JPS61219A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
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- JPS61219A JPS61219A JP12099684A JP12099684A JPS61219A JP S61219 A JPS61219 A JP S61219A JP 12099684 A JP12099684 A JP 12099684A JP 12099684 A JP12099684 A JP 12099684A JP S61219 A JPS61219 A JP S61219A
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- JP
- Japan
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- epoxy resin
- resin composition
- parts
- groups
- inorganic filler
- Prior art date
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野ン
本発明はエポキシ樹脂組成物、特には耐湿性のすぐれた
半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
（従来の技術）
現在、半導体装置は従来のセラミック、キャン封止型の
ものに比べて大量生産性にすぐれており。
ものに比べて大量生産性にすぐれており。
しかも低価格である樹脂封止方式のものが多（なってき
ており、この封止樹脂としては電気特性。
ており、この封止樹脂としては電気特性。
機械的特性などが良好であるということから主としてエ
ポキシ樹脂が使用されている。しかし、エポキシ樹脂で
封止された半導体装置にはセラミック、キャン封止の半
導体装置にくらべて吸湿性が高（、また樹脂とフレーム
との界面を通しての水の浸入という不利があり、封止樹
脂中に加水分解性の塩素原子をはじめとするイオン性不
純物が残存しているために、水との相互作用によって半
導体装置のリーク電流を増大させたり、アルミニウム電
極の腐蝕をひきおこすなどの不利があり、半導体装置の
信頼性が低下するという欠点がある。
ポキシ樹脂が使用されている。しかし、エポキシ樹脂で
封止された半導体装置にはセラミック、キャン封止の半
導体装置にくらべて吸湿性が高（、また樹脂とフレーム
との界面を通しての水の浸入という不利があり、封止樹
脂中に加水分解性の塩素原子をはじめとするイオン性不
純物が残存しているために、水との相互作用によって半
導体装置のリーク電流を増大させたり、アルミニウム電
極の腐蝕をひきおこすなどの不利があり、半導体装置の
信頼性が低下するという欠点がある。
したがって、この半導体封止用エポキシ樹脂については
、樹脂中のイオン性不純物を除去したり、１これをトラ
ップするような添加剤を添加するということも提案され
ているが、イオン性不純物を完全Ｋかつ確実に除去ある
いはトラップすることは実質的に不可能であり一所期の
目的を達成することはできないという不利がある。
、樹脂中のイオン性不純物を除去したり、１これをトラ
ップするような添加剤を添加するということも提案され
ているが、イオン性不純物を完全Ｋかつ確実に除去ある
いはトラップすることは実質的に不可能であり一所期の
目的を達成することはできないという不利がある。
（発明の構成）
本発明はこのような不利を解決したエポキシ樹脂組成物
に関するものであり、これは（イ）フェノール硬化性エ
ポキシ樹脂１００重量部、１口）無機質充填剤１００〜
５００重量部、（ハ）一般式％式％ 素原子または同種あるいは異種の非置換または置；
換１価炭化水素基から選択される基、ｏ〈
・く４゜０＜ｂ＜２−０≦ｃ＜２．ｂ＋ａ＝ ’−ａ
）で示されるシラザンポリマー０．０５〜１０重菫部
からなることを特徴とするものである。
に関するものであり、これは（イ）フェノール硬化性エ
ポキシ樹脂１００重量部、１口）無機質充填剤１００〜
５００重量部、（ハ）一般式％式％ 素原子または同種あるいは異種の非置換または置；
換１価炭化水素基から選択される基、ｏ〈
・く４゜０＜ｂ＜２−０≦ｃ＜２．ｂ＋ａ＝ ’−ａ
）で示されるシラザンポリマー０．０５〜１０重菫部
からなることを特徴とするものである。
すなわち一本発明者らはエポキシ樹脂で封止し７こ半導
体装置における耐湿性低下の原因の一つとされる水の浸
