JPS61264175A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS61264175A JPS61264175A JP10596885A JP10596885A JPS61264175A JP S61264175 A JPS61264175 A JP S61264175A JP 10596885 A JP10596885 A JP 10596885A JP 10596885 A JP10596885 A JP 10596885A JP S61264175 A JPS61264175 A JP S61264175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cvd
- source
- heated
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業上の利用分野）
この発明は、ＬＳＩ製造プロセスにおけるＭ電極配線の
製造に好適なＣＶＤ装置に関するものである。
製造に好適なＣＶＤ装置に関するものである。
従来のＭ配線の形成方法はスノクツタ法が中心であった
。ス、ＱツタＭ−８ｉ膜は結晶粒が比較的均一でかつ粒
径やＳｉ含有量の制御も容易であることから、従来の蒸
着法に代わってＬＳＩに応用されてきた。 しかし、ＩＭピットＤＲＡＭ以上の超ＬＳＩになると、
縮少化にエフ開孔部（Ｗ）に１μｍ以下となり、その段
差ＣＨ）はＲＩＥ化にエフ急峻でかつ大きくなってくる
。 このようなアスペクト比（”／Ｗ）が帆５以上に大きい
場合、スノξツタ法ではいわゆるｒ ５ｅｌｆ −ｓｈ
ａｄｏｗｆｎｇ ＪのためＡｌｌ −Ｓｉ膜の段差被覆
率は極端に悪くなり、信頼性面で問題となる。 この間＠を解決する方法として、基板ノ々イアススノぐ
ツタ法やＣＶＤ法が開発されてきた。前者は基板にマイ
ナスバイアスをＤＣまたはＲＦＣ高周波）で印加しなが
ら、カンード（ターゲット）にもバイアスをかけるもの
で、エツチングと堆積全同時に行なうことによシステツ
プカノマレージ（段差被覆率）を改善しようとするもの
である。 この方法は段差のある領域と平坦な領域のＭ膜厚差が大
きくなる欠点やスループットがかなフ悪いこともあυ、
実用化には至っていない。 一方、ＡｊＣＶＤ法は上記５ｅｌｆ −ｓｈａｄｏｗｉ
ｎｇがないためにステップカッ々レージがすぐれている
とい５ＣＶＤ％有の利点をメタルに応用しようというも
ので、４〜５年前よシ開発され始めた。 ＣＶＤＡｊ膜の形成方法はたとえば、ソリッドステート
テクノロジー１９８２ （５ｏｌｉｄｅ ５ｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌ 、／Ｄｅｃｅｍｂｅｒ１９８２、Ｐ６
２）などに示されておシ、低圧ホットウォール盤反応管
にＭソースとしてトリイソブチルＭ （ＴＩＢＡ）やト
リメチルＡｊ（ＴＭＡ）の蒸気を導入し、熱分解によｌ
）ｕ膜を堆積する方法がよく用いられている。 この場合、Ｍ膜は結晶核形成が低く、三次元的に核が成
長するので、表面凹凸が大きくなシ、反射率が低いとい
う欠点がある。これを解決するには、上記文献に説明さ
れるようにＴｌｃｔ、蒸気をＭ堆積前に導入して核形成
を促進する方法が知られている。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述のＴｉＣ４蒸気を用いた方法でも未
だ結晶核形成は十分ではなく、反射率も〜２０チ以下と
低い。 さらに、Ｔｉ Ｃ１４ガスは腐食性があるので、装置構
成材料が制限される点、排気処理が複雑になる点、さら
にＭ膜と下地の界面にわずかにＣｔが残り。 Ｍ腐食の可能性がある点などの欠点があった。 装置構成材料が制限される点と、排気処理が複雑になる
点と、Ｍ腐食の可能性がある点について解決したＣＶＤ
装置を提供するものでおる。 （問題点を解決するための手段〉 この発明は、ＣＶＤ装置において、真空反応管内に配設
したウェハを加熱するコールドウオール型電気炉と、Ａ
ｔまたはＴｉをウェハに蒸着する蒸着源とを設けたもの
である。 （作 用） この発明によれば、以上のようにＣＶＤ装置を構成した
ので、コールドウオール型電気炉で加熱されたＡＩまた
