JPS61218904A - 直径測定装置 - Google Patents
直径測定装置Info
- Publication number
- JPS61218904A JPS61218904A JP6044585A JP6044585A JPS61218904A JP S61218904 A JPS61218904 A JP S61218904A JP 6044585 A JP6044585 A JP 6044585A JP 6044585 A JP6044585 A JP 6044585A JP S61218904 A JPS61218904 A JP S61218904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- measured
- photoelectric conversion
- workpiece
- conversion element
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/08—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring diameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、直径測定装置に係り、特に大型立旋盤等で加
工された被加工物の直径測定に利用できる。
工された被加工物の直径測定に利用できる。
［背景技術とその問題点］
従来、大型立旋盤で加工された被加工物の直径、例えば
外径を測定するには、専用の大型マイクロメータを使っ
たり、或いは被加工物外径の対向位置にブロックを置き
、このブロック間をインサイドマイクロメータをつない
で測定していた。
外径を測定するには、専用の大型マイクロメータを使っ
たり、或いは被加工物外径の対向位置にブロックを置き
、このブロック間をインサイドマイクロメータをつない
で測定していた。
前者の大をマイクロメータによる測定は、マイクロメー
タ自体の重量が重く、従って操作が困難であることから
測定精度の点で問題があった。また、後者のインサイド
マイクロメータによる測定は、ブロックを正確に被加工
物に接して置くことが困難であり、またインサイドマイ
クロメータを正確につなぐことも困難であった。
タ自体の重量が重く、従って操作が困難であることから
測定精度の点で問題があった。また、後者のインサイド
マイクロメータによる測定は、ブロックを正確に被加工
物に接して置くことが困難であり、またインサイドマイ
クロメータを正確につなぐことも困難であった。
一方、これらの方式のほかに、被加工物を載置している
テーブルを回転させ、被加工物の測定面に直径が既知の
ローラを押し当て、ローラの回転数から被加工物の直径
を算出する方式もあるが、被加工物に接するローラの回
転数はスリップがあるので精度が落る。しかも、ローラ
を押しつけると、被加工物のその部分に光沢が生じ嫌わ
れることもあった。
テーブルを回転させ、被加工物の測定面に直径が既知の
ローラを押し当て、ローラの回転数から被加工物の直径
を算出する方式もあるが、被加工物に接するローラの回
転数はスリップがあるので精度が落る。しかも、ローラ
を押しつけると、被加工物のその部分に光沢が生じ嫌わ
れることもあった。
また、被加工物の内径を測定するには、通常、インサイ
ドマイクロメータが用いられるが、被測定物の内径が大
きくなるに従って、上述した問題が生じる。
ドマイクロメータが用いられるが、被測定物の内径が大
きくなるに従って、上述した問題が生じる。
［発明の目的］
本発明の目的は、このような従来の欠点を解決すべくな
、されたもので、比較的大径の被測定物の内径または外
径を精度よくかつ能率よく測定する直径測定装置を提供
することにある。
、されたもので、比較的大径の被測定物の内径または外
径を精度よくかつ能率よく測定する直径測定装置を提供
することにある。
［問題点を解決するための手段および作用］そのため、
本発明では、被測定物の内周面または外周面に対向゛し
て複数の光電変換素子を周方向に沿って等間隔に配置し
、この光電変換素子列および被測定物を相対回転させ、
この状態において、光電変換素子列によって検出される
被測定物の周面の光学的パターン情報をそれ以前に検出
されたパターン情報と比較して両者のずれ量を求め、こ
のずれ量を相対１回転について累計した後、その累計値
