JPS61222986A - 結晶成長膜厚制御法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、真空中で結晶成長を行なうにあたり、成長膜
厚の制御として単原子層を単位として、一層ごと数えな
がら任意所望の暦数まで成長を行う結晶成長膜厚制御法
、および混晶結晶の混晶組成比を正確に決定し、以て正
確な混晶組成比を持つ標準結晶を成長させることのでき
る方法に関する。

〔従来技術〕

従来、真空中での結晶成長（以下結晶成長と呼ぶ）にお
いては、成長膜厚の制御は結晶成長装置のシャッタの開
いている時間で行なっていた。さらに、混晶結晶の混晶
組成比（以下組成比と呼ぶ）は、結晶を成長させた後に
Ｘ線や組成分析装置等により決定していた。以下、これ
らを図面を参照して説明する。

第１図は結晶成長装置の概略構成図であり、ここで、１
は結晶基板（以下基板と呼ぶ）、２は基板１を加熱する
ヒータ、３は結晶成長に必要な材料（以下ソースと呼ぶ
）であり、ＧａＡｓの場合にはＧａやＡｓ、あるいはド
ーパントのＳｉやＢｅである。

ソースをイオンとして得たい場合にはイオンガン４を設
ける必要がある。さらに、ソースが高融点材料である場
合には電子銃やスパッタリング装置５が必要である。ま
た、ソースがガス状態である場合には、ポンベ６及び流
量コントローラ７が必要である。それぞれのソースには
、ソースの蒸気（以下フラックスという）を開閉するセ
ルシャッタ（以下シャッタと呼ぶ）８を設けである。

９は全てのソースのフラックスを基板１に対して開閉す
るメインシャッタである。いずれのシャッタにもそれを
駆動するシャッタ駆動装置１０が備えである。　１１は
各々のソースのフラックスの量を知るための真空計、す
なわちフラックスモニタである。

１２は反射電子線回折装置（以下Ｒ）ＩＥＥＤという）
のガン（銃）の部分であり、このガン１２から出た電子
１３は基板ｌの表面を通りＲＨＥＥＤの蛍光スクリーン
（以下スクリーンという）１４に達する。このとき、電
子１３は基板１によって回折を受は回折ス３やその他の
ソースのシャッタ８及びメインシャッタ９を開き、他方
、成長を止めるためにはこれらシャッタ８および９を閉
じる＊　ＧａＡｓ、　　ＡＪｌｊＧａＡｓのような結晶
を成長させるには、通常Ａｓのフラックスは常に開けて
おき、ＧａやＡｆＬのシャッタのみを開閉して成長の開
始及び停止を行なう、混晶の場合は、ＧａとＡｉのシャ
ッタを同時に開閉して成長の開始及び停止を行なう、以
後、結晶としてはＧａＡｓ、　　Ａ　Ｉ　Ａｓ、混晶と
してＡ、Ｑ［ａＡｓを例にして説明を行なう。

従来、成長した結晶の膜厚を知るためには、先ず、成長
前にフラックスモニタ１１でＧａ、ＡＪＩＬ及びＡｓの
フラックスをあらかじめ測定し、その後そのフラックス
で長時間（約１時間）成長した膜厚（約！；００（ＩＡ
〜２７１ｍ程度）を光学干渉顕微鏡や薄膜厚計にて計測
し、膜厚の成長速度とフラックスとの関係を示す成長速
度の較正表を作り、２度目からはフラックスの値と成長
時間のみで成長速度から膜厚を推定する方法がとられて
いた。短時間成長で得られる単原子層に近い数人から数
１００人の場合にもこの長時間成長で得た成長速度の較
正表を基にして全く同様にフラックスの値と成長時間か
ら推定していた。しかし、この方法ではシャッタを開ス
の時間変化の実測例を示す。

シャッタを開いてから数分間にわたりフラックスが変化
し、この間は成長速度は一定ではない。

従って、従来行なわれてきた成長速度の較正表を用いる
方法は、成長速度が一定とならない時間帯では適用でき
ない、特に超格子のようなデバイスを作る場合には、斂
秒聞から数分間にシャッタの開閉を必要とするため、成
長速度が一定となっていない時間帯にシャッタの開閉を
行なうことになり膜厚が定まらないことになる。