入という問題に注目し、これを解決する方法について種
々検討した結果、フェノール硬化性エポキシ樹脂と無機
質充填剤とからなる組成物に上記したシラザンポリマー
を添加すると。
体装置における耐湿性低下の原因の一つとされる水の浸
入という問題に注目し、これを解決する方法について種
々検討した結果、フェノール硬化性エポキシ樹脂と無機
質充填剤とからなる組成物に上記したシラザンポリマー
を添加すると。
シラザンポリマーが水の浸入防止に対して極めて効果的
に作用し、結果においてこの組成物がすぐれた耐湿性を
示すことを見出し、これら各成分の種類、添加量などの
研究を進めて本発明を完成させた。
に作用し、結果においてこの組成物がすぐれた耐湿性を
示すことを見出し、これら各成分の種類、添加量などの
研究を進めて本発明を完成させた。
まず本発明において使用する（イ）成分としての７エノ
ール硬化性ＪＩＩ！ｔ！＊エポキシ樹脂とは一１分子中
に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂とフェノ
ール系硬化剤とからなる硬化可能なエポキシ樹脂であっ
て、このエポキシ樹脂には後述するようなフェノール系
硬化剤によって硬化させることが可能な限り１分子構造
１分子イ【等に特に制限はな〈従来から知られている種
々のものを使用することができ、これには例えばエピク
ロルヒドリンとビスフェノールをはじめとする各種ノボ
ラック樹脂から合成されるエポキシ樹脂−脂環式エポキ
シ樹脂あるいは塩素や臭素原子等のハロゲン原子を導入
したエポキシ樹脂等をあげることができる。なお、上記
した（イ）成分の使用にあたって。
ール硬化性ＪＩＩ！ｔ！＊エポキシ樹脂とは一１分子中
に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂とフェノ
ール系硬化剤とからなる硬化可能なエポキシ樹脂であっ
て、このエポキシ樹脂には後述するようなフェノール系
硬化剤によって硬化させることが可能な限り１分子構造
１分子イ【等に特に制限はな〈従来から知られている種
々のものを使用することができ、これには例えばエピク
ロルヒドリンとビスフェノールをはじめとする各種ノボ
ラック樹脂から合成されるエポキシ樹脂−脂環式エポキ
シ樹脂あるいは塩素や臭素原子等のハロゲン原子を導入
したエポキシ樹脂等をあげることができる。なお、上記
した（イ）成分の使用にあたって。
モノエポキシ化合物を適宜併用することは差支えす（、
このモノエポキシ化合物としてはスチレンオキシド、シ
クロヘキセンオキシド、プロピレンオキシド、メチルグ
リシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、フェニ
ルグリシジルエーテル。
このモノエポキシ化合物としてはスチレンオキシド、シ
クロヘキセンオキシド、プロピレンオキシド、メチルグ
リシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、フェニ
ルグリシジルエーテル。
アリルグリシジルエーテルーオクチレンオキシト−ドデ
センオキシドなどが例示される。
センオキシドなどが例示される。
この（イ）成分はその使用にあたっては必ずしも１種の
みに限定されるものではなく２種もしくはそれ以上を混
合して使用してもよい。
みに限定されるものではなく２種もしくはそれ以上を混
合して使用してもよい。
また、フェノール系硬化剤としては従来公知の種々のも
のを使用することができ、これには例えばフェノールノ
ボラック、クレゾールノボラック等の１分子中に２個以
上の水酸基を有するものをあげることができる。
のを使用することができ、これには例えばフェノールノ
ボラック、クレゾールノボラック等の１分子中に２個以
上の水酸基を有するものをあげることができる。
さらに本発明においては、上記した硬化剤とエポキシ樹
脂との反応を促進させる目的で各種硬化促進剤１例えば
イ之ダゾールあるいはその誘導体−三級アミン系誘導体
−ホスフィン系誘導体、シクロアミジン誘導体等を併用
することは何ら差支えない。
脂との反応を促進させる目的で各種硬化促進剤１例えば
イ之ダゾールあるいはその誘導体−三級アミン系誘導体
−ホスフィン系誘導体、シクロアミジン誘導体等を併用
することは何ら差支えない。
（ロ）成分である無機質充填剤としては、代表的なもの
として結晶性あるいは非結晶性シリカをあげることがで
き、これにはＡｅｒｏｓｉｌ （デグッサ社與商品名）
、Ｕｌｔｒａ８１１ （デグッサ社與商品名）等の市販
超微粉末シリカ（通常１〜３０μｍの平均粒径を有する