を円周率で徐算して被測定物の直径を求めるようにした
ものである。
本発明では、被測定物の内周面または外周面に対向゛し
て複数の光電変換素子を周方向に沿って等間隔に配置し
、この光電変換素子列および被測定物を相対回転させ、
この状態において、光電変換素子列によって検出される
被測定物の周面の光学的パターン情報をそれ以前に検出
されたパターン情報と比較して両者のずれ量を求め、こ
のずれ量を相対１回転について累計した後、その累計値
を円周率で徐算して被測定物の直径を求めるようにした
ものである。
具体的には、被測定物の内周面または外周面の状態を明
暗の光学的情報として捉えるための光源と、被測定物の
内径または外径を測定する装置であって、被測定物の内
周面または外周面に対向して複数の光電変換素子を周方
向に沿って等間隔に配置した光電変換素子列と、この光
電変換素子列および被測定物のいずれか一方を他方に対
して所定の間隔を保ちながら回転させる回転駆動手段と
、この回転駆動手段による光電変換素子列または被測定
°物の１回転を検出する１回転検出器と、前記光電変換
素子列によって検出された被測定物周面のパターン情報
を記憶する第１のパターン記憶部と、この第１のパター
ン記憶部のパターン情報より前に前記光電変換素子列に
よって検出されたパターン情報を基準パターンとして記
憶している第２のパターン記憶部と、前記第２のパター
ン記憶部に記憶された基準パターンに対して前記第１の
パターン記憶部のパターン情報のずれ量を判定し、その
判定結果に応じて、求められたずれ量を累計記憶させる
とともに、前記第２のパターン記憶部の基準パターンを
前記第１のパターン記憶部のパターン情報に更新する判
定手段と、前記１回転検出器によって１回転が検出され
たときの前記ずれ量の累計値を円周率で徐算して被測定
物の直径を求める手段と、を具備したことを特徴として
いる。
暗の光学的情報として捉えるための光源と、被測定物の
内径または外径を測定する装置であって、被測定物の内
周面または外周面に対向して複数の光電変換素子を周方
向に沿って等間隔に配置した光電変換素子列と、この光
電変換素子列および被測定物のいずれか一方を他方に対
して所定の間隔を保ちながら回転させる回転駆動手段と
、この回転駆動手段による光電変換素子列または被測定
°物の１回転を検出する１回転検出器と、前記光電変換
素子列によって検出された被測定物周面のパターン情報
を記憶する第１のパターン記憶部と、この第１のパター
ン記憶部のパターン情報より前に前記光電変換素子列に
よって検出されたパターン情報を基準パターンとして記
憶している第２のパターン記憶部と、前記第２のパター
ン記憶部に記憶された基準パターンに対して前記第１の
パターン記憶部のパターン情報のずれ量を判定し、その
判定結果に応じて、求められたずれ量を累計記憶させる
とともに、前記第２のパターン記憶部の基準パターンを
前記第１のパターン記憶部のパターン情報に更新する判
定手段と、前記１回転検出器によって１回転が検出され
たときの前記ずれ量の累計値を円周率で徐算して被測定
物の直径を求める手段と、を具備したことを特徴として
いる。
［実施例５］
第１図は本発明の直径測定装置を大型立旋盤に適用した
一実施例を示している。同図において。
一実施例を示している。同図において。
ベッドｌの上部には１回転駆動手段としての駆動機構２
により回転されるテーブル３が設けられている。テーブ
ル３には、その上面に円筒形状に加工された被測定物と
しての被加工物４が載置されているとともに、外周面に
１回転検出器５が対向配置されている。１回転検出器５
は、前記ベッド１に図示しないブラケット等を介して固
定され。
により回転されるテーブル３が設けられている。テーブ
ル３には、その上面に円筒形状に加工された被測定物と
しての被加工物４が載置されているとともに、外周面に
１回転検出器５が対向配置されている。１回転検出器５
は、前記ベッド１に図示しないブラケット等を介して固
定され。
かつ前記テーブル３の外周面１箇所に設けられた突起や
マーク３Ａの接近によってオンされるスイッチ等により
構成されている。
マーク３Ａの接近によってオンされるスイッチ等により
構成されている。
また、ベッドｌの両側にはコラム６がそれぞれ立設され
、この両側のコラム６間にはクロスレール７が昇降自在
に設けられている。クロスレール７には刃物台８が図中
左右方向へ摺動自在に取付けられ、この刃物台８のラム
８Ａの先端には被加工物４の外周面に対向して検出ヘッ
