JPS6124031A - 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 - Google Patents
光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置Info
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- JPS6124031A JPS6124031A JP14576684A JP14576684A JPS6124031A JP S6124031 A JPS6124031 A JP S6124031A JP 14576684 A JP14576684 A JP 14576684A JP 14576684 A JP14576684 A JP 14576684A JP S6124031 A JPS6124031 A JP S6124031A
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- G11B7/095—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following specially adapted for discs, e.g. for compensation of eccentricity or wobble
- G11B7/0956—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following specially adapted for discs, e.g. for compensation of eccentricity or wobble to compensate for tilt, skew, warp or inclination of the disc, i.e. maintain the optical axis at right angles to the disc
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- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光学式記録装置、再生装置及び記録再生装置に
適用して好適な光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装
置に関する。
適用して好適な光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装
置に関する。
背景技術とその問題点
先ず第３図を参照して、従来の光学式ヘッドのトラッキ
ング誤差検出装置について説明する。
ング誤差検出装置について説明する。
ＯＨは光学式ヘッドを全体としてボす。（１１は半導体
レーザ素子（レーザダイオード）で、これのレーザビー
ム出射端面（ＩＡ）側より出射した、断向が楕円の発散
レーザビームしはコリメータレンズ（不用の場合もある
）（２）に入射せしめられて平行ビームとなされた後、
回折格子（グレーティング）（３）に入射せしめられる
。回折格子（３）より出射した０次ビームＬｏ及び±１
次ビームＬ＋ｚ、 Ｌ−ｔ （尚、＋２次上、−２次
以下のビームは無視する）は非偏光ビームスプリッタ（
ハーフミラ−）（偏向ビームスプリンタの場合は、回折
格子（３）との間にＡ波長枚を設ける）（４）を通過し
た後、対物レンズ（５）に入射せしめられて集束せしめ
られ、その集束された０次ビームＬｏ及び±１次ビーム
Ｌ◆ｔ＋Ｌ−１は光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含
む）（６）の記録面に所定間隔（例えば１０μｍ）を置
いて入射せしめられる。
レーザ素子（レーザダイオード）で、これのレーザビー
ム出射端面（ＩＡ）側より出射した、断向が楕円の発散
レーザビームしはコリメータレンズ（不用の場合もある
）（２）に入射せしめられて平行ビームとなされた後、
回折格子（グレーティング）（３）に入射せしめられる
。回折格子（３）より出射した０次ビームＬｏ及び±１
次ビームＬ＋ｚ、 Ｌ−ｔ （尚、＋２次上、−２次
以下のビームは無視する）は非偏光ビームスプリッタ（
ハーフミラ−）（偏向ビームスプリンタの場合は、回折
格子（３）との間にＡ波長枚を設ける）（４）を通過し
た後、対物レンズ（５）に入射せしめられて集束せしめ
られ、その集束された０次ビームＬｏ及び±１次ビーム
Ｌ◆ｔ＋Ｌ−１は光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含
む）（６）の記録面に所定間隔（例えば１０μｍ）を置
いて入射せしめられる。
光学式記録媒体（６）で反射した０次ビームＬｏ及び±
１次ビームＬ◆ｉ＋Ｌ−１は対物レンズ（５）を通過し
た後、ビームスプリッタ（４）に入射せしめられ、その
一部はその反射面（４ａ）で反射して光検出器（７）に
入射せしめられる。この光検出器（７）は、θ次ビーム
Ｌｏ及び±１次ビームＬ ＋１ 、 Ｌ−ｔが各別に
入射せしめられる３個の光検出部にて構成される。
１次ビームＬ◆ｉ＋Ｌ−１は対物レンズ（５）を通過し
た後、ビームスプリッタ（４）に入射せしめられ、その
一部はその反射面（４ａ）で反射して光検出器（７）に
入射せしめられる。この光検出器（７）は、θ次ビーム
Ｌｏ及び±１次ビームＬ ＋１ 、 Ｌ−ｔが各別に
入射せしめられる３個の光検出部にて構成される。
そして、±１欠ビームが夫々入射せしめられる一対の光