ものＬ ０ｅｌｉｔｅ （ジョンマンビル社製商品名
）、ｌｍ５ｉｌ （イリノイスミネラル社製商品名）、
結晶性あるいは非結晶性石英粉末（通常１〜３０μｍの
平均粒径な有するもの）等が例示される。一般に超微粉
末シリカは補強性にはすぐれるのであるが、増粘が著し
く流動性を阻害するため注型あるいはモールディング成
型用にはあまり適さないのでこれらの成型用に供する場
合には石英系粉末を選択使用することがよく−・これに
よればすぐれた緒特性を付与することができる。さらに
１本発明に係る組成物の用途。
として結晶性あるいは非結晶性シリカをあげることがで
き、これにはＡｅｒｏｓｉｌ （デグッサ社與商品名）
、Ｕｌｔｒａ８１１ （デグッサ社與商品名）等の市販
超微粉末シリカ（通常１〜３０μｍの平均粒径を有する
ものＬ ０ｅｌｉｔｅ （ジョンマンビル社製商品名
）、ｌｍ５ｉｌ （イリノイスミネラル社製商品名）、
結晶性あるいは非結晶性石英粉末（通常１〜３０μｍの
平均粒径な有するもの）等が例示される。一般に超微粉
末シリカは補強性にはすぐれるのであるが、増粘が著し
く流動性を阻害するため注型あるいはモールディング成
型用にはあまり適さないのでこれらの成型用に供する場
合には石英系粉末を選択使用することがよく−・これに
よればすぐれた緒特性を付与することができる。さらに
１本発明に係る組成物の用途。
目的等に応じてはシリカ系以外の充填剤も使用すること
ができ、これにはタルク、マイカ、クレー。
ができ、これにはタルク、マイカ、クレー。
カオリン、炭酸カルシウム、アルミナ、亜鉛華。
バライタ、ガラスバルーン、ガラス繊ｍ−水酸化アルミ
ニウムー水酸化カルシウム、アスベスト。
ニウムー水酸化カルシウム、アスベスト。
酸化チタン、酸化鉄、窒化けい素等をあげること−がで
きるが、これら充填剤は単独で使用することには限定さ
れず２種以上を併用してもよいことはいうまでもない。
きるが、これら充填剤は単独で使用することには限定さ
れず２種以上を併用してもよいことはいうまでもない。
この（ロ）成分である無機質充填剤は、上記（イ）成分
１００重景置部対して１００〜５００重量部の範囲で使
用することがよい。これは５００重量部を超える鼠を使
用した場合には分散が困難となるばか１）でなく、加工
性、低応力、耐クラツク性等の物性圧おいて渦足すべき
結果が碍られないからである。
１００重景置部対して１００〜５００重量部の範囲で使
用することがよい。これは５００重量部を超える鼠を使
用した場合には分散が困難となるばか１）でなく、加工
性、低応力、耐クラツク性等の物性圧おいて渦足すべき
結果が碍られないからである。
つぎに本発明の組成物を構成する（ハ）成分としてのシ
ラザンポリマーは前記した一般式 Ｒみ５ｉ（ＮＲ２）ｂＯｏで示されるもので、Ｒ１゜Ｒ
２は水素原子またはメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基などのアルキル基、フェニル基。
ラザンポリマーは前記した一般式 Ｒみ５ｉ（ＮＲ２）ｂＯｏで示されるもので、Ｒ１゜Ｒ
２は水素原子またはメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基などのアルキル基、フェニル基。
トリル基などのアリール基、ビニル基、アリル基などの
アルケニル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル
基、さらＫはこれらの基の炭素原子に結合する水素原子
のｌｓまたは全部を塩素原子などのハロゲン原子、シア
ノ基などで置換した基などから選択される同種または異
種の非置換または直換１価炭化水素基から・巽択される
基で、ａ、ｂ、ｃがそれぞれ０ ＜ ａ ＜ ４．０
＜ ｂ ＜ ２．０≦０＜２、ｂ＋ｃ＝’−”とされ４
丁）のである。このシラザンポリマーは１）一般式 ％式％ じ、Ｘ ハロゲン原子、０＜ｄ＜４．ｏ＜ｅ＜４．０＜
ｄ＋ｅ（４７で示される分子中Ｃ二少なくとも１個の（
すい素ハロゲン結合（ミ５ｉＸ）’、ｒ＠するオルガノ
ポリシロキチンと２）分子中（二少なくとも１個のけい
素ハロゲン結合を有する打機けい素化合物とン、単独−
〇あるいは併用して打機溶媒の存在下でアンモニアまた
は第１級アミンと反応させることｌ二よってぺ易Ｃニイ
尋ることかできる。
アルケニル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル
基、さらＫはこれらの基の炭素原子に結合する水素原子
のｌｓまたは全部を塩素原子などのハロゲン原子、シア
ノ基などで置換した基などから選択される同種または異