第３図（ａ）および（ｂ）にＡ、Ｈの２種類の結晶を遂
次成長した場合の単原子層の並びの２つの例を膜式的に
示す。

第３図（ａ）は、上述のように従来の方法で成長した場
合の例であり、単原子層単位では界面がゆらいでいる。

さらにまた、Ａ１．Ｘ　Ｇａ１−）（Ａｓのような混晶
結晶を作った場合には混晶組成比Ｘを決定する必要があ
る。このＸを決定するには、従来１次の方法がとられて
いる。即ち、成長前にＧａ、　　Ａｎ、Ａｓのフラック
スを第１図のフラックスモニタｉｔで測定しておき、そ
れぞれのフラックスでのＧａＡｓ及びＭＡｓの再結晶の
成長速度を出しそれぞれの較正表を作る。　ＧａＡｓと
Ａ立Ａｓの成長速度から同時成長した場合の成長速度と
組成比Ｘを求め、成長後にＸ線による格子定数の測定１
組成分析による分析などを行ない、どのデータも矛盾な
く説明できる個を組成比Ｘの値と決定する。従来性われ
ているこの組成比の決定においても、長時間成長におけ
る成長速度を基にしているため、フラックスが一定値と
ならない時間帯では組成比を決定できない。

ず、有効数字にして１桁から２桁の精度である。

従って、従来の方法による膜厚の精度や組成比の精度も
高々２桁である。しかも、短時間成長の場合は、これよ
りさらに精度が低い０組成比を原理的に高精度に求める
ことができれば、組成比の定まった標準結晶ができるこ
とになる。

従来の膜厚の制御方法では、上述のように膜厚が定まら
ず、ヘテロ接合の界面が不確定になる。

しかもまた、混晶の組成比が定まらないため、実際には
デバイスの設計通りには製作できないことになる。

従って量子井戸レーザや多量子井戸レーザのレーザ波長
が広がったり、数本に分裂したり、レーザ波長自身が設
計値通りには実現されなかったりする。　ＬＥＤにおい
ては、発光波長が設計値からずれたり、効率が悪くなっ
たりする。また、などを生じ、高速動作の妨げとなる。

さらに、ｌバリアダイオード、２バリアダイオード、チ
ャープ超格子のように、縦形の超格子デバイスや超格子
ゲートＦＥＴなどにおいては、界面の不確定性や設計値
からのずれにより、特性が大きくばらつくことになる。

このように、各素子を作成するにあたりいずれも上述の
問題点の解決、改善が強く期待される。

〔発明の目的〕

そこで、本発明の目的は、上述のような欠点を取り除き
、量子井戸レーザや多量子井戸レーザやＬＥＤにおいて
は、その波長の狭帯化、波長安定化高効率化、さらに、
　ＨＥＮＴや２次元電子デバイスでは、高速化、高信頼
化、超格子デバイスでは特性の安定化、高精度化、高信
頼化が行なえるように、定まった界面と、非常に良く制
御された膜厚や組成比をもった結晶が成長できる結晶成
長膜厚制御法および混晶組成比決定法を提供することに
ある。

〔発明の構成〕

かかる目的を達成するために、本発明は、真空中におけ
る結晶成長にあたり、反射電子線回折装置により反射電
子線回折像を形成し、その回折像の強度の時間変化に同
期して結晶成長の開始及び停止を制御することを特徴と
する。

〔実施例〕

以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第４図は本発明に適用される結晶成長装置の概略構成図
を示す、ここで、第１図と同様の部分については同一符
号を付してその詳細な説明は省略する。

図において、ＩＢはカメラレンズ、　１７は光ファイバ
、１８は光ファイバを縦横に移動させるＸ−Ｙステージ
、１９は受光器、２０はレコーダ、２ＩはＡ−Ｄ変換器
、２２はコンピュータ、２３はシャツタ開閉駆動制御装
置である。

いま、スクリーン１４上に映出されたＲＨＥＥ［＋像を
カメラレンズ１６でｘ−Ｙステージ１６の上に結像させ
、その像の適当な一点の光をファイバ１７で受光器１９
に導き、その出力信号をＡ−Ｄ変換器２１を通してコン
ピュータ２２に供給する。一方、受光器１８の出力信号
をレコーダ２０にも出力してモニタする。コンピュータ
２２の指令に基づきシャー２夕開閉駆動制御装置２３が
働き、それぞれのソースのシャッタ８、メインシャッタ
９、イオン銃４の引き出し電圧、ガスの流量制御、電子
銃５の電子電流等が開閉、半開、ＯＮ、ＯＦＦ等の制御
ができるようにすることができる。