検出部からの一対の光検出出力の差を採ることにより、
０次ビームＬｏの光学式記録媒体（６）の記録面上での
トラッキング状態に応じたトラッキング誤差信号が得ら
れる。又、０次ビームの入射せしめられた光検出部から
は、再生信号、フォーカスエラー信号等が得られる。
検出部からの一対の光検出出力の差を採ることにより、
０次ビームＬｏの光学式記録媒体（６）の記録面上での
トラッキング状態に応じたトラッキング誤差信号が得ら
れる。又、０次ビームの入射せしめられた光検出部から
は、再生信号、フォーカスエラー信号等が得られる。
次に、半導体レーザ素子（１）の−例につい°ζ第４図
を参照して説明する。この半導体レーザ素子（１１は通
常一方の電極を兼ねた銅等より成るヒートシンク（８）
上に固着されている。半導体レーザ素子（１）の構造を
図に於いてその上層から１層に向かって説明すると、（
１ａ）は電極層、（１ｂ）はｎ−ＧａＡｓｆｆ１（基体
層）、（１ｃ）はｎ−Ｇ、ａｌ−ｙＡＩｙＡｓ層（クラ
ッド層）、（１ｄ）はＧａｔ−ｘＡＩｘＡｓ層（活性層
）、（１ｅ）はｐ−Ｇａｘ−ｙＡＩｙＡｓ層（クラッド
層）、（１ｆ）はｐ−ＧａＡｓｍである。そして、活性
ｊｉｌ（ｌｄ）から上述のレーザビームＬが出射する。
を参照して説明する。この半導体レーザ素子（１１は通
常一方の電極を兼ねた銅等より成るヒートシンク（８）
上に固着されている。半導体レーザ素子（１）の構造を
図に於いてその上層から１層に向かって説明すると、（
１ａ）は電極層、（１ｂ）はｎ−ＧａＡｓｆｆ１（基体
層）、（１ｃ）はｎ−Ｇ、ａｌ−ｙＡＩｙＡｓ層（クラ
ッド層）、（１ｄ）はＧａｔ−ｘＡＩｘＡｓ層（活性層
）、（１ｅ）はｐ−Ｇａｘ−ｙＡＩｙＡｓ層（クラッド
層）、（１ｆ）はｐ−ＧａＡｓｍである。そして、活性
ｊｉｌ（ｌｄ）から上述のレーザビームＬが出射する。
この半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（
臂開面）（１＾）を正面とすると、その幅が１００〜３
００μ鞘、高さく厚さ）が８０〜１００μｍ、奥行が２
００〜３００μｍである。活性層（ｌｄ）のヒートシン
ク（８）の上面からの高さは数μｍである。
臂開面）（１＾）を正面とすると、その幅が１００〜３
００μ鞘、高さく厚さ）が８０〜１００μｍ、奥行が２
００〜３００μｍである。活性層（ｌｄ）のヒートシン
ク（８）の上面からの高さは数μｍである。
ところで、０次ビームＬｏの光学式記録媒体（６）の記
録面に対するタンジェンシャルスキュー角が変化すると
、トラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変化
し、正確なトラッキングエラーを検出することができな
かった。
録面に対するタンジェンシャルスキュー角が変化すると
、トラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変化
し、正確なトラッキングエラーを検出することができな
かった。
本発明者等はその原因を究明したところ、次のようなこ
とが分かった。光学式記録媒体（６）で反射した０次ビ
ームＬｏ及び±１次ビームＬ◆ｔ＋ Ｌ−１は対物レ
ンズ（５）を通過した後、ビームスプリンタ（４）の反
射面（４ａ）で反射するのみならず、ビームスプリッタ
（４）を通過し、回折格子（３）に入射して、夫々に対
応して格別の０次ビーム及び±１次ビームが発生し、コ
リメータレンズ（２）を通過して半導体レーザ素子（１
）に向かう。この半導体レーザ素子（１１に向かうビー
ムのビーム量は、非偏光ビームスプリッタを用いた場合
には多く、偏光ビームスプリッタを用いた場合は少ない
。この場合、半導体 ゛レーザ素子（１）のレーザビ
ーム発光端面（１八）と、回折格子（３）との相対回動
角位置に応じて、半導体レーザ素子＋１１に向かう中心
ビームＬａ及びその両側に位置する両側ビームＬｂ、Ｌ
ｃの配置は夫々中心ビームＬａがレーザビーム出射端面
（１＾）上の活性層（Ｌｄ）に位置し、両側ビームＬｂ
、Ｌｃが中心ビームＬａの位置を通り、活性層（１ｄ）
と直交する直線上に於いて上下に位置する場合と、中心
ビームＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃが共に活性層（ｌ
ｄ）上に位置する場合と、中心ビームＬａ及び両側ビー
ムＬｂ、Ｌｃを結ぶ直線が上記２つの場合の中間の任意
の角度位置に来る場合とがある。そして、これら中心ビ
ームＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃは、０次ビームＬＯ
と、±１次ビームＬ ＋ｘ ＋ Ｌ−ｔが回折格子（
３）によって再回折され、且つ混在して重畳されたもの
である。
とが分かった。光学式記録媒体（６）で反射した０次ビ
ームＬｏ及び±１次ビームＬ◆ｔ＋ Ｌ−１は対物レ
ンズ（５）を通過した後、ビームスプリンタ（４）の反
射面（４ａ）で反射するのみならず、ビームスプリッタ
（４）を通過し、回折格子（３）に入射して、夫々に対
応して格別の０次ビーム及び±１次ビームが発生し、コ
リメータレンズ（２）を通過して半導体レーザ素子（１
）に向かう。この半導体レーザ素子（１１に向かうビー
ムのビーム量は、非偏光ビームスプリッタを用いた場合
には多く、偏光ビームスプリッタを用いた場合は少ない
。この場合、半導体 ゛レーザ素子（１）のレーザビ
ーム発光端面（１八）と、回折格子（３）との相対回動
角位置に応じて、半導体レーザ素子＋１１に向かう中心
ビームＬａ及びその両側に位置する両側ビームＬｂ、Ｌ
ｃの配置は夫々中心ビームＬａがレーザビーム出射端面