種の非置換または直換１価炭化水素基から・巽択される
基で、ａ、ｂ、ｃがそれぞれ０ ＜ ａ ＜ ４．０
＜ ｂ ＜ ２．０≦０＜２、ｂ＋ｃ＝’−”とされ４
丁）のである。このシラザンポリマーは１）一般式 ％式％ じ、Ｘ ハロゲン原子、０＜ｄ＜４．ｏ＜ｅ＜４．０＜
ｄ＋ｅ（４７で示される分子中Ｃ二少なくとも１個の（
すい素ハロゲン結合（ミ５ｉＸ）’、ｒ＠するオルガノ
ポリシロキチンと２）分子中（二少なくとも１個のけい
素ハロゲン結合を有する打機けい素化合物とン、単独−
〇あるいは併用して打機溶媒の存在下でアンモニアまた
は第１級アミンと反応させることｌ二よってぺ易Ｃニイ
尋ることかできる。
なお、この反１心に２いて便１．４Ｊされる上記１）の
オルガノポリシロキチンとしては次式 ％式％ ：８１０ （上を己Ｃ二３けるＲ は１ｉＴバ己ｆ二同じ、Ｒ３は
エチレンへ、プロピレン基、ブチレン基などのアルキレ
ン基またはフェニレン基、メチルフェニレン基などのア
リレン基から選択される同種または異種の非置換または
置換の２価炭化水累基、ｄ、θは１〜３の整数、ｍ、ｎ
−ｐは任意の正数）で示されるものが例示されるが、こ
れはこれらの混合物であってもよい。
オルガノポリシロキチンとしては次式 ％式％ ：８１０ （上を己Ｃ二３けるＲ は１ｉＴバ己ｆ二同じ、Ｒ３は
エチレンへ、プロピレン基、ブチレン基などのアルキレ
ン基またはフェニレン基、メチルフェニレン基などのア
リレン基から選択される同種または異種の非置換または
置換の２価炭化水累基、ｄ、θは１〜３の整数、ｍ、ｎ
−ｐは任意の正数）で示されるものが例示されるが、こ
れはこれらの混合物であってもよい。
また、この反応に使用される前記２）のを機けい素化合
物としては次の一般式 ％式％ （こ＼にＲは前記に同じ、Ｘはハロゲン原子。
物としては次の一般式 ％式％ （こ＼にＲは前記に同じ、Ｘはハロゲン原子。
ｆは０〜３の整数、ｇは１〜３の整数でｆ＋ｇ＝１〜３
）で示されるものが例示されるが、これはこれらの混合
物であってもよい。
）で示されるものが例示されるが、これはこれらの混合
物であってもよい。
この（ハ）成分としてのシラザンポリマーの添加量は前
記（イ）成分１００重量部に対し０．０５重量部末ｉ
満では耐湿性向上の効果があまりみられ
ず一１０′：１ 重量部以上とするとこの組成物から得られる硬化物のガ
ラス転移点が低くなり一機械的強度の低下もみられるよ
うになるので０．０５〜１０重量部の範囲とする必要が
あるが、好ましくは０．５〜３重量部の範囲とすること
がよい。また、このシラザンポリマーの添加は、これを
エポキシ樹脂と無機質充填剤との界面に存在させて−こ
の界面を通して水の浸入を防止させるというものである
こと。
記（イ）成分１００重量部に対し０．０５重量部末ｉ
満では耐湿性向上の効果があまりみられ
ず一１０′：１ 重量部以上とするとこの組成物から得られる硬化物のガ
ラス転移点が低くなり一機械的強度の低下もみられるよ
うになるので０．０５〜１０重量部の範囲とする必要が
あるが、好ましくは０．５〜３重量部の範囲とすること
がよい。また、このシラザンポリマーの添加は、これを
エポキシ樹脂と無機質充填剤との界面に存在させて−こ
の界面を通して水の浸入を防止させるというものである
こと。
このシラザンポリマーは水またはＥＥＳｉＯＨ基。
ＥＣ−ＯＨ基などの水酸基によってアンモニア、アミン
などを副生じ−これらは極めて揮発し易いので系外への
除去も容易であるが、これらがエポキシ樹脂成形時に発
生するとその成形性をわる（する可能性があるというこ
とから一子じめ（ロ）成分としての無機質充填剤の表呵
ト理しておくことがよい。この無機質充填剤への処理は
例えば無機質充填剤をヘンシェルミキサー、ボールミル
などの中で攪拌しながら、必要に応じ有機溶剤に溶解さ
せた（ハ）成分をスプレーで吹きつけるようにすればよ
く、この際副生ずるアンモニア−アミンなどを完全に除
去するためには、ついで減圧下に加熱処理すればよい。
などを副生じ−これらは極めて揮発し易いので系外への
除去も容易であるが、これらがエポキシ樹脂成形時に発
生するとその成形性をわる（する可能性があるというこ
とから一子じめ（ロ）成分としての無機質充填剤の表呵
ト理しておくことがよい。この無機質充填剤への処理は
例えば無機質充填剤をヘンシェルミキサー、ボールミル
などの中で攪拌しながら、必要に応じ有機溶剤に溶解さ
せた（ハ）成分をスプレーで吹きつけるようにすればよ
く、この際副生ずるアンモニア−アミンなどを完全に除
去するためには、ついで減圧下に加熱処理すればよい。
本発明の組成物は上記ビ）、（口ｊ、（ハ）成分をロー