はＴｉを蒸着してウェハに堆積させた後、Ｍソースを導
入し、ウェハ上にのみＭ全堆積させるように働き、した
がって、前記問題点を解決できる。 （実施例） 以下、この発明のＣＶＤ装置の実施例について図面に基
づき説明する。第１図はその一実施例の構成を示す図で
ある。この第１図において、真空反応管として石英管ベ
ルジャ１内に抵抗加熱用タンタルボート２が配設されて
いる。この抵抗加熱用タンタルボート２にはＭインピッ
ト３が装填されている。 抵抗加熱用タンタルボート２はスライダック型電源４が
接続されている。このスライダック型電源４にエフ、抵
抗加熱用タンタルボート２に通電加熱して、Ｍインゴッ
ト３を蒸発させるようになっている。 また、石英管ベルジャｌ内には、コールドウオール電気
炉としてのヒータブロック５が配置されている。ヒータ
ブロック５上には、回転石英サセプタ６が配置されてい
る。回転石英サセプタ６上にウェハ８が載置される工う
になっている。ヒータブロック５はウェハ７のみを加熱
するものでちる。 また、ヒータブロック５上にはガスノズル８が突出され
ている。ガスノズル８の下部はガス管９に連結されてい
る。このガス管９は石英管ベルジャ１を貫通して、バル
ブ１０ａ、１０ｂを介してＣＶＤＡｌソー、ｔ、（ＴＩ
ＢＡまたはＴＭＡ ）ｉ ｌに連結されている。 このＣＶＤＡｌソース１１はステンレスゼンヘ１２（バ
ブラ管）内に収納されている。このステンレスデンペ１
２は恒温槽１３内に収納されている。 このステンレスゼンペ１２内にはガス管１４とノ々ルブ
ＩＯＣを通してかガスが導入されるようになっている。 また、上記ヒータブロック５は製置調節器１５により、
加熱温度が調節されるようになっている。 なお％ １６は石英管ベルジャ１に設けられた高真空排
気系である。 次に、以上のように構成されたこの発明のＣＶＤ装置の
動作について説明する。まず、石英管ベルジャ１内に抵
抗加熱用タンタルボートにＭインピット３を装填しかつ
回転石英サセプタ６にウエノ１７を載置して温調器１５
によりウエノＳ７の温度を〜２８０Ｌに加熱する。 また、回転石英サセプタ６の中心真上に立てられている
ガスノズル８へは恒温槽１３で４０〜６０℃に保温され
たステンレスゼンペ１２内のＴＩＢＡソース１１がＭキ
ャリヤガスによシ運ばれる態勢にしておく。 この状態でウェハ７へのＭ原子の堆積手順について説明
する。まず高真空排気系１６によりペース圧力を１０
Ｔｏｒｒ台にする。 次に回転石英サセプタ６の斜め上方に置かれている抵抗
加熱用タンタルデート２内のＭインｉ ット３にスライ
ダック製電源４に！５電力ｔ−３ＫＶ。 Ｉへ程度印加し、Ａ１．原子をウェハ７上に膜厚２００
Ａ程度堆積させる。 続いて、Ｍガスｔ−２００ｃｃ／ＩＩＩ＋テステンレス
センペ１２内にバルブ１０ｂ、１０ａ、ガス管９を通し
て流し、ノ々ブリノグさせＴＩＢＡ蒸気を含んだかガス
を石英管ベルジャ１内に導入し、反応圧を０−５〜Ｉ
Ｔｏｒｒとする。 Ｔ’ＩＢＡは〜２６０℃で熱分解するが、回転石英サセ
プタ６上のみ２８０℃に加熱されているので、Ｔ１．Ｂ
Ａはウェハ７上でのみ熱分解を起こし、蒸着された薄い
Ｍ層上にＣＶＤＡｌ膜を１μｍ堆積させる。 第２図はこの発明のＣＶＤ装置の第２の実施例の構成を
示す図である。この第２図において、第１図と同一部分
には同一符号を付するにとどめ、第１図とは異なる部分
を重点的に述べる。 この第２図では、第１図におけるヒータブロック５を主
体とする抵抗加熱蒸着源の代わりに電子ビーム蒸着源を
備えたＡ１ＣＶＤ装置である。 この第２図において１石英管ベルジャ３内に銅ルツゼ２
３が配置されている。銅ルツゼ２３内にに水冷管２４が
貫通しており、この水冷管２４内に流通する冷却水で銅
ルツゼ２３が冷却されるようになっている。 銅ルツゼ２３には、チタンインゴット２５が収納される
ようになっている。この銅ルツヂ２３にはコールドウオ
ール型電気炉としての電子源２７とマグネット２６が設
けられておシ、電子源２７から放射される電子流２９は
マグネット２６で偏向すれて、チタンインゴット２５を
照射する工うになっている。 また１石英管ベルジャ３内の上部には赤外線ランプヒー
タ２８が配設されている。この赤外線ランプヒータ２８