ド９が取付けられている。ここで、被加工物４の外周面
には。
、この両側のコラム６間にはクロスレール７が昇降自在
に設けられている。クロスレール７には刃物台８が図中
左右方向へ摺動自在に取付けられ、この刃物台８のラム
８Ａの先端には被加工物４の外周面に対向して検出ヘッ
ド９が取付けられている。ここで、被加工物４の外周面
には。
検出ヘッド９との相対移動方向つまり円周方向において
、一定の光源（自然光をも含む）に対し反射光の明度が
均一とならないような処理が施されている０例えば、相
対移動方向に沿って反射光の明度が均一とならないよう
な不規則な明暗模様等のマークが施されている。
、一定の光源（自然光をも含む）に対し反射光の明度が
均一とならないような処理が施されている０例えば、相
対移動方向に沿って反射光の明度が均一とならないよう
な不規則な明暗模様等のマークが施されている。
一方、前記検出ヘッド９には、第２図に示す毎く、光電
変換素子列１１が前記被加工物４の外周面に対して所定
間隔離れた対向位置でかつ相対移動方向つまり円周方向
に沿って配置されているとともに、被加工物４の外周面
に対して光照射する直管型の光源１２等が設けられてい
る。光電変換素子列１１は、前記円周方向に沿って等間
隔に配置された８素子の光電変換素子１１＋〜ｌｌａに
よって構成されている。これにより、被加工物４の外周
面の光学的明度パターンが光電変換素子列１１の８素子
の光電変換素子１１ Ｉ” ｌ ｌ ｇにより検知され
た後、パターン処理部２１へ送られる。
変換素子列１１が前記被加工物４の外周面に対して所定
間隔離れた対向位置でかつ相対移動方向つまり円周方向
に沿って配置されているとともに、被加工物４の外周面
に対して光照射する直管型の光源１２等が設けられてい
る。光電変換素子列１１は、前記円周方向に沿って等間
隔に配置された８素子の光電変換素子１１＋〜ｌｌａに
よって構成されている。これにより、被加工物４の外周
面の光学的明度パターンが光電変換素子列１１の８素子
の光電変換素子１１ Ｉ” ｌ ｌ ｇにより検知され
た後、パターン処理部２１へ送られる。
パターン処理部２１へ送られたパターン情報は、第３図
に示す如く、アンプ２２で増幅された後、Ａ／Ｄ変換器
り３でデジタル信号に変換される。Ａ／Ｄ変換器２３で
デジタル信号に変換されたパターン情報は、第１のパタ
ーン記憶部としての検出パターンメモリ２６へ記憶され
る。検出パターンメモリ２６に記憶されたパターン情報
は、判定手段としての演算回路２から読取指令２４が与
えられる毎に演算回路２７へ読込まれ、そこで第２のパ
ターン記憶部としての基準パターンメモリ２８に記憶さ
れている基準パターンと比較され、その基準パターンに
対するずれ量が判定されル、基準パターンメモリ２８の
基準パターンは。
に示す如く、アンプ２２で増幅された後、Ａ／Ｄ変換器
り３でデジタル信号に変換される。Ａ／Ｄ変換器２３で
デジタル信号に変換されたパターン情報は、第１のパタ
ーン記憶部としての検出パターンメモリ２６へ記憶され
る。検出パターンメモリ２６に記憶されたパターン情報
は、判定手段としての演算回路２から読取指令２４が与
えられる毎に演算回路２７へ読込まれ、そこで第２のパ
ターン記憶部としての基準パターンメモリ２８に記憶さ
れている基準パターンと比較され、その基準パターンに
対するずれ量が判定されル、基準パターンメモリ２８の
基準パターンは。
前記演算回路２７の演算結果に応じて、前記検出パター
ンメモリ２６のパターン情報に順次更新される。また、
一連の処理が行なわれると１次の演算のための読取指令
２４が演算回路２７から検出パターンメモリ２６へ検出
され、その検出パターンメモリ２６のパターン情報が演
算回路２７へ読込まれる。
ンメモリ２６のパターン情報に順次更新される。また、
一連の処理が行なわれると１次の演算のための読取指令
２４が演算回路２７から検出パターンメモリ２６へ検出
され、その検出パターンメモリ２６のパターン情報が演
算回路２７へ読込まれる。
いま、検出パターンメモリ２６に記憶されているパター
ン情報、つまり今回のサンプリングで取込まれたパター
ン情報のベクトルをＰ（ｐ＋、ｐ２・・・ｐａ）、基準
パターンメモリ２８に記憶されている基準パターン、つ
まり前回のサンプリングまでで更新された基準パターン
のベクトルをＰ′（ｐ＋ ’ ｌ Ｐ２ ’・・・ｐ
６′）とすると、演算回路２７では、 Ｓ０＝Σ（ｐＬｐｔ’）２ ・・・・・・・・・（１
