−アミノベン
ゾニトリル(25g,78%、m.p.117℃ )を
得た。
〔工程5〕
攪拌されている濃硫酸(58g)と水(570ml)に
2−クロル−4−アミノヘンゾニ1〜リル(25g、0
.187モル〉を混合し、49〜61℃の間の温度で約
30分間加熱した。懸濁液を約0℃に冷却し、硝酸ナト
リウム(13,2g、0.187モル)の水(125m
l)冷溶液を0〜6℃の間の溶液温度て滴下した。ぞの
後攪拌を3時間続けたのち、尿素(1.5g)をこの混
合物に添加した。生成する不溶性不純物をろ過しで除去
した。反応混合物を74〜81℃の間に加熱しながら5
0%硫酸(600ml〉水溶液を添加し、窒索ガスの1
)々出かJ止まるまで攪拌した。反応生成物をろ別した
のち水がら再結晶化させて2−クロル−4−ヒドロキシ
ベンゾニトリル(17.9g、62.5%、m.p.1
6O℃)を得た。
2−クロル−4−アミノヘンゾニ1〜リル(25g、0
.187モル〉を混合し、49〜61℃の間の温度で約
30分間加熱した。懸濁液を約0℃に冷却し、硝酸ナト
リウム(13,2g、0.187モル)の水(125m
l)冷溶液を0〜6℃の間の溶液温度て滴下した。ぞの
後攪拌を3時間続けたのち、尿素(1.5g)をこの混
合物に添加した。生成する不溶性不純物をろ過しで除去
した。反応混合物を74〜81℃の間に加熱しながら5
0%硫酸(600ml〉水溶液を添加し、窒索ガスの1
)々出かJ止まるまで攪拌した。反応生成物をろ別した
のち水がら再結晶化させて2−クロル−4−ヒドロキシ
ベンゾニトリル(17.9g、62.5%、m.p.1
6O℃)を得た。
〔工程6〕
4−(5−n−ペンチル−1,3−ジオキサン−2−イ
ル)安息香酸(2,78g、0.01モル)、2−クロ
ル−4−ヒトt1八シヘンンート1フル(1.8g、0
.012モル)、4−ジメチルアミノビリジン(0,1
g)のN、N−ジメヂルホルムアミド(25ml)溶′
/lシに約0℃で攪拌しながらジシクロへキルカルボル
ジイミド(2.1g、0.01モル)を添加した。攪拌
を約0℃で約1時間、さらに約20℃で約4詩間続けた
。次い(この反応混合物に塩化メチレン(40ml)を
添加した。沈澱した尿素をろ別し、?11液を 0.5
N塩酸、泗 和炭酸水素ナトリウムおよび水で洗浄し、
次いで無水1iXi酸す[−リウ!、で乾燥した。
ル)安息香酸(2,78g、0.01モル)、2−クロ
ル−4−ヒトt1八シヘンンート1フル(1.8g、0
.012モル)、4−ジメチルアミノビリジン(0,1
g)のN、N−ジメヂルホルムアミド(25ml)溶′
/lシに約0℃で攪拌しながらジシクロへキルカルボル
ジイミド(2.1g、0.01モル)を添加した。攪拌
を約0℃で約1時間、さらに約20℃で約4詩間続けた
。次い(この反応混合物に塩化メチレン(40ml)を
添加した。沈澱した尿素をろ別し、?11液を 0.5
N塩酸、泗 和炭酸水素ナトリウムおよび水で洗浄し、
次いで無水1iXi酸す[−リウ!、で乾燥した。
残留反応混合物を、溶剤として塩化メチレンを用いるシ
リカゲルカラムを通して溶離させることによって精製し
た。溶剤を蒸留し、反応生成物をエタノールから結晶1
ヒさせて3 クロル4−シアノフェニル 4’−(5−
n−ペンチルー1,3−ジオキサン−2−イル)ベンゾ
l−ト(2.8g、67.7%:CN 115℃、NI
138℃)を得た。
リカゲルカラムを通して溶離させることによって精製し
た。溶剤を蒸留し、反応生成物をエタノールから結晶1
ヒさせて3 クロル4−シアノフェニル 4’−(5−
n−ペンチルー1,3−ジオキサン−2−イル)ベンゾ
l−ト(2.8g、67.7%:CN 115℃、NI
138℃)を得た。
方法IIと方法Iとは、合成工程4ど5においC相違す
る。方法I(d′3J:び実施例1)における合成工程
4と5は、方法II(および実施例2)における合成工
