JPS6121907A - 水素化ケイ素の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、一般式Ｓ　＋　ｘＨｙｏ　ｚ　（ただしＸは
１以上の正の整数、ｙおよび２はそれぞれ２ｘ＋２．２
ｘを越えない正の整数でありどちらか一方はＯでなくま
たｘ　＝　ｌの場合は２は０でない）で表わされるケイ
素化合物から、一般式５ｉｄＨ２Ａ＋２（ただしｌはＸ
以下の１以上の正の整数）で表わされる水素化ケイ素を
製造する方法に関する。

〔背景技術〕

近年、エレクトロニクス工業の発展に伴い、多結晶シリ
コンあるいはアモルファスシリコン等′の半導体用シリ
コンの需要が急激に増大している。

水素化ケイ素はかかる半導体用シリコンの製造原料とし
て最近その重要性を増しており、特にシラン（ＳｉＨ４
）、ジシラン（Ｓｉ□Ｉ（６）は太陽電池用半導体の原
料として、今後大幅な需要増加が期待されている。

従来、水素化ケイ素の製造方法にはいくつかの方法が知
られているが、それらの中でケイ素化マグネシウムのご
ときシリコン合金と酸との反応によるたとえば下記式の
方法は、特に実施容易で経済的な方法として古くから知
られている。

２ＭｇＣ４＋　　　１％ｆ＋Ｓｉ、Ｈ２ｎ＋２　　＋　
　（１１／ｎ）Ｈ２しかしながら、この方法においては
、利用価値の高い５ｉＩ（４，５１２ｌ（６以外にも高
級シランが相当量生成し、また例えば、水を溶媒に用い
た場合には、常温常圧で反応が実施できるものの、Ｍｇ
２Ｓｉ中の８１の実に約半分もが一般式Ｓ＋ｐＨｑＯｒ
　（ｐは３以上の正の整数、ｑおよびｒはそれぞれ２ｐ
＋２．２ｐな越えない正の整数で、どちらか一方はＯで
ない）で表わされる無価値なケイ素化合物となってしま
うため経済性に乏しい。

この他ケイ素の・・ロゲン化物を還元して水素化ケイ素
を製造する方法を採用した場合においてもかなりの量の
高級シランが副生ずることが知られている。例えば、 お７ＬｔｉＪＬるル ２Ｓｉ２Ｃｌａ　＋　３ＬｉＡｌＨ４ ３ＬｉＣｌ＋　ＡＡ＋Ｊ！ｓ　＋　　２Ｓｉ□Ｈ６の反
応によって５ｉ２ｌ−１．を製造する場合尤おいては、
Ｓｉ３．Ｈ８な、どの高級シランが相当量生成する。

一方、高級シランＳ　ｌｍ８２ｍ−１−２（”は２以上
の正の整数）は、加熱分解あるいは無声放電等によりそ
の一部を５ｉ）−１４やＳ１□ルに変え得ることが報告
されているが、そのＳｉＨ４，Ｓｉ□Ｈ６への転化率は
きわめて低く未だ不充分である。

本発明者らは、上記の点に鑑み、鋭意検討したところ、
従来法において副生ずる種々のケイ素化合物は大部分Ｓ
＋ｘｌ］ｙＯｚなる一般式で表現されるものであって特
定の物質との反応処理を施すことによって、高収率で所
望のＳｉＩ″１４や５ｉ２ｌ−１６等の水素化ケイ素に
転化しうろことを見い出した。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記のごとき従来法にお（・て副生ず
る種々のケイ素化合物を５ｉｌ−１４’　、Ｓｉ２Ｈ６
等の経済的に価値のある水素化ケイ素に高収率で変換す
る方法を提供することである。

〔発明の開示〕

本発明に従って、一般式Ｓ　＋　ｘｌ−１ｙＯ２（ただ
しＸは１以上の正の整数、ｙおよびＺばそれぞれ２ｘ＋
２．２ｘを越えない正の整数でありどちらか一方は０で
なくまたｘ　＝　１の場合は２はＯではない）でだしＭ
Ｉはアルカリ金属、アルカリ土類金属あるし・はＺｎ　
を、Ｍ”は周期律表における第１ＩＩ　Ｂ族金属な、１
４は水素原子をそれぞれ示し、ａ、ｂ、ｃは正の正数で
Ｍがアルカリ金属の場合にはａ　−１−３ｂ−ｃ＝ｏ、
ＭＩがアルカリ土類金属又はＺｎの場合には、２ａ＋３
ｂ−ｃ＝０）で表わされる複合金属水素化物とを接触し
、反応させることにより、一般式ＳｉｇＨ２ｌ＋ｚ（た
だしぎはＸ以下の１以上の正の整数）で表わされる水素
化ケイ素な製造する方法が提供される。

