JPS61223842A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS61223842A JPS61223842A JP60066277A JP6627785A JPS61223842A JP S61223842 A JPS61223842 A JP S61223842A JP 60066277 A JP60066277 A JP 60066277A JP 6627785 A JP6627785 A JP 6627785A JP S61223842 A JPS61223842 A JP S61223842A
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- JP
- Japan
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- photomask
- semiconductor substrate
- convex
- substrate
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は７ｉ）マスクに係り、特に半導体装置製造に
おけるフォトレジストのパターン形成に使用するフォト
マスクの構造に関するものである。
おけるフォトレジストのパターン形成に使用するフォト
マスクの構造に関するものである。
従来、半導体装置製造においてフォトレジストのパター
ンを形成するために焼キ付は転写用として用いるフォト
マスクは、ガラスあるいは石英等の透明な材料を平板上
に加工し、その一方の表面に１００ＯＡ〜ｚｏｏｏＡの
膜厚を有する金属あるいは金属酸化物の薄膜を全面に付
しツオトレジストパターニング及びエツチング工程を経
て、前記薄膜のパターンを石英あるいは透明な材料の平
板上に加工される。こうして作られたフォトマスクは、
半導体基板上Ｉとフォトマスクのパターンを焼き付は転
写するため、半導体基板上に感光性樹脂を塗布し、後に
若干熱を加え 合させ、外部から圧力を加えるか又はフ
ォトマスクと半導体基板間を真空にする事によって、フ
ォトマスクと半導体基板間々の表面を密着させて、透明
なフォトマスク基板を通して、焼き付は露光させるが、
この場合、半導体基板のソリの状態・焼き付は露光装置
の状態等でフォトマスクと半導体基板との密着が周辺部
より密着し始め、中央部に密着不十分の箇所ができ、そ
の為この部分の感光性樹脂の解像度低下を招き所望の感
光性樹脂パターンが得られなかったシ、又、この半導体
基板とフォトマスクが完全に平面であるならば、半導体
基板とフォトマスクとのひっつきが発生し、半導体基板
表面の感光性樹脂の剥れが生じ所望のパターンが得られ
ず、品質や歩留を低下させる。更に後者では、ひっつき
が生じた後、フォトマスクと半導体基板を剥すと、半導
体基板上の感光性樹脂がフォトマスク側へと付着し、次
の半導体基板へのフォトマスク使用ができなくなシ新し
いフォトマスクとの交換する必要が生じ、半導体装置の
製造原価が増加する欠点も出ていた。
ンを形成するために焼キ付は転写用として用いるフォト
マスクは、ガラスあるいは石英等の透明な材料を平板上
に加工し、その一方の表面に１００ＯＡ〜ｚｏｏｏＡの
膜厚を有する金属あるいは金属酸化物の薄膜を全面に付
しツオトレジストパターニング及びエツチング工程を経
て、前記薄膜のパターンを石英あるいは透明な材料の平
板上に加工される。こうして作られたフォトマスクは、
半導体基板上Ｉとフォトマスクのパターンを焼き付は転
写するため、半導体基板上に感光性樹脂を塗布し、後に
若干熱を加え 合させ、外部から圧力を加えるか又はフ
ォトマスクと半導体基板間を真空にする事によって、フ
ォトマスクと半導体基板間々の表面を密着させて、透明
なフォトマスク基板を通して、焼き付は露光させるが、
この場合、半導体基板のソリの状態・焼き付は露光装置
の状態等でフォトマスクと半導体基板との密着が周辺部
より密着し始め、中央部に密着不十分の箇所ができ、そ
の為この部分の感光性樹脂の解像度低下を招き所望の感
光性樹脂パターンが得られなかったシ、又、この半導体
基板とフォトマスクが完全に平面であるならば、半導体
基板とフォトマスクとのひっつきが発生し、半導体基板
表面の感光性樹脂の剥れが生じ所望のパターンが得られ
ず、品質や歩留を低下させる。更に後者では、ひっつき
が生じた後、フォトマスクと半導体基板を剥すと、半導
体基板上の感光性樹脂がフォトマスク側へと付着し、次
の半導体基板へのフォトマスク使用ができなくなシ新し
いフォトマスクとの交換する必要が生じ、半導体装置の
製造原価が増加する欠点も出ていた。
この発明の目的は係る問題点を解決し、半導体装置への
歩留・品質低下をもたらす事がなく、又半導体装置の製
造原価を増加させる事のないフォトマスクを提供する事
にある。
歩留・品質低下をもたらす事がなく、又半導体装置の製
造原価を増加させる事のないフォトマスクを提供する事
にある。
この発明の特徴は、例えば、ガラスあるいは石英等の透
明な材料を平板上に加工したフォトマスク基板の表面に
金属や金属酸化物で形成された光を遮断する為の薄膜パ
ターンを付した半導体装置製造用のフォトマスクにおい
て、前記フォトマス表面に金ｊＩ４酸化物、樹脂等の光
を透過する膜をフォトマスク中央部が凸面になる様に何
した構造を有する事である。
明な材料を平板上に加工したフォトマスク基板の表面に
金属や金属酸化物で形成された光を遮断する為の薄膜パ
ターンを付した半導体装置製造用のフォトマスクにおい
て、前記フォトマス表面に金ｊＩ４酸化物、樹脂等の光
を透過する膜をフォトマスク中央部が凸面になる様に何
した構造を有する事である。