（１＾）上の活性層（Ｌｄ）に位置し、両側ビームＬｂ
、Ｌｃが中心ビームＬａの位置を通り、活性層（１ｄ）
と直交する直線上に於いて上下に位置する場合と、中心
ビームＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃが共に活性層（ｌ
ｄ）上に位置する場合と、中心ビームＬａ及び両側ビー
ムＬｂ、Ｌｃを結ぶ直線が上記２つの場合の中間の任意
の角度位置に来る場合とがある。そして、これら中心ビ
ームＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃは、０次ビームＬＯ
と、±１次ビームＬ ＋ｘ ＋ Ｌ−ｔが回折格子（
３）によって再回折され、且つ混在して重畳されたもの
である。
ところで、両側ビームＬｂ、Ｌｃの少なくとも一方がヒ
ートシンク（８）の面に入射した場合は、その面が粗面
であるので、そのビームはそこで乱反射されるので問題
はないが、両側ビームＬｂ、Ｌｃの少なくとも一方が半
導体レーザ素子＋１＋のレーザビーム出射端面（ＩＡ）
に入射する場合は、この端面（１＾）は″反射率が良好
（例えば１０％）なので、この端面（１＾）で反射し、
上述の光路を通過し°ζ光検出器（ηに入射するので、
＋１次又は−１ビームと干渉を起こす。このため、０次
ビームＬｏの光学式記録媒体（６）の記録面に対するタ
ンジェンシャルスキュー角に応じて、光検出器（ηに入
射する＋１次又は−１次ビームの強度が変化し、トラフ
° キングエラー信号がそのスキュー角に応じて周期的
に変化する。第６図は、両側ビームＬｂ、Ｌｃの一方Ｌ
ｂが半導体レーザ素子（１）のレーザビーム発光端面（
ＩＡ）に入射し、他方Ｌｃがヒートシンク（８）に入射
した場合の、０次ビームＬｏの光学式記録媒体（６）の
記録面に対するタンジェンシャルスキュー角α°に対す
るトラッキングエラー信号Ｓｅのレベル変化の理想的な
波形を示し、スキュー角α°の変化に応じてトラッキン
グエラー信号ＳｅのレーザビームＬの波長λに対し、λ
／２毎の周期でレベルが周期的に変化する。尚、実際に
は、１α１が増大するにつれて、トラッキングエラー信
号Ｓｅのレベルは減衰する。尚、両側ビームＬｂ、Ｌｃ
共レーザビーム出射端面（ＩＡ）に入射する場合は、第
６図に対応する波形の振幅が第６図のそれの２倍となり
、位相は第６図と異なる。
ートシンク（８）の面に入射した場合は、その面が粗面
であるので、そのビームはそこで乱反射されるので問題
はないが、両側ビームＬｂ、Ｌｃの少なくとも一方が半
導体レーザ素子＋１＋のレーザビーム出射端面（ＩＡ）
に入射する場合は、この端面（１＾）は″反射率が良好
（例えば１０％）なので、この端面（１＾）で反射し、
上述の光路を通過し°ζ光検出器（ηに入射するので、
＋１次又は−１ビームと干渉を起こす。このため、０次
ビームＬｏの光学式記録媒体（６）の記録面に対するタ
ンジェンシャルスキュー角に応じて、光検出器（ηに入
射する＋１次又は−１次ビームの強度が変化し、トラフ
° キングエラー信号がそのスキュー角に応じて周期的
に変化する。第６図は、両側ビームＬｂ、Ｌｃの一方Ｌ
ｂが半導体レーザ素子（１）のレーザビーム発光端面（
ＩＡ）に入射し、他方Ｌｃがヒートシンク（８）に入射
した場合の、０次ビームＬｏの光学式記録媒体（６）の
記録面に対するタンジェンシャルスキュー角α°に対す
るトラッキングエラー信号Ｓｅのレベル変化の理想的な
波形を示し、スキュー角α°の変化に応じてトラッキン
グエラー信号ＳｅのレーザビームＬの波長λに対し、λ
／２毎の周期でレベルが周期的に変化する。尚、実際に
は、１α１が増大するにつれて、トラッキングエラー信
号Ｓｅのレベルは減衰する。尚、両側ビームＬｂ、Ｌｃ
共レーザビーム出射端面（ＩＡ）に入射する場合は、第
６図に対応する波形の振幅が第６図のそれの２倍となり
、位相は第６図と異なる。
次に、両側ビームＬｂ、Ｌｃのうちの一方Ｌｂが半導体
レーザ素子（１１のレーザビーム出射端面（１＾）に入
射し、他方Ｌｃがヒートシンク（８）に入射する場合の
干渉について、第７図（レンズ系の図示を省略しである
）を参照して説明する。第７図に於いて、実線にて示さ
れる（１＾）はレーザビーム出射端面であるが、破線に
て示される正規の位置の出射端面（１＾）に対し傾いて
いる一般的な場合を示し、又、実線にて示される（６）
は光学式記録媒体であるが、破線にて示される正規の位
置の光学式記録媒体（６）に対し傾いている場合を示す
。
レーザ素子（１１のレーザビーム出射端面（１＾）に入
射し、他方Ｌｃがヒートシンク（８）に入射する場合の
干渉について、第７図（レンズ系の図示を省略しである
）を参照して説明する。第７図に於いて、実線にて示さ
れる（１＾）はレーザビーム出射端面であるが、破線に
て示される正規の位置の出射端面（１＾）に対し傾いて
いる一般的な場合を示し、又、実線にて示される（６）
は光学式記録媒体であるが、破線にて示される正規の位
置の光学式記録媒体（６）に対し傾いている場合を示す
。
０次ビームＬｏは正規の位置のレーザビーム出射端面（
１＾）及び正規の位置の光学式記録媒体（６）の記録面
に対し鉛直である。θは＋１次ビームＬ◆１の０次ビー
ムＬ。に対する角度である。ｌ工４ｔレーザビーム出射
端面（１＾）及び回折格子（３）間の位相長、１２は回
折格子（３）及び光学式記録媒体（６）の記録面間の位
相長である。Δｊｌｚ＋ΔＥ２は夫々位相長１１． Ｉ
！、２に対する０次ビームＬＯ及び＋１次ビームＬ＋ｎ
間の位相差である。ΔＮ３＋Δ！４は夫々光学式記録媒
体（６）のスキュー位相、レーザビーム出射端面（ＬＡ