程4と5よりも良好な収率を与える働きをしている。
る。方法I(d′3J:び実施例1)における合成工程
4と5は、方法II(および実施例2)における合成工
程4と5よりも良好な収率を与える働きをしている。
実施例2 3−クロルー4−シアノフェニル4’−(5
−1n−ペンチル−1,3−ジオキサン−2−イル)ベ
ンゾエート 〔工程1〕 前記方法■により、塩化ヂオニル(800g、6.72
モル)を2−クロルー4−ニトロ安息香酸(500g、
2.48モル)に添加し、この際反応混合物を加温しな
がら添加した。添加後、混合物を約3時間還流した。過
剰のI甚化チオニルを、:へ留によって除去し、残留反
応混合物を真空蒸留1ノで、2−クロルー4−ニトロベ
ンゾ゛イルクUライト(510g、93%、b.p.1
43℃/4mm)を得た。
−1n−ペンチル−1,3−ジオキサン−2−イル)ベ
ンゾエート 〔工程1〕 前記方法■により、塩化ヂオニル(800g、6.72
モル)を2−クロルー4−ニトロ安息香酸(500g、
2.48モル)に添加し、この際反応混合物を加温しな
がら添加した。添加後、混合物を約3時間還流した。過
剰のI甚化チオニルを、:へ留によって除去し、残留反
応混合物を真空蒸留1ノで、2−クロルー4−ニトロベ
ンゾ゛イルクUライト(510g、93%、b.p.1
43℃/4mm)を得た。
〔工程2〕
次いで、2−クロル−4−ニトロべンゾイルクロライド
(460g、 2.1モル)を10一15°Cの間の温
石で撹拌されている28%アン[ニーj)溶液(200
0ml)に滴下した。沈澱を水および30%メタノール
で洗浄したのち乾燥して、2−クロル−4−二トロベン
スーツノミド(510g、90%、m.p.168−1
70℃)を得た。
(460g、 2.1モル)を10一15°Cの間の温
石で撹拌されている28%アン[ニーj)溶液(200
0ml)に滴下した。沈澱を水および30%メタノール
で洗浄したのち乾燥して、2−クロル−4−二トロベン
スーツノミド(510g、90%、m.p.168−1
70℃)を得た。
〔工程3〕
塩化チオニル(1000g、8.4モル)を前記工程2
で得られた生成物<200g、1モル)に添加し、この
際混合物を加温しながら添加した。添加後、この混合物
を約3時間還流した。過剰の塩化ヂオニルを留去し、反
応混合物残留1!、!Iを残留せしめた。冷たい反応混
合物残留物に溶剤であるベンげン(500ml)を添加
して、反応混合物を抽出した。抽出物を希カ性ソーダ溶
液J3J、び水で洗浄し、次いて、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。ベンゼン溶剤を留去し、反応生成物をメタ
ノールから結品化させで、2 クロル 4−ニトロベン
ゾニトリル(145g、79%、m.p.73−75°
C)を得た。
で得られた生成物<200g、1モル)に添加し、この
際混合物を加温しながら添加した。添加後、この混合物
を約3時間還流した。過剰の塩化ヂオニルを留去し、反
応混合物残留1!、!Iを残留せしめた。冷たい反応混
合物残留物に溶剤であるベンげン(500ml)を添加
して、反応混合物を抽出した。抽出物を希カ性ソーダ溶
液J3J、び水で洗浄し、次いて、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。ベンゼン溶剤を留去し、反応生成物をメタ
ノールから結品化させで、2 クロル 4−ニトロベン
ゾニトリル(145g、79%、m.p.73−75°
C)を得た。
〔工程4)
前記工程3からの生成物の一部(122g、0.61モ
ル)を、塩化第一スズ(500g、2.22モル)の2
8%塩酸(500ml)の冷Fff液に攪拌しながら添
加し1こ。この混合物を24−36℃の間の温度で約5
時間反応させたのち冷7.111.、il:’j力1!