）ＬＬＩヱ Ｓ、＝Σ（ｐＬ ＰＬ−＋’）２ ・・・・・・・
・・（２）Ｓ−＝Σ（ＰＬ−ｐｔ◆ｌ′）２ ・・
・・・・・・・（３）を演算し、Ｓ、、Ｓや、Ｓ−の中
で最も小さい値を求める。
ン情報、つまり今回のサンプリングで取込まれたパター
ン情報のベクトルをＰ（ｐ＋、ｐ２・・・ｐａ）、基準
パターンメモリ２８に記憶されている基準パターン、つ
まり前回のサンプリングまでで更新された基準パターン
のベクトルをＰ′（ｐ＋ ’ ｌ Ｐ２ ’・・・ｐ
６′）とすると、演算回路２７では、 Ｓ０＝Σ（ｐＬｐｔ’）２ ・・・・・・・・・（１
）ＬＬＩヱ Ｓ、＝Σ（ｐＬ ＰＬ−＋’）２ ・・・・・・・
・・（２）Ｓ−＝Σ（ＰＬ−ｐｔ◆ｌ′）２ ・・
・・・・・・・（３）を演算し、Ｓ、、Ｓや、Ｓ−の中
で最も小さい値を求める。
ここで、■Ｓ０が最小値のときは、１素子分ずれていな
いと判定し、■Ｓやが最小値のときは、ｌ素子分子方向
にずれていると判定し、■Ｓ−が最小値のときは、１素
子分一方向にずれていると判定し、その判定結果に応じ
て基準パターンメモリ２８の基準パターンの更新処理お
よび変位量メモリ２９のカウント値を増減させる。
いと判定し、■Ｓやが最小値のときは、ｌ素子分子方向
にずれていると判定し、■Ｓ−が最小値のときは、１素
子分一方向にずれていると判定し、その判定結果に応じ
て基準パターンメモリ２８の基準パターンの更新処理お
よび変位量メモリ２９のカウント値を増減させる。
即ち。
■のときには、基準パターンメモリ２８の基準パターン
および変位量メモリ２９のカウント値を共に更新しない
。
および変位量メモリ２９のカウント値を共に更新しない
。
■のときには、基準パターンメモリ２８の基準パターン
を検出パターンメモリ２６のパターン情報に更新し、か
つ変位量メモリ２９のカウント値を＋１カウントアツプ
させる。
を検出パターンメモリ２６のパターン情報に更新し、か
つ変位量メモリ２９のカウント値を＋１カウントアツプ
させる。
■のときには、基準パターンメモリ２８の基準パターン
を検出パターンメモリ２６のパターン情報に更新し、か
つ変位量イモリ２９のカウント値を一１カウントダウン
させる。
を検出パターンメモリ２６のパターン情報に更新し、か
つ変位量イモリ２９のカウント値を一１カウントダウン
させる。
従って、被加工物４が静止したままの状態では、Ｓｏが
最小値となるから、基準パターンメモリ２８の基準パタ
ーンおよび変位量メモリ２９のカウント値は共に更新さ
れない、しかし、被加工物４が回転すると、その回転方
向によってＳ、またはＳ−が最小値となるから、基準パ
ターンメモリ２８の基準パターンは検出パターンメモリ
２６のパターン情報に更新され、かつ回転方向によって
変位量メモリ２９のカウント値が増減される。
最小値となるから、基準パターンメモリ２８の基準パタ
ーンおよび変位量メモリ２９のカウント値は共に更新さ
れない、しかし、被加工物４が回転すると、その回転方
向によってＳ、またはＳ−が最小値となるから、基準パ
ターンメモリ２８の基準パターンは検出パターンメモリ
２６のパターン情報に更新され、かつ回転方向によって
変位量メモリ２９のカウント値が増減される。
このようにして、被加工物４が回転していくと。
変位量メモリ２９には、被加工物４の外周面移動距離が
累計記憶されていく。
累計記憶されていく。
変位量メモリ２９に記憶された値は、リセット／ホール
ド回路３０からのリセット信号が与えられたときリセッ
トされ、またホールド信号が与えられたときホールドさ
れ、直径演算１１１３１において円周率πで徐算された
後１表示部３２に表示される。リセット／ホールド回路
３０は、前記１回転検出器５が始めにオンしたときリセ
ット信号を出力し、２回目にオンしたときホールド信号
を出力する。 従って、駆動機構２によりテーブル３を
回転させ、被加工物４の外周面移動距離を変位量メモリ
２９へ記憶していく途中で、１回転検出器５が初めにオ
ンすると、リセット／ホールド回路３０からのリセット
信号により変位量メモリ２９の値がリセットされる。
ド回路３０からのリセット信号が与えられたときリセッ
トされ、またホールド信号が与えられたときホールドさ
れ、直径演算１１１３１において円周率πで徐算された
後１表示部３２に表示される。リセット／ホールド回路
３０は、前記１回転検出器５が始めにオンしたときリセ
ット信号を出力し、２回目にオンしたときホールド信号