の近傍にはプラネタリ治具２１が配設されている。プラ
ネタリ治具２１には、ウェハ７が装填されるようになっ
ている。 この石英管ベルジャ３内において、プラネタリ治具２１
と銅ルツゼ２３間にはシャッタ２２が介在されている。 なお、石英管ベルジャ３内に導入するＴＩＢＡ蒸気を含
んだＭガスを導入する系統は第１図と同様である。 次に、この第２図の実施例の動作について説明する。水
冷された銅ルツゼ２３内にチタンインゴット２５を入れ
て、電子源２６よりの電子流２９をマグネット２７で収
束偏向させてチタンインビット２５に照射する。 これにより、溶融しｂチタンインゴット２５のチタン原
子はシャッタ２２を開くと赤外線ランプ２８で２８０℃
に加熱されたプラネタリ治具２１上のウェハ７に付着す
る。その厚さを〜２００八以下に制御する。 続いて、上記実施例と同じ条件でＣＶ Ｄ Ｍ＠ｆｔ１
μｍ堆積させる。 上記第１および第２の実施例の共通する溝底部材は、 （１）ウェハ７（回転サセプタ６やプラネタリ治具２３
も含む〕のみが加熱保持されていること。 （２）メタル蒸着源（ヒータブロック５の抵抗または電
子源２６の電子ビーム加熱〕を具備していること、 （３１ＣＶＤＡ１ｙ−ス（ＴＩＢＡｔたｉＴＭＡ）、ガ
スを石英管ベルジャ３内に導入していること。 であシ、共通プロセス手項は（１）蒸着源エフＡ１また
はＴｉを〜２００Ａ以下の膜厚でウェハ上に堆積させ、
（２）ＴＩＢＡまたはＴＭＡ蒸気をかキャリヤガスで毎
分５０ ｃｃ〜５００ｃｃの速さ、反応圧０．５〜２’
ｆ’ｏｒｒｈ反応温度２７０〜３００℃、反応時間２０
分〜６０分の条件でＭ膜を１μｍ堆積させるものである
。 （発明の効果〕 以上、詳細に説明したようにこの発明によれば、コール
ドウオール型熱分解を採用しているので、る。 またウェハ上に未分解Ｍソースが付着する確率が小さい
ので、Ｃ，Ｈなどの不純物の少ない良好なＡｔ＠が形成
できる。 さらに、同−高真空内で、ＣＶＤＡｔの触媒となり得る
ＭまたはＴｉｔ蒸着法によって堆積することに！４２．
ＣＶＤＡｊの結晶核生成を促進でき、反射率を改善する
ことができる。 加えて、腐食性ガスを使用しないので、装置材料の制限
がなく、排気処理も従来に比べて簡便となる。 また蒸着ソースＭとＴｉの交換も容易なので、Ｔｉを下
敷にすると不都合なデバイスにはＡ１ヲ下敷に、また超
ＬＳＩなどの浅接合用電極配線に有効なＳｉ ／Ｔｉ
／Ａｔ構成にしたいときはＴｉをノ々リヤメタルとして
使うなどのケースノ々イヶースに下敷を選択することが
できる。
。ス、ＱツタＭ−８ｉ膜は結晶粒が比較的均一でかつ粒
径やＳｉ含有量の制御も容易であることから、従来の蒸
着法に代わってＬＳＩに応用されてきた。 しかし、ＩＭピットＤＲＡＭ以上の超ＬＳＩになると、
縮少化にエフ開孔部（Ｗ）に１μｍ以下となり、その段
差ＣＨ）はＲＩＥ化にエフ急峻でかつ大きくなってくる
。 このようなアスペクト比（”／Ｗ）が帆５以上に大きい
場合、スノξツタ法ではいわゆるｒ ５ｅｌｆ −ｓｈ
ａｄｏｗｆｎｇ ＪのためＡｌｌ −Ｓｉ膜の段差被覆
率は極端に悪くなり、信頼性面で問題となる。 この間＠を解決する方法として、基板ノ々イアススノぐ
ツタ法やＣＶＤ法が開発されてきた。前者は基板にマイ
ナスバイアスをＤＣまたはＲＦＣ高周波）で印加しなが
ら、カンード（ターゲット）にもバイアスをかけるもの
で、エツチングと堆積全同時に行なうことによシステツ
プカノマレージ（段差被覆率）を改善しようとするもの
である。 この方法は段差のある領域と平坦な領域のＭ膜厚差が大
きくなる欠点やスループットがかなフ悪いこともあυ、
実用化には至っていない。 一方、ＡｊＣＶＤ法は上記５ｅｌｆ −ｓｈａｄｏｗｉ
ｎｇがないためにステップカッ々レージがすぐれている
とい５ＣＶＤ％有の利点をメタルに応用しようというも
ので、４〜５年前よシ開発され始めた。 ＣＶＤＡｊ膜の形成方法はたとえば、ソリッドステート
テクノロジー１９８２ （５ｏｌｉｄｅ ５ｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌ 、／Ｄｅｃｅｍｂｅｒ１９８２、Ｐ６
２）などに示されておシ、低圧ホットウォール盤反応管
にＭソースとしてトリイソブチルＭ （ＴＩＢＡ）やト
リメチルＡｊ（ＴＭＡ）の蒸気を導入し、熱分解によｌ