〔発明の詳細な開示〕

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明において原料として用いられるケイ素化合物とは
、一般式Ｓ　＋　ｘｌ−１ｙＯ□（ただしＸは１以上の
正の整数、ｙおよびＺはそれぞれ２ｘ＋２，２ｘを越え
ない正の整数であり、どちらか一方は０でない）で表わ
されるものである。具体的には例えば、ジシラン（５ｉ
２Ｈａ）　（通常はジシランはそれ自体有用であり、転
化の必要はないが、モノシランが特に必要なときはジシ
ランを原料としてモノシランとする意義がある）、トリ
シラン（Ｓ１３Ｈ８）、ｎ−テトラシラン（Ｓ１４’Ｈ
＋ｏ）、イソテトラシラン（Ｓ！４ミ′ Ｈ７゜）、シクロヘキサ−ラン（Ｓ　ｉｅＨ＋２）、プ
ロシロキサン（ＳｉＨ２０）、ポリシレンＳ　ｉ　Ｈ３
＋Ｓ　ｉ　Ｉ−１□−）−。

５ｉｌ−１，、ジシロキサン（５ｉ２Ｈｏｅ）、トリシ
ロキサン（Ｓ　１３１−１８ｏ□）、テトラシロキサ７
　（Ｓ’４１］１００ｓ　）、シロキセン（（Ｓ　ｉ、
、１１２０　）　ｎ　）などがあげられる。これらは単
独でまたは２種以上混合して用いることも可能である。

またこれらは後述するようにアルコール、エーテル、炭
化水素あるいはノ・ロゲン化炭化水素などの希釈剤に溶
解あるいは懸濁して使用することも可能である。また、
後記するごと（反応の相系に応じて気相、液相、同相の
いずれにおいても用い得る。

本発明で使用する複合金属水素化物とは、一般式Ｍｚ１
’４１−１０で表わされるものであって、ＭＩはＬ　ｌ
　ｌＮａ、に、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ　等のフルカリ金属；
　１３ｅ　、Ｍｇ　。

Ｃａ　、Ｓｒ　、Ｂａ　、Ｒａ等のアルカリ土類金属；
もしくはＺｎを示し、Ｍ　”ばＢ　、Ａ１．Ｇａ、Ｉｎ
、ｉ’ｄ等の周期律表における第１１１Ｂ族金属を示し
、Ｈは水素原子をそれぞれ示１−８ただし、ａ、ｂ、ｃ
はＭＩがアルカリ金属の場合にはａ−１−３ｂ　−ｃ　
＝：０　、アルカリ土類金属又はＺｎの場合には２ａ＋
３ｂ−ｃ＝０なる関係な満足する正の整数である。かか
る複合金属水素化物（以下単に水素化物という）として
は、たとえば１．１１３１−１４．ＬｉＡｅｌ１４．Ｌ
ｉ５Ａｄｌ１６　、ＬｉＡ４Ｈ，３゜Ｎａ１（Ｌｉ４．
ＮａＡｄｌ−１，、、ＫＢＨ４，ＫＢＪＩ、　、ＫＢ６
１−１．。

Ｍｇ（ＡＳＨ４）２．Ｃａ（Ｂｌ−Ｉ、）２．Ｚｎ（１
３Ｈ４）２．に２Ｚｎ３　（１３１１４）８　　などが
好ましいものとしてあげられる。

これらは固体状態で用いることもできるが、後述才ろ種
々の有機溶媒中に溶解あるいは懸濁させて用いることが
望ましい。

これら水素化物の使用割合は特に制限はないが、原料の
ケイ素化合物中のケイ素に対して概して０、（１０（１
１乃至１００倍モルの範囲であることが好ましい。

水素化物の使用量が０．０００１モル比未満であると反
応速度が極めて遅くなりしたがって通常の反応時間では
転化率が低くすぎて実際的でなく、また１００倍モルを
越えて使用しても効果は同じであり、意味がない。