を出力する。 従って、駆動機構２によりテーブル３を
回転させ、被加工物４の外周面移動距離を変位量メモリ
２９へ記憶していく途中で、１回転検出器５が初めにオ
ンすると、リセット／ホールド回路３０からのリセット
信号により変位量メモリ２９の値がリセットされる。
更に、テーブル３が回転すると、リセットされた時点か
らの被加工物４の外周面移動距離が変位量メモリ２９へ
累計記憶されていく、やがて。
らの被加工物４の外周面移動距離が変位量メモリ２９へ
累計記憶されていく、やがて。
テーブル３が１回転すると、１回転検出器５がオンする
ので、リセット／ホールド回路３０からのホールド信号
により変位量メモリ２９の値がホールドされる。すると
、そのホールド値は、直径演算部３１において円周率π
で徐算され、その結果つまり被加工物４の外径が表示部
３２に表示される。
ので、リセット／ホールド回路３０からのホールド信号
により変位量メモリ２９の値がホールドされる。すると
、そのホールド値は、直径演算部３１において円周率π
で徐算され、その結果つまり被加工物４の外径が表示部
３２に表示される。
従って、本実施例によれば、被加工物４の外周面の光学
的パターン情報を光電変換素子列１１で電気信号に変換
し、この変換されたパターン情報４を前回のサンプリン
グまでに更新記憶された基準パターンと比較して、基準
パターンに対する検出されたパターン情報のずれ量を求
め、このずれ量を被加工物４の１回転について累計し、
この累計値を円周率πで徐算して被加工物４の外径を求
めるようにしたので、大きくて重量のあるマイクロメー
タやインサイドマイクロメータを使用する必要がないの
で、操作が極めて容易な上、高精度な測定が可能である
。
的パターン情報を光電変換素子列１１で電気信号に変換
し、この変換されたパターン情報４を前回のサンプリン
グまでに更新記憶された基準パターンと比較して、基準
パターンに対する検出されたパターン情報のずれ量を求
め、このずれ量を被加工物４の１回転について累計し、
この累計値を円周率πで徐算して被加工物４の外径を求
めるようにしたので、大きくて重量のあるマイクロメー
タやインサイドマイクロメータを使用する必要がないの
で、操作が極めて容易な上、高精度な測定が可能である
。
特に、被加工物４の外周面の光学的パターン情報を検出
するようにしたので、被加工物４の外周面が円周方向に
おいて反射光の明度が均一とならないようａ：！１様で
あればよく１例えば不規則なマーク、更には傷等の処理
でよく、極端には何も処理することなく加工面粗度のパ
ターンをそのまま利用することもできる結果、測定部材
に対する加工がほとんど不要である。
するようにしたので、被加工物４の外周面が円周方向に
おいて反射光の明度が均一とならないようａ：！１様で
あればよく１例えば不規則なマーク、更には傷等の処理
でよく、極端には何も処理することなく加工面粗度のパ
ターンをそのまま利用することもできる結果、測定部材
に対する加工がほとんど不要である。
しかも、被加工物４に対して非接触型であるので、測定
面を傷付けることがない、このことは。
面を傷付けることがない、このことは。
従来のローラの押し付けによる方法と比較しても、スリ
ップがないので高精度測定が可能な上。
ップがないので高精度測定が可能な上。
被加工物の材質が比較的軟質な材料でも高精度に測定で
きる利点がある。
きる利点がある。
なお、実施にあたって、被加工物４の外周面と光電変換
素子１１との間に被加工物４の外周面からの反射光を光
電変換素子列１１上に所定倍率で結像させるレンズを設
ければ、各光電変換素子１１ Ｉ” ｌ ｌ ａの一隔
δに対し、被加工物４の外周面からレンズまでの距離Ｌ
Ｉ／レンズから光電変換素子列１１までの距離Ｌ２倍の
分解能が得られる。更に、ｎ個の光電変換素子列１１を
予め用意し、これらを被加工物４の円周方向へ素子間隔
のｎ分の１づつずらして並列配置すれば、分解能をｎ倍
に向上させることができる。
素子１１との間に被加工物４の外周面からの反射光を光
電変換素子列１１上に所定倍率で結像させるレンズを設
ければ、各光電変換素子１１ Ｉ” ｌ ｌ ａの一隔
δに対し、被加工物４の外周面からレンズまでの距離Ｌ
Ｉ／レンズから光電変換素子列１１までの距離Ｌ２倍の
分解能が得られる。更に、ｎ個の光電変換素子列１１を
予め用意し、これらを被加工物４の円周方向へ素子間隔
のｎ分の１づつずらして並列配置すれば、分解能をｎ倍
に向上させることができる。