）のスキュー位相である。
１＾）及び正規の位置の光学式記録媒体（６）の記録面
に対し鉛直である。θは＋１次ビームＬ◆１の０次ビー
ムＬ。に対する角度である。ｌ工４ｔレーザビーム出射
端面（１＾）及び回折格子（３）間の位相長、１２は回
折格子（３）及び光学式記録媒体（６）の記録面間の位
相長である。Δｊｌｚ＋ΔＥ２は夫々位相長１１． Ｉ
！、２に対する０次ビームＬＯ及び＋１次ビームＬ＋ｎ
間の位相差である。ΔＮ３＋Δ！４は夫々光学式記録媒
体（６）のスキュー位相、レーザビーム出射端面（ＬＡ
）のスキュー位相である。
又、ｇを回折格子（３）に於けるＯ次ビームＬｏ’及び
＋１次ビームＬ＋□間の位相差とする。ｌｏ＋ ｉｔ
を夫々回折格子（３）に於ける０次ビーム、＋１次ビー
ムの透過率、ｔをハーフミラ−（４）の透過率、ｒ。
＋１次ビームＬ＋□間の位相差とする。ｌｏ＋ ｉｔ
を夫々回折格子（３）に於ける０次ビーム、＋１次ビー
ムの透過率、ｔをハーフミラ−（４）の透過率、ｒ。
ｆを夫々光学式記録媒体（６）の記録面上、レーザビー
ム出射端面（１＾）上の反射率とする。
ム出射端面（１＾）上の反射率とする。
しかして、＋１次ビームＬ＋ｚが入射する光学式記録媒
体（６）の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の
４つの場合に分けて考える。
体（６）の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の
４つの場合に分けて考える。
（１）ａｔ：＋１次ビームＬ◆１が直接点Ａに入射した
場合。
場合。
（２１ａ２：０次ビームＬｏが光学式記録媒体（６）で
反射し、再に回折格子（３）に入射することによって得
られた０次ビームがレーザビーム出射端面（１八）で反
射し、再度回折格子（３）に入射することによって得ら
れた＋１次ビームが点Ａに入射した場合である。
反射し、再に回折格子（３）に入射することによって得
られた０次ビームがレーザビーム出射端面（１八）で反
射し、再度回折格子（３）に入射することによって得ら
れた＋１次ビームが点Ａに入射した場合である。
＋３）ａ３ ：０次ビームＬｏが光学式記録媒体（６）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた＋１次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた０次ビームが点Ａに入射した場合である。
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた＋１次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた０次ビームが点Ａに入射した場合である。
（４）ａ４ ：＋１次ビームＬ＋ｚが光学式記録媒体（
６）で反射し、再度回折格子（３）に入射することによ
って得られた０次ビームがレーザビーム出射端面（ｌ＾
）で反射し、再度回折格子（３）に入射することによっ
て得られた０次ビームが点Ａに入射する場合である。
６）で反射し、再度回折格子（３）に入射することによ
って得られた０次ビームがレーザビーム出射端面（ｌ＾
）で反射し、再度回折格子（３）に入射することによっ
て得られた０次ビームが点Ａに入射する場合である。
次にａ１〜ａ４を式にて示す。
ａ、＝ｔ、１ｅｘｐ （ｊ （ｊ！ｘ ＋ｇ＋１２＋
Δβ２＋ΔＲ３））・ ・ ・（１） ａ２ ＝Ｌ：ｔｚｔ３ｒｆ’ｅｘｐ （ｊ （３＜Ｉ
ｈ ＋ｌ１２） ＋ｇ＋Δβ２＋Δｅ３）〕
・・・（２）ａｍ ＝ｉ、ｔｘ
ｔ３ｒｆ−ｅｘｐ （ｊ （３（ｊｈ ＋Ｎ２ ） ＋
ｇ＋２Δβ１＋Δｅ２＋Δｅ３＋２Δｅ４）〕
・・・（３）ａ４ ＝ｉ名ｔ１ｔ３ｒｆ−ｅｘｐ
（ｊ （３＜Ｉ１１＋１１２） ＋ｐ＋３ （Δｅ２
＋Δ６ｉ）＋２Δｌｌｘ ＋２ΔＣ４）〕・・・（４） 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２ （
７！１ ＋７４２ ）以下とすると、点Ａに於ける光の
強度■＾は次式のように表される。
Δβ２＋ΔＲ３））・ ・ ・（１） ａ２ ＝Ｌ：ｔｚｔ３ｒｆ’ｅｘｐ （ｊ （３＜Ｉ
ｈ ＋ｌ１２） ＋ｇ＋Δβ２＋Δｅ３）〕
・・・（２）ａｍ ＝ｉ、ｔｘ
ｔ３ｒｆ−ｅｘｐ （ｊ （３（ｊｈ ＋Ｎ２ ） ＋
ｇ＋２Δβ１＋Δｅ２＋Δｅ３＋２Δｅ４）〕
・・・（３）ａ４ ＝ｉ名ｔ１ｔ３ｒｆ−ｅｘｐ
（ｊ （３＜Ｉ１１＋１１２） ＋ｐ＋３ （Δｅ２
＋Δ６ｉ）＋２Δｌｌｘ ＋２ΔＣ４）〕・・・（４） 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２ （
７！１ ＋７４２ ）以下とすると、点Ａに於ける光の
強度■＾は次式のように表される。
ＩＡ＝ｌａｔ １２＋ｌａ２ ＋ａ３＋ａ４１２＝ｔ
：ｔ’ （１＋ｔ：ｔ’ｒ２ｆ２（３＋２ｃｏｓ ２
（Δ１１＋Δら）＋２ｃｏｓ ２ （Δｌ１１＋ΔＡ４
＋Δｌ１２＋Δｅ３）＋２ｃｏｓ ２ （ΔＡｘ＋ΔＩ
！３））） ・・ｉ６１又、両側ビームＬｂ
、Ｌｃの両方がレーザビーム出射端面（ＩＡ）に入射す
る場合に於いて、＋１次ビームＬ÷１が光学式記録媒体
（６）の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビームＬ−１
が０次ビームＬｏに対し対称な点Ｂに入射する場合は、
点Ａの光の強度ＩＡは（５）式の通りであるが、点Ｂの
光の強度Ｉｓは次式のように表される。
：ｔ’ （１＋ｔ：ｔ’ｒ２ｆ２（３＋２ｃｏｓ ２
（Δ１１＋Δら）＋２ｃｏｓ ２ （Δｌ１１＋ΔＡ４