）ｕ膜を堆積する方法がよく用いられている。 この場合、Ｍ膜は結晶核形成が低く、三次元的に核が成
長するので、表面凹凸が大きくなシ、反射率が低いとい
う欠点がある。これを解決するには、上記文献に説明さ
れるようにＴｌｃｔ、蒸気をＭ堆積前に導入して核形成
を促進する方法が知られている。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述のＴｉＣ４蒸気を用いた方法でも未
だ結晶核形成は十分ではなく、反射率も〜２０チ以下と
低い。 さらに、Ｔｉ Ｃ１４ガスは腐食性があるので、装置構
成材料が制限される点、排気処理が複雑になる点、さら
にＭ膜と下地の界面にわずかにＣｔが残り。 Ｍ腐食の可能性がある点などの欠点があった。 装置構成材料が制限される点と、排気処理が複雑になる
点と、Ｍ腐食の可能性がある点について解決したＣＶＤ
装置を提供するものでおる。 （問題点を解決するための手段〉 この発明は、ＣＶＤ装置において、真空反応管内に配設
したウェハを加熱するコールドウオール型電気炉と、Ａ
ｔまたはＴｉをウェハに蒸着する蒸着源とを設けたもの
である。 （作 用） この発明によれば、以上のようにＣＶＤ装置を構成した
ので、コールドウオール型電気炉で加熱されたＡＩまた
はＴｉを蒸着してウェハに堆積させた後、Ｍソースを導
入し、ウェハ上にのみＭ全堆積させるように働き、した
がって、前記問題点を解決できる。 （実施例） 以下、この発明のＣＶＤ装置の実施例について図面に基
づき説明する。第１図はその一実施例の構成を示す図で
ある。この第１図において、真空反応管として石英管ベ
ルジャ１内に抵抗加熱用タンタルボート２が配設されて
いる。この抵抗加熱用タンタルボート２にはＭインピッ
ト３が装填されている。 抵抗加熱用タンタルボート２はスライダック型電源４が
接続されている。このスライダック型電源４にエフ、抵
抗加熱用タンタルボート２に通電加熱して、Ｍインゴッ
ト３を蒸発させるようになっている。 また、石英管ベルジャｌ内には、コールドウオール電気
炉としてのヒータブロック５が配置されている。ヒータ
ブロック５上には、回転石英サセプタ６が配置されてい
る。回転石英サセプタ６上にウェハ８が載置される工う
になっている。ヒータブロック５はウェハ７のみを加熱
するものでちる。 また、ヒータブロック５上にはガスノズル８が突出され
ている。ガスノズル８の下部はガス管９に連結されてい
る。このガス管９は石英管ベルジャ１を貫通して、バル
ブ１０ａ、１０ｂを介してＣＶＤＡｌソー、ｔ、（ＴＩ
ＢＡまたはＴＭＡ ）ｉ ｌに連結されている。 このＣＶＤＡｌソース１１はステンレスゼンヘ１２（バ
ブラ管）内に収納されている。このステンレスデンペ１
２は恒温槽１３内に収納されている。 このステンレスゼンペ１２内にはガス管１４とノ々ルブ
ＩＯＣを通してかガスが導入されるようになっている。 また、上記ヒータブロック５は製置調節器１５により、
加熱温度が調節されるようになっている。 なお％ １６は石英管ベルジャ１に設けられた高真空排
気系である。 次に、以上のように構成されたこの発明のＣＶＤ装置の
動作について説明する。まず、石英管ベルジャ１内に抵
抗加熱用タンタルボートにＭインピット３を装填しかつ
回転石英サセプタ６にウエノ１７を載置して温調器１５
によりウエノＳ７の温度を〜２８０Ｌに加熱する。 また、回転石英サセプタ６の中心真上に立てられている
ガスノズル８へは恒温槽１３で４０〜６０℃に保温され
たステンレスゼンペ１２内のＴＩＢＡソース１１がＭキ
ャリヤガスによシ運ばれる態勢にしておく。 この状態でウェハ７へのＭ原子の堆積手順について説明
する。まず高真空排気系１６によりペース圧力を１０
Ｔｏｒｒ台にする。 次に回転石英サセプタ６の斜め上方に置かれている抵抗
加熱用タンタルデート２内のＭインｉ ット３にスライ
ダック製電源４に！５電力ｔ−３ＫＶ。 Ｉへ程度印加し、Ａ１．原子をウェハ７上に膜厚２００
Ａ程度堆積させる。 続いて、Ｍガスｔ−２００ｃｃ／ＩＩＩ＋テステンレス
センペ１２内にバルブ１０ｂ、１０ａ、ガス管９を通し
て流し、ノ々ブリノグさせＴＩＢＡ蒸気を含んだかガス
を石英管ベルジャ１内に導入し、反応圧を０−５〜Ｉ