又これらの水素化物は２種以上併用することも可能であ
り、さら忙アルカリ金属および／またはアルカリ土類金
属の水素化物と併用することもできる。アルカリ金属、
アルカリ土類金属の水素化物としては例えばＬｉ１　、
　Ｎａ１ｌ　、　Ｋｌｌ　、　Ｂ　ｅＨ２，Ｍｇ１−１
．　。

Ｃａｎ□などがあげられ、これらの使用割合は通常複合
金属水素化物に対して０．１乃至１００倍モルの範囲で
ある。

本発明は要するに、上記のごとき原料たるケイ素化合物
を上記のごとき特定の水素化物と接触せしめて所望の水
素化ケイ素へと転化せしめるものであって基本的には、
ケイ素化合物と水素化物等を気相、液相、固相（気−固
、液−固等、異相系反応も含む）のいずれかの状態で接
触させることによって反応は実質的に進行する。

なお、具体的には最も実施し易い方法として、例えば以
下のような方法を採用できる。

（１）溶媒中にケイ素化合物と水素化物を溶解、あるい
は懸濁させ、反応させる方法。

（２）固体上、あるいは溶媒に溶解又は懸濁させた水素
化物にガス状のケイ素化合物を流通させる方法。

しかしながら、本発明は、これらの方法に限定されるも
のでないことはもちろんである。

この場合用いられる溶媒としては、例えばエーテル、炭
化水素、ハロゲン化炭化水素、エステル、アミン、水あ
るいはアルコールなどがあげられるが、これらの中では
ケイ素化合物および金属水素化物に対する溶解性にすぐ
れているエーテルが特に好ましい。

更に具体的にこれらを例示すれば、ジエチルエーテル、
ジ−ｎ−ブチルエーテル、エチル−１−クロロエチルエ
ーテル、エチレンクリコールジメチルエーテル、テトロ
ヒドロフラン、ジオキサン、ジフェニルエーテル、１．
１−ジェトキシエタン、アニソール、ブタン、ペンタン
、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、１−へブタン、シク
ロヘキサン、シクロヘキセン、トルエン、塩化メチル、
三フッ化三塩化エタン、ニフツ化エタ／、四フッ化二塩
化エタン、ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、メチル
アミン、エチルアミン、イングロビルアミン、エチレン
ジアミン、ピリジン、アニリン、ジメチルホルムアミド
、水、メタノール、エタノール、２−プロパツール、グ
リセリン、フェノール、シリコーンオイルなどがあげら
れる。これらは２種以上混合して用いることもできる。

本発明を実施する場合の反応温度については特に制限は
なく、０℃〜１００℃程度が通常採用されるが、液相で
反応を行う場合には室温で反応は充分進行する。反応中
に用いる雰囲気ガスとしては、該ケイ素化合物あるいは
水素化ケイ素と反応しないものが望ましく、例えば水素
、ヘリウム、アルゴン、チッ素などが好適なものとして
用いられる。

又本反応は通常、常圧下にて行なうが、加圧下にても行
ない得る。

〔発明を実施するための好ましい形態〕以下、本発明を
実施例によってより具体的に説明する。

〈実施例１〉 容量４１のセパラブルフラスコに、濃度２０ｗｔ％の塩
酸水溶液２ｌ．ジエチルエーテル３００ｑを装入した。

水素ガス雰囲気中、上記混合液が還流している条件下（
反応温度３５℃）で更にケイ化マグネシウム６０りを（
粒度１００乃至２００メソンユ、７８２ｍｍ６１−８　
ｌ　）攪拌しながら２００分かけて、０．３９／／−Ｉ
−Ｌ？＋、の一定速度で加え続けた。反応終了後（ケイ
化マグネンウム投入終了後）、反応液を０℃に冷却し、
静置後、ジエチルエーテル層約０．４１を分離した。反
応器中の酸性水溶液は８０°Ｃにまて昇温し、溶解して
いる少量のジエチルエーテルを追出し、上記二層分離し
たジエチルエーテル層と混合した。反応中、二層分離お
よび酸性水溶液の加熱処理の操作の間に生成したガスは
初め一７００Ｃに冷却したジエチルエーテルの入ったト
ラップ（トラップ（■））にて、次に液体チン素温度で
冷却したトラップ（トラップ…））にて捕集した。