Lソーダ溶液でアルカリ性にした。この反応生成物をジ
ーエチルエーテルのごとき溶剤で抽出した。抽出物から
溶剤を留去し、得られた生成物をエタノール水溶液から
結晶化させて2−クロル−4−アミノベンゾニトリル(
70g、75%、m.p.117℃)を得た。
ル)を、塩化第一スズ(500g、2.22モル)の2
8%塩酸(500ml)の冷Fff液に攪拌しながら添
加し1こ。この混合物を24−36℃の間の温度で約5
時間反応させたのち冷7.111.、il:’j力1!
Lソーダ溶液でアルカリ性にした。この反応生成物をジ
ーエチルエーテルのごとき溶剤で抽出した。抽出物から
溶剤を留去し、得られた生成物をエタノール水溶液から
結晶化させて2−クロル−4−アミノベンゾニトリル(
70g、75%、m.p.117℃)を得た。
(工程5)
上記2 クロルー4−アミノベンソニトリル(57g、
0.37モル)を、濃硫酸(115g)の水(1000
ml)冷溶液に攪拌しながら添加した。
0.37モル)を、濃硫酸(115g)の水(1000
ml)冷溶液に攪拌しながら添加した。
次いで硝酸化ナトリウム(26.5g、 0.38モル
)の水(250ml)溶液液を温度0〜6℃でこの懸濁
溶液中に添加した。硝酸ナトリウム添加後約3時間攪拌
を続け、この反応混合物中に尿素(3g)を添加した。
)の水(250ml)溶液液を温度0〜6℃でこの懸濁
溶液中に添加した。硝酸ナトリウム添加後約3時間攪拌
を続け、この反応混合物中に尿素(3g)を添加した。
この反応捏合物を69〜〜76℃の間の温度で約3時間
反応させた。反応生成物をろ過し、水から結晶化させて
、2−クロル−4−ヒドロキシベンゾニ1〜リル(18
.8g、33%、m.p.157−158℃)を得た。
反応させた。反応生成物をろ過し、水から結晶化させて
、2−クロル−4−ヒドロキシベンゾニ1〜リル(18
.8g、33%、m.p.157−158℃)を得た。
〔工程6〕
4−(5−n−ペンチル−1,3−ジオキサン−2−イ
ル)安息香酸(2,78g、0.01モル)、2−クロ
ル−4−ヒドロキシベンゾニトリル(1.8g、0.0
12モル)、4−ジメヂルアミノピリジン(0.1g)
のN,N−ジメチルホルムアミド(25ml)溶液にジ
シクrlヘキシルカルポルジイミド(2,1g、0.0
11モル)を約0℃で攪拌しながら添加した。溶液温度
約0℃で約1時間および溶液温度約20℃で約4間攪拌
を続けた。次いでこの反応混合物に塩化メチレン(40
ml)を添加した。沈澱した尿素をろ別し、ろ液を0.
5N塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム溶液、および水で洗
浄したのち、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。残留反応
混合物を、溶剤として塩化メチレンを用いるジリカゲル
カラムを通して溶離させることよって精製した。溶剤を
蒸留し、反応生成物をエタノールから結晶化させて、3
−クロルー4−シアノフェニル4’−(5−n−ペンチ
ル−1,3−ジオキサン−2イル)ベンゾエート(2.
8g、 67.7%;CN115℃、Nl 183℃)
を得た。
ル)安息香酸(2,78g、0.01モル)、2−クロ
ル−4−ヒドロキシベンゾニトリル(1.8g、0.0
12モル)、4−ジメヂルアミノピリジン(0.1g)
のN,N−ジメチルホルムアミド(25ml)溶液にジ
シクrlヘキシルカルポルジイミド(2,1g、0.0
11モル)を約0℃で攪拌しながら添加した。溶液温度
約0℃で約1時間および溶液温度約20℃で約4間攪拌
を続けた。次いでこの反応混合物に塩化メチレン(40
ml)を添加した。沈澱した尿素をろ別し、ろ液を0.