＋Δｌ１２＋Δｅ３）＋２ｃｏｓ ２ （ΔＡｘ＋ΔＩ
！３））） ・・ｉ６１又、両側ビームＬｂ
、Ｌｃの両方がレーザビーム出射端面（ＩＡ）に入射す
る場合に於いて、＋１次ビームＬ÷１が光学式記録媒体
（６）の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビームＬ−１
が０次ビームＬｏに対し対称な点Ｂに入射する場合は、
点Ａの光の強度ＩＡは（５）式の通りであるが、点Ｂの
光の強度Ｉｓは次式のように表される。
Ｉ ｅ ＝ｉｊｔ’ （１＋＋９’ｒｉｆ２（３＋２ｃ
ｏｓ ２ （Δβ１−ΔＩｔ４） ＋２ｃｏｓ ２ （
Δβ１−Δ１４十Δ！２−Δｊ）３） ＋２ｃｏｓ ２
（Δ７！２−Δｊ！３））） ・
・・（６）発明の目的 本発明は上述した光学式トラッキング誤差検出装置に於
いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式記録媒体に対
するタンジェンシャルスキュー角の変化によっては変化
する虞のないトラッキングエラー信号を得ることのでき
るものを提案しようとするものである。
ｏｓ ２ （Δβ１−ΔＩｔ４） ＋２ｃｏｓ ２ （
Δβ１−Δ１４十Δ！２−Δｊ）３） ＋２ｃｏｓ ２
（Δ７！２−Δｊ！３））） ・
・・（６）発明の目的 本発明は上述した光学式トラッキング誤差検出装置に於
いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式記録媒体に対
するタンジェンシャルスキュー角の変化によっては変化
する虞のないトラッキングエラー信号を得ることのでき
るものを提案しようとするものである。
発明の概要
本発明は、半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子
よりのレーザビームが入射せしめられる回折格子と、こ
の回折格子より出射した０次ビーム及び±１次ビームが
通過せしめられるビームスプリッタと、このビームスプ
リッタより出射した０次ビーム及び±１次ビームが集束
せしめられて光学式記録媒体に入射せしめられる対物レ
ンズと、光学式記録媒体により反射せしめられた０次ビ
ーム及び±１次ビームが対物レンズを通過し、更にビー
ムスプリンタの反射面で反射した後、入射せしめられる
光検出器とを有し、光検出器より±１、 次ビームに
対応した一対の光検出出力を得、この一対の光検出出力
の差に基づいて０次ビームの光学式記録媒体上のトラッ
キング状態に応じたトラッキング誤差信号を得るように
した光学式ヘッドのトラッキング峡差検出装置に於いて
、光学式記録媒体より反射し、対物レンズ、ビームスプ
リッタ及び回折格子を通過して半導体レーザ素子に向か
う中心ビーム及びその両側の両側ビームのうち両側ビー
ムが、半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面に入射
しないように、半導体レーザ素子のレーザビーム出射端
面側に光を散乱又は吸収す・ る光遮蔽体を設けて成る
ことを特徴とするものである。
よりのレーザビームが入射せしめられる回折格子と、こ
の回折格子より出射した０次ビーム及び±１次ビームが
通過せしめられるビームスプリッタと、このビームスプ
リッタより出射した０次ビーム及び±１次ビームが集束
せしめられて光学式記録媒体に入射せしめられる対物レ
ンズと、光学式記録媒体により反射せしめられた０次ビ
ーム及び±１次ビームが対物レンズを通過し、更にビー
ムスプリンタの反射面で反射した後、入射せしめられる
光検出器とを有し、光検出器より±１、 次ビームに
対応した一対の光検出出力を得、この一対の光検出出力
の差に基づいて０次ビームの光学式記録媒体上のトラッ
キング状態に応じたトラッキング誤差信号を得るように
した光学式ヘッドのトラッキング峡差検出装置に於いて
、光学式記録媒体より反射し、対物レンズ、ビームスプ
リッタ及び回折格子を通過して半導体レーザ素子に向か
う中心ビーム及びその両側の両側ビームのうち両側ビー
ムが、半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面に入射
しないように、半導体レーザ素子のレーザビーム出射端
面側に光を散乱又は吸収す・ る光遮蔽体を設けて成る
ことを特徴とするものである。
かかる本発明によれば、この捕光学式トラッキング誤差
検出装置に於いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式
記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の変化に
よって変化する虞のないトラッキングエラー信号を得る
ことのできるものを得ることができる。
検出装置に於いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式
記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の変化に
よって変化する虞のないトラッキングエラー信号を得る
ことのできるものを得ることができる。
実施例 −
以下に第１図を参照して、本発明の一実施例を説明する
も、第１図に於いて、第３図〜第７図と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。第１図は半導
体レーザ素子（１）蝙向かう中心ビームＬａ及び両側ビ
ームＬｂ、Ｌｃを結ぶ直線が半導体レーザ素子（１）の
活性層（１ｄ）に対し略々直交している場合である。し
かしてこの実施例では、ヒートシンク（８）の一部を延