次に二層分離後のジエチルエーテル層およびトラップ（
Ｉ）中のエーテルを混合したものを、実段数約３段の蒸
留塔にて蒸留し、ＳｉＨ４，５ｉ２ｌ−１．ｌ　　を蒸
留分離し、５ｉｌ（４（ｂｐ−１１２°Ｃ）、５ｉ２Ｈ
６（ｂｐ−１４，５°Ｃ）を液体チン素温度で冷却した
トラップ（■）中に追加、捕集した。トラップＧＩ）お
よび蒸留後のジエチルエーテル層にｌＩｊつたＳｉＨ４
、Ｓｉオル、５ｉ４ＩＩ、、、Ｓｉ、Ｈ，ｌの清は、ガ
スクロマトグラフにより分析、定量した。

トラップ０１）オよびジエチルエーテル層中のシラン類
の量は以下に示す値であった。

士だジエチルエーテル層中のＳＩ量を出色分析り、　ｌ
−二ところ含有階３３３　ｍｍｔ　ｊであった。またＩ
Ｒスペクトルにより、該ケイ素化合物中には、Ｓｉ　−
８Ｎ結合、Ｓ　ｉ−Ｈ結合の他に５ｉ−０−８Ｎ結合が
相当埼存在することが認められた。これに更にジエチル
エーテルを追加し、ジエチルエーテル溶液（Ｔ　）　０
．５Ｎ（含水１ｉ！：１．１ｗｔ％）を得た。この溶液
（■）中１７）　Ｓ　ｉ　７ｎ　ｌイｌ：４’；ｔ　Ｏ
，６５］、ｔ、ＬＪ　ＳＬａム７ｄ、１６１ム、またＳ
ｉ、ｌ−１６、５ｉ４１−１．。０６１度はそれぞれ０
．０３計飄ｔＬ／ｙｎ４　ＡｖＬｎ　、、　（＋　、　
１１２４ｍｍｔ≠Ｊ、＋１ｔｒＪＬｘでもった。　。

次にこのエーテル溶液（Ｉ）をモレキュラン−ブー３Ａ
　５５ｇにて脱水処理することにより、Ｓｉ濃度０．６
５１−凱σＪ、５ｂｃＬ硝ん一σム。のジエチルエーテ
ル溶液（ＴＩ）を得た。この溶液中のＳｉ３Ｈ８，５ｉ
４１−１゜の濃度はそれぞれＯｌ）３４ｍｍＪ７４−Ｉ
ＡＪＬｘ、、　０．０２０ｍｍ１ｈＩＡσ１？Ｉ、。、
また含・水量は８１）Ｉ）ｍであった。

−１５°Ｃに設定した還流コンデンサーを取付けた内容
積約５０−の反応器に、Ｌ　ｉ　Ａ　１ｌ−１４のジエ
チルエーテル溶液（ＬＩＡｌｌ（４濃度５　、５．、、
、、．１．ＩＪ　）を８．５４装入し、その後上記のケ
イ素化合物を含むジエチルエーテル溶液（Ｈ）　　１０
ｍ１を加え、室温下にて反応な行なった。反応は攪拌し
ながら行ない、また雰囲気ガスは水素とし、生成したガ
スは液体チン素温度で冷却したトラップ中に捕集した。

３０分後反応を終了し、捕集したＳ　ｉト１．　、５ｉ
２ｌ−１６の量をガスクロマトグラフにより分析、定量
した。

５ＩＨ４，５１２Ｉ−１６の量は、それぞれ４．４３７
肌べ１　、６５？ｎｍ、ｄで、これは反応液として用い
たジエチルエーテル中のケイ素の９２．１％に相当１−
る。ま生 たＳｉＨ４と５ｉ２ｌ４．のＯ成割合は、ケイ素アトム
ベ−スで（Ｓ由、／’Ｓ　＋２ｌ（６−２−７）であっ
た。

〈実施例２，３〉 実施例１において、　ＬｉＡｌｌ−１，のジエチルエー
テル溶液のかわりに、ＬｉＡｄＨ，のテトラヒドロフラ
ン溶液（濃度２　、５−ｍ４洗ｆ　）およびエチレング
リコールジメチルエーテル溶液（濃度１　、５ｍ−Ｊ／
ｍ、Ｌ　）をそれぞれ１９ｍ１．３２４用いた以外は実
施例１と同様に実験を行なった。

