JPS61224410A - 減圧ｃｖｄ薄膜形成装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61224410A JPS61224410A JP60065406A JP6540685A JPS61224410A JP S61224410 A JPS61224410 A JP S61224410A JP 60065406 A JP60065406 A JP 60065406A JP 6540685 A JP6540685 A JP 6540685A JP S61224410 A JPS61224410 A JP S61224410A
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- JP
- Japan
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- reaction tube
- thin film
- film forming
- pressure cvd
- inner reaction
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は多重椙造に形成された反応管内に半導体ウェー
ハを載置し、反応管内を減圧状態に維持しながら反応ガ
スを注入して半導体ウェーへの表 面に薄膜を形成させ
る減圧ｃ Ｖ Ｄ 薄膜形成装置にＷＪするものである
。
ハを載置し、反応管内を減圧状態に維持しながら反応ガ
スを注入して半導体ウェーへの表 面に薄膜を形成させ
る減圧ｃ Ｖ Ｄ 薄膜形成装置にＷＪするものである
。
第４図は従来から使用されている多重構造反応管を備え
た減圧ＣＶＤ薄膜形成装置の断面図である。この装置は
外側反応管１内に内側反応管２が軸方向に挿入された２
重反応管と、この２重反応管を内部に着脱可能に支持す
るフロントフランジ７およびバックフランジ８と、フロ
ントフランジ７に開閉可能に取り付けられたフロントド
ア９と、バックフランジ８にボルトによって取り付けら
れたバックドア１０と、フロントドア９とフロントフラ
ンジ７との間に介在され外部との遮断を行なうフロント
ドアＯリングと、同様にバックドア１０とバックフラン
ジ８との間に介在されたバックドアＯリングと、前記外
側反応管１の両端部と各フランジ７および８との間に取
り付けられたフロントフランジ０リング５とバックフラ
ンジ０リング６とから構成されている。そして、外側反
応管１および内側反応管２を６００〜８００℃程度に加
熱するためエレメント１１が外側反応管１の外側に設け
られており、反応ガスはフロントドア９側のノズル１２
ａ、１２ｂから注入され、バックドア１０の排気口１３
から排出されるようになっている。さらにエレメント１
１の加熱による各０リング３，４．５．６の劣化を防止
するため各７ランジ７．８に冷却機構（図示せず）が設
けられている。
た減圧ＣＶＤ薄膜形成装置の断面図である。この装置は
外側反応管１内に内側反応管２が軸方向に挿入された２
重反応管と、この２重反応管を内部に着脱可能に支持す
るフロントフランジ７およびバックフランジ８と、フロ
ントフランジ７に開閉可能に取り付けられたフロントド
ア９と、バックフランジ８にボルトによって取り付けら
れたバックドア１０と、フロントドア９とフロントフラ
ンジ７との間に介在され外部との遮断を行なうフロント
ドアＯリングと、同様にバックドア１０とバックフラン
ジ８との間に介在されたバックドアＯリングと、前記外
側反応管１の両端部と各フランジ７および８との間に取
り付けられたフロントフランジ０リング５とバックフラ
ンジ０リング６とから構成されている。そして、外側反
応管１および内側反応管２を６００〜８００℃程度に加
熱するためエレメント１１が外側反応管１の外側に設け
られており、反応ガスはフロントドア９側のノズル１２
ａ、１２ｂから注入され、バックドア１０の排気口１３
から排出されるようになっている。さらにエレメント１
１の加熱による各０リング３，４．５．６の劣化を防止
するため各７ランジ７．８に冷却機構（図示せず）が設
けられている。
このような装置は内側反応管２内に多数枚の半導体ウェ
ーハ（図示せず）が載置されて、半導体ウェーハに多結
品シリコン膜や窒化シリコン膜＜ ｓ ＋ ３Ｎ ４
）等の反応ガスの薄膜を堆積成長させるものであり、以
下、薄膜として窒化シリコン膜を形成させる場合を説明
する。内側反応管２内に半導体ウェーハを載置し、エレ
メント１１で反応管内を所定温度に加熱する。そして、
排気口１３から吸引しながら外側反応管２内を減圧状態
に保ち、一方のノズル１２ｂからジクロルシラン（Ｓｉ
Ｈ２Ｃ１２）を、又、他方のノズル１２ａからアンモニ
ア（ＮＨ３）を注入し、内側反応管２内で反応させて窒
化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を半導体ウェーハ上に堆積成
長させる。
ーハ（図示せず）が載置されて、半導体ウェーハに多結
品シリコン膜や窒化シリコン膜＜ ｓ ＋ ３Ｎ ４
）等の反応ガスの薄膜を堆積成長させるものであり、以
下、薄膜として窒化シリコン膜を形成させる場合を説明
する。内側反応管２内に半導体ウェーハを載置し、エレ