長して、半導体レーザ素子（１１のレーザビーム出射端
面（ＩＡ）に所定間隔を置いて対向する如く光遮蔽板（
体）（９）を設け、その活性領域（Ｉｄ）のレーザビー
ム出射部に対応する部分には窓（９ａ）を形成して、レ
ーザービームＬの出射を確保する。尚、その他の構成は
第３図〜第７図と同様である。
も、第１図に於いて、第３図〜第７図と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。第１図は半導
体レーザ素子（１）蝙向かう中心ビームＬａ及び両側ビ
ームＬｂ、Ｌｃを結ぶ直線が半導体レーザ素子（１）の
活性層（１ｄ）に対し略々直交している場合である。し
かしてこの実施例では、ヒートシンク（８）の一部を延
長して、半導体レーザ素子（１１のレーザビーム出射端
面（ＩＡ）に所定間隔を置いて対向する如く光遮蔽板（
体）（９）を設け、その活性領域（Ｉｄ）のレーザビー
ム出射部に対応する部分には窓（９ａ）を形成して、レ
ーザービームＬの出射を確保する。尚、その他の構成は
第３図〜第７図と同様である。
かくして、かかる光学式ヘッドのトラッキング誤差検出
装置によれば、光学式記録媒体で反射したビームが対物
レンズ（５）、ビームスプリンタ（４）及び回折格子（
３）を通じて半導体レーザ素子ｉｌｌに向かっても、光
遮蔽体（９）で乱反射されるので、光学式ヘッドＯＨの
０次ビームの光学式記録媒体に対するタンジェンシャル
スキュー角の変化によって変化する虞のないトラッキン
グエラー信号を得ることができる。
装置によれば、光学式記録媒体で反射したビームが対物
レンズ（５）、ビームスプリンタ（４）及び回折格子（
３）を通じて半導体レーザ素子ｉｌｌに向かっても、光
遮蔽体（９）で乱反射されるので、光学式ヘッドＯＨの
０次ビームの光学式記録媒体に対するタンジェンシャル
スキュー角の変化によって変化する虞のないトラッキン
グエラー信号を得ることができる。
又、両側ビームＬｂ、Ｌｃが共にレーザビーム出射端面
（ＩＡ）上の活性層（１ｄ）に入射する可能性がある場
合は、第２図に示す如く、ヒートシンク（８）の一部を
２個所に於いて延長して、半導体レーザ素子（１）のレ
ーザビーム出射端面（１八）に所定間隔を置いて対向す
る如く一対の光遮蔽板Ｔ９） 、 ＋９１を設ける。こ
の一対の光遮蔽板＋９１．（９１は、半導体レーザ素子
（１）に向かう両側ビームＬｂ、Ｌｃを遮る位置に設け
られる。
（ＩＡ）上の活性層（１ｄ）に入射する可能性がある場
合は、第２図に示す如く、ヒートシンク（８）の一部を
２個所に於いて延長して、半導体レーザ素子（１）のレ
ーザビーム出射端面（１八）に所定間隔を置いて対向す
る如く一対の光遮蔽板Ｔ９） 、 ＋９１を設ける。こ
の一対の光遮蔽板＋９１．（９１は、半導体レーザ素子
（１）に向かう両側ビームＬｂ、Ｌｃを遮る位置に設け
られる。
尚、光を吸収又は遮蔽する光遮蔽板（９）は半導体レー
ザ素子７（１）のレーザビーム出射端面（１＾）に接着
等により直接取付けることができるが、この場合は絶縁
体を用いる。
ザ素子７（１）のレーザビーム出射端面（１＾）に接着
等により直接取付けることができるが、この場合は絶縁
体を用いる。
尚、ビームの配置が上述の中間状態にあるときも上述と
同様である。
同様である。
発明の効果
上述せる本発明によれば、この種光学式ヘッドのトラッ
キング誤差検出装置に於いて、光学式ヘッドの０次ビー
ムの光学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー
角の変化によっては変化する膚のないトラッキングエラ
ー信号を得ることのできるものを得ることができる。
キング誤差検出装置に於いて、光学式ヘッドの０次ビー
ムの光学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー
角の変化によっては変化する膚のないトラッキングエラ
ー信号を得ることのできるものを得ることができる。
第１図Ａ、Ｂ及び第２図Ａ、Ｂは本発明による光学式ヘ
ッドのトラッキング誤差検出装置の各実施例の半導体レ
ーザ素子を示ず正面図及び側面図、第３図は従来の光学
式ヘッドのトランキング誤差検出装置を示す路線的配置
図、第４図及び第５図は従来の光学式ヘッドのトラッキ
ング誤差検出装置に於ける半導体レーザ素子の一例を不
ず正面図、第６図は波形図、第７図は干渉の説明に供す
る線図である。 ＯＨは光学ヘッド、（１１は半導体レーザ素子、（ＩＡ
）はそのレーザビーム出力端面、（１ｄ）はその活性層
、（２）はコリメータレンズ、（３）は回折格子、（４
）はビームスプリッタ、（５）は対物レンズ、（６）は
光学式記録媒体、（９）は光遮蔽体である。 第１図 Ａ Ｂ 第２図 Ａ Ｂ 手続補正書 昭和５９年１２月 ７日 特許庁長官 志 賀 学 殿昭和５９年 特
許 願 第１４５７６６号２、発明の名称 光
学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２
１Ｂ）ソ２．ニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 −明細書の発明の詳細な説明の欄及
び図面。 ８、補正の内容 （１） 明細書中、第３頁６行〜７行及び第５頁、１
９行「非偏光」とあるを夫々「無偏光」と訂正する。 （２） 同、第３頁８行「回折格子（３）」どあるを
「対物レンズ（５）」と訂正する。 （３）間、同頁９行「波長枚」とあるな「波長板」と訂
正する。 （４）同、第７頁１８行〜第８頁１行「理想的な・・・
変化する。」とあるを「周期性を示す。」と訂正する。 （５） 同、第９頁２行〜３行、４行、５行及び６行