ＲＨＥＥＤ像の中でも特に強度の強い、鏡面反射の電子
線の像（以後スペキュラという）の強度を結結晶の成長
は開始し１時間とともに、このスペキュラの強度は■、
■、■、■、−ｍ−−■と振動する。スペキュラ以外の
点でも振動は生じている。

現在このＲＨＥＥＤ像に振動が出る理由としては、結晶
の成長メカニズムが第５図（ｂ）に示すように力ゝ：＋
竹（θ＝　０．５）のときに最も凹凸のはげしい表面と
なる。さらに成長が進み、■の時に一層の成長が終り、
その、はとんどが新しい成長層で覆われ、再びきれない
平面状態を示すようになる。以下これを繰り返すため、
ＲＨＥＥＤ像の強度が振動する。さらにこの振動数が成
長速度に比例することが知らはｌ単原子層に相当すると
して説明する。従って、第５図（ａ）の■から■の間に
１単原子層、■から■までに１単原子層が成長したこと
になる。

そこで、成長開始と同時にこの振動の数を計数すること
により、何層目の成長をしているかを知ることができる
。　ＧａＡｓ、　　ＡｌＡｓ結晶の単原子層は、　Ｇａ
とＡｓの対層、　ＡｉとＡｓの対層がそれぞれ単原子層
である。　　Ａｎ　Ｘ　Ｇａ１−Ｘ　　Ａｓのように混
晶の場合は、　（Ａｌｌ　Ａｓ）父と（ＧａＡｓ）　＋
−ｘとの両方で１単原子層を形成する。

る。

初期位相が変わった場合の実測例を第６図（ａ）〜（ｅ
）に示す。

第６図（ａ）〜（ｅ）における番号■〜■のうち、どの
初期位相で振動が開始したとしても■〜■がｌ単原子層
であり、■〜■が次の１単原子層に相当する。従って、
第４図において、受光器１８の出力信号をＡ−Ｄ変換器
２１を通してコンピュータ２２に入力し、コンピュータ
２２にて、成長開始の時点からこのＲＨＥＥＤ像の振動
の様子を測定し、成長中には第何層目のどの位相点で成
長中かをコンピュータ２２に判断させることができる。

従って、第６図（ａ）〜（ｅ）において丁度成長を開始
した初期位相■に整合のとれた■や■と同等の位相に同
期して、成長をとめることができるようにコンピュータ
２２からシャツタ開閉駆動制御装置２３に信号を送るこ
とができる。シャッタ開閉駆動制御装Ｍ２３はコンピュ
ータの信号によってシャッタ駆動装置１０を起動する。

さらに、この制御装置２３はガスの流量コントローラ７
、イオン銃４の引き出し電圧、電子銃５の電子電流を制
御して結晶成長を停止することができる０以上のように
して、任意の単原子層数のところで成長を止めることが
できる。

Ｒ）ＩＥＥＤ像の振動は第５図、第６図に示すように減
衰振動を示しており、長時間経ると振動は見られなくな
り、単原子暦数が数えられなくなる。しかし、種々の初
期位相を持ったＲＨＥＥＤ像の振動が、シャッタを開い
て成長を開始した後に、減衰したとしても、第７図（ａ
）〜（ｅ）に示すように、シャッタを閉じて成長を一時
中断し、回復時間をおいて、再びシャッタを開いて成長
を開始すると、再び振動が現われる。このとき、回復時
間が短いと、生じる振動の振幅も小さく１回復時間が十
分に長いと全く同じ振幅で振動が再開される。

第７図（ａ）〜（ｅ）において黒くなっているところを
、３７層積層し、その上に同じく３０層さらにその上に
１８層を成長させ、計８５層、膜厚にして２４（Ｌ５５
人（１単原子層をＧａＡｓの格子定数 ａＯ＝５．８５人の半分−＝２．８３人として計算）積
層したことになる。振動の減衰がはげしく振動の山谷が
ノイズレベルになる場合には、コンピュータによってこ
れを判断し、上述の回復期間を入れて成長を再開するこ
とにより、はぼ無限に近い、すなわちソースが無くなる
まで、成長層数をデジタル計数しながら成長させること
ができる。従って、成長膜厚も単原子層に換算して何層
まで成長したかに応じて、　（Ｍ数）×（単原子層の厚
み）で計算することができる。