結果を第１表に示す。

〈実施例４乃至１１〉 実施例１において、ＬＩＡｌｌ″Ｉ４のジエチルエーテ
ル溶液のかわりに、ＮａＢＨ，の水溶液（濃度６．Ｏｙ
ｙ＋ｍσυＪ’）ヲｓｏｗ、ＮａＢＨ，のイノプロパツ
ール懸濁液（濃度３．０．Ｌｍ、ｄ７ｆＪ、　）を１５
．５−、　ＮａＢＨ，（７）ジエチレングリコールジメ
チルエーテル溶液（濃度２　、０訓、　ｊ！／、、Ｕ　
）を２３．師、Ｎ　ａ　Ｂ　Ｈ，のジメチルホルムアミ
ド溶液（濃度４．３聾ｆ≠１）を１１．Ｍ！、ＮａＡｊ
’Ｈ４のジエチルエーテル溶液（濃度３．５ｍｙａθし
冠）を１３．５ｉ、ＫＢＨ，の水−メタノール混合溶液
（重量比水／メタノール＝４／′１、濃度２、　Ｏｍｍ
Ｊ、ｌｎＵ、　）を２３．、Ｏｍｌ、Ｍｇ　（Ａ　ｉ？
Ｉ輻）２ノジエチルエーテル懸濁液（濃度２　、　Ｏｍ
ｙｎ、ａｌ／’−１）を２３．０？ｄ、Ｚ　ｎ　（Ｂ　
Ｈ＋　）２のジエチルエーテル懸濁液（ａ度２．０−＝
ａｌ、Ａｄ−を２３．０ｒｎｌそれぞれ用いた以外は実
施例１と同様に実験を行なった。

結果を第１表に示す。

〈実施例１２〉 実施例１において、Ｌ　ｉ　Ａ　７３１−ｉ４のジエチ
ルエーテル溶液のかわりに、ＮａＢＨ４のジエチレング
リコールジメチルエーテル溶液（濃度０．１ｍ、−弓１
ｎ、Ｊｌ　）１０−とＮａｔ−１のジエチレングリコー
ルジメチルエーテル懸濁液（濃度２．０−ｍσ４”）２
ｓ−の両方を加えて反応を行なった以外は実施例１と同
様に実験な行なった。

結果を第１表に示す。

〈比較例１〉 実施例１２においてＮａＢｌ（、のジエチレングリコー
ルジメチルエーテル溶液を用いなかった以外は、実施例
１２と同様に実験を行なった。

結果を第１表に示す。

〈実施例１３．１４＞ 実施例１において、ケイ化マグネシウムと塩酸との反応
をジエチルエーテルのかわりに、テトラヒドロフラン、
ペンタンを用いて行ない、更に得られた各溶液をモレキ
ュラシーブ−３Ａにて脱水処理することによりそれぞれ
下記に示すケイ素化合物の溶液を得た。

実施例１において、ジエチルエーテル溶液（１）のかわ
りにそれぞれ上記の液を用いた以外は実施例１と同様に
実験を行なった。

結果を第１表に示す。

〈実施例１５〉 実施例１３で用いたテトラヒドロフラン溶液（Ｓｉ濃度
０−６５２　Ｓ”−ｎｍｅｔｌ／ｍ１ｉａｒｂ、　）　
１０　ｍｌ　ヲ反応液とし、ＮａＡｌＨ４のテトラヒド
ロフラン溶液（濃度１　、ｙｍＪ、ｕ）　１−とＮ　ａ
　）［のテトラヒドロフラン懸濁液（濃度４　ｍｍｅ≠
Ｑ　ｌ　５−　とで反応させた以外は実施例１と同様に
実験を行なった。

結果を第１表に示す。

〈実施例１６．１７） 実施例１において、ジエチルエーテル溶液（ｒＪ）（１
）カｈ　’ｌ　Ｉｃ　Ｓ　１３Ｈ８オヨヒＳ　１Ｈ３０
ＳｉＨ□０８ｉＨ３ヲソれぞれＱ　、　２２２ｒｒ＝ｙ
ｎ、ａ４．Ａｄ、　１ａ４ｘ　、　０．２３５ｎ＋ｍσ
し冠ｌσム。

