JPS6124285A - 光導電性薄膜の製造方法 - Google Patents
光導電性薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6124285A JPS6124285A JP59146402A JP14640284A JPS6124285A JP S6124285 A JPS6124285 A JP S6124285A JP 59146402 A JP59146402 A JP 59146402A JP 14640284 A JP14640284 A JP 14640284A JP S6124285 A JPS6124285 A JP S6124285A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- photoconductive
- heat treatment
- temperature
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は可視域の光センサとして使用される光導電イ１
薄ノ摸の製造方法に関するものである。
薄ノ摸の製造方法に関するものである。
従来例のｆｉｌ成とその問題点
従来、ＣｄＳやＣｄＳｅ を生体とする光センサは光電
流が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶体Ｃｄ’
５−ＣｄＳｅを主体とする光センサでは可視光全域をカ
バーする感度を有するため、ファクシミリの密着型ライ
ンセンサ用などとして注目され開光されてきた。
流が大きいため、特にこの２種の化合物の固溶体Ｃｄ’
５−ＣｄＳｅを主体とする光センサでは可視光全域をカ
バーする感度を有するため、ファクシミリの密着型ライ
ンセンサ用などとして注目され開光されてきた。
このＣｄ Ｓ −Ｃｄ Ｓ ｅ光センサの代表的製法は
以下の通りである。すなわち、適当な基板上にＣｄ５−
ＣｄＳｅ固、容体の＃膜を蒸着形成し、ＣｄＣｌ２の蒸
発源と１−ての例えばＣｄＳ：ＣｄＣ１２（混合、焼結
、粉砕し／こ）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉
容器に入瓦て５００℃程度の高温度に加熱して蒸発した
ＣｄＣｅ２の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心を
形成させ大きな光電流を得るに至るのである（この工程
を活性化と称する）。上記の製法のま＼では暗革流がか
なシ大きいのでＣＣｄ５−Ｃｄ５ｅ膜の蒸着時に同時に
蒸４源にＣｕを例えばＬ ｄ ｂ １． ｂ ｅ 、
： Ｃｕ Ｃ（１２（ＯＳ Ｘ り１ ＋ Ｃｄ ｂ
ｓＣｄＳｅ、 ＣｕＣｄ２ を混合、焼結、粉砕した
もの）。
以下の通りである。すなわち、適当な基板上にＣｄ５−
ＣｄＳｅ固、容体の＃膜を蒸着形成し、ＣｄＣｌ２の蒸
発源と１−ての例えばＣｄＳ：ＣｄＣ１２（混合、焼結
、粉砕し／こ）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉
容器に入瓦て５００℃程度の高温度に加熱して蒸発した
ＣｄＣｅ２の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心を
形成させ大きな光電流を得るに至るのである（この工程
を活性化と称する）。上記の製法のま＼では暗革流がか
なシ大きいのでＣＣｄ５−Ｃｄ５ｅ膜の蒸着時に同時に
蒸４源にＣｕを例えばＬ ｄ ｂ １． ｂ ｅ 、
： Ｃｕ Ｃ（１２（ＯＳ Ｘ り１ ＋ Ｃｄ ｂ
ｓＣｄＳｅ、 ＣｕＣｄ２ を混合、焼結、粉砕した
もの）。
の形で混入°しておき蒸着膜中にＣｕを添加しておけば
暗電流をかなシ小さくすることができる。
暗電流をかなシ小さくすることができる。
さて、ＣｄＣｌ２蒸気による活性化で増感中心を形成し
、光電子の寿命を長くシ、結果として大きな光電流を得
ることができる反面、基板的には光電子の寿命が光応答
時間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長くな
ってしまう。その上に薄膜表面へのｃａｃ７）２の付着
残存などの影響で電極の付着強度も弱くて、暗電流も大
きく特性の再現性も悪く、場所的ばらつきも大きいとい
う欠点を有している。
、光電子の寿命を長くシ、結果として大きな光電流を得
ることができる反面、基板的には光電子の寿命が光応答
時間に対応するので光電流が大きいと応答時間が長くな
ってしまう。その上に薄膜表面へのｃａｃ７）２の付着
残存などの影響で電極の付着強度も弱くて、暗電流も大
きく特性の再現性も悪く、場所的ばらつきも大きいとい
う欠点を有している。
発明の目的