Ｔｏｒｒとする。 Ｔ’ＩＢＡは〜２６０℃で熱分解するが、回転石英サセ
プタ６上のみ２８０℃に加熱されているので、Ｔ１．Ｂ
Ａはウェハ７上でのみ熱分解を起こし、蒸着された薄い
Ｍ層上にＣＶＤＡｌ膜を１μｍ堆積させる。 第２図はこの発明のＣＶＤ装置の第２の実施例の構成を
示す図である。この第２図において、第１図と同一部分
には同一符号を付するにとどめ、第１図とは異なる部分
を重点的に述べる。 この第２図では、第１図におけるヒータブロック５を主
体とする抵抗加熱蒸着源の代わりに電子ビーム蒸着源を
備えたＡ１ＣＶＤ装置である。 この第２図において１石英管ベルジャ３内に銅ルツゼ２
３が配置されている。銅ルツゼ２３内にに水冷管２４が
貫通しており、この水冷管２４内に流通する冷却水で銅
ルツゼ２３が冷却されるようになっている。 銅ルツゼ２３には、チタンインゴット２５が収納される
ようになっている。この銅ルツヂ２３にはコールドウオ
ール型電気炉としての電子源２７とマグネット２６が設
けられておシ、電子源２７から放射される電子流２９は
マグネット２６で偏向すれて、チタンインゴット２５を
照射する工うになっている。 また１石英管ベルジャ３内の上部には赤外線ランプヒー
タ２８が配設されている。この赤外線ランプヒータ２８
の近傍にはプラネタリ治具２１が配設されている。プラ
ネタリ治具２１には、ウェハ７が装填されるようになっ
ている。 この石英管ベルジャ３内において、プラネタリ治具２１
と銅ルツゼ２３間にはシャッタ２２が介在されている。 なお、石英管ベルジャ３内に導入するＴＩＢＡ蒸気を含
んだＭガスを導入する系統は第１図と同様である。 次に、この第２図の実施例の動作について説明する。水
冷された銅ルツゼ２３内にチタンインゴット２５を入れ
て、電子源２６よりの電子流２９をマグネット２７で収
束偏向させてチタンインビット２５に照射する。 これにより、溶融しｂチタンインゴット２５のチタン原
子はシャッタ２２を開くと赤外線ランプ２８で２８０℃
に加熱されたプラネタリ治具２１上のウェハ７に付着す
る。その厚さを〜２００八以下に制御する。 続いて、上記実施例と同じ条件でＣＶ Ｄ Ｍ＠ｆｔ１
μｍ堆積させる。 上記第１および第２の実施例の共通する溝底部材は、 （１）ウェハ７（回転サセプタ６やプラネタリ治具２３
も含む〕のみが加熱保持されていること。 （２）メタル蒸着源（ヒータブロック５の抵抗または電
子源２６の電子ビーム加熱〕を具備していること、 （３１ＣＶＤＡ１ｙ−ス（ＴＩＢＡｔたｉＴＭＡ）、ガ
スを石英管ベルジャ３内に導入していること。 であシ、共通プロセス手項は（１）蒸着源エフＡ１また
はＴｉを〜２００Ａ以下の膜厚でウェハ上に堆積させ、
（２）ＴＩＢＡまたはＴＭＡ蒸気をかキャリヤガスで毎
分５０ ｃｃ〜５００ｃｃの速さ、反応圧０．５〜２’
ｆ’ｏｒｒｈ反応温度２７０〜３００℃、反応時間２０
分〜６０分の条件でＭ膜を１μｍ堆積させるものである
。 （発明の効果〕 以上、詳細に説明したようにこの発明によれば、コール
ドウオール型熱分解を採用しているので、る。 またウェハ上に未分解Ｍソースが付着する確率が小さい
ので、Ｃ，Ｈなどの不純物の少ない良好なＡｔ＠が形成
できる。 さらに、同−高真空内で、ＣＶＤＡｔの触媒となり得る
ＭまたはＴｉｔ蒸着法によって堆積することに！４２．
ＣＶＤＡｊの結晶核生成を促進でき、反射率を改善する
ことができる。 加えて、腐食性ガスを使用しないので、装置材料の制限
がなく、排気処理も従来に比べて簡便となる。 また蒸着ソースＭとＴｉの交換も容易なので、Ｔｉを下
敷にすると不都合なデバイスにはＡ１ヲ下敷に、また超
ＬＳＩなどの浅接合用電極配線に有効なＳｉ ／Ｔｉ
／Ａｔ構成にしたいときはＴｉをノ々リヤメタルとして
使うなどのケースノ々イヶースに下敷を選択することが
できる。
第１図はこの発明のＣＶＤ装置の一実施例の構成を示す
図、第２図はこの発明のＣＶＤ装置の他の実施例の構成
を示す図である。 ｌ・・・石英管ベルジャ、２・・・抵抗加熱用タンタル
／−）、３・・・Ｍインゴット、４・・・スライダック
型電源、５・・・ヒータブロック％７・・・ウェハ％
１１・・・ＣＶＤＡｔンース、２１・・・プラネタリ治
具、２２・・・シャッタ、２３・・・銅ルッゼ、２５・