5N塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム溶液、および水で洗
浄したのち、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。残留反応
混合物を、溶剤として塩化メチレンを用いるジリカゲル
カラムを通して溶離させることよって精製した。溶剤を
蒸留し、反応生成物をエタノールから結晶化させて、3
−クロルー4−シアノフェニル4’−(5−n−ペンチ
ル−1,3−ジオキサン−2イル)ベンゾエート(2.
8g、 67.7%;CN115℃、Nl 183℃)
を得た。
実施例3 3−クロル−4−シアノフェニル4’−(5
ーn−アルキルシクロヘキ シル)ベンゾエート 前記方法IIIに従い、J、た、周知のウオルフーキシ
ュナー還元、フリーデル−クラフッアシル化および加水
分解反応を含む米国特許第4,323,504弓に記載
された合成法Bを部分的に用いて、実施例3では上記の
置換ベンゾエートを含成する工程を述へる。
ーn−アルキルシクロヘキ シル)ベンゾエート 前記方法IIIに従い、J、た、周知のウオルフーキシ
ュナー還元、フリーデル−クラフッアシル化および加水
分解反応を含む米国特許第4,323,504弓に記載
された合成法Bを部分的に用いて、実施例3では上記の
置換ベンゾエートを含成する工程を述へる。
〔工程1〕
シフ11へルン(市販品どし1入手でき、あるいは周知
方法により調製できる)を、アルカノイルク【コライド
アおよび三塩化アルミニウムと、ヘキサンのごとさ不活
性溶剤中で低温で反応させた。特に、反応は−60℃で
開始し、温度を40℃に高めながら反応をI左け、アル
キルケトン、すなわちn−アルキル 2−クロルシクロ
ヘキシルケトンを得た。
方法により調製できる)を、アルカノイルク【コライド
アおよび三塩化アルミニウムと、ヘキサンのごとさ不活
性溶剤中で低温で反応させた。特に、反応は−60℃で
開始し、温度を40℃に高めながら反応をI左け、アル
キルケトン、すなわちn−アルキル 2−クロルシクロ
ヘキシルケトンを得た。
〔工程2)
l\キノンをデカンテ−シヨンし、追加量の三塩化アル
ミニウムと過剰のベンゼンを添加じ、45°Cて反応を
進めた。ハロゲン原子(塩素)はそれが結合してた環を
非活性化し、シクロヘキサン環に結合したアシル基に対
してバラ位置にベンゼンを結合させて、安定なn−アル
キル 4−フェニルシクロヘキシルケトンを精製させた
。
ミニウムと過剰のベンゼンを添加じ、45°Cて反応を
進めた。ハロゲン原子(塩素)はそれが結合してた環を
非活性化し、シクロヘキサン環に結合したアシル基に対
してバラ位置にベンゼンを結合させて、安定なn−アル
キル 4−フェニルシクロヘキシルケトンを精製させた
。
〔工程3〕
前記工程2の生成物を周知のウオルフ−キシュナ−還元
によって還元し、アシルL!をj′月キル阜に変換させ
た。これによって4 n−アルキルシクロへギシルベン
ゼンを得た。
によって還元し、アシルL!をj′月キル阜に変換させ
た。これによって4 n−アルキルシクロへギシルベン
ゼンを得た。
(工程4)
前記工程3の生成物に、周知のフリーデルークラフッア
シル化反応によって、アシリウムイオンによる求電子性
芳香族置換を起させて、4−(4’−n−アルキルシフ
Dヘキシル)ベンゾイルクロライドを得だ。
シル化反応によって、アシリウムイオンによる求電子性
芳香族置換を起させて、4−(4’−n−アルキルシフ