ルなどで混合することによって得られるが、これは前記
したよう［１０）成分としての無機充填材を（ハ）成分
としてのシラザンポリマーで処理してからビ）成分とし
てのエポキシ樹脂と混合することがよい。
ルなどで混合することによって得られるが、これは前記
したよう［１０）成分としての無機充填材を（ハ）成分
としてのシラザンポリマーで処理してからビ）成分とし
てのエポキシ樹脂と混合することがよい。
しかし、この組成物には目的−用途に応じて種々の添加
剤１例えばカーボンブラックなどの顔料。
剤１例えばカーボンブラックなどの顔料。
脂肪酸、ワックスなどの離型削、アンチモン化合物、ハ
ロゲン化合物などの難撚剤、各押可撓性付与剤などを配
合してもよい。
ロゲン化合物などの難撚剤、各押可撓性付与剤などを配
合してもよい。
つぎに本発明の実施例をあげるが１例中の部は重量部を
示したものであり−この例で得られた成形品の物性は下
記の方法による試験結果を示したものである。
示したものであり−この例で得られた成形品の物性は下
記の方法による試験結果を示したものである。
（Ａｔ配線腐蝕テスト）
半導体用けい素チップＫｍ中５μ、膜厚１μのアルミニ
ウム配線を施したものを６０ＰＩＮフラツトバツクのフ
レームにマウントしたテストフレームをエポキシ樹脂組
成物で１８０℃、２分の成形条件で封止し、１８０℃で
２４時間アフターキュアーを行なったのち、これを１２
１℃、２．２気圧のプレッシャクツカー内に放置し、１
．０００時間後におけるＡｔ配線の腐蝕率を測定した。
ウム配線を施したものを６０ＰＩＮフラツトバツクのフ
レームにマウントしたテストフレームをエポキシ樹脂組
成物で１８０℃、２分の成形条件で封止し、１８０℃で
２４時間アフターキュアーを行なったのち、これを１２
１℃、２．２気圧のプレッシャクツカー内に放置し、１
．０００時間後におけるＡｔ配線の腐蝕率を測定した。
（接着力テスト）
６酊Ｘ１１ｍ１Ｘ２００μのテストピース２枚を第１図
に示したような形状に１８０Ｃ−２分の条件で樹脂封止
し、１８０℃、４時間のアフターキュアーを行なったの
ち、この成形物のテストピースを第１図に示した方向に
引張り、接着力を測定した。
に示したような形状に１８０Ｃ−２分の条件で樹脂封止
し、１８０℃、４時間のアフターキュアーを行なったの
ち、この成形物のテストピースを第１図に示した方向に
引張り、接着力を測定した。
（赤インク浸入テスト）
上記の接着力テストで得た成形物を赤インク液に浸漬し
、５気圧の汁力下で１６時間放置した後。
、５気圧の汁力下で１６時間放置した後。
フレームと封止樹脂との界面における赤インクの浸入状
態を調べ、赤インクの界面への侵入距離でその良否を測
定した。
態を調べ、赤インクの界面への侵入距離でその良否を測
定した。
（吸水率）
エポキシ樹脂組成物を１８０℃、２分の成形条件で５０
間グ×３朋の円板に成形し、１８０℃で４時開アフター
キュアーをしたのち、１２１℃２．２気圧のプレッシャ
ークツカー中に１００時間放置したときの吸水率を測定
した。
間グ×３朋の円板に成形し、１８０℃で４時開アフター
キュアーをしたのち、１２１℃２．２気圧のプレッシャ
ークツカー中に１００時間放置したときの吸水率を測定
した。
（ガラス転移温度）
エポキシ樹脂組成物を１８０℃、２分の成形条件で３
＊ｔｘ ９３ Ｘ高さ２０關の円柱状に成形し。
＊ｔｘ ９３ Ｘ高さ２０關の円柱状に成形し。
１８０℃で４時間アフタキュアーしてから、アグネＤＬ
Ｉ ５００ （真空理工社製商品名）を用いて測定した
。
Ｉ ５００ （真空理工社製商品名）を用いて測定した
。
実施例１゜
４ クレゾールノボラック金エポキシ
に脂・ＥＯＮ１２８０（チバ社製商品名）７０部、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂・ＭＰ−１２０（群栄
化学社製商品名）３０部−１，８−ジアザビシフワラ２
フ１部−カーボンプラック１部およびヘンシェルミキサ
ー中に装入された溶融シリカ２５０部に攪拌しながら第
１表に示したシラザンポリマーの０Ｈ２０ｔ２５％溶液
を吹きつけ、１２０℃で２時間熱処理して得たシリカと
を６０〜１００℃に加熱されたミキシング２本ロールで
５分間混練１１１＝たのち冷却し、ついで粉砕して組成
物■〜■を作ると共に、比較例としてシラザンポリマー
を添加しない組成物■およびシラザンポリマーの代わ鳴
）にｒ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン１部
を添加して組成物■を作った。