本発明は従来の製法による光導電性薄膜に比べて、電極
の付着強度が強くて、暗電流が小さく、光電流の光応答
時間が短く、かつ特性の再現性に優れ、ばらつきの小さ
い光導電性薄膜を製造する方法を提供する。
の付着強度が強くて、暗電流が小さく、光電流の光応答
時間が短く、かつ特性の再現性に優れ、ばらつきの小さ
い光導電性薄膜を製造する方法を提供する。
＠明の構成
本発明はＣｄ５１ＣｄＳｅあルイはＣｄ５−ＣｄＳｅ固
溶体を主成分として成る薄膜を基板上に形成し、ＣｄＣ
ｌ２の粉末と共に半密閉容器に入れ、高温度にて該薄膜
をＣｄＣｌ２の蒸気に暴露して結晶成長と共に活性化し
て後、電極形成して光導電性薄膜を製造するに際して、
電極形成の前に薄膜を中性雰囲気（ＡｒやＮ２ など
）中か空気中にて２５０℃以上で加熱処理することを特
徴とする光導電性薄膜の製造方法である。
溶体を主成分として成る薄膜を基板上に形成し、ＣｄＣ
ｌ２の粉末と共に半密閉容器に入れ、高温度にて該薄膜
をＣｄＣｌ２の蒸気に暴露して結晶成長と共に活性化し
て後、電極形成して光導電性薄膜を製造するに際して、
電極形成の前に薄膜を中性雰囲気（ＡｒやＮ２ など
）中か空気中にて２５０℃以上で加熱処理することを特
徴とする光導電性薄膜の製造方法である。
実施例の説明
薄膜の厚さは２０ｏＯ〜１００００人であることが好ま
しい。２ｏｏＯÅ以下だと結晶成長の段階で若干の膜厚
減少などの影響が見られ光電流煽が小さくなシ、かつそ
の立上シ時間τ１は逆に大きくなシ、１００００八以上
だとＪｐが大きく、かつその立下シ時間τｄが長くなる
傾向があるからである。結晶成長の温度は４５０〜６０
０℃が好ましい。４５０℃以下だとＣｄＣｌ２の蒸気圧
が不足して結晶成長が起シ難く、６００℃以上では逆に
ＣｄＣｌ２の蒸気圧が冒すぎて結晶成長が促進され過ぎ
てピンホールが生じたりするからでるる。熱処理の温度
は２５０〜６５０℃が好ましい。
しい。２ｏｏＯÅ以下だと結晶成長の段階で若干の膜厚
減少などの影響が見られ光電流煽が小さくなシ、かつそ
の立上シ時間τ１は逆に大きくなシ、１００００八以上
だとＪｐが大きく、かつその立下シ時間τｄが長くなる
傾向があるからである。結晶成長の温度は４５０〜６０
０℃が好ましい。４５０℃以下だとＣｄＣｌ２の蒸気圧
が不足して結晶成長が起シ難く、６００℃以上では逆に
ＣｄＣｌ２の蒸気圧が冒すぎて結晶成長が促進され過ぎ
てピンホールが生じたりするからでるる。熱処理の温度
は２５０〜６５０℃が好ましい。
２５０℃以゛下では効果が不充分であシ、５５０ ℃以
上では変化か大きすぎてコントロールか難しくなるから
である。この熱処理によって光センサの暗電流１ｄが著
しく減少し、特性（Ｊｐ、τ１、τｄ）が安定化すると
共に応答（τ１、τｄ）が早くなる。
上では変化か大きすぎてコントロールか難しくなるから
である。この熱処理によって光センサの暗電流１ｄが著
しく減少し、特性（Ｊｐ、τ１、τｄ）が安定化すると
共に応答（τ１、τｄ）が早くなる。
以下、本発明の効果を実施例をもって説明する。
実施例
ガラス基板（コーニング社７０６９．２３ｏ×５０Ｘ１
．２ｍｓ ）の上ＫＣｄＳ。、６Ｓｅ０，４：ＣｄＣ
ｌ２（０，２モルチ）を蒸発源として約４０００人の厚
さに蒸着した。蒸着膜中に含まれるＣｕの量は０ｓ００
８モルチであった。図に見られる様にアルミナ製ボート
本体１（上、ぶた２つき内容積５２Ｘｓ １ｏ Ｘ ２
０ ｗｔｂ３ｔＤ Ｗ方体） ＣＤ中央底部Ｋ、ＣｄＳ
：ＣｄＣＩＪ２（２％ル％）粉末４をＣ＞２ｑ／ｃｍ
の割合で長さ方向に置き、その上に上記蒸着膜を設け
たガラス基板３を上向きに置き、ふた２とのギャップが
２Ｂである様にしてふた２をしてカＩ７熱する。
．２ｍｓ ）の上ＫＣｄＳ。、６Ｓｅ０，４：ＣｄＣ
ｌ２（０，２モルチ）を蒸発源として約４０００人の厚
さに蒸着した。蒸着膜中に含まれるＣｕの量は０ｓ００
８モルチであった。図に見られる様にアルミナ製ボート
本体１（上、ぶた２つき内容積５２Ｘｓ １ｏ Ｘ ２
０ ｗｔｂ３ｔＤ Ｗ方体） ＣＤ中央底部Ｋ、ＣｄＳ
：ＣｄＣＩＪ２（２％ル％）粉末４をＣ＞２ｑ／ｃｍ
の割合で長さ方向に置き、その上に上記蒸着膜を設け
たガラス基板３を上向きに置き、ふた２とのギャップが
２Ｂである様にしてふた２をしてカＩ７熱する。
６００℃で１時間加熱した。この様にして得た膜をボー
ト本体１から取出しさらにＮ２ガス中で２５０．３００
，４００．５００および５５０ ℃で１時間加熱して後
Ｎ ｉ Ｃｒ／Ａ ｕ の電極を蒸着形成した（巾２
＃ｌＡ、ギャップ１ｍ）。との様ＫＬ’て得た光センサ
にＤＣｌ ｏｖを印加して１００ルツクスの緑色光（ｅ
長５５５ ｎｍン を照射（１，Ｈｚで０．５ｓｅｃず
つ）すてＩｐ とそのτｒ（０から飽和値の９０％まで