含むジエチルエーテル溶液を用いた以外は実施例１と同
様に実験を行なった。

結果を第１表に示す。

〈実施例１８〉 一１５℃に設定した還流コンデンサーを取付けた内容積
約５０１ｒＬｔの円筒形の反応器に、ＬｉＡｌＨ４のジ
エチルエーテル溶液（ＬｉＡＩＬｉ度５．５ｍｍσ１／
、Ｊ）を１０づ装入し、これに水素ガスで希釈したＳｉ
３Ｈ８のガス（濃度５　、５　ｙｄ％）を１軌σシムの
一定速度で、室温下にて６時間吹込んだ。生成ガスは液
体チッ素で冷却したトラップ中に捕集し、反応終了後ガ
スクロマトグラフによりＳｉＨ４，５ｉ２Ｈ，の量な定
量した。

結果を第１表に示す。

〈実施例１９） 内容積３００Ｗ４のオートクレーブにテトラヒドロフラ
ノを１２ｎｍ、ｌ、ＮａＡ６Ｈ，１７９仕込ンタ。コ１
ｌｃＳｉ３Ｈ８のジエチルエーテル溶液（濃度０．２２
２ｍｍ→偏）をｌ　ｍｌ１ｍＬ礼の一定速度で１時間装
入し続けた。この間、内温は１８０℃とし、又水素ガス
をｌ　ＯＱｍＡ’／ｍ　ｉｙｎ、の一定速度で吹込むこ
とにより内圧を１００に９／εｒ＆　ａｂｓに保った。

オートクレーブからの生成ガスは、液体チッ素で冷却し
たシリンダー中に捕集し、反応終了後ガスクロマトグラ
フにより分析、定量した。

結果を第１表に示す。

〔産業上の利用可能性〕

以上のごとく、本発明は、種々の方法により、例えばＳ
　ｉ　ｌ−１，、Ｓ　ｉ　、Ｈ，などの水素化ケイ素を
製造する場合において、副生する一般式Ｓ　１）（Ｈｙ
Ｏ２で表わされる高級なケイ素化合物を一般式Ｍ１ａＭ
ＩＴｏＨｃで表わされる複合金属水素化物と接触し、反
応させることにより、きわめて容易にかつ収率良く有用
なＳ　ｉＨ４、Ｓ　１２８６等に変え得るもので、その
産業上の利用可能性はきわめて高いといわねばならない
。なお、本発明の方法を従来のＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等
の水素化ケイ素の製造プロセスの一部において適用する
ことにより、該プロセス自体の経済性が大幅に向上する
ことはいうまでもない。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式Ｓｉ＿ｘＨ＿ｙＯ＿ｚ（ただしｘは１以上
   の正の整数、ｙおよびｚはそれぞれ２ｘ＋２、２ｘを越
   えない正の整数でありどちらか一方は０でなくまたｘ＝
   １の場合はｚは０ではない）で表わされるケイ素化合物
   を、一般式Ｍ＾ I ＿ａＭ＾II＿ｂＨ＿ｃ（ただしＭ＾
   I はアルカリ金属、アルカリ土類金属あるいはＺｎを
   、Ｍ＾IIは周期律表における第IIIＢ族金属を、Ｈは水
   素原子をそれぞれ示し、ａ、ｂ、ｃは正の整数でＭ＾
   I がアルカリ金属の場合にはａ＋３ｂ−ｃ＝０、Ｍ＾
   I がアルカリ土類金属又はＺｎの場合には２ａ＋３ｂ−
   ｃ＝０）で表わされる複合金属水素化物とを接触し、反
   応させることにより、一般式Ｓｉ＿ｌＨ＿２＿ｌ＿＋＿
   ２（ただしｌはｘ以下の１以上の正の整数）で表わされ
   る水素化ケイ素を製造する方法。
2. （２）ケイ素化合物（Ｓｉ＿ｘＨ＿ｙＯ＿ｚ）が一般式
   Ｓｉ＿ｘＨ＿２＿ｘ＿＋＿２（ｘは２以上の正の整数）
   で表わされるケイ素化合物である特許請求の範囲第１項
   に記載の方法。
3. （３）水素化ケイ素（Ｓｉ＿ｌＨ＿２＿ｌ＿＋＿２）が
   ＳｉＨ＿４あるいはＳｉ＿２Ｈ＿６である特許請求の範
   囲第１項もしくは第２項に記載の方法。
4. （４）ケイ素化合物が有機溶媒に溶解している状態で複
   合金属水素化物と接触せしめられる特許請求の範囲第１
   項に記載の方法。
5. （５）アルカリ金属および／またはアルカリ土類金属の
   水素化物の共存下にて反応を行なうことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の方法。