Dヘキシル)ベンゾイルクロライドを得だ。
〔工程5〕
このヘンンイルクロライドを加水分解してカルボン酸、
づイrわち4− (4’−n −アルキルシフ白l\キ
シル)安息香酸とした。
づイrわち4− (4’−n −アルキルシフ白l\キ
シル)安息香酸とした。
(工程6)
前記工程5からの安息香酸を2−クロル−4−ヒドロキ
シベンゾニトリルど反1芯させてそのエステルとし、3
−クロルー4−シアノフェ−ル 4’−(5−n−アル
キルシク[1ヘキシル)ベンゾエートを得た。
シベンゾニトリルど反1芯させてそのエステルとし、3
−クロルー4−シアノフェ−ル 4’−(5−n−アル
キルシク[1ヘキシル)ベンゾエートを得た。
実施例4 3−クロルー4−シアノフェニル4−(4’
−n−アルキフェニル) ベンゾエ−ト 〔工程1) 前記方法IVにより、塩化アルミニウム(160g、1
.2モル)を、ビフェニル(154g、1モル)の塩化
メチレン(1000ml)溶液に約−20°Cで攪拌し
ながら添加した。次いで、この溶液にn−アルカノイル
ク[1ライド〔n−ペンタノイルクロライド〕(132
g、1.1モル)を−10℃以下の温度で添加した。添
加後、約3時間攪拌を続け、反応温度を約0℃に上げた
。得られた反応混合物を氷水中に注いだ。相溶しない層
を分離し、有機層を水で中性になるまで洗浄した。溶剤
を留去し、残留反応混合物を真空蒸留して4−n−アル
カノイルビ゛ノェニル〕(4−n−ペンタノイルビフェ
ニル)(202g、84.8%、m.p.74.5℃)
を得だ。
−n−アルキフェニル) ベンゾエ−ト 〔工程1) 前記方法IVにより、塩化アルミニウム(160g、1
.2モル)を、ビフェニル(154g、1モル)の塩化
メチレン(1000ml)溶液に約−20°Cで攪拌し
ながら添加した。次いで、この溶液にn−アルカノイル
ク[1ライド〔n−ペンタノイルクロライド〕(132
g、1.1モル)を−10℃以下の温度で添加した。添
加後、約3時間攪拌を続け、反応温度を約0℃に上げた
。得られた反応混合物を氷水中に注いだ。相溶しない層
を分離し、有機層を水で中性になるまで洗浄した。溶剤
を留去し、残留反応混合物を真空蒸留して4−n−アル
カノイルビ゛ノェニル〕(4−n−ペンタノイルビフェ
ニル)(202g、84.8%、m.p.74.5℃)
を得だ。
〔工程2〕
4−n−アルノとノイルビフェニル(4−n−ペンタ/
イルビフェニル)(202g、0.848モル)、シエ
チレングリコ−ル(1200ml)、ヒドシジン(17
6ml)および水酸化カリウム(168g)の攪拌混合
物を約3物間還流した。生成する水を蒸留により除去し
、反応温度を約175℃に昇温させた。約175℃で約
6時間還流を続けた。得られた反応混合物を氷水中に注
ぎ、ヘキサンで抽出1)だ。41機抽出物を中性になる
まで水で洗浄した。溶剤を留去し、残留反応混合物を真
空蒸留して4−n−アルキルビフェニル〔4−n−ペン
チルビフェニル)(142g、75%、b.p.140
℃/10mm)を得だ。
イルビフェニル)(202g、0.848モル)、シエ
チレングリコ−ル(1200ml)、ヒドシジン(17
6ml)および水酸化カリウム(168g)の攪拌混合
物を約3物間還流した。生成する水を蒸留により除去し
、反応温度を約175℃に昇温させた。約175℃で約
6時間還流を続けた。得られた反応混合物を氷水中に注
ぎ、ヘキサンで抽出1)だ。41機抽出物を中性になる
まで水で洗浄した。溶剤を留去し、残留反応混合物を真