・・Ｔｉインビット、２６・・・マグネット、２７・・
・電子源、２８・・・赤外線ランプ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 Ｉ：ｄ管ヘルシベ ２：抵＋１７ｔ７７Ｄ？夕用タンタルホ゛−ト３：Ａ／
インコ゛フＦ ４°スライダ°ツク型！；原 ５：じ−タ７′ロック ７：Ｐ′７二八 ｕへｃｖｏソース 、本メ＝８月りＣｖＤ棟１！／）＃＋に’ａ第１図 ２２：シイツタ ２３：会同ノしツホー ２５：Ｔｉインコ゛ソト ２６：マク””ネット Ｚ７：ｆ１源 ２８：赤タト予泉ランフ。 本倉日月の第２／）冑健伸１のＣＶＤ装置のオ溝八図第
２図
図、第２図はこの発明のＣＶＤ装置の他の実施例の構成
を示す図である。 ｌ・・・石英管ベルジャ、２・・・抵抗加熱用タンタル
／−）、３・・・Ｍインゴット、４・・・スライダック
型電源、５・・・ヒータブロック％７・・・ウェハ％
１１・・・ＣＶＤＡｔンース、２１・・・プラネタリ治
具、２２・・・シャッタ、２３・・・銅ルッゼ、２５・
・・Ｔｉインビット、２６・・・マグネット、２７・・
・電子源、２８・・・赤外線ランプ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 Ｉ：ｄ管ヘルシベ ２：抵＋１７ｔ７７Ｄ？夕用タンタルホ゛−ト３：Ａ／
インコ゛フＦ ４°スライダ°ツク型！；原 ５：じ−タ７′ロック ７：Ｐ′７二八 ｕへｃｖｏソース 、本メ＝８月りＣｖＤ棟１！／）＃＋に’ａ第１図 ２２：シイツタ ２３：会同ノしツホー ２５：Ｔｉインコ゛ソト ２６：マク””ネット Ｚ７：ｆ１源 ２８：赤タト予泉ランフ。 本倉日月の第２／）冑健伸１のＣＶＤ装置のオ溝八図第
２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）真空反応管内に配設されウェハを加熱するコール
ドウォール型の電気炉と、 （ｂ）上記真空反応管内に配置され上記ウェハにＭまた
はＴｉを蒸着して堆積させる蒸着源と、（ｃ）上記ウェ
ハに上記ＭまたはＴｉを堆積した状態でＡｒキャリアガ
スにより上記真空反応管内にＣＶＤＡｌソースを導入す
る手段とからなるＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10596885A JPS61264175A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10596885A JPS61264175A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264175A true JPS61264175A (ja) | 1986-11-22 |
| JPS634915B2 JPS634915B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=14421578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10596885A Granted JPS61264175A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61264175A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62239526A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Fujitsu Ltd | 金属被膜のエピタキシヤル成長方法 |
| JPH01264258A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0593273A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | アルミ薄膜の形成方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373247A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-28 | Mitsubishi Materials Corp | ワーク配列装置 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10596885A patent/JPS61264175A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62239526A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | Fujitsu Ltd | 金属被膜のエピタキシヤル成長方法 |