次にこの発明の一実施例に付き図面を用いて説明する。
第１図は、この発明の一実施例を説明するためのフォト
マスクの断面図である。この実施例のフォトマスクの構
造は、第１図に示す様に７オトマスク基板１の表面に所
定の薄膜パターン２を形成し、更に全体に光を透過させ
る膜３をフォトアスク中央部を凸面にして付着させたこ
とである。ここで、薄膜パターン２は光ｔ−遮断する材
質のものでできており、この例として、クロムやクロム
と酸化クロムの２層構造が一般的である。父、前記した
光１に透過する膜の例としては、気相成長・スパッタ等
で形成される酸化シリコン膜・窒化シリコン膜等があげ
られる。
マスクの断面図である。この実施例のフォトマスクの構
造は、第１図に示す様に７オトマスク基板１の表面に所
定の薄膜パターン２を形成し、更に全体に光を透過させ
る膜３をフォトアスク中央部を凸面にして付着させたこ
とである。ここで、薄膜パターン２は光ｔ−遮断する材
質のものでできており、この例として、クロムやクロム
と酸化クロムの２層構造が一般的である。父、前記した
光１に透過する膜の例としては、気相成長・スパッタ等
で形成される酸化シリコン膜・窒化シリコン膜等があげ
られる。
この実施例によれば、感光性樹脂を薄（塗布した半導体
基板とフォトマスクとを密着させフォトマスク基板を通
して露光する際に、フォトマスク基板表面が若干凸面と
なっているため、密着は半導体基板中央部から周辺部へ
と密着が広が９、中央部に密着不十分の箇所（突気かた
まってできる）が発生しないため、半導体基板内均一な
感光性樹脂の解像度が得られる。父、このフォトマスク
基板が凸面であるため、フォトマスクと半導体基板との
ひっつきも起こシにくくなり、露光終了後もスムーズに
離れる様になる。挺にこの光を透過させる膜３がフォト
マスク表面１の薄膜２へのキズ等をつけない為の保護膜
になると云う利点も見逃せない点である。従って、この
実施例のマスクを使用すれば製品の歩留・品質の低下が
製造原画の増加を防止する事ができる。
基板とフォトマスクとを密着させフォトマスク基板を通
して露光する際に、フォトマスク基板表面が若干凸面と
なっているため、密着は半導体基板中央部から周辺部へ
と密着が広が９、中央部に密着不十分の箇所（突気かた
まってできる）が発生しないため、半導体基板内均一な
感光性樹脂の解像度が得られる。父、このフォトマスク
基板が凸面であるため、フォトマスクと半導体基板との
ひっつきも起こシにくくなり、露光終了後もスムーズに
離れる様になる。挺にこの光を透過させる膜３がフォト
マスク表面１の薄膜２へのキズ等をつけない為の保護膜
になると云う利点も見逃せない点である。従って、この
実施例のマスクを使用すれば製品の歩留・品質の低下が
製造原画の増加を防止する事ができる。
上述の実施例において、フォトマスク基板上の一層の薄
膜パターンは、金属や金属酸化物の多層パターンやエマ
ルジ１ンパターンに変更できるし、光を透過する凸面状
の膜は金属酸化物あるいは樹脂等の材料に変更できるし
多層膜にする事もできる。
膜パターンは、金属や金属酸化物の多層パターンやエマ
ルジ１ンパターンに変更できるし、光を透過する凸面状
の膜は金属酸化物あるいは樹脂等の材料に変更できるし
多層膜にする事もできる。
第１図は本発明の一実施例を示したフォトマスクの断ｒ
Ｍ図である。 崗、図に８いて、 １・・・・・・フォトマスク基板、２・・・・・・薄膜
パターン、３・・・・・・光を透過する凸面状の物質、
である。
Ｍ図である。 崗、図に８いて、 １・・・・・・フォトマスク基板、２・・・・・・薄膜
パターン、３・・・・・・光を透過する凸面状の物質、
である。
Claims (1)
- ガラスあるいは石英等の透明な材料を平板上に加工し
たフォトマスク基板の表面に金属や金属酸化物で形成さ
れた光を遮断するための薄膜パターンを付した半導体装
置製造用のフォトマスクにおいて、前記フォトマスク表
面に金属酸化物、樹脂等の光を透過する膜をフォトマス
ク中央部が凸面になる様に付した構造を有することを特
徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60066277A JPS61223842A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60066277A JPS61223842A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61223842A true JPS61223842A (ja) | 1986-10-04 |
Family
ID=13311178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60066277A Pending JPS61223842A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61223842A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5366376A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60066277A patent/JPS61223842A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5366376A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
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