メント１１で反応管内を所定温度に加熱する。そして、
排気口１３から吸引しながら外側反応管２内を減圧状態
に保ち、一方のノズル１２ｂからジクロルシラン（Ｓｉ
Ｈ２Ｃ１２）を、又、他方のノズル１２ａからアンモニ
ア（ＮＨ３）を注入し、内側反応管２内で反応させて窒
化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を半導体ウェーハ上に堆積成
長させる。
しかしながら、このような薄膜の形成に際しては、排出
側のバック７ランジ８、バンクドア１０へ窒化シリコン
の粉や反応副生成物の粉が付着し、これが処理の累積時
間に比例して増加し、内側反応管２内のパーティクルの
発生源となり、半導体ウェーハの表面に付着して歩留り
や信頼性が低下する。特にジクロルシランとアンモニア
とにより窒化シリコン膜を形成する場合においては、反
応管内を減圧に保ちシール用のＯ−リング３，４゜５．
６は加熱により劣化を防ぐため、これらに接するフラン
ジ７．８を冷却して、その冷却を行なっているが、フラ
ンジ付近の冷却能力が高いとジクロルシランとアンモニ
アが窒化シリコン膜として完全に反応する温度に達しな
いため低温で分解反応して、Ｎ８４Ｃｌパウダーが生成
されこれがバックフランジ８の内壁に付着する。一方、
フランジ７．８へＮＨ２Ｏｌパウダーが付着しない状゛
態に冷却されていても、内側反応管２の胴部２ａが
バックドア１０に接するため、バックドア１０に同様の
原因によりＮ８４ＣＩパウダーが発生する。そして、こ
のようなバックドア１０とバック７ランジ８への窒化シ
リコンの粉及びＮＨ４Ｃｌパウダーの付着は、内側反応
管２内の塵増加の原因となり、内側反応管の洗浄頻度を
高め生産性の低下をきたしている。又、外側反応管１に
も窒化シリコン、塩化アンモニウムの粉が付着するため
、外側反応管１も内側反応管２と共に必ず洗浄しなけれ
ばならず、その取外しおよび組立てが面倒である。さら
にはこのようなバークダーの発生を抑制するため冷却効
果を下げると高温によって０リングが劣化し、この劣化
でシール不良となり、その結果、加熱運転を中断して反
応管の洗浄を行なったり、Ｏリングを交換する必要が生
じ同様に生産性を低下させてしまうという問題があった
。
側のバック７ランジ８、バンクドア１０へ窒化シリコン
の粉や反応副生成物の粉が付着し、これが処理の累積時
間に比例して増加し、内側反応管２内のパーティクルの
発生源となり、半導体ウェーハの表面に付着して歩留り
や信頼性が低下する。特にジクロルシランとアンモニア
とにより窒化シリコン膜を形成する場合においては、反
応管内を減圧に保ちシール用のＯ−リング３，４゜５．
６は加熱により劣化を防ぐため、これらに接するフラン
ジ７．８を冷却して、その冷却を行なっているが、フラ
ンジ付近の冷却能力が高いとジクロルシランとアンモニ
アが窒化シリコン膜として完全に反応する温度に達しな
いため低温で分解反応して、Ｎ８４Ｃｌパウダーが生成
されこれがバックフランジ８の内壁に付着する。一方、
フランジ７．８へＮＨ２Ｏｌパウダーが付着しない状゛
態に冷却されていても、内側反応管２の胴部２ａが
バックドア１０に接するため、バックドア１０に同様の
原因によりＮ８４ＣＩパウダーが発生する。そして、こ
のようなバックドア１０とバック７ランジ８への窒化シ
リコンの粉及びＮＨ４Ｃｌパウダーの付着は、内側反応
管２内の塵増加の原因となり、内側反応管の洗浄頻度を
高め生産性の低下をきたしている。又、外側反応管１に
も窒化シリコン、塩化アンモニウムの粉が付着するため
、外側反応管１も内側反応管２と共に必ず洗浄しなけれ
ばならず、その取外しおよび組立てが面倒である。さら
にはこのようなバークダーの発生を抑制するため冷却効
果を下げると高温によって０リングが劣化し、この劣化
でシール不良となり、その結果、加熱運転を中断して反
応管の洗浄を行なったり、Ｏリングを交換する必要が生
じ同様に生産性を低下させてしまうという問題があった
。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、反応管内
パーティクルが発生しないようにして反応管内を清浄に
維持すると共に、０リング劣化によるシール不良も抑制
することができる減圧ＣｖＤｗＪ膜形成装置を提供する
ことを目的としている。
パーティクルが発生しないようにして反応管内を清浄に
維持すると共に、０リング劣化によるシール不良も抑制
することができる減圧ＣｖＤｗＪ膜形成装置を提供する
ことを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明による減圧ＣＶＤ辞膜
形成装置は、ガス排出口側の内側反応管の開口端を、胴
部よりも小径として、冷却されたバックドアやバック７
ランジ等と接することなく反応ガスの排出を行なうよう
にしたことを特徴としている。
形成装置は、ガス排出口側の内側反応管の開口端を、胴
部よりも小径として、冷却されたバックドアやバック７
ランジ等と接することなく反応ガスの排出を行なうよう
にしたことを特徴としている。
以下、本発明による減圧ＣＶＯ＊膜形成装置の一実施例
を第１図の全体断面図により具体的に説明する。
を第１図の全体断面図により具体的に説明する。