上がる時間）、τｄ （飽和値からその１０％まで下が
る時間）を測定した。結果を熱処理のない場合の結果と
共沈次表に載せる。
ト本体１から取出しさらにＮ２ガス中で２５０．３００
，４００．５００および５５０ ℃で１時間加熱して後
Ｎ ｉ Ｃｒ／Ａ ｕ の電極を蒸着形成した（巾２
＃ｌＡ、ギャップ１ｍ）。との様ＫＬ’て得た光センサ
にＤＣｌ ｏｖを印加して１００ルツクスの緑色光（ｅ
長５５５ ｎｍン を照射（１，Ｈｚで０．５ｓｅｃず
つ）すてＩｐ とそのτｒ（０から飽和値の９０％まで
上がる時間）、τｄ （飽和値からその１０％まで下が
る時間）を測定した。結果を熱処理のない場合の結果と
共沈次表に載せる。
’＋！ｉ性表（Ｊｐ、Ｊ小τ７、τｄ）またｌｌｆ、極
のテープ剥離テストによシ未処理のものは剥離すること
かあるが、熱処理したものでは剥離することがない。
のテープ剥離テストによシ未処理のものは剥離すること
かあるが、熱処理したものでは剥離することがない。
発明の効果 ′
表に見られる様に、この熱処理によって電極の付着強度
が高まる上に暗電流が著しく減少すると共に光電流の応
答特性（立上り時間、立下り時間）が早くなシ、シかも
特性の再現性が優れ、はらつきも小さくなる。
が高まる上に暗電流が著しく減少すると共に光電流の応
答特性（立上り時間、立下り時間）が早くなシ、シかも
特性の再現性が優れ、はらつきも小さくなる。
図は本発明に用いるボートの断面図である。
１・・・・・・ボート本体、２・・・・・・ボートふた
、３・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ：
ＣｄＣ７２粉末。
、３・・・・・・ガラス基板、４・・・・・・ＣｄＳ：
ＣｄＣ７２粉末。
Claims (2)
- （１）ＣｄＳ−ＣｄＳｅあるいはこれら２種の化合物の
固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成り、これに微量
のＣｕを含んだ薄膜を基板上に形成し、前記薄膜をＣｄ
Ｃｌ＿２の蒸気中にて加熱処理して結晶成長と共に活性
化して後、電極形成して光導電性薄膜を製造するに際し
て、前記電極形成の前に前記薄膜を中性雰囲気中か空気
中にて２５０℃以上にて加熱処理することを特徴とする
光導電性薄膜の製造方法。 - （２）薄膜の厚さが２０００〜１００００Å、結晶成長
の湿度が４５０〜６００℃、熱処理の温度が２５０〜５
５０℃であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146402A JPS6124285A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146402A JPS6124285A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124285A true JPS6124285A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0519832B2 JPH0519832B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=15406887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59146402A Granted JPS6124285A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6124285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106236A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Mita Ind Co Ltd | 給紙装置 |
| JPH0198267A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP59146402A patent/JPS6124285A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106236A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Mita Ind Co Ltd | 給紙装置 |
| JPH0198267A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519832B2 (ja) | 1993-03-17 |
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