JPS61223721A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はアクティブ素子として例えば薄膜トランジスタ
（以下ＴＰＴと称す）を用いたアクティブマ）　＋７ツ
クス形の液晶表示装置の製造方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

最近、液晶やエレクトロルミネセンス（ＥＬ）を用いた
表示装置は、テレビ表示やグラフィックディスプレイ等
を指向した大容量、高密度のアクティブマトリックス形
表示装置の開発、実用化が盛んである。このような表示
装置では、クロストークのない高コントラストの表示が
行えるようＩ：、各画素の駆動、制卸を行う手段として
アクティブ素子が用いられる。そのアクティブ素子とし
ては、単結晶Ｓｔ基板上に形成されたＭＯｆ９ＦＥＴ　
や、最近では、透過型表示が可能であり大面積化も容易
である等の理由から、透明絶縁基板上ミニ形成されたＴ
ＰＴ等が用いられる。

このようなアクティブ素子の中で、ＴＰＴは半導体母材
としてアモルファスシリコン（以下ａ−８ｉと称す）、
ＣｄＳｅ及びＣｄ８等を用いた電界効果型のものが多い
。そしてこれらの半導体母材は可視光に対して吸収係数
が大きい。そこで外光を透過或いは反射′させて用いる
液晶表示装置の場合は、ＴＰＴの能動領域に光が入射し
て常に導通状態になるのを防ぐためＣ：、例えば逆スタ
ガード形ＴＰＴでは、液晶に接する方の側に元を遮蔽す
るマスクとして絶縁層を介して金属薄膜を設けることが
ある。

ただしこのときは液晶Ｃ：対し直流的に絶縁するためε
：、更僅二光を遮蔽するマスクである金属薄膜を覆うよ
うに、蒸着或いはスパッタリングといった手段で、絶縁
層を形成する必要があり、製造工程が複雑になって量産
性を損なっていた。

〔発明の目的〕

本発明はこのような点に鑑みなされたものであり、従”
来より工程を容易１：することの可能な液晶表示装置の
製造方法の提供を目的とする。

〔発明の概要〕 即ち本発明は、複数のＴＦＴ　ｌニーより選択駆動され
る複数の表示画素電極をマ）　ＩＪックス状償：配列形
成したアクティブマトリックス形の液晶表示装置の製造
方法において、ＴＦＴ上に絶縁層を介して金属からなる
光阻止膜を形成し、この光阻止膜の表面を酸化すること
を特徴とする。

〔発明の実施例〕

以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す図である。この実施例
はまず第１図（ａ）に示すように、基板（１）例えばガ
ラス基板の一主面上に例えばアルミニウムからなるゲー
ト電極（２）を形成した後、これを覆うように基板（１
）上に例えば厚さ約４０００人の窒化シリコとからなる
ゲート絶縁膜（３）を形成する。次に第１図（ｂ）に示
すように、ゲート絶縁膜（３）上のゲート電極（２）に
対応する部分−二、例えば厚さ約４０００人のａ−８ｉ
からなる半導体薄膜（４）を形成した後、これに一部が
接触するよう１ニゲート絶縁膜（３）上に例えば厚さ約
１ｏｏｏ人のＩＴＯからなるドレイン電極（５）、ソー
ス電極（６）及びこれと一体の表示画素電極（７）を形
成する。なおドレイン及びソース電極（５）、　（６）
の半導体薄膜（４）との接触部分には、充分なオーミッ
クコンタクトを得るために、リンを添加したａ−８ｉ膜
を介在させることがある。こうして形成されたＴＰＴと
表示画素電極（７）は基板（１）上にマ）　ＩＪックス
状に配列されており、第１の電極基板が得られる。

次（：第１図（Ｃ）に示すように、第１の電極基板上爲
例えば厚さ約１μｍのポリイミドからなる絶縁層（８）
を塗布法とキュア工程を経て形成した後、この絶縁層（
８）上音：金属例えばアルミニウムを約１００ＯＡの厚
さに蒸着し、ＴＰＴの上部を覆うようなパターン蛎二エ
ツチングして光阻止膜（９）を形成する。次に第１図（
ｄ）に示すよう：二、光阻止膜（９）の表面を例えば陽
極化成法により酸化処理し、酸化皮膜（１１を３００〜
５００Ａの厚さに形成した後１、表示画素電極（力の上
部の絶縁層（８）は選択エツチングにより除去する。

こうして光阻止膜（９）がＴＦＴ上に絶縁層（８）を介
して形成され、しかもこの表面は酸化される。一方、透
明基板ａυ例えばガラス基板の一主面上には、透明導電
膜からなる対向電極αのが形成されでおり、第２の電極
基板が得られる。そして第１図（ｅ）に示すように、第
１及び第２の電極基板を図示しないスペーサを介して対
向し、この間には液晶α騰が挾持されでいる。こうして
所望の液晶表示装置が得られる。