第９図の実施例は、異なる結晶のへテロ接合及び混晶を
成長させたときのＲＨＥＥＤ像の振動の例である。

この例では、先ずＧａシャッタを開いてＧａＡｓを１０
層成長し、次にＧａは開いたままＡｓＬのジッタを開き
　ＡＪＩＬＧａＡｓを１０層成長させ、その上にＧａシ
ャッタを閉じてＡｌＡｓのみを１０層成長させ、ざらに
Ｇａシャッタを開いてＡ１ＧａＡｓを１０層成長させ、
最後にＧａＡｓのみを１０層成長させたものである０以
上により合計５０層（約１４２．５人）成長した。

第９図から明らかなように、ＲＨＥＥＤ像の強度の１振
動が１単原子層に相当しているため、この振動数から混
晶Ａ見Ｘ　Ｇａ１−ｙ　Ａｓの組成比Ｘを直接知ること
ができる。即ち、　ＧａＡｓの振動数をｆ　（ＧａＡｓ
）ＡｌＡｓの振動数をｆ（ＡすＡ＋）とするならば１組
成比Ｘは、 で与えられる。一方、Ａ見ＸＧａ　１−ｘＡｓの振動数
をｆ（ＡｆＪ、ＧａＡｓ）とするならば、組成比Ｘは１
’Ｘ　’Ｆ　　全　白ン で与えられる０式（１）と（２）で与えられるＸの値は
本来一致すべきである０式（１）はＡＪＬＡｓ％ＧａＡ
ｓの各々の振動数が知れていて、これら両方を同時に成
長させたとき成長する混晶ＡｎｘＧａ　、、　Ａｓの組
成比Ｘを与えるものである０式（２）は、Ａ１ＧａＡｓ
、　ＧａＡｓの各々の振動数が知れていて、これから成
長しているＡＭの濃度を知る方法である。Ｇａのセル温
度、即ち出てくるＧａのフラックスを一定にしておき、
ｌのセル温度、即ちＡｎのフラックスを変えながら式（
１）と（２）の一致の仕方を見たのが次の第１表である
。ｉ１表かられかるように、両式（りと（２）との一致
は非常に良い。

（以　下　余　白） 第１表において、式（１）の方法で決めたＸの値の方が
式（２）の方法で決めた値よりほんの少し高く出ている
ものが多い、これは、　　ＡｆＬＡｓ、　ＧａＡｓを各
々単独に成長する場合、ＡｆＬＡｓ、　ＧａＡｓともに
それほど振動が長く持続せず、第２図において述べた成
長開始初期に生じるフラックスの時間変化に起因してい
る。すなわち、成長開始初期はフラックスが大きく成長
速度も速く、かつ、振動数も高くなる。ところが、Ａｕ
ＧａＡｓは振動がＧａＡｓの単独の成長の場合よりも非
常に長く持続し、成長開始の初期状態のフラックスの変
化が収った後まで振動しており、ＡｌＧａＡｓの振動数
を算出するのに成長初期状態を除くことができる。さら
に、ＧａＡｓの振動数を算出する場合にも、Ａ　Ｉ　Ｇ
ａＡｓの振動状態からＡＩのシャッタを閉じるとその後
にＧａＡｓだけで振動するときの振動数から算出できる
ため、この場合もＧａＡｓの振動の中には成長初期状態
で生じるようなフラックスの変化による高振動数の部分
が混入してこない、従って、式（２）の方法で与えられ
る組成比Ｘは非常に正確な値となる。従って、本発明方
法で決定した組成比Ｘは、成長中に決定できる利点をも
ち、かつ、これまでの従来方法によるＸ値より正確であ
る。従って１本発明方法で組成比を決めて成長した混晶
は標準混晶結晶とすることができる。