外側反応管１内に内側反応管２の胴部２ａが挿入されて
２重管構造の反応管が形成され、この反応管がフロント
フランジ７とバックフランジ８とによって形成された中
空部内に設けられている。
２重管構造の反応管が形成され、この反応管がフロント
フランジ７とバックフランジ８とによって形成された中
空部内に設けられている。
フロントフランジ７には開閉可能なフロントドア９が、
又、バックフランジ８には排気口１３が形成されたバッ
クドア１０が取り付けられており、フロントドアつとフ
ロントフランジ７との間、バックドア４とバックフラン
ジ８との間、外側反応管１と各フランジ７．８との間に
は、それぞれの箇所のシールを行なうＯリング３．４，
５．６が設けられており、これらのＯリングはフランジ
７および８に設けられた冷Ｗ機１（図示虻ず）によって
冷却されるようになっている。又、外側反応管１の外側
には反応のための加熱を行なうエレメント１１が設けら
れている。反応ガスはフロントドア９側に設けられたノ
ズル１２．１２ａから内側反応管２内に注入されて内側
反応管２内で反応し、半導体ウェー八に反応ガスの薄膜
が形成され、その後、バックドア１０の排気口１３から
排出されるものである。
又、バックフランジ８には排気口１３が形成されたバッ
クドア１０が取り付けられており、フロントドアつとフ
ロントフランジ７との間、バックドア４とバックフラン
ジ８との間、外側反応管１と各フランジ７．８との間に
は、それぞれの箇所のシールを行なうＯリング３．４，
５．６が設けられており、これらのＯリングはフランジ
７および８に設けられた冷Ｗ機１（図示虻ず）によって
冷却されるようになっている。又、外側反応管１の外側
には反応のための加熱を行なうエレメント１１が設けら
れている。反応ガスはフロントドア９側に設けられたノ
ズル１２．１２ａから内側反応管２内に注入されて内側
反応管２内で反応し、半導体ウェー八に反応ガスの薄膜
が形成され、その後、バックドア１０の排気口１３から
排出されるものである。
このような装置において、前記内側反応管２のバックド
ア１０側の端部が内側に屈折されて、内側反応管２の胴
部２ａよりも小径のガス排出口１４が形成されている。
ア１０側の端部が内側に屈折されて、内側反応管２の胴
部２ａよりも小径のガス排出口１４が形成されている。
このガス排出口１４はバックドア１０の排気口１３と連
通ずる位置に形成されており、内側反応管２内部の反応
ガスはガス排出口１４からバックドアの排気口１３へ速
やかに流れ出るようになっている。そして、ガス排出口
１４部分からはさらに内側反応管２の軸方向の外側に延
びるスリーブ１５が連設され、このスリーブ１５がバッ
クドア１３の排気口１３内に挿入されている。このスリ
ーブ１５の形成により、内側反応管２の外側にある冷却
されたバックドア１０、バックフランジ８および外側反
応管１に反応ガスが接触することなく排出される。した
がってこれらの部材にパウダーが付着することが防止さ
れ、内側反応管２のみを取り外して洗浄することで薄膜
形成の効率的使用が可能となっている。
通ずる位置に形成されており、内側反応管２内部の反応
ガスはガス排出口１４からバックドアの排気口１３へ速
やかに流れ出るようになっている。そして、ガス排出口
１４部分からはさらに内側反応管２の軸方向の外側に延
びるスリーブ１５が連設され、このスリーブ１５がバッ
クドア１３の排気口１３内に挿入されている。このスリ
ーブ１５の形成により、内側反応管２の外側にある冷却
されたバックドア１０、バックフランジ８および外側反
応管１に反応ガスが接触することなく排出される。した
がってこれらの部材にパウダーが付着することが防止さ
れ、内側反応管２のみを取り外して洗浄することで薄膜
形成の効率的使用が可能となっている。
又、このように反応ガスがバックドア１、バックフラン
ジ８、外側反応管１に接触しないことからフランジ８を
強力に冷却することができ０リング３．４，５．６の劣
化を防止することができると共に、内側反応管２を高温
に維持できるため内側反応管２後部における薄膜の付着
強度が大きく、窒化シリコンの粉や塩化アンモニウムの
発生が抑制される。
ジ８、外側反応管１に接触しないことからフランジ８を
強力に冷却することができ０リング３．４，５．６の劣
化を防止することができると共に、内側反応管２を高温
に維持できるため内側反応管２後部における薄膜の付着
強度が大きく、窒化シリコンの粉や塩化アンモニウムの
発生が抑制される。
第２図は本発明の他の実施例による減圧ＣＶＤ薄膜形成
装置の要部断面図であり、内側反応管２のバックドア１
０側に形成されるガス排出口１４が、胴部２ａよりも小
径に開口され、スリーブが３１！設されていない実施例
である。この場合もガス排出口１４はバックドア１０の
排気口１３と連通ずる位置に設けられており、胴部２ａ
よりも小径となっているため、反応ガスがガス排出口１
４を通過する際に流速が増して速やかに排出され、バッ
クドア１０、バックフランジ８６３よび外側反応管２側
に流出することがない。
装置の要部断面図であり、内側反応管２のバックドア１
０側に形成されるガス排出口１４が、胴部２ａよりも小
径に開口され、スリーブが３１！設されていない実施例
