JPS6123686B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6123686B2 JPS6123686B2 JP53103578A JP10357878A JPS6123686B2 JP S6123686 B2 JPS6123686 B2 JP S6123686B2 JP 53103578 A JP53103578 A JP 53103578A JP 10357878 A JP10357878 A JP 10357878A JP S6123686 B2 JPS6123686 B2 JP S6123686B2
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- JP
- Japan
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- circuit
- terminal
- transistor
- oscillation
- capacitor
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- Expired
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は寄生発振を防止するようにしたIC化
された発振回路に関するものである。
された発振回路に関するものである。
従来のモノリシツクIC発振回路をテレビ受像
機の電子チユーナにおける局部発振器に用いる場
合は、例えば第１図に示すようなコルピツツ形発
振回路が考えられる。
機の電子チユーナにおける局部発振器に用いる場
合は、例えば第１図に示すようなコルピツツ形発
振回路が考えられる。
第１図において１はモノリシツクIC化された
回路部分で、トランジスタQ1、抵抗R1，R2，R3
及びコンデンサC1，C2で構成されており、外部
端子２，３，４が導出されている。l1はトランジ
スタQ1のコレクタと端子２との間のボンデイン
グワイヤ及びヘツダに生じる寄生インダクタン
ス、l4は端子４とICペレツトの基板との間のボン
デイングワイヤ及びヘツダに生じる寄生インダク
タンスである。Csは上記コレクタのボンデイン
グパツトとICペレツトの基板との間に生じる寄
生容量である。５はタンク回路で、コンデンサ
C3，C4、バリキヤツプCv及びインダクタンスL1
によつてクラツプ形タンク回路に構成され且つ上
記端子２，３間に外部接続されている。l2はトラ
ンジスタQ1のベースと端子３との間に生じる寄
生インダクタンス、l3は上記外部接続されたタン
ク回路５のリード線により生じる寄生インダクタ
ンスである。またC5はバイパスコンデンサであ
る。タンク回路５には、受像機の選局操作に応じ
た大きさの制御電圧Ecが抵抗R4を通じてバリキ
ヤツプCvに加えられ、これによつてこのタンク
回路５の共振周波数、即ち発振周波数が選局に応
じて変えられるように成されている。
回路部分で、トランジスタQ1、抵抗R1，R2，R3
及びコンデンサC1，C2で構成されており、外部
端子２，３，４が導出されている。l1はトランジ
スタQ1のコレクタと端子２との間のボンデイン
グワイヤ及びヘツダに生じる寄生インダクタン
ス、l4は端子４とICペレツトの基板との間のボン
デイングワイヤ及びヘツダに生じる寄生インダク
タンスである。Csは上記コレクタのボンデイン
グパツトとICペレツトの基板との間に生じる寄
生容量である。５はタンク回路で、コンデンサ
C3，C4、バリキヤツプCv及びインダクタンスL1
によつてクラツプ形タンク回路に構成され且つ上
記端子２，３間に外部接続されている。l2はトラ
ンジスタQ1のベースと端子３との間に生じる寄
生インダクタンス、l3は上記外部接続されたタン
ク回路５のリード線により生じる寄生インダクタ
ンスである。またC5はバイパスコンデンサであ
る。タンク回路５には、受像機の選局操作に応じ
た大きさの制御電圧Ecが抵抗R4を通じてバリキ
ヤツプCvに加えられ、これによつてこのタンク
回路５の共振周波数、即ち発振周波数が選局に応
じて変えられるように成されている。
上記構成による発振回路を高周波数信号に関し
て注目すると、第２図に示すような高周波等価回
路に描き直すことができる。ここで第１図におけ
るコンデンサC5及びインダクタンスL1は、他の
コンデンサ及びインダクタンスに比べて値が極め
て大きいため、夫々短絡、開放として扱つてい
る。
て注目すると、第２図に示すような高周波等価回
路に描き直すことができる。ここで第１図におけ
るコンデンサC5及びインダクタンスL1は、他の
コンデンサ及びインダクタンスに比べて値が極め
て大きいため、夫々短絡、開放として扱つてい
る。
この等価回路においては、トランジスタQ1の
コレクタ・ベース間にl2，C3，l3，Ｃv，C4による
直列回路が構成されている。この直列回路が直列
共振周波数fsに近づいた場合は、l1，l4及びCsで
構成される共振回路が、トランジスタQ1のコレ
クタからベースへのフイードバツクループを形成
