JPS61264352A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 抜棗光更 本発明は光導電層としてアモルファスシリコンを用いた
電子写真感光体に関する。

災米狡嵐 従来、電子写真感光体における光導電材料としてはＳｓ
、ＺｎＯなどの無機材料やポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、トリニトロフルオレノンなどの有機材料が用いられ
てきたが、最近になって、アモルファスシリコン（以降
ｒａ−３ｉＪと称する）が注目されはじめている。これ
は、ａ−８ｌを光導電層とした電子写真感光体が従来の
それと比較して同様もしくはそれ以上の特性を有する他
１人および環境に対しても無害であり、耐久性が著しく
大きい等の長所を有しているからである。

しかしながら、これまでのａ−３ｔ系電子写真感光体に
おいては、支持体上にａ−Ｓｔ層を形成する際の層重が
大きく、また支持体とａ−８ｉ層との密着性が不十分な
ため、支持体表面からのａ−８ｉ層の浮きや剥離、亀裂
などが生ずるといった大きな問題点が残されている。そ
の解決策として従来より下記（１）〜（３）の方法等が
行われてきた。すなわち、 （１）支持体とａ−５ｉ層との間に結晶性シリコン層を
設けて光導電層を構成し、この結晶性シリコン層により
支持体とａ　−Ｓ　ｉ層との密着性を向上させる（特開
昭５７−４４１５４号公報）；（２）支持体表面を化学
構造的に水を含む酸化アルミニウム（ＡＱ、Ｏ，−ｎＨ
２Ｏ：ｎ＝１．３）として、支持体とａ−８ｉ層との密
着性を向上させる（特開昭５７−１０４９３８号公報）
；（３）支持体とａ−８ｉ層との間に窒素原子を構成原
子として含有するａ−８ｉ層の補助層を設け、この補助
層により支持体とａ−８ｉ層との密着性を向上させる（
特開昭５８−１４９０５６号公報）。

しかしながら、上記（１）〜（３）の方法によるもいま
だ、下記の如き問題点を有するものであった。すなわち
。

（１）の方法による場合、支持体上に前記結晶性シリコ
ン層を形成する際に、支持体温度を高温にする必要があ
り、そのため支持体の損傷が大きく、さらに支持体の構
成原子が結晶性シリコン層へ拡散し、電子写真感光体と
しての特性が劣化する； （２）の方法による場合、酸化アルミニウム中の水の構
成要素であるＯＨ基、酸素原子がａ−８ｉ層中へ拡散し
、長時間にいたっては電子写真感光体としての特性が劣
化する；（３）の方法による場合、補助層自体が硬く、
補助層と支持体との密着性も良好とはいえないため、補
助層と支持体との間で剥離、浮き等の問題が解消し得な
いものであった。

１−一旗 本発明は電子写真感光体としての特性を劣化させずに、
ａ−８ｉ層と支持体との密着性を向上させてａ−８ｉ層
の浮きや剥離、層の亀裂を防止し、繰返し安定性、経時
安定性を有する電子写真感光体を提供することを目的と
する。

棗−一履 本発明は支持体と、この支持体上に設けられ、水素原子
、ハロゲン原子、重水素原子のうちから選ばれる少くと
も１種の原子を含むａ−３ｉ暦とを有する電子写真感光
体において、前記支持体が非晶質金属からなることを特
徴とするものである。

以下に本発明を添付図面を参照して説明する。

図面は本発明に係る電子写真感光体の最も代表的な構成
例を示すもので１図示の電子写真感光体１は支持体２．
およびその上に積層されたａ−８ｉ層３とから構成され
る。

本発明では支持体２として非晶質金属を用いることを特
徴とするものであり、この支持体２としては、例えば液
体急冷法で作成される非晶質合金などがあり、その−例
を挙げれば、Ａｕ、、　Ｇｅｙ　Ｓｉｚ　＊　Ａｇ＋ｏ
ｏ　−ｘ　Ｓｉｘ、Ｆｅ、ＢｙＳｉ、、Ｃｏｘ　ｓｉ、
Ｂ、、（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ１）Ｂ、Ｓｉ、、Ｆｅ、ＰｙＳ
ｉ２、Ｌａ、ｏｏ−Ｘ５ｉＸ−Ｍｎ、、、　　、　Ｓｉ
、、Ｎｂ＋ｏｏ−、Ｓｉ、　、　Ｎｂ、　ＭｏｙＳｉｚ
、ＮｂＸＭａｙ　Ｓ　ｉｔｓ　Ｂ　ａ　、Ｐ　ｄｌｏｏ
−ｘ　Ｓ　ｌｙ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｉ、、ＰｄｘＡｇｙ　
ｓｉ２、ＰｄＸＡｕ、　Ｓｉ、　、　Ｐｄ５４Ｇｅｘ　
Ｓｉｙ　。