である。この場合もガス排出口１４はバックドア１０の
排気口１３と連通ずる位置に設けられており、胴部２ａ
よりも小径となっているため、反応ガスがガス排出口１
４を通過する際に流速が増して速やかに排出され、バッ
クドア１０、バックフランジ８６３よび外側反応管２側
に流出することがない。
次に、第３図（ａ）ないしくＣ）は本発明のさらに他の
実施例をそれぞれ示している。これらの実施例はいずれ
も石英からなるキャップ１６を内側反応管２のバンクド
ア側に取り付けてガス排出口を形成したものである。同
図（ａ）は内側反応管２の胴部２ａと同経のキャップ１
６を内側反応管２の開放端部に接合したものであり、そ
の端部には内側反応管２の胴部２ａよりも小径のスリー
ブ１７が内側反応管２の外方向に延設されてバックドア
の排気口（図示Ｖず）内に挿入されている。
実施例をそれぞれ示している。これらの実施例はいずれ
も石英からなるキャップ１６を内側反応管２のバンクド
ア側に取り付けてガス排出口を形成したものである。同
図（ａ）は内側反応管２の胴部２ａと同経のキャップ１
６を内側反応管２の開放端部に接合したものであり、そ
の端部には内側反応管２の胴部２ａよりも小径のスリー
ブ１７が内側反応管２の外方向に延設されてバックドア
の排気口（図示Ｖず）内に挿入されている。
又、同図（ｂ）は内側反応管２の胴部２ａに嵌合される
ような径キャップ１６を使用したものであり、同図（Ｃ
）はこのキャップ１６のスリーブを省いて内側反応管の
胴部２ａよりも小径の開口１８を形成した。実施例であ
り、いずれの実施例も前記実施例と同様な作用効果を秦
している。
ような径キャップ１６を使用したものであり、同図（Ｃ
）はこのキャップ１６のスリーブを省いて内側反応管の
胴部２ａよりも小径の開口１８を形成した。実施例であ
り、いずれの実施例も前記実施例と同様な作用効果を秦
している。
以上のとおり、本発明によれば、ガス排気口側の内部反
応管に開口端が胴部よりも小径に形成したから、バック
ドアやバックフランジへの反応ガスの流出が防止されて
反応ガスの粉や未反応ガスの反応副生成物の粉等がこれ
らの部材に付着することがなく、内側反応管内の清浄度
を低下させることがない。従って、信頼性の高いしかも
歩留の良好な半導体ウェー八を得ることができる。又、
このように反応ガスがバックドアやバック７ランジ側へ
流出しないから、Ｏリングを強力に冷却でき、０リング
の劣化も防止できる。さらには、外側反応管にも反応ガ
スの粉が付着しないから内側反応管の洗浄のみで繰り返
し使用ができ、メンテナンス時間の短縮化および生産性
の向上を図ることができる。
応管に開口端が胴部よりも小径に形成したから、バック
ドアやバックフランジへの反応ガスの流出が防止されて
反応ガスの粉や未反応ガスの反応副生成物の粉等がこれ
らの部材に付着することがなく、内側反応管内の清浄度
を低下させることがない。従って、信頼性の高いしかも
歩留の良好な半導体ウェー八を得ることができる。又、
このように反応ガスがバックドアやバック７ランジ側へ
流出しないから、Ｏリングを強力に冷却でき、０リング
の劣化も防止できる。さらには、外側反応管にも反応ガ
スの粉が付着しないから内側反応管の洗浄のみで繰り返
し使用ができ、メンテナンス時間の短縮化および生産性
の向上を図ることができる。
第１図は本発明一実施例による減圧ＣＶＤ１ｌｌ！形成
装置の断面図、第２図は他の実施例による減圧ＣＶＤ薄
膜形成装置の要部断面図、第３図（ａ）ないしくＣ）は
いずれもさらに他の実施例による減圧ＣＶＤ１ｔｌ膜形
成装置の内側反応管の断面図、第４図は従来の減圧ＣＶ
Ｄ薄膜形成装置の断面図である。 １−・外側反応管、２・・・内側反応管、２ａ・・・胴
部、３．４，５．６・・・Ｏリング、７・・・フロント
フランジ、８・・・バック７ランジ、９・・・フロント
ドア、１０・・・バックドア、１１・・・ヒータニレメ
ンＩ・、１２ａ、１２ｂ・・・ノズル、１３・・・排気
口、１４・・・ガス排出口、１５・・・スリーブ、１６
・・・キャップ。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第３図 （ａ） （ｂ） 第４図
装置の断面図、第２図は他の実施例による減圧ＣＶＤ薄
膜形成装置の要部断面図、第３図（ａ）ないしくＣ）は
いずれもさらに他の実施例による減圧ＣＶＤ１ｔｌ膜形
成装置の内側反応管の断面図、第４図は従来の減圧ＣＶ
Ｄ薄膜形成装置の断面図である。 １−・外側反応管、２・・・内側反応管、２ａ・・・胴
部、３．４，５．６・・・Ｏリング、７・・・フロント
フランジ、８・・・バック７ランジ、９・・・フロント
ドア、１０・・・バックドア、１１・・・ヒータニレメ
ンＩ・、１２ａ、１２ｂ・・・ノズル、１３・・・排気
口、１４・・・ガス排出口、１５・・・スリーブ、１６
・・・キャップ。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第３図 （ａ） （ｂ） 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外側真空シール管を有し、内部を減圧状態に保つ真
空シール部と、この外側真空シール管内に挿入され内部
に半導体ウェーハが載置される内側反応管とを備え、前