に脂・ＥＯＮ１２８０（チバ社製商品名）７０部、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂・ＭＰ−１２０（群栄
化学社製商品名）３０部−１，８−ジアザビシフワラ２
フ１部−カーボンプラック１部およびヘンシェルミキサ
ー中に装入された溶融シリカ２５０部に攪拌しながら第
１表に示したシラザンポリマーの０Ｈ２０ｔ２５％溶液
を吹きつけ、１２０℃で２時間熱処理して得たシリカと
を６０〜１００℃に加熱されたミキシング２本ロールで
５分間混練１１１＝たのち冷却し、ついで粉砕して組成
物■〜■を作ると共に、比較例としてシラザンポリマー
を添加しない組成物■およびシラザンポリマーの代わ鳴
）にｒ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン１部
を添加して組成物■を作った。
つぎにこの組線物Ｉ〜■についてその物性をしらべたと
ころ−これらは第１表に併記したとおりの結果を示した
。
ころ−これらは第１表に併記したとおりの結果を示した
。
（註）
囚・・・ ジメチルジクロロシラン／メチルトリクロロ
シラン＝ １ ／ １モルと過剰のＮＨ３との反応物 （Ｂ）・・・ フェニルメチルジクロロシラン／テトラ
クロロシラン＝４／１モルと過剰のＮＨ３との反応物 ＋０１・・・ ジメチルジクロロシラン／と過剰のＮＨ
５との反応物 ロキサン／ジメチルピニイサセン；１／４モルと過剰の
ＮＨ，との反応物 実施例２゜ フェノールノボラック型エポキシ樹脂・ＥＰＰＮ（日本
化薬社製商品名）６５部、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂ＭＰ−１２０（Ｍ出）３５部ｙトリフェニルホ
スフィンＩＩＬカルナバワックス１部、カーボンブラッ
ク１部および第２表に示した量の実施例１で使用したシ
ラザンポリマー（４）で表面処理をした溶融シリカ２５
０部を実施例１と同様に混練りして冷却後粉砕して組成
物■〜′Ａ１］を作り、これらについての物性をしらべ
たところ一第２表に併記したとおりの結果が得られた。
シラン＝ １ ／ １モルと過剰のＮＨ３との反応物 （Ｂ）・・・ フェニルメチルジクロロシラン／テトラ
クロロシラン＝４／１モルと過剰のＮＨ３との反応物 ＋０１・・・ ジメチルジクロロシラン／と過剰のＮＨ
５との反応物 ロキサン／ジメチルピニイサセン；１／４モルと過剰の
ＮＨ，との反応物 実施例２゜ フェノールノボラック型エポキシ樹脂・ＥＰＰＮ（日本
化薬社製商品名）６５部、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂ＭＰ−１２０（Ｍ出）３５部ｙトリフェニルホ
スフィンＩＩＬカルナバワックス１部、カーボンブラッ
ク１部および第２表に示した量の実施例１で使用したシ
ラザンポリマー（４）で表面処理をした溶融シリカ２５
０部を実施例１と同様に混練りして冷却後粉砕して組成
物■〜′Ａ１］を作り、これらについての物性をしらべ
たところ一第２表に併記したとおりの結果が得られた。
第１図ａ）は本発明のエポキシ樹脂組成物の接着力テス
ト方法の縦断面図、ｂ）は七の構成図を示したものであ
る。 １・・・テストピース、 ２・・・封止樹脂手続ネ甫ｉ
ｌ］三讐）（方式） １．事件の表示 昭和５９年特許願第１２０９５１６８ ２、発明の名称 エポキシ樹脂組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２０６）信越化学工業株式会社４゜代理人 住所〒１０３東京都中央区日本橋本町４丁１１９番地発
送日：昭和５９年９月２５日 ６、補正の対象 「 図 面 」
ト方法の縦断面図、ｂ）は七の構成図を示したものであ
る。 １・・・テストピース、 ２・・・封止樹脂手続ネ甫ｉ
ｌ］三讐）（方式） １．事件の表示 昭和５９年特許願第１２０９５１６８ ２、発明の名称 エポキシ樹脂組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２０６）信越化学工業株式会社４゜代理人 住所〒１０３東京都中央区日本橋本町４丁１１９番地発
送日：昭和５９年９月２５日 ６、補正の対象 「 図 面 」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（イ）フェノール硬化性エポキシ樹脂１００重量部 （ロ）無機質充填剤、１００〜５００重量部 （ハ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［
こゝにＲ＾１、Ｒ＾２は水素原子または同種あるいは異