することになる。このため、本来の発振とは異る
寄生インダクタンスl1，l4と寄生容量Csとによる
寄生発振が生じる。このように従来のIC発振回
路を電子チユーナに使用すると、上述したような
寄生発振が生じるため、その実用化が妨げられて
いたものである。
コレクタ・ベース間にl2，C3，l3，Ｃv，C4による
直列回路が構成されている。この直列回路が直列
共振周波数fsに近づいた場合は、l1，l4及びCsで
構成される共振回路が、トランジスタQ1のコレ
クタからベースへのフイードバツクループを形成
することになる。このため、本来の発振とは異る
寄生インダクタンスl1，l4と寄生容量Csとによる
寄生発振が生じる。このように従来のIC発振回
路を電子チユーナに使用すると、上述したような
寄生発振が生じるため、その実用化が妨げられて
いたものである。
本発明は上記の問題を解決するためのもので、
以下その実施例を第３図及び第４図と共に説明す
る。尚、第３図及び第４図においては、第１図と
同一部分には同一符号を付してある。
以下その実施例を第３図及び第４図と共に説明す
る。尚、第３図及び第４図においては、第１図と
同一部分には同一符号を付してある。
本実施例では第３図に示すように、IC回路１
に、トランジスタQ1のコレクタと接続される端
子６を新たに設けている。そしてこの端子６に、
第１図におけるバリキヤツプＣvとコンデンサC4
との直列回路のアース側の一端を接続している。
この場合、既述のl1を有するヘツダとは別に新た
なヘツダを形成して、このヘツダに端子６を設け
るようにしてよい。また上記新たに設けられたヘ
ツダと既述のコレクタ側パツドとを、上記l1のヘ
ツダとは別のワイヤボンデイングによつて接続す
るようにしてよい。あるいはl1のヘツダの端部と
新たに形成されたヘツダの端部とを共通部分で形
成し、この共通部分とパツドとを１本のワイヤボ
ンデイングで接続するようにしてもよい。上記端
子６を設けることにより、寄生インダクタンスl5
が生じ、このl5はl1と略等しい大きさなる。
に、トランジスタQ1のコレクタと接続される端
子６を新たに設けている。そしてこの端子６に、
第１図におけるバリキヤツプＣvとコンデンサC4
との直列回路のアース側の一端を接続している。
この場合、既述のl1を有するヘツダとは別に新た
なヘツダを形成して、このヘツダに端子６を設け
るようにしてよい。また上記新たに設けられたヘ
ツダと既述のコレクタ側パツドとを、上記l1のヘ
ツダとは別のワイヤボンデイングによつて接続す
るようにしてよい。あるいはl1のヘツダの端部と
新たに形成されたヘツダの端部とを共通部分で形
成し、この共通部分とパツドとを１本のワイヤボ
ンデイングで接続するようにしてもよい。上記端
子６を設けることにより、寄生インダクタンスl5
が生じ、このl5はl1と略等しい大きさなる。
上記構成による発振回路を高周波等価回路に描
き直すと第４図のようになる。ここで第３図にお
けるコンデンサC5及びインダクタンスL1は他の
コンデンサ及びインダクタンスに比べて値が極め
て大きいため、夫々短絡、開放として扱つてい
る。
き直すと第４図のようになる。ここで第３図にお
けるコンデンサC5及びインダクタンスL1は他の
コンデンサ及びインダクタンスに比べて値が極め
て大きいため、夫々短絡、開放として扱つてい
る。
第４図の等価回路においては、l2，C3，Ｃv，
C4，l3，l5で構成される直列回路は、直列共振周
波数付近でトランジスタQ1のコレクタ・ベース
間が非常に低いインピーダンスとなり短絡に近い
状態となる。このためトランジスタQ1は不動作
状態に近くなり、l1，l4及びCsによる寄生発振は
起こらない。
C4，l3，l5で構成される直列回路は、直列共振周
波数付近でトランジスタQ1のコレクタ・ベース
間が非常に低いインピーダンスとなり短絡に近い
状態となる。このためトランジスタQ1は不動作
状態に近くなり、l1，l4及びCsによる寄生発振は
起こらない。
これは、第２図の場合と比較した時、第２図で
は直列共振回路の共振点付近でトランジスタQ1
のコレクタがl1を介してベースにフイードバツク
されているのに対し、第４図では、フイードバツ
クされていないことの違いによる。
は直列共振回路の共振点付近でトランジスタQ1
のコレクタがl1を介してベースにフイードバツク
されているのに対し、第４図では、フイードバツ
クされていないことの違いによる。
尚、ここで第２図のl1とC4との接続点がl4を介
してアースに接続されているため、l1は直列共振
回路の一部とは見なせないが、第４図において
は、l5とl3との接続点がアースには接続されてい
ないので、l5は直列共振回路の一部とみなすこと
ができる。
してアースに接続されているため、l1は直列共振
回路の一部とは見なせないが、第４図において
は、l5とl3との接続点がアースには接続されてい
ないので、l5は直列共振回路の一部とみなすこと
ができる。
本発明は、IC回路１内に形成されたトランジ
スタQ1のベースから導出された第１の端子３と
上記トランジスタのコレクタから導出された第２