記内側反応管内に反応ガスを注入して前記半導体ウェー
ハに薄膜を形成させる減圧ＣＶＤ薄膜形成装置において
、 前記真空シール部のガス排気口側の前記内側反応管の開
口端が胴部よりも小径に形成されていることを特徴とす
る減圧ＣＶＤ薄膜形成装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記内
側反応管の小径に形成された開口端がガスの排出方向に
延びていることを特徴とする減圧ＣＶＤ薄膜形成装置。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載の装置にお
いて、前記内側反応管が胴部管と、この胴部管に取りつ
けてられこの胴部管の内径よりも小径の開口部が形成さ
れたキャップとからなることを特徴とする減圧ＣＶＤ薄
膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065406A JPH0799735B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 減圧ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065406A JPH0799735B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 減圧ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224410A true JPS61224410A (ja) | 1986-10-06 |
| JPH0799735B2 JPH0799735B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=13286110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065406A Expired - Lifetime JPH0799735B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 減圧ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799735B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4989543A (en) * | 1987-10-15 | 1991-02-05 | Solems (S.A.) | Process and means for producing films for use in electronics and/or optoelectronics using plasma |
| US5456969A (en) * | 1988-10-28 | 1995-10-10 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Thermo-transfer sheet and label and manufacturing method of the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110033A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Fujitsu Ltd | Epitaxial layer-growing device |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60065406A patent/JPH0799735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110033A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Fujitsu Ltd | Epitaxial layer-growing device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4989543A (en) * | 1987-10-15 | 1991-02-05 | Solems (S.A.) | Process and means for producing films for use in electronics and/or optoelectronics using plasma |
| US5456969A (en) * | 1988-10-28 | 1995-10-10 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Thermo-transfer sheet and label and manufacturing method of the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0799735B2 (ja) | 1995-10-25 |
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