種の非置換または置換１価炭化水素基から選択される基
、０＜ａ＜４、０＜ｂ＜２、０≦ｃ＜２、ｂ＋ｃ＝（４
−ａ）／２］で示されるシラザンポリマー０．０５〜１
０重量部からなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12099684A JPS61219A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12099684A JPS61219A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61219A true JPS61219A (ja) | 1986-01-06 |
| JPS6247883B2 JPS6247883B2 (ja) | 1987-10-09 |
Family
ID=14800200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12099684A Granted JPS61219A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490253A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Epoxy resin composition and its production |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3975757A (en) * | 1974-05-31 | 1976-08-17 | National Semiconductor Corporation | Molded electrical device |
| JPS558095A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-21 | Ibm | Method of forming impurity area |
| JPS5530716A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-04 | Toshiba Corp | Constant current controller of converter |
| JPS56122145A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Resin composition for sealing semiconductor device |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP12099684A patent/JPS61219A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3975757A (en) * | 1974-05-31 | 1976-08-17 | National Semiconductor Corporation | Molded electrical device |
| JPS558095A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-21 | Ibm | Method of forming impurity area |
| JPS5530716A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-04 | Toshiba Corp | Constant current controller of converter |
| JPS56122145A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Resin composition for sealing semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490253A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Epoxy resin composition and its production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6247883B2 (ja) | 1987-10-09 |
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