また、検出されたパターン情報と比較される基準パター
ンについては、前回のサンプリング時までに更新記憶さ
れた１つの基準パターンだけでなく、それ以前に更新さ
れた複数個の基準パターンを記憶しておき、これら全て
について検出されたパターン情報と比較すれば、パター
ンの解析をより正確に行うことができ、また相対回転量
が速くて１回の演算で１素子分以上の移動をするような
場合でも測定可能である。更に、直径算出にあたっては
、被加工物４の１回転のみに限らず、被加工物４を複数
回回転させ、１回転当りの外周面移動量を求め、これを
円周率πで除算して被加工物の直径を求めるようにすれ
ば、より高精度な測定ができる。
ンについては、前回のサンプリング時までに更新記憶さ
れた１つの基準パターンだけでなく、それ以前に更新さ
れた複数個の基準パターンを記憶しておき、これら全て
について検出されたパターン情報と比較すれば、パター
ンの解析をより正確に行うことができ、また相対回転量
が速くて１回の演算で１素子分以上の移動をするような
場合でも測定可能である。更に、直径算出にあたっては
、被加工物４の１回転のみに限らず、被加工物４を複数
回回転させ、１回転当りの外周面移動量を求め、これを
円周率πで除算して被加工物の直径を求めるようにすれ
ば、より高精度な測定ができる。
また、上記実施例では、被加工物４を回転させるように
したが、光電変換素子列１１を被加工物４の外周面に沿
って回転させるようにしても、同様な効果が期待できる
。
したが、光電変換素子列１１を被加工物４の外周面に沿
って回転させるようにしても、同様な効果が期待できる
。
このほか、上記実施例では、被加工物４の外径測定につ
いて述べたが、被加工物の内周面に沿って光電変換素子
列を平行に配置すれば、被加工物の内径をも測定するこ
とができる。更に、大型立旋盤に適用した例について述
べたが、本発明の直径測定装置では、大型立旋盤に限ら
ず、専用の測定装置でもよい。
いて述べたが、被加工物の内周面に沿って光電変換素子
列を平行に配置すれば、被加工物の内径をも測定するこ
とができる。更に、大型立旋盤に適用した例について述
べたが、本発明の直径測定装置では、大型立旋盤に限ら
ず、専用の測定装置でもよい。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、比較的大径の被加工物の
内径や外径等の直径を精度よくかつ能率よく測定する直
径測定装置を提供することができる。
内径や外径等の直径を精度よくかつ能率よく測定する直
径測定装置を提供することができる。
図は本発明の一実施例を示すもので、第１図は全体の説
・引回、第２図は被加工物と検出ヘッドとの関係を示す
図、−３図はパターン処理部を示すブロック図である。 ２・・・回転駆動手段としての駆動機構、４・・・被測
定物としての被加工物、５・・・１回転検出器、１１・
・・光電変換素子列、１２・・・光源、１３・・・レン
ズ。 ｌｉｔ〜ｌｌａ・・・光電変換素子、２６・・・第１の
パターン記憶部としての検出パターンメモリ、２７・・
・判定手段としての演算回路、２８・・・第２のパター
ン記憶部としての基準パターンメモリ、２９・・・変位
量メモリ、３１・・・直径演算部。
・引回、第２図は被加工物と検出ヘッドとの関係を示す
図、−３図はパターン処理部を示すブロック図である。 ２・・・回転駆動手段としての駆動機構、４・・・被測
定物としての被加工物、５・・・１回転検出器、１１・
・・光電変換素子列、１２・・・光源、１３・・・レン
ズ。 ｌｉｔ〜ｌｌａ・・・光電変換素子、２６・・・第１の
パターン記憶部としての検出パターンメモリ、２７・・
・判定手段としての演算回路、２８・・・第２のパター
ン記憶部としての基準パターンメモリ、２９・・・変位
量メモリ、３１・・・直径演算部。
Claims (1)
- （１）被測定物の内径または外径を測定する装置であっ
て、 被測定物の内周面または外周面の状態を明暗の光学的情
報として捉えるための光源と、 被測定物の内周面または外周面に対向して複数の光電変
換素子を周方向に沿って等間隔に配置した光電変換素子
列と、 この光電変換素子列および被測定物のいずれか一方を他
方に対して所定の間隔を保ちながら回転させる回転駆動
手段と、 この回転駆動手段による光電変換素子列または被測定物
の１回転を検出する１回転検出器と、前記光電変換素子
列によって検出された被測定物周面のパターン情報を記