の端子２との間に、コンデンサC4と可変容量素
子ＣvとインダクタンスL1とを有するタンク回路
５が外部接続されて成るコルピツツ型発振回路に
おいて、上記トランジスタQ1の上記コレクタか
ら第３の端子６を導出し、上記第１の端子３と上
記第３の端子６との間に、上記タンク回路５を構
成する上記コンデンサC4と上記可変容量素子Ｃv
とを直列に接続すると共に、上記コンデンサC4
と上記可変容量素子Ｃvとの接続点と上記第２の
端子との間に、上記タンク回路５を構成する上記
インダクタンスL1を接続したことを特徴とする
発振回路に係るものである。
スタQ1のベースから導出された第１の端子３と
上記トランジスタのコレクタから導出された第２
の端子２との間に、コンデンサC4と可変容量素
子ＣvとインダクタンスL1とを有するタンク回路
５が外部接続されて成るコルピツツ型発振回路に
おいて、上記トランジスタQ1の上記コレクタか
ら第３の端子６を導出し、上記第１の端子３と上
記第３の端子６との間に、上記タンク回路５を構
成する上記コンデンサC4と上記可変容量素子Ｃv
とを直列に接続すると共に、上記コンデンサC4
と上記可変容量素子Ｃvとの接続点と上記第２の
端子との間に、上記タンク回路５を構成する上記
インダクタンスL1を接続したことを特徴とする
発振回路に係るものである。
従つて本発明によれば、斯種IC発振回路の寄
生発振を防止して、広い周波数範囲にわたつて安
定な発振を行わせることができる。これによつて
特にIC発振回路をチユーナに用いることが可能
となる。
生発振を防止して、広い周波数範囲にわたつて安
定な発振を行わせることができる。これによつて
特にIC発振回路をチユーナに用いることが可能
となる。
第１図は従来のIC発振回路を電子チユーナに
適用する場合に考えられる発振回路の一例を示す
回路図、第２図は第１図の高周波等価回路図、第
３図は本発明の実施例を示す回路図、第４図は第
３図の高周波等価回路図である。 なお、図面に用いた符号において、１……IC
回路、２，３，６……端子、５……タンク回路、
C4……コンデンサ、Ｃv……バリキヤツプ、L1…
…インダクタンスである。
適用する場合に考えられる発振回路の一例を示す
回路図、第２図は第１図の高周波等価回路図、第
３図は本発明の実施例を示す回路図、第４図は第
３図の高周波等価回路図である。 なお、図面に用いた符号において、１……IC
回路、２，３，６……端子、５……タンク回路、
C4……コンデンサ、Ｃv……バリキヤツプ、L1…
…インダクタンスである。
Claims (1)
- １ IC回路内に形成されたトランジスタのベー
スから導出された第１の端子と上記トランジスタ
のコレクタから導出された第２の端子との間に、
コンデンサと可変容量素子とインダクタンスとを
有するタンク回路が外部接続されて成るコルピツ
ツ型発振回路において、上記トランジスタの上記
コレクタから第３の端子を導出し、上記第１の端
子と上記第３の端子との間に、上記タンク回路を
構成する上記コンデンサと上記可変容量素子とを
直列に接続すると共に、上記コンデンサと上記可
変容量素子との接続点と上記第２の端子との間
に、上記タンク回路を構成する上記インダクタン
スを接続したことを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10357878A JPS5530250A (en) | 1978-08-25 | 1978-08-25 | Oscillation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10357878A JPS5530250A (en) | 1978-08-25 | 1978-08-25 | Oscillation circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5530250A JPS5530250A (en) | 1980-03-04 |
| JPS6123686B2 true JPS6123686B2 (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=14357659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10357878A Granted JPS5530250A (en) | 1978-08-25 | 1978-08-25 | Oscillation circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5530250A (ja) |
-
1978
- 1978-08-25 JP JP10357878A patent/JPS5530250A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5530250A (en) | 1980-03-04 |
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