第２図はこの実施例における光阻止膜（９）のパターン
の形状を示す平面図である。同図かられかるよう１：、
光阻止膜（９）のパターンは表示画素電極（月間にあっ
て格子状である。

この実施例では、通常データ線としで用いられる列選択
線Ｘ１（ｉ＝１．２．・・・、ｍ）と、通常アドレス線
として用いられる行選択線Ｙｊ（ｊ＝１ｓ２．・・・、
幣）が存在して、列選択線Ｘｔと行選択線Ｙｊの各交点
位置にＴＰＴが設けられている。またＴＰＴのドレイン
電極（５）は列ととＣ：列選択線Ｘｉに接続され、ゲー
ト電極（２）は行ごとに行選択線Ｙｊ＋二接続されでい
る。そしてこの実施例の動作は次のよう（：行われる。

即ちフレーム走査周期をＴ、とすると、行選択線Ｙ」は
アドレス信号により順次走査駆動され、ＴＰＴは行ごと
ＣＴｙ／ｎ　期間ずつ順次導通状態にもたらされる。一
方この行選択線Ｙｊ　　の走査と同期して列選択線Ｘｉ
　　には例えばｍ並列画像信号電圧を供給する。これ１
：よって信号電圧は行ごとに順次表示画素電極（７）に
導かれ、対向電極αのとの間に挾持された液晶（１３１
が励起されて画像表示がなされる。

この実施例では、光阻止膜（９）上に絶縁層を形成する
代わ各月；、光阻止膜（９）　（：酸化処理を施こすの
で、従来より製造工程が容易Ｃ：なる。また仮に酸化皮
膜（１０の代わりＣ：絶縁層を形成する場合、光阻止膜
（９）のステップカバレージ等を考慮して、有機絶縁層
例えばポリイミドならば厚さ１〜２μｍ１無機絶縁層例
えばＳｉＮならば厚さ４０００〜５０００人に形成する
必要がある。故Ｃ；この実施例では、基板（１）上の段
差が低減されて、配向処理が従来より楽４二なる。

〔発明の他の実施例〕

第３図は本発明の他の実施例の一工程を示す図であり、
第１図と対応する部分には同一の符号を付しである。こ
の実施例では第３図に示すよう６二、光阻止膜（９）を
第１図（ｄ）に示した絶縁層（８）を除去するパターン
ト逆のパターン（：エッチングした後に、この表面を例
えば陽極化成法により酸化処理し、酸化皮膜α１を３０
０〜５００）厚さに形成する。そして表示画素電極（力
の上部の絶縁層（８）を、酸化皮膜α〔をマスクとして
、例えば酸素雰囲気中での反応性プラズマエツチングに
より除去する。なおこれ以外の工程は、第１図（＝示し
たものとほぼ同様であり、所望の液晶表示装置が得られ
る。

この実施例は第１図に示した実施例と同様の効果がある
ばかりでなく、表示画素電極（７）上の絶縁層（８）を
除去する際のＰＥＰ工程がなくなるので、より製造工程
の簡易化がはかられる。

なお光阻止膜（９）の材料としては酸化容易であるも、
のが望ましく、アルミニウム以外にはチタン、クロム、
タンタル、タングステン等がよい。また光阻止膜（９）
の酸化方法も陽極化成性以外に、酸素雰囲気中での熱酸
化及びプラズマ酸化、化学化成法、純水または蒸留水中
での煮沸等の方法であってもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の液晶表示装置の製造方法は
、液晶と接する光阻止膜上の絶縁層を酸化処理で形成す
ることにより、従来より工程を容易６二し、液晶表示装
置の量産性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は光阻止膜
のパターンの形状の一例を示す図、第３図は本発明の他
の実施例を示す図である。 （１）・・・基板 （７）・・・表示画素電極 （８）・・・絶縁層 （９）・・・光阻止膜 （１υ・・・透明基板 （１２・・・対向電極 ａＱ・・・液晶 代理人　弁理士　則　近　憲　右　（ほか１名）第　　
１　図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板の一主面上に薄膜トランジスタと表示画素電
   極とをマトリックス状に配列形成してなる第１の電極基
   板と、透明基板の一主面上に透明な対向電極を形成して
   なる第２の電極基板と、前記第１及び第２の電極基板の
   間に挾持した液晶とを備えた液晶表示装置の製造方法に
   おいて、前記薄膜トランジスタ上に絶縁層を介して金属
   からなる光阻止膜を形成し、この光阻止膜の表面を酸化
   することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. （２）前記金属はアルミニウム、チタン、クロム、タン
   タル、タングステンのうちのいずれかからなることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置の製
   造方法。