憶する第１のパターン記憶部と、 この第１のパターン記憶部のパターン情報より前に前記
光電変換素子列によって検出されたパターン情報を基準
パターンとして記憶している第２のパターン記憶部と、 前記第２のパターン記憶部に記憶された基準パターンに
対して前記第１のパターン記憶部のパターン情報のずれ
量を判定し、その判定結果に応じて、求められたずれ量
を累計記憶させるとともに、前記第２のパターン記憶部
の基準パターンを前記第１のパターン記憶部のパターン
情報に更新する判定手段と、 前記１回転検出器によって１回転が検出されたときの前
記ずれ量の累計値を円周率で徐算して被測定物の直径を
求める手段と、 を具備したことを特徴とする直径測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6044585A JPS61218904A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 直径測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6044585A JPS61218904A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 直径測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61218904A true JPS61218904A (ja) | 1986-09-29 |
Family
ID=13142481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6044585A Pending JPS61218904A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 直径測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61218904A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202315A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-15 | Kubota Ltd | 管内径計測および楕円矯正を行う装置 |
| CN105203038A (zh) * | 2015-11-12 | 2015-12-30 | 深圳市沃尔核材股份有限公司 | 一种线阵ccd在线测径仪 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58113762A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | Fujitsu Ltd | 速度測定装置 |
| JPS5928667A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 動体検出方法 |
| JPS6015503A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Res Dev Corp Of Japan | 非接触直径測定方法及び装置 |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP6044585A patent/JPS61218904A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58113762A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | Fujitsu Ltd | 速度測定装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH01202315A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-15 | Kubota Ltd | 管内径計測および楕円矯正を行う装置 |
| CN105203038A (zh) * | 2015-11-12 | 2015-12-30 | 深圳市沃尔核材股份有限公司 | 一种线阵ccd在线测径仪 |
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