空蒸留して4−n−アルキルビフェニル〔4−n−ペン
チルビフェニル)(142g、75%、b.p.140
℃/10mm)を得だ。
(工程3)
4−n−アルキルビツー1−ル(4−n−ペンチルビフ
ェニル)(224g、1モル)の塩化メチレン(100
0ml)溶液に約−20℃で攪拌しながら塩化アルミニ
ウム(160g、1.2モル)を添加した。次いでこの
溶液に−10℃以下の温度でオキザリルクロライド(9
6ml)を添加した。
ェニル)(224g、1モル)の塩化メチレン(100
0ml)溶液に約−20℃で攪拌しながら塩化アルミニ
ウム(160g、1.2モル)を添加した。次いでこの
溶液に−10℃以下の温度でオキザリルクロライド(9
6ml)を添加した。
添加後、反応温度を杓0℃に昇温させた。塩化水素ガス
の放出が止まるまで約0℃で攪拌を続けた。得られた反
応捏合物を氷水中;こ)1−さ、相溶しない2)の波体
層を形成させた。有機層を水性層から分離し、水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶剤を留去して粗
4−n−アルギルピフェニル−4′−カルボキシクロラ
イド(4−n−ペンヂルビフェニル−4’−カルボキシ
クロライド)(213g、75%)を得た、このものを
直接次工程に用いた。
の放出が止まるまで約0℃で攪拌を続けた。得られた反
応捏合物を氷水中;こ)1−さ、相溶しない2)の波体
層を形成させた。有機層を水性層から分離し、水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶剤を留去して粗
4−n−アルギルピフェニル−4′−カルボキシクロラ
イド(4−n−ペンヂルビフェニル−4’−カルボキシ
クロライド)(213g、75%)を得た、このものを
直接次工程に用いた。
〔工程4〕
4−n−アルキルビフェニル−4’−カルボキシクロラ
イド〔4−n−ベンチルビフェニル−4′−カルボキシ
クロライド〕(142g、0.5モル)を、水酸化ナト
リウム(60g、0.75モル)の水(50ml)およ
びアセトン(500ml)温溶液と攪拌しながら約3時
間反応させた。冷たい反応捏合物を次いで濃塩酸溶液て
酸性にした。
イド〔4−n−ベンチルビフェニル−4′−カルボキシ
クロライド〕(142g、0.5モル)を、水酸化ナト
リウム(60g、0.75モル)の水(50ml)およ
びアセトン(500ml)温溶液と攪拌しながら約3時
間反応させた。冷たい反応捏合物を次いで濃塩酸溶液て
酸性にした。
酸をろ過し、ろ液が中性(、lなるまで水で洗浄した。
反応化成物をエタノールで精製し、4−n−アルキルビ
フェニルー4′−カルボン酸〔4n−ペンチルビフェニ
ル−4′−カルボン酸〕(102.4g、80%)を得
た。
フェニルー4′−カルボン酸〔4n−ペンチルビフェニ
ル−4′−カルボン酸〕(102.4g、80%)を得
た。
〔工程5〕
4−n−アルキルビフェニル−4′−カルボン酸(4−
n−ペンチルビフェニル−4′−カルボン醸〕(16.
2g、0.06モル)を2−クロル4−ヒドロキシベン
ゾニトリル(9.18g、0.06モル)との反応にJ
、つC」スフル化し、3−クロル−4−シアノフェニル
4’−(5−n−アルキルフェニル)ベンゾエート(
3−クロル−4−ジアノフェニル 4’−(5−n−ベ
ンチルフェニル)ベンゾエート)(18,3g、78%
:CN 95,4℃、NI 138.3℃)を得た。
n−ペンチルビフェニル−4′−カルボン醸〕(16.