ＰＬ、。。−Ｘ　Ｓｉｘ　　、　　ＴｉＸ　Ｎｂ、　　
Ｓｉ１．、Ｔｉ、ＮｂｙＳｉ、Ｂｓ　、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓ
ｉ、、ｚｒｌｏｏ−Ｘ５ｉＸ、　Ｚｒ、　Ｎｂ、　Ｓｉ
、ｓ等が好ましく使用し得る。これらの非晶質金属を用
いる場合、この上に積層されるａ−３ｉ層の組成原子で
あるＳｔ同志の結合が行われ易く、界面での状態がより
良好となる。

以上のように本発明では支持体２として非晶質金属を用
いるため、この非晶質金属の支持体２とａ−８ｉ層３と
の密着性を著しく向上させるとともに電子写真感光体と
しての特性をも向上させることができるのである。それ
は次の如き理由によるものである。

すなわち、支持体２を構成する非晶質金属はその構造上
、結晶と比べて長距離秩序性が無い為、同じように長距
離秩序性を持たないａ−３ｉ層を、非晶質金属の上に堆
積させた場合には、その界面での格子定数の整合などの
問題が無視できる。そのため従来から問題となっている
、ａ−８ｉ層４と支持体２との界面でのキャリアに対す
るトラップ密度が減少し、電子写真特性が向上する。ま
た、非晶質金属は、高強靭特性を有している上に６００
　Ｋ以下の広範な温度域で熱膨張係数と弾性係数の両者
が、はぼ零である材料（Ｆ　ｅ　−Ｂ系合金など）もあ
り、従って非晶質金属を支持体２とした感光体１では、
衝撃や、温度変化などによる膜の剥離や白ヌケ、亀裂な
どの発生が防げる。さらに、高強靭な特性を有している
にもかかわらず、非晶質金属は、本質的に結晶金属など
より、化学的に活性であるため、ａ−８ｔ層４を積層さ
せた場合には、両者の未結合手が結びつけられることに
なり、界面での密着性が向上し、かつａ−８ｔ層４に生
じるストレスも、緩和され、亀裂や剥離の無い電子写真
感光体を形成することができるのである。

これらの非晶質金属は液体急冷法の低真空蒸着法、スパ
ッタリング法の方法によっても作成でき１通常は厚さ２
０〜４００μ国、好ましくは５０〜３００μ■程度とし
、リボン状に成形する。

支持体２の上にはａ−３ｔ層３をプラズマＣＶＤ法、ス
パッタリング法、イオンインプラチージョン法等により
膜厚５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍ積層す
る。なお、ａ−８ｔ層３は単層構造でも多層構造でもよ
い。また、このａ−８万層３には水７に原子、ハロゲン
原子１重水素原子のうちから選ばれる少なくとも１種を
５〜４０ａｔｏｍｉｃ％程度含有させる。これはａ−８
ｔ層３中の欠陥を水素原子、ハロゲン原子、重水素原子
などが上記含有量程度で補償してしまうためである。含
有法としては出発ガスにＳｉＨ４，５ｉＤ４などを用い
ることにより含有せしめることができる。

以下に実施例を示す。

実施例 支持体として液体急冷法により作成した幅１００１、厚
さ２５０μ■程度の非晶質合金膜Ｆｅ、、Ｓｉ、、−Ｘ
Ｂ、を使用した。この支持体上に酸素原子およびホウ素
原子を含む２０μ譜のａ−８ｔ層を積層させた。

ａ−５ｔ層の作業条件を次に示す。

膜形成法　　　プラズマＣＶＤ法 圧力　　　　　ＩＴｏｒｒ 高周波電力　　７５Ｗ 基板温度　　　２００℃ このようにして得られた電子写真感光体をロール状にし
、暗中で６ＫＶの正コロナ放電を施し、次に９５　Ｑ　
ｕｘの光量で画像露光を行い、静電画像を形成し、負荷
電されたトナーで現像して転写紙上に転写、定着した。

この画像形成プロセスを繰返し施し、先の転写紙上の画
像と、５万枚目の転写紙上の画像とを比較したところ、
差異は全く見られず、鮮明な画像が得られた。

また１層の剥離や亀裂の発生も全く認められなかった。

拗−一一米 以上のような本発明によれば、支持体として非晶質金属
を用いるため、この支持体上に積層されるａ−３ｔ層と
支持体との密着性が向上し。

ａ−８ｔ層の浮き、剥離、亀裂が防止され、繰返し安定
性および経時安定性に優れた電子写真感光体が提供され
る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明に係る電子写真感光体の代表的な層構成を
示す概略説明図である。 １・・・電子写真感光体　　　　２・・・支持体３・・
・ａ−８ｔ層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、支持体と、この支持体上に設けられ、水素原子、ハ
   ロゲン原子、重水素原子のうちから選ばれる少くとも１
   種の原子を含むアモルファスシリコン層とを有する電子
   写真感光体において、前記支持体が非晶質金属からなる
   ことを特徴とする電子写真感光体。