| JPH01264258A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0593273A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | アルミ薄膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634915B2 (ja) | 1988-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4421592A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
| JPS63203772A (ja) | 銅薄膜の気相成長方法 | |
| JPS63286334A (ja) | 積層体およびその製造法 | |
| US5750195A (en) | Deposition of diamond on oxidizable material | |
| WO1999053537A1 (fr) | Procede servant a relacher les contraintes dans une pellicule de couverture en tungstene obtenue par depot chimique en phase vapeur | |
| TW594853B (en) | The manufacturing method of diamond film and diamond film | |
| JPS634915B2 (ja) | ||
| EP0203616B1 (en) | Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor | |
| US4609424A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
| JPS6340800A (ja) | 高硬度窒化ホウ素の合成法 | |
| JP3534676B2 (ja) | Ｃｕ又はＣｕ含有膜の形成方法、及び装置 | |
| JPH07221048A (ja) | バリアメタル層の形成方法 | |
| JP2723053B2 (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| JPH0730451B2 (ja) | アルミニウム層の化学気相成長方法 | |
| JPH03124020A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2799849B2 (ja) | 化学蒸着法によるダイヤモンドの合成方法 | |
| JPH01104763A (ja) | 金属化合物薄膜の製造方法 | |
| JPS62239526A (ja) | 金属被膜のエピタキシヤル成長方法 | |
| JPS58174568A (ja) | 金属化合物被膜の形成方法 | |
| JP2677230B2 (ja) | ＴｉＮ膜の形成方法 | |
| JPS63206390A (ja) | ダイヤモンド薄膜の作製方法 | |
| JPH0465310A (ja) | シリコンカーバイド薄膜の堆積方法 | |
| JPH04321596A (ja) | ダイヤモンド膜の形成方法 | |
| JPH05226335A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPS6360285A (ja) | プラズマ蒸着式基体表面被覆方法 |