第１０図の左側部分にはＧａＡｓ結晶の中にＡｆＬＡｓ
１００層（１個所）、５０層（３個所）、２０層（３個
所）　１０層（３個所）、５層（３個所）、２層（３個
所）、１層（３個所）　、　１３０層（１個所）ヲソれ
ぞれ１００層のＧａＡｓ層によって分離じて配置した結
晶（全暦数２．３９４暦）の構造を示し、第１ｏ図の右
側部分にはその結晶についてのエッチした壁間断面の走
査形電子顕微鏡（ＳＥＷ）写真を示す、この結晶におけ
る暦数はＲ）ＩＥＥＤ像の振動の数で決めたものである
。ここで２層のＡｆＬＡｓ層によるストライプを明瞭に
判別できる。この写真は、　１０１０００倍で撮影した
ものであり（写真中に白線で９８ｎｒｔｒが示されてい
る）、この倍率が正しいとすれば、　（全体の暦数）Ｘ
（一層の厚さ）×（倍率）と写真上の全体の幅とは非常
に良い一致を示し、逆に一層の厚さを出すと２．８３Ｘ
と従来知られている値と一致する。従って、ＲＨＥＥＤ
像の１周期は、１単原子層に相当する。

本発明を利用して、ＧａＡｓを３層、およびＡｆＬＡｓ
を３層、交互に成長してＣＧａＡｇ）３（ＡｆＬＡｓ）
ｊ超格子を形成した時のＲＨＥＥＤ像の振動波形を第１
１図に示す。

その成長にあたって、先ず、ｌのシャッタを開き、３層
のＡｌＡｓ層を成長させた。初期位相を山になるように
選んだので、Ａ文Ａｓの成長停止を中の所で行ない、５
秒間の回復時間を取り、ＧａＡｓρ初期位相が山の所に
なるように選び３層成長させ、やはり山の所で成長を停
止させ、さらにまた５秒間回復時間を取った。この過程
を次々とコンピュータにより制御して、繰り返し成長を
行なった。

第４図の装置において、ファイバ１７と受光器１８及び
Ａ−Ｄ変換器２１を一組のみ用いたが二組以上用いる場
合を次に示す、　ＲＨＥＥＤ像は、そのほとんど全ての
明線、明点が、わずかながらでも成長開始とともに振動
を示す、従って、　ＲＨＥＥＤ像を２点以上にわたって
観測して正確な初期位相の情報を得て、振動の形を予測
し、成長の停止、再開を行なわせることは、コンピュー
タにかなりの負担をかけることになるにもかかわらず、
重要なことであり、より高精度に成長結晶の膜厚制御が
可能となるばかりでなく、高精度に混晶の組成比も決定
できる。このような場合の装置の構成を第１２図に示す
。

第１２図、第４図の例において、ＲＨＥＥＤスクリーン
１４の近く又は基板ｌとスクリーン１４との間に交流磁
界を発生するコイル２４を設け１回折された電子線にＲ
ＨＥＥＤ像の振動数より約１０倍以上高い周波数の変調
をかけてＲＨＥＥＤ像の振動を観測する。受光器１８の
出力を位相検波することにより、一層の高Ｓ／Ｎ比でＲ
ＨＥＥＤ像の振動を測定でき、これによりコンピュータ
に質の高い情報を久方することができる。

さらに、第４図の装置において、カメラレンズ１８〜Ａ
−Ｄ変換器２１の系統に代えて、第１３図に示すように
、テレビカメラ２５、テレビカメラ駆動装置２６、モニ
ターテレビ２７、レコーダ２ｏを設け、テレビカメラ２
５で撮像したＲＨＥＥＤ像をモニターテレビ２７に映出
すると同時に、モニターテレビ２７上の任意に選択でき
る特定の何点かにおいてＲＨＥＥＤ像の強度の信号を、
レコーダ２０とコンピュータ２２に入力することができ
るようにすることもできる。

この場合には、第４図に示したｘ−Ｙステージ１８を移
動させてＲＨＥＥＤ像上の観測点を探す代りに。

テレビカメラ２５の駆動装置により、電気的にモニター
テレビ２７上のＲ）ＩＥＥＩｌ像上で任意所望の観測点
を探すことができ、非常に簡便である。なお、コンピュ
ータ２２以後の結晶成長の開始及び停止の制御は上述し
た通りである。

さらにまた、本発明においては、説明の都合上、ＧａＡ
ｓ、　　ＡｆＬＡｓ、　　Ａｎ　ＧａＡｓの結晶成長に
ついてのみ扱かってきたが、本発明は、結晶成長中に、
ＲＨＥＥＤ像が振動を示す全ての物質に適用して成長膜
厚を制御することができると共に、混晶の場合にはその
組成比を決定することができる。たとえば、上記物質の
他、Ｇｅ、　Ｓｉ、ＧａＸＩｎ、、ＰにおいてもＲＨＥ
ＥＤ像の振動が確認されており、本発明を適用できる。