2g、0.06モル)を2−クロル4−ヒドロキシベン
ゾニトリル(9.18g、0.06モル)との反応にJ
、つC」スフル化し、3−クロル−4−シアノフェニル
4’−(5−n−アルキルフェニル)ベンゾエート(
3−クロル−4−ジアノフェニル 4’−(5−n−ベ
ンチルフェニル)ベンゾエート)(18,3g、78%
:CN 95,4℃、NI 138.3℃)を得た。
本発明のその他の化合物の例をそれらの転移温度ととも
に第1表に示す。
に第1表に示す。
3−クロル−4−シアノフェニル 4′−置換ベンゾエ
ート類の相転移温度 本発明の化合物類 は、液晶捏合物組成における利用性の点で従来のちのも
のとは区別される。
ート類の相転移温度 本発明の化合物類 は、液晶捏合物組成における利用性の点で従来のちのも
のとは区別される。
例えば、米国特許第4,313,878号に示されてい
る一般式 をもつ化合物は、非常に高いNI点と広範囲のネマチッ
ク温度を有している。しかしながら、液晶混合物に使用
することかできるこの化合物の量は、それらの非常に高
いCN点のために制限されるであろう。
る一般式 をもつ化合物は、非常に高いNI点と広範囲のネマチッ
ク温度を有している。しかしながら、液晶混合物に使用
することかできるこの化合物の量は、それらの非常に高
いCN点のために制限されるであろう。
米国特許第4,198,312号に示されている一般式
をもつ化合物は、低融点をもつ非液晶化合物である。こ
の特許の化合物を液晶混合物に用いた場合、混合物のN
I点は使用量が増加するに伴って急激に低下するであろ
う。
の特許の化合物を液晶混合物に用いた場合、混合物のN
I点は使用量が増加するに伴って急激に低下するであろ
う。
本発明の化合物類はすべてネマチック型であり、上記米
国特許第4,313,878号の化合物(こ比べて低C
N点を有しているため、広範な液晶混合物組成に使用可
能である。
国特許第4,313,878号の化合物(こ比べて低C
N点を有しているため、広範な液晶混合物組成に使用可
能である。
さらに、本発明のベンゾエート化合物は、上記2つの特
許の化合物に比較すると、10%飽和で最低しきい値電
圧を示す。特に、上記化合物の各々においてRがC5H
11の場合で、この化合物をMBBA(4−メトキシベ
ンジリデン4’−n−ブチルアニリン)に6,1モル%
混合した場合の最低しきい値電圧は、次のようになる;
に対して 1,88ポルト に対して 2.07ボルト に対して 1.90ボルト。
許の化合物に比較すると、10%飽和で最低しきい値電
圧を示す。特に、上記化合物の各々においてRがC5H
11の場合で、この化合物をMBBA(4−メトキシベ
ンジリデン4’−n−ブチルアニリン)に6,1モル%
混合した場合の最低しきい値電圧は、次のようになる;
に対して 1,88ポルト に対して 2.07ボルト に対して 1.90ボルト。
シアノ基に対してオルソ位置に側部塩素原子をもつ本発
明の化合物類は、例えば塩素原子のない化合物類に比べ
て大きい正の誘電異方性を示す。
明の化合物類は、例えば塩素原子のない化合物類に比べ
て大きい正の誘電異方性を示す。
特許出願人 タイメックス コーボレーション代 理
人 尾 股 行 雄
人 尾 股 行 雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記一般式 (式中Rは炭素原子数1〜8個のアルキル基であり、X
はジオキサン、シフil /\キサン5よびベンゼンか
らなる群から選ばれる〉で表わされる3−クロル−4−
シアノフェニル 4’−置1装6ペンゾEニート類。 2、下記一般式 (式中Rは炭素原子数1〜8個のアルキル基であり、X
はジオキサン、シクロヘキサンおよびベンゼンからなる
群から選ばれる)で表わされる3−クロル−4−シアノ
フェニル 4′−置換ベンゾエ−1・類からなる電気光
学的表示用ネマチック液晶1ヒ合物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US422048 | 1982-09-23 | ||
| US06/422,048 US4424371A (en) | 1982-09-23 | 1982-09-23 | 3-Chloro-4-cyanophenyl 4'-substituted benzoates |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980652A true JPS5980652A (ja) | 1984-05-10 |
Family
ID=23673184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174054A Pending JPS5980652A (ja) | 1982-09-23 | 1983-09-20 | 3−クロル−4−シアノフエニル4−置換ベンゾエ−ト類 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4424371A (ja) |
| JP (1) | JPS5980652A (ja) |
| DE (1) | DE3334054A1 (ja) |
| FR (1) | FR2533560B1 (ja) |
| GB (1) | GB2127804B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6178782A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 3−フルオロ−4−シアノフエノ−ル誘導体 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2967129D1 (en) * | 1979-05-28 | 1984-08-30 | Merck Patent Gmbh | Liquid-crystal compositions |
| US4550981A (en) * | 1982-09-30 | 1985-11-05 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters and mixtures |
| GB2132192B (en) * | 1982-10-30 | 1986-01-22 | Dainippon Ink & Chemicals | Nematic liquid crystalline 3-fluro-4-cyanophenol derivatives |
| DE3405914A1 (de) * | 1984-02-18 | 1985-08-22 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fluessigkristalline verbindungen |
