JPS61232604A - 金属化プラスチツクフイルムコンデンサ - Google Patents

金属化プラスチツクフイルムコンデンサ

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Publication number
JPS61232604A
JPS61232604A JP60074010A JP7401085A JPS61232604A JP S61232604 A JPS61232604 A JP S61232604A JP 60074010 A JP60074010 A JP 60074010A JP 7401085 A JP7401085 A JP 7401085A JP S61232604 A JPS61232604 A JP S61232604A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plastic film
film capacitor
resin
synthetic resin
present
Prior art date
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Pending
Application number
JP60074010A
Other languages
English (en)
Inventor
奥 光正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕本発明はポリプロピレン、ポリエチレン
、ポリエチレンテレフタレ−1−、ポリスチレン、ポリ
弗化ビニリデン、ポリカーボネート等のプラスチックフ
ィルムに、アルミニューム、亜鉛、スズ、ニッケル、モ
リブデン、チタン等の金属薄膜を蒸着した金属化プラス
チックフィルムを巻回、あるいは積層して端面に金属を
溶射してメタリコン電極を形成し、たコンデンサ素子の
外装に関するものである。従来のこの種のコンデンサに
おいては外装にナイロン、ポリウレタン、ポリカーボネ
−1−、エボキノ、ポリスチレン等の合成樹脂が使用さ
れていたが長期間の使用中に静電容量(C)が減少して
C14値が低下し、あるいはtanδが上昇するなどの
特性の劣化がある。本発明はこの問題を解決することを
目的とするものである。
〔発明の構成〕本発明においては上記特性劣化の原因が
外装樹脂にあるものとみて、各種の合成樹脂について実
験、研究をしたところ、塩化ビニリデン樹脂が特性劣化
の防止に有効であることを確認した。
本発明の余端化プラスチックフィルムコンデンサは、金
属化プラスチックフィルムコンデンサ素子を平均の厚さ
が20μm以上の塩化ビニリデンを主成分とする合成樹
脂層によって蜜月被覆したことを特徴とする。
本発明の実施例を図面について説明する。第1図におい
て、■はポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリスチレン、ポリ弗化ビニリデン、
ポリカーボネート等よりなる厚さ0.5〜80μmのプ
ラスチックフィルムに、厚さ200〜500Aのアルミ
ニューム、亜鉛、スズ、ニッケル、モリブデン、チタン
等の金属薄膜を蒸着した金属化プラスチックフィルムを
巻回して両側の端面に金属溶射によってメタリコン電極
2を設け、このメタリコン電極2にIJ −ド線3を溶
着(半田付又は溶接)4して形成l〜だコンデンサ素子
である。
第1図(イ)はこのコンデンサ素子1を平均の厚さが2
μm以上の塩化ビニリデンを主成分とする合成樹脂(V
A樹脂)5よって被覆1〜だ本発明の第1実施例を示し
ている。(ロ)はコンデンザ素−flを金属又はプラス
チック製のり一ス6に収Wl〜てVA樹脂5を注入(〜
た本発明の第2実施例、←→はコンデンサ素子1をVA
樹脂5で被覆し2、さらにその上をエボギシ系、ウレタ
ン系等のモールド用樹脂7で外装した本発明の第8実施
例、に)は(ハ)の樹脂の順序を逆に1〜だ本発明の第
4.実施例、(羽はコンデンサ素子1をVA樹脂5で被
覆し、その上をモールド用樹脂7で被覆(−2、さらに
その上をVA樹脂5で被覆した本発明の第5実施例、(
へ)はケース6内にに)を収容した本発明の第6実施例
である。
塩化ビニリデンはCHよ= Cc12 の化学式を有し
、塩化ビニールやアクリルニトリル々どとの共重合体、
あるいはブレンドした形で使用される場合が多く、本発
明にお・いてはこれらを使用する。具体的にはダウケミ
カル社のザランレジンF−120,220,242など
が採用される。第2図はこの塩化ビニリデンを主成分と
する合成樹脂層5 (’VA層)の厚さと靜電容稲の減
衰率(ΔC/C)との関係を示す実験データのグラフで
、VA層の厚さは2μm以−ヒが有効であることを示し
ている。なお、塩化ビニリデンの効果はその含有率が1
0%以上から認められるが50%以上が特に著しい。
〔発明の効果〕本発明の効果を確認するためにVA層を
有する本発明のコンデンサと、これを有しない従来のコ
ンデンサにつき、その特性を比較する実験を行なったと
ころ、その結果は第8図に示すように、本発明のコンデ
ンサAは従来ノコンデンサBよりも、ΔC/CおよびC
Rの減衰率およびtanδの増加率においてすぐれてい
ることを確認することができた。
以上述べたように、本発明は金属化プラスチックフィル
ムコンデンサの外装樹脂にi化ビ=リデンを主成分とす
る合成樹脂を採用することにより、その特性を改善する
すぐれた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図:(イ)(ロ)(・9に)←j→(へ)はいずれ
も本発明のコンデンサの実施例を示す図 第2図:VA層の厚さと、ムc/cとの関係を示すグラ
フ 第8図:本発明のコンデンサAと従来のコンデンサBと
の特性を比較するグラフで、 (イ)はΔC/C1(ロ)はCR,(ハ)はtanδの
時間の経過に伴う変化を示している。 ■・・・コンデンサ素子、2・・メタリコン電極、8・
・・リード線、4・・・溶着、5・・・VA(☆・1脂
、6・・・ケース、?・・・モールド用樹脂 児4図 (ハ)                (ニ)(ホ)
                (へ)第2図 1:
 1000時間イ友のハC//C1]ツ アーーt−ルド用樹脂層 時間CH)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属化プラスチックフィルムコンデンサ素子を平
    均の厚さが2.0μm以上の塩化ビニリデンを主成分と
    する合成樹脂層によつて密封被覆したことを特徴とする
    金属化プラスチックフィルムコンデンサ。
  2. (2)前記塩化ビニリデンを主成分とする合成樹脂層に
    よる前記コンデンサ素子の被覆は、他の合成樹脂層によ
    る被覆と併用して行なわれることを特徴とする特許請求
    の範囲(1)の金属化プラスチックフィルムコンデンサ
  3. (3)前記塩化ビニリデンを主成分とする合成樹脂層に
    よる前記コンデンサ素子の被覆は、2層以上の複数の合
    成樹脂層によつて行なわれることを特徴とする特許請求
    の範囲(2)の金属化プラスチックフィルムコンデンサ
JP60074010A 1985-04-08 1985-04-08 金属化プラスチツクフイルムコンデンサ Pending JPS61232604A (ja)

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JP60074010A JPS61232604A (ja) 1985-04-08 1985-04-08 金属化プラスチツクフイルムコンデンサ

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ID=13534686

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JP60074010A Pending JPS61232604A (ja) 1985-04-08 1985-04-08 金属化プラスチツクフイルムコンデンサ

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JP (1) JPS61232604A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015502040A (ja) * 2011-11-16 2015-01-19 スチュアート,マーティン,エー. 高エネルギー密度蓄電装置
US10971309B2 (en) 2016-09-29 2021-04-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Capacitor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015502040A (ja) * 2011-11-16 2015-01-19 スチュアート,マーティン,エー. 高エネルギー密度蓄電装置
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