〔効　果〕

以上から明らかなように、本発明によれば、ＲＨＥＥＤ
像の強度変化に同期して成長をオン・オフすることによ
り、単原子層の膜厚単位で成長を行うことができ、膜厚
制御の精度が大幅に向上する。従って、成長した膜厚を
正確に測定すること高信頼化ができ、ＨＥＭＴでは高速
化、超格子デバイスでは特性の安定化がはかられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の結晶成長装置の概略構成図。 第２図はシャッタを開けた直後のＧａのフラックスの時
間変化の実測例を示す線図、 第４図は本発明の適用される結晶成長装置の一例を示す
概略構成図、 第５図（ａ）回折線像の鏡面反射点の強度の振動を示す
波形図、 第５図（ｂ）は第５（ａ）の振動に対応する成長結晶表
面の状態を示す線図、 第６図（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ初期位相が異なるとき
の回折線像の鏡面反射点の強度の振動を示す２　　　　
　　波形図。 第７図（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ結晶成長過程における
ＲＨＥＥＤ像の振動とその回復時間の関係の一例を示す
波形図、 第８図は結晶成長過程におけるＲＨＥＥＤ像の振動の一
例を示す波形図、 第９図は結晶のへテロ接合および混晶を成長したときの
ＲＨＥＥ　Ｄ像の振動の一例を示す波形図、第１０図は
ＧａＡｓ結晶中に所定層のＡＭＡｓを配した結晶の断面
の一例を、その結晶構造を示す写真と共に示す模式図。 第１１図はＧａＡｓ５層、Ａ文Ａｓを３層交互に成長し
テ（ＧａＡｓ）３（ＡｆＬＡｓ）３超格子を形成したと
きのＲＨＥＥＤ像の振動波形の一例を示す波形図、第１
２図および第１３図それぞれ本発明を実施するのに適用
される結晶成長装置の他の構成の２例を示す概略構成図
である。 １・・・結晶基板（基板）、 ２・・・ヒータ、 ３・・・結晶成長に必要な材料（ソース）、４・・・イ
オンガン、 ５・・・スパッタリング装置又は電子銃、６・・・ボン
ベ、 ７・・・流量コントローラ、 ８・・・セルシャッタ・ ９・・・メインシャッタ、 ｌＯ・・・シャッタ駆動装置。 １１・・・真空計（フラックスモニタ）、１２・・・反
射電子線回折装置の銃、 １３・・・電子、 １４・・・蛍光スクリーン５ １５・・・真空槽、 １６・・・カメラレンズ、 １７・・・光ファイバ、 １８・・・Ｘ−Ｙステージ、 １８・・・受光器、 ２０・・・レコーダ、 ２１・・・Ａ−Ｄ変換器、 ２２・・・コンピュータ、 ？４・・・欠曵胆檗化生コイ１１ 第２図 第６図 省５′１ ■　　　　　　　　　　　　（１（”）σ　　　　　　
　　　Ｏ ｌ工工璽　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　７３　補正をする者 事件との関係　　特許出願人 東京都千代田区霞が関１丁目３番１号 ４　指定代理人 （発送日） 補正の対象 願書の７．前記以外の発明者の欄、明細書（図面の簡単
な説明の欄）、図面 補正の内容 願書を別紙のとおり訂正する。 明細書中、第２４頁第１８行の１第１図は概略構成図、
」を次のとおり訂正する。 １図（ａ）は従来の結晶成長装置の概略構成図、１図（
ｂ）は第１図（ａ）の装置のスクリーン上映るＲＨＥＥ
Ｄ像の模写図、」 図面、第１図を別紙のとおり訂正する。 Ｃｂ） 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）真空中における結晶成長にあたり、反射電子線回折
   装置により反射電子線回折像を形成し、その回折像の強
   度の時間変化に同期して結晶成長の開始及び停止を制御
   することを特徴とする結晶成長膜厚制御法。 ２）真空中における結晶成長にあたり、反射電子線回折
   装置により反射電子線回折像を形成し、その回折像の強
   度の時間変化により混晶結晶の混晶組成比を決めること
   を特徴とする混晶組成比決定法。