JPS61241993A - 複合磁気抵抗効果素子 - Google Patents
複合磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPS61241993A JPS61241993A JP60082332A JP8233285A JPS61241993A JP S61241993 A JPS61241993 A JP S61241993A JP 60082332 A JP60082332 A JP 60082332A JP 8233285 A JP8233285 A JP 8233285A JP S61241993 A JPS61241993 A JP S61241993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- permalloy
- substrate
- coercive force
- depth direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、強磁性薄膜を用いた磁気抵抗効果素子に関す
る。
る。
従来の磁気抵抗効果素子では、パーマロイ膜をガラス等
の基板あるいはスパッタなどで作製したＳｉｎ、膜上な
どに蒸着法などで形成していた。しかし、ガラス基板や
Ｓ３．Ｏｘ膜上では吸着ガスの影響やこれらの基板材料
を構成する元素との反応により、パーマロイと基板との
界面近傍では磁気特性などの膜質の劣化が激しい。この
ような基板の影響として関連するものは文献ｒ Ｋ 、
Ｙ −Ａ ｈ ｎ ｖ Ｊ −Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅ
ｃｈｎｏｌ、１７（１９８０）６２６Ｊがある。
の基板あるいはスパッタなどで作製したＳｉｎ、膜上な
どに蒸着法などで形成していた。しかし、ガラス基板や
Ｓ３．Ｏｘ膜上では吸着ガスの影響やこれらの基板材料
を構成する元素との反応により、パーマロイと基板との
界面近傍では磁気特性などの膜質の劣化が激しい。この
ような基板の影響として関連するものは文献ｒ Ｋ 、
Ｙ −Ａ ｈ ｎ ｖ Ｊ −Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅ
ｃｈｎｏｌ、１７（１９８０）６２６Ｊがある。
本発明の目的は、電磁気特性の優れた磁気抵抗効果素子
を提供することにある。
を提供することにある。
パーマロイ等を使用した磁気抵抗効果膜では３００〜５
００人の極めて薄い膜を使用するが。
００人の極めて薄い膜を使用するが。
これより厚い膜あるいは塊状の試料より電磁気特性が著
しく劣る。この原因を調べたところ、基板に近い部分の
合金層はど膜質の劣化していることが明らかとなった。
しく劣る。この原因を調べたところ、基板に近い部分の
合金層はど膜質の劣化していることが明らかとなった。
このため、基板に直接パーマロイ膜を形成する前に異種
の物質を蒸着あるいはスパッタし、この上に連続的にパ
ーマロイ膜を蒸着すると基板との反応が抑えられ、パー
マロイ膜の劣化が低下する。
の物質を蒸着あるいはスパッタし、この上に連続的にパ
ーマロイ膜を蒸着すると基板との反応が抑えられ、パー
マロイ膜の劣化が低下する。
以下、本発明を実施例によって説明する・第１図曲線１
は、ガラスあるいはＳｉｎ、基板上に電子ビーム蒸着し
た厚さ５００人のＮ ｉ−１９％Ｆｅ薄膜の深さ方向の
保磁力分布である。曲線１から明らかなように、パーマ
ロイ膜の保磁力は基板に近づくに従い増大する。特に基
板近傍になると保磁力は急激に高くなる。保磁力にみら
れるようなパーマロイ膜の深さ方向の特性劣化は、パー
マロイ膜の磁気抵抗効果率などでも同様であり、基板に
近づくに従い低下する。第１図の曲線２は、ガラスある
いはＳｉｎ、基板上に予めＧｏ−１３％Ｎｂ−３％Ｚｒ
非晶質膜を１００人形成し、引き続いて上記組成のパー
マロイ膜を蒸着した場合の深さ方向のパーマロイ層にお
ける保磁力の変化で。
は、ガラスあるいはＳｉｎ、基板上に電子ビーム蒸着し
た厚さ５００人のＮ ｉ−１９％Ｆｅ薄膜の深さ方向の
保磁力分布である。曲線１から明らかなように、パーマ
ロイ膜の保磁力は基板に近づくに従い増大する。特に基
板近傍になると保磁力は急激に高くなる。保磁力にみら
れるようなパーマロイ膜の深さ方向の特性劣化は、パー
マロイ膜の磁気抵抗効果率などでも同様であり、基板に
近づくに従い低下する。第１図の曲線２は、ガラスある
いはＳｉｎ、基板上に予めＧｏ−１３％Ｎｂ−３％Ｚｒ
非晶質膜を１００人形成し、引き続いて上記組成のパー
マロイ膜を蒸着した場合の深さ方向のパーマロイ層にお
ける保磁力の変化で。
第１図の曲線１に比較して保磁力の増大が１７２〜１／
３となっている。これは、前述のように基板上に非晶質
磁性膜を形成したために基板からの汚染基板との反応が
少なくなった効果にあるとみられる。第１図の曲線３は
、パーマロイ膜を蒸着する前に非晶質Ｓｉ膜を１００人
形成したもので。
