JPS61228652A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS61228652A
JPS61228652A JP60069388A JP6938885A JPS61228652A JP S61228652 A JPS61228652 A JP S61228652A JP 60069388 A JP60069388 A JP 60069388A JP 6938885 A JP6938885 A JP 6938885A JP S61228652 A JPS61228652 A JP S61228652A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
silicon substrate
film
oxide film
silicon oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60069388A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP60069388A priority Critical patent/JPS61228652A/ja
Publication of JPS61228652A publication Critical patent/JPS61228652A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Element Separation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体装置の製造方法に係り、素子分離領域の
形成法に関する。
〈発明の概要〉 部分的にシリコン基板表面から酸素イオンを打ち込み、
概酸素イオン打ち込み層の活成化と、前記酸素イオン打
込み層表面の残存シリコン層を酸化する目的で熱酸出処
ｍｔ−施してシリコン酸化膜から成る素子分離領域′ｆ
Ｉ：杉成する。
〈従来技術〉 従来、シリコン半導体装置ＶＣおける素子分離法として
は、ＬＯＣＯＢ法が用−られるのが通卸であった。
ｒ、０ＣＯｊｉｉ法とは、６１１図に断面図で示す如く
シリコン基板ｌの表面に部分的に薄めシリコン酸化ｌＩ
８とシリコン窒化ＷＩ４とｔ−形成し、該シリコン窒化
［１１４をマスクとしてシリコン基板１Ｏｆ！！面を熱
酸化することにより素子分離用シリコン酸ｆヒ１１２が
形成されると共に「鳥のくちばし」６と呼ばれる領域も
形成される。
〈発明が解決しようとをる問題点及び目的〉上記従来技
術における「鳥のくちばし」６の形　　−成社半導体装
置の活１領域をせばめると共に、素子の微小化を防げる
とｉう問題点がｈ）た。
本発明はかかる従来技術の問題点である「鳥のくちばし
」の無ＶｈＸ子分離法を提供すること金目的とをる。
く間＠を解決するための手段〉 本発明の半導体装ＩＯ製造方法は、シリコン基板上には
シリコン酸化膜とシリコン窒化膜と、更にレジスト膜が
部分的に形成され、前記レジストＩ［をマスクとしてシ
リコン基板表面に酸素イオンを打込みｌ、レジストｗＸ
を除去し１次でシリコン基板表面を熱酸化することによ
りシリコン酸化膜から成る素子分離領域を形成すること
を特徴とをる。
く作用〉 本発明の上記の構成によれば酸素イオン打込み＃をあら
かじめ形成することにより「鳥０〈・ちばし」の原因で
あるシリコン窒化膜下の端部からのシリコンへの酸累拡
散現象を最小限度に押えることができ、「鳥のくちばし
」の形成をなくすることができる。
＜ｗｔｔｒｓ師〉 ＩＦ２図とＩＦ５図は本発明の実施例を示す工程毎の断
面図である。
すなわち、第２図ではシリコン基板１１上に部分的にシ
リコン酸化［［１２，シリコン窒化＠１８、レジスト膜
１４を形成後、シリコン基板１１の表面に酸素イオン１
５ｆ：打ち込んだ酸素イオン打ち込み層１６を形成する
。
次で、第８図ではレジストＩＩＥ１４ｔ−除去後、酸素
イオン打ち込み１１１６を活性化すると共に表面残存シ
リコンを酸化するために熱酸化処理を施して素子分離シ
リコン酸化［１７が形成されて成る。
〈発明の効果〉 以上述べたように本発明によれば、素子分離領域のシリ
コン酸化膜の形成を主として酸素イオンの打ち込みによ
り行うために、「鳥のくちばし」の形成が無くなり、半
導体装置の活性領域が広がり、素子の微小化が計れると
めう効果がある。
【図面の簡単な説明】
＠１図は従来技術を示す半導体装置の要部の断面図。 第２図と第８図は本発明の実施ｆｉｌｔ−示す工程毎の
断面図である。 １　、１３・・・シリコン基板 ８．１２・・Ｑシリコン酸化膜 ４．１３・・ψシリコン窒化膜 １４・・・・・レジスト膜 １５・・・・・酸素イオン １６・・・・＠−素イオン打ち込み層 ６・・・・・「鳥のくちばし」 ２．１７・・・素子分離シリコン酸ｆヒ膜以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコン基板上にはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜と
    、更にレジスト膜が部分的に形成され、前記レジスト膜
    をマスクとしてシリコン基板表面に酸素イオンを打込み
    後、レジスト膜を除去し、次でシリコン基板表面を熱酸
    化することによりシリコン酸化膜から成る素子分離領域
    を形成することを特徴とをる半導体装置の製造方法。
JP60069388A 1985-04-02 1985-04-02 半導体装置の製造方法 Pending JPS61228652A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60069388A JPS61228652A (ja) 1985-04-02 1985-04-02 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60069388A JPS61228652A (ja) 1985-04-02 1985-04-02 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61228652A true JPS61228652A (ja) 1986-10-11

Family

ID=13401159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60069388A Pending JPS61228652A (ja) 1985-04-02 1985-04-02 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61228652A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5895252A (en) * 1994-05-06 1999-04-20 United Microelectronics Corporation Field oxidation by implanted oxygen (FIMOX)
US5976952A (en) * 1997-03-05 1999-11-02 Advanced Micro Devices, Inc. Implanted isolation structure formation for high density CMOS integrated circuits
US6027984A (en) * 1996-06-12 2000-02-22 Micron Technology, Inc. Method for growing oxide
US6127242A (en) * 1994-02-10 2000-10-03 Micron Technology, Inc. Method for semiconductor device isolation using oxygen and nitrogen ion implantations to reduce lateral encroachment

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6127242A (en) * 1994-02-10 2000-10-03 Micron Technology, Inc. Method for semiconductor device isolation using oxygen and nitrogen ion implantations to reduce lateral encroachment
US5895252A (en) * 1994-05-06 1999-04-20 United Microelectronics Corporation Field oxidation by implanted oxygen (FIMOX)
US6027984A (en) * 1996-06-12 2000-02-22 Micron Technology, Inc. Method for growing oxide
US6333243B1 (en) 1996-06-12 2001-12-25 Micron Technology, Inc. Method for growing field oxide to minimize birds' beak length
US5976952A (en) * 1997-03-05 1999-11-02 Advanced Micro Devices, Inc. Implanted isolation structure formation for high density CMOS integrated circuits

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03145730A (ja) 集積回路半導体デバイスの製造方法
JPS61228652A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH098020A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63110658A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05144805A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2822211B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10284479A (ja) 半導体集積回路の製造方法
JPH04267336A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60180137A (ja) 素子分離型集積回路の製造方法
JPS5850754A (ja) 選択酸化膜の形成法
JPH0228929A (ja) 多結晶シリコンの乾式エッチングを利用したｌｏｃｏｓ方法
KR0143579B1 (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
JPS6142425B2 (ja)
KR0167674B1 (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
JPH01123452A (ja) トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法
JPS61184833A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59175137A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60101947A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10135323A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH01256147A (ja) 半導体装置の製造方法
KR19990031358A (ko) 반도체장치의 소자격리방법
JPH0414241A (ja) 半導体膜の製造方法
JPH03106051A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04309226A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6324635A (ja) 半導体装置の製造方法