「位相」とあるを夫々「光路」と訂正する。 （６）同、同頁７行及び８行「位相」とあるを夫々「に
よる光路差」と訂正する。 （７） 同、第１５頁１１行［上の活性層（ｌｄ）Ｊ
とあるを削除する。 （８） 図面中、第７図を別紙の如く訂正する。 以 上 第７図
ッドのトラッキング誤差検出装置の各実施例の半導体レ
ーザ素子を示ず正面図及び側面図、第３図は従来の光学
式ヘッドのトランキング誤差検出装置を示す路線的配置
図、第４図及び第５図は従来の光学式ヘッドのトラッキ
ング誤差検出装置に於ける半導体レーザ素子の一例を不
ず正面図、第６図は波形図、第７図は干渉の説明に供す
る線図である。 ＯＨは光学ヘッド、（１１は半導体レーザ素子、（ＩＡ
）はそのレーザビーム出力端面、（１ｄ）はその活性層
、（２）はコリメータレンズ、（３）は回折格子、（４
）はビームスプリッタ、（５）は対物レンズ、（６）は
光学式記録媒体、（９）は光遮蔽体である。 第１図 Ａ Ｂ 第２図 Ａ Ｂ 手続補正書 昭和５９年１２月 ７日 特許庁長官 志 賀 学 殿昭和５９年 特
許 願 第１４５７６６号２、発明の名称 光
学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２
１Ｂ）ソ２．ニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 −明細書の発明の詳細な説明の欄及
び図面。 ８、補正の内容 （１） 明細書中、第３頁６行〜７行及び第５頁、１
９行「非偏光」とあるを夫々「無偏光」と訂正する。 （２） 同、第３頁８行「回折格子（３）」どあるを
「対物レンズ（５）」と訂正する。 （３）間、同頁９行「波長枚」とあるな「波長板」と訂
正する。 （４）同、第７頁１８行〜第８頁１行「理想的な・・・
変化する。」とあるを「周期性を示す。」と訂正する。 （５） 同、第９頁２行〜３行、４行、５行及び６行
「位相」とあるを夫々「光路」と訂正する。 （６）同、同頁７行及び８行「位相」とあるを夫々「に
よる光路差」と訂正する。 （７） 同、第１５頁１１行［上の活性層（ｌｄ）Ｊ
とあるを削除する。 （８） 図面中、第７図を別紙の如く訂正する。 以 上 第７図
Claims (1)
- 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子よりのレーザ
ビームが入射せしめられる回折格子と、該回折格子より
出射した０次ビーム及び±１次ビームが通過せしめられ
るビームスプリッタと、該ビームスプリッタより出射し
た０次ビーム及び±１次ビームが集束せしめられて光学
式記録媒体に入射せしめられる対物レンズと、上記光学
式記録媒体により反射せしめられた０次ビーム及び±１
次ビームが上記対物レンズを通過し、更に上記ビームス
プリッタの反射面で反射した後、入射せしめられる光検
出器とを有し、該光検出器より上記±１次ビームに対応
した一対の光検出出力を得、該一対の光検出出力の差に
基づいて上記０次ビームの上記光学式記録媒体上のトラ
ッキング状態に応じたトラッキング誤差信号を得るよう
にした光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置に於い
て、上記光学式記録媒体より反射し、上記対物レンズ、
上記ビームスプリッタ及び上記回折格子を通過して上記
半導体レーザ素子に向かう中心ビーム及びその両側の両
側ビームのうち該両側ビームが、上記半導体レーザ素子
のレーザビーム出射端面に入射しないように、上記半導
体レーザ素子のレーザビーム出射端面側に光を散乱又は
吸収する光遮蔽体を設けて成ることを特徴とする光学式
ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145766A JPH063649B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
| US06/753,570 US4742506A (en) | 1984-07-12 | 1985-07-10 | Tracking error detecting apparatus for an optical head with skew error reduction by using an inclined header portion |
| CA000486654A CA1239474A (en) | 1984-07-12 | 1985-07-11 | Tracking error detecting apparatus for an optical head |
| EP85305007A EP0171929B1 (en) | 1984-07-12 | 1985-07-12 | Tracking error detecting apparatus |
| DE8585305007T DE3575036D1 (de) | 1984-07-12 | 1985-07-12 | Vorrichtung zur ermittlung eines spurfolgefehlers. |