３となっている。これは、前述のように基板上に非晶質
磁性膜を形成したために基板からの汚染基板との反応が
少なくなった効果にあるとみられる。第１図の曲線３は
、パーマロイ膜を蒸着する前に非晶質Ｓｉ膜を１００人
形成したもので。
曲線２の場合と同様にパーマロイの劣化を防止できる。
Ｇｏなどの非晶質膜にも同様の効果がある。
一方、ＴｉやＭＯなどの金属を１００人程度無着したパ
ーマロイ膜を形成したものでは、第１図曲線４で示すよ
うに、磁気特性は逆に劣化し、その効果はない。
ーマロイ膜を形成したものでは、第１図曲線４で示すよ
うに、磁気特性は逆に劣化し、その効果はない。
本発明によれば、数百人の極めて薄いパーマロイ膜の電
磁気特性の深さ方向に対して均一な膜を形成することが
できる。
磁気特性の深さ方向に対して均一な膜を形成することが
できる。
第１図はパーマロイ膜の深さ方向の保磁力を示す図であ
る。 １・・・パーマロイ単層膜、２・・・パーマロイ／非晶
質磁性体、３・・・パーマロイ／Ｓｉ、４・・・パーマ
ロイ／ Ｍ ｏ ２層膜におけるパーマロイ膜の深さ方
向における保磁力の変化を示す曲線。
る。 １・・・パーマロイ単層膜、２・・・パーマロイ／非晶
質磁性体、３・・・パーマロイ／Ｓｉ、４・・・パーマ
ロイ／ Ｍ ｏ ２層膜におけるパーマロイ膜の深さ方
向における保磁力の変化を示す曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気抵抗を示す合金薄膜を使用した磁気抵抗効果型
素子に於て、前記合金薄膜の下地として非晶質薄膜を使
用した構造を有することを特徴とする複合磁気抵抗効果
型素子。 ２、前記非晶質薄膜がＳｉ、またはＧｅを主成分とする
半導体であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の複合磁気抵抗効果素子。 ３、前記非晶質膜が軟磁性非晶質膜であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の複合磁気抵抗効果素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082332A JPS61241993A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 複合磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082332A JPS61241993A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 複合磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61241993A true JPS61241993A (ja) | 1986-10-28 |
Family
ID=13771603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60082332A Pending JPS61241993A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 複合磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61241993A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5005064A (en) * | 1987-08-21 | 1991-04-02 | Nippondenso Co., Ltd. | Device for detecting magnetism |
| US5621593A (en) * | 1994-09-08 | 1997-04-15 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and method of fabricating the same |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60082332A patent/JPS61241993A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5005064A (en) * | 1987-08-21 | 1991-04-02 | Nippondenso Co., Ltd. | Device for detecting magnetism |
| US5621593A (en) * | 1994-09-08 | 1997-04-15 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and method of fabricating the same |
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