| US4661283A (en) * | 1984-03-02 | 1987-04-28 | Chisso Corporation | Benzoate derivatives having a large positive dielectric anisotropy value and liquid crystal compositions containing same |
| CH660003A5 (de) * | 1984-04-16 | 1987-03-13 | Merck Patent Gmbh | Anisotrope verbindungen und fk-mischungen mit diesen. |
| US4759870A (en) * | 1984-08-14 | 1988-07-26 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal composition |
| JPH0610170B2 (ja) * | 1984-12-26 | 1994-02-09 | チッソ株式会社 | 新規光学活性化合物及び液晶組成物 |
| JPH0825957B2 (ja) * | 1985-03-12 | 1996-03-13 | チッソ株式会社 | ジフルオロ芳香族化合物 |
| WO1988002018A1 (en) * | 1986-09-08 | 1988-03-24 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Liquid crystal phase |
| EP0464648B1 (de) * | 1990-07-06 | 1995-12-06 | F. Hoffmann-La Roche Ag | 4-Cyano-3-fluorophenylester |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4017416A (en) | 1974-10-11 | 1977-04-12 | Chisso Corporation | P-cyanophenyl 4-alkyl-4'-biphenylcarboxylate, method for preparing same and liquid crystal compositions using same |
| JPS5490144A (en) | 1977-11-18 | 1979-07-17 | Dainippon Ink & Chem Inc | 4-n-alkylbenzoxy-3'-chloro-4'-cyanobenzen |
| DE2800553A1 (de) | 1978-01-07 | 1979-07-12 | Merck Patent Gmbh | Cyclohexanderivate |
| DE2944905A1 (de) | 1978-12-13 | 1980-10-23 | Werk Fernsehelektronik Veb | Kristallin-fluessige substituierte 1,3-dioxane und diese enthaltende gemische |
| US4200580A (en) | 1979-03-05 | 1980-04-29 | Timex Corporation | Dioxanylphenyl benzoate liquid crystal compounds |
| US4344856A (en) | 1979-12-12 | 1982-08-17 | VEB Werk fur Fernsehelektronik Berlin im VEB Kombinat Mikroelektronik | Crystalline-liquid substituted 1,3-dioxanes and mixtures containing them |
| US4313878A (en) | 1980-12-03 | 1982-02-02 | Timex Corporation | 4-Substituted phenyl 4'-(5-n-alkyl-1,3-dioxan-2-yl)benzoates |
| JPS57154158A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Chisso Corp | Liquid crystal substance having large positive dielectric anisotropy |
| JPS5818350A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-02 | Seiko Epson Corp | 液晶性化合物 |
| JPS5818351A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-02 | Seiko Epson Corp | 液晶性化合物 |
-
1982
- 1982-09-23 US US06/422,048 patent/US4424371A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-08-18 GB GB08322309A patent/GB2127804B/en not_active Expired
- 1983-09-20 JP JP58174054A patent/JPS5980652A/ja active Pending
- 1983-09-21 DE DE19833334054 patent/DE3334054A1/de not_active Withdrawn
- 1983-09-23 FR FR8315122A patent/FR2533560B1/fr not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6178782A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 3−フルオロ−4−シアノフエノ−ル誘導体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8322309D0 (en) | 1983-09-21 |
| DE3334054A1 (de) | 1984-03-29 |
| GB2127804A (en) | 1984-04-18 |
| GB2127804B (en) | 1986-07-09 |
| FR2533560A1 (fr) | 1984-03-30 |
| FR2533560B1 (fr) | 1986-06-13 |
| US4424371A (en) | 1984-01-03 |
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