| KR1019850004967A KR940004656B1 (ko) | 1984-07-13 | 1985-07-12 | 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145766A JPH063649B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124031A true JPS6124031A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH063649B2 JPH063649B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=15392663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59145766A Expired - Lifetime JPH063649B2 (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-13 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063649B2 (ja) |
| KR (1) | KR940004656B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252189A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-19 | 株式会社貝印刃物開発センター | 安全かみそり |
| JPH0198135A (ja) * | 1988-09-19 | 1989-04-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学式ピックアップ装置 |
| EP0617420A1 (en) * | 1993-03-26 | 1994-09-28 | Matsushita Electronics Corporation | Optical head |
| US7414949B2 (en) | 2004-07-29 | 2008-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup device |
| JP2011138996A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Chiba Univ | ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947778A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子とそれを用いたレ−ザ発振装置 |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP59145766A patent/JPH063649B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-07-12 KR KR1019850004967A patent/KR940004656B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947778A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子とそれを用いたレ−ザ発振装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252189A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-19 | 株式会社貝印刃物開発センター | 安全かみそり |
| JPH0198135A (ja) * | 1988-09-19 | 1989-04-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学式ピックアップ装置 |
| EP0617420A1 (en) * | 1993-03-26 | 1994-09-28 | Matsushita Electronics Corporation | Optical head |
| US5517479A (en) * | 1993-03-26 | 1996-05-14 | Matsushita Electronics Corporation | Optical head including a semiconductor laser having a non-scatter incident area |
| US5729519A (en) * | 1993-03-26 | 1998-03-17 | Matsushita Electronics Corporation | Optical head including a semiconductor laser having a non-scatter area to diffuse incident light beams |
| US7414949B2 (en) | 2004-07-29 | 2008-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup device |
| JP2011138996A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Chiba Univ | ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063649B2 (ja) | 1994-01-12 |
| KR940004656B1 (ko) | 1994-05-27 |
| KR860001